述。
[0050] 本发明在现有AMOLED器件的蓝色发光层3与空穴传输层之间增设一激发层6,并 将蓝色发光层3的材料替换为光致变色材料，得到一种新型的AMOLED器件。在使用中，激 发层6被基板的电路信号激发出紫外光，再利用紫外光进一步激发光致变色材料，在不同 激发能量下，蓝色发光层3可显示出不同的色度，这种发光方式有效改善了蓝色发光层3的 发光效率，并增加其色域，如图4所示，色坐标会根据紫外光的不同发生变化，色域明显得 以提升，从而可适应不同显示环境，提高了显示质量。
[0051] 本发明还提供上述AMOLED器件的制备方法，首先制备背板1，再依次蒸镀蓝色空 穴传输层2、激发层6、蓝色发光层3、电子传输层4,最后制备金属阴极5。其中，当完成蓝色 空穴传输层2蒸镀后，先制作用于激发层6蒸镀的MASK，使用对应的MASK进行激发层6的 蒸镀；再制作用于蓝色发光层3蒸镀的MASK，使用对应的MASK进行蓝色发光层3的蒸镀。
[0052] 上述制备方法中，所述激发层6和蓝色发光层3的蒸镀工艺条件为：真空度为 5X 10 5Pa，层厚度为 90 ~110 ym，温度为 300 ~400°C，磁力< 150gauss〇
[0053] 本发明还提供一种包含上述AMOLED器件的显示装置。所述显示装置可为采用 OLED技术的手机显示屏、PAD显示屏、电视显示屏等。采用本发明所述AMOLED器件的显示 装置，具有发光效率更高、色域更广的特点。
[0054] 实施例1 一种AMOLED器件
[0055] -种AMOLED器件，结构如图2所述，包括自下而上的背板1、蓝色空穴传输层2、蓝 色发光层3、电子传输层4、金属阴极5 ;在蓝色空穴传输层2、蓝色发光层3之间增设一激发 层6。
[0056] 其中，所述激发层6是由PBD材料制得。
[0057] 所述蓝色发光层3由如下结构化合物制得：
[0058]
[0059] 式中，Ar1、Ar2代表芳杂环基。
[0060] 所述蓝色空穴传输层2是由p型掺杂层（m = MTDATA:x% F4-TCNQ)制得，所述电 子传输层4是由Alq3的低分子材料制得。
[0061] 实施例2 -种AMOLED器件
[0062] 本实施例提供一种AMOLED器件，其与实施例1的区别在于：其激发层由TPBI制 得。
[0063] 实施例3 -种AMOLED器件
[0064] 本实施例提供一种AMOLED器件，其与实施例1的区别在于：其激发层由TAZ制得。
[0065] 实施例4 一种AMOLED器件
[0066] 本实施例提供一种AMOLED器件，其与实施例1的区别在于：其蓝色发光层由掺杂 Fe或Mo的1^他0 3材料制得。
[0067] 实施例5 -种AMOLED器件
[0068] 本实施例提供一种AMOLED器件，其与实施例1的区别在于：其蓝色发光层由负载 Ag纳米粒子的TiO 2材料制得。
[0069] 实施例6 -种AMOLED器件的制备方法
[0070] -种实施例1所述AMOLED器件的制备方法，先制备背板，再依次蒸镀蓝色空穴传 输层、激发层、蓝色发光层、电子传输层，最后制备金属阴极。
[0071] 其中，在完成蓝色空穴传输层蒸镀后，先制作用于激发层蒸镀的MASK，使用对应的 MASK进行激发层的蒸镀；再制作用于蓝色发光层蒸镀的MASK ;使用对应的MASK进行蓝色 发光层的蒸镀；所述激发层和蓝色发光层的蒸镀工艺条件为：真空度为5 X 10 5Pa,层厚度 为 100 y m，温度为 35〇°C，磁力< I5Ogauss0
[0072] 实施例7 -种AMOLED器件的制备方法
[0073] -种实施例1所述AMOLED器件的制备方法，采用与实施例6相同的方法制备，区 别在于：层厚度为90 y m，温度为300°C，
[0074] 实施例8 -种AMOLED器件的制备方法
[0075] -种实施例1所述AMOLED器件的制备方法，采用与实施例6相同的方法制备，区 别在于：层厚度为110 ym，温度为400°C，
[0076] 实施例2-5所述的AMOLED器件均可采用实施例6-8所述的工艺制备得到。
[0077] 实施例9 一种显示装置
[0078] 本实施例提供一种显示装置，包括上述AMOLED器件。采用本发明所述AMOLED器 件的显示装置，具有发光效率更高、色域更广的特点。
[0079] 虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述，但在 本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因 此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。
【主权项】
1. 一种AMOLED器件，其特征在于，包括自下而上的背板、蓝色空穴传输层、蓝色发光 层、电子传输层、金属阴极；其中，在蓝色空穴传输层、蓝色发光层之间增设一激发层。2. 根据权利要求1所述的AMOLED器件，其特征在于，所述激发层的制备材料选自唑类 衍生物紫外发光材料、苯胺类紫外发光材料、联苯衍生物紫外发光材料或聚硅烷类紫外发 光材料中的一种或多种。3. 根据权利要求2所述的AMOLED器件，其特征在于，所述唑类衍生物紫外发光材料 选自苯基联苯基恶二唑类化合物、三氮唑类化合物、1，3, 5-三苯并咪唑基苯或二恶唑衍生 物； 所述苯胺类紫外发光材料选自N，f -双（3-甲基苯基）-N，f -二苯基联苯胺、F2PA。4. 根据权利要求1所述的AMOLED器件，其特征在于，所述蓝色发光层的制备材料为光 致变色材料。5. 根据权利要求4所述的AMOLED器件，其特征在于，所述光致变色材料为胶体材料； 所述胶体材料为二芳基乙烯衍生物、席夫碱、亚砜、脎、缩氨基脲、丁二酸酐。6. 根据权利要求5所述的AMOLED器件，其特征在于，所述二芳基乙烯衍生物选自如下 结构的化合物： 式中，X为S或0 ;Ar^Ar2代表芳杂环基； η = 1 或 2〇7. 根据权利要求6所述的AMOLED器件，其特征在于，所述二芳基乙烯衍生物选自如下 结构的化合物：8. 根据权利要求4所述的AMOLED器件，其特征在于，所述光致变色材料为非胶体材料； 所述非胶体材料为掺杂卤离子空穴的方钠石、掺杂Fe或Mo的LiNbO3、掺杂Bi的铝土、负载 Ag纳米粒子的TiO2、多钼酸、多酸和小生物分子构成的杂化物、含有有机配体的多酸。9. 一种权利要求1-8任一所述AMOLED器件的制备方法，先制备背板，再依次蒸镀蓝色 空穴传输层、激发层、蓝色发光层、电子传输层，最后制备金属阴极。10. 根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述激发层和蓝色发光层的蒸 镀工艺条件为：真空度为5X 10 5Pa，层厚度为90~110 μm，温度为300~400°C，磁力 ^ 150gauss〇11. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一所述AMOLED器件。
【专利摘要】本发明涉及一种AMOLED器件及其制备方法、由其制得的显示装置。所述AMOLED器件包括自下而上的背板、蓝色空穴传输层、蓝色发光层、电子传输层、金属阴极；其中，在蓝色空穴传输层、蓝色发光层之间增设一激发层。器件的电路信号通过激发层激发出紫外光，再利用紫外光激发光致变色材料，在不同激发能量下，蓝色发光层显示出不同的色度，这种方式有效改善了蓝色发光层的发光效率，并且增加其色域，可以适应不同显示环境，提高显示的质量。
【IPC分类】H01L51/56, H01L51/52
【公开号】CN105161634
【申请号】CN201510575169
【发明人】李宝军, 靳福江
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年9月10日