提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于工程电介质与电气工程技术领域，具体涉及一种提升聚酰亚胺闪络电 压的方法。
【背景技术】
[0002] 聚酰亚胺是一种具有优异性能的高分子聚合物材料。拥有优异的耐高、低温性能、 介电性能、宽广温区内十分稳定的力学机械性能、优秀的化学物理稳定性和耐空间辐射性 能，因而已被广泛应用于电力电子、航空航天、精密机械等领域。然而在某些电压等级较高 的场合，聚酰亚胺的沿面绝缘性能还达不到要求，因此为了抑制聚酰亚胺的沿面绝缘失效， 需要设法提升聚酰亚胺的闪络性能。
【发明内容】
[0003] 有鉴于此，本发明的目的在于提供一种提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法。
[0004] 为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：
[0005] 提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法，包括以下步骤：
[0006] 1)将聚酰亚胺薄膜清洗洁净并且干燥；
[0007] 2)对聚酰亚胺薄膜进行打磨；
[0008] 3)将打磨过后的聚酰亚胺清洗洁净并于真空干燥箱中进行干燥。
[0009] 进一步，所述步骤1)中，首先将聚酰亚胺薄膜用去离子水和正丙醇交替清洗5-10 次，然后使用超声清洗器进行清洗，再用去离子水进行冲洗，并置于真空干燥箱中进行干 燥。
[0010] 进一步，所述步骤1)中，真空干燥箱温度为40°C下干燥时间为12小时。
[0011] 进一步，所述步骤2)中，使用120目砂纸对聚酰亚胺薄膜定向进行5-10分钟的打 磨，打磨频率约每分钟10-15次。
[0012] 本发明提供的技术方案实现简单，所需要的工具成本低，具有很好的实用性，不需 要特殊的设备和特殊的处理条件，采用简单机械砂磨即可实现，可重复性强。通过表面砂 磨的方法，在材料表面形成的沟壑，可以有效的提升爬电距离，使得放电通道的形成受到阻 碍，减小了二次电子发射系数，使材料的闪络电压得到有效的提升。
【附图说明】
[0013] 图1示出了场发射扫描电子显微镜观察到的经本发明方法处理后聚酰亚胺薄膜 的表面形貌；
[0014] 图2示出了原子力显微镜观察到的经本发明方法处理后的聚酰亚胺薄膜的三维 表面形貌。
【具体实施方式】
[0015] 为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明的具体实施方 式作进一步的详细描述。
[0016] 提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法，包括以下步骤：
[0017] 1)取聚酰亚胺薄膜剪成7cmX2cm大小的长条，用去离子水和正丙醇交替清洗 5-10次，然后使用超声清洗器进行清洗，再用去离子水进行冲洗，并置于真空干燥箱中进行 干燥，真空干燥箱温度为40°C下干燥时间为12小时。
[0018] 2)使用120目砂纸对聚酰亚胺薄膜定向进行5-10分钟的打磨，打磨频率约每分钟 10-15次，砂磨方向应垂直于闪络场强的方向。
[0019] 3)将打磨过后的聚酰亚胺清洗洁净并于真空干燥箱中进行干燥，可使用与步骤 1)相同的清洗和干燥方法。
[0020] 在常温下、空气气氛中，测量试样的交流闪络电压，升压速度为100V/S。测得的数 据如表1所示。
[0021] 表1本发明所测得的空气中聚酰亚胺交流闪络电压值
[0023] 从表1中可以看出，本发明可以使聚酰亚胺薄膜在空气中的交流闪络电压提高约 10%〇
[0024] 最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较 佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技 术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本 发明的权利要求范围当中。
【主权项】
1. 提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法，其特征在于：包括以下步骤： 1) 将聚酰亚胺薄膜清洗洁净并且干燥； 2) 对聚酰亚胺薄膜进行打磨； 3) 将打磨过后的聚酰亚胺清洗洁净并于真空干燥箱中进行干燥。2. 如权利要求1所述的提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法，其特征在于：所述步 骤1)中，首先将聚酰亚胺薄膜用去离子水和正丙醇交替清洗5-10次，然后使用超声清洗器 进行清洗，再用去离子水进行冲洗，并置于真空干燥箱中进行干燥。3. 如权利要求2所述的提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法，其特征在于：所述步 骤1)中，真空干燥箱温度为40°C下干燥时间为12小时。4. 如权利要求3所述的提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法，其特征在于：所述步 骤2)中，使用120目砂纸对聚酰亚胺薄膜定向进行5-10分钟的打磨，打磨频率约每分钟 10-15 次。
【专利摘要】本发明属于工程电介质与电气工程技术领域，具体涉及一种提升聚酰亚胺闪络电压的方法，包括以下步骤：1)将聚酰亚胺薄膜清洗洁净并且干燥；2)对聚酰亚胺薄膜进行打磨；3)将打磨过后的聚酰亚胺清洗洁净并于真空干燥箱中进行干燥。本发明提供的技术方案实现简单，所需要的工具成本低，具有很好的实用性，不需要特殊的设备和特殊的处理条件，采用简单机械砂磨即可实现，可重复性强。通过表面砂磨的方法，在材料表面形成的沟壑，可以有效的提升爬电距离，使得放电通道的形成受到阻碍，减小了二次电子发射系数，使材料的闪络电压得到有效的提升。
【IPC分类】H01B19/04
【公开号】CN105261429
【申请号】CN201510545652
【发明人】王飞鹏, 张涛, 杨楠, 李剑, 杜林 , 王有元, 陈伟根, 廖瑞金, 杨丽君, 姚陈果, 赵学童
【申请人】重庆大学
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年8月31日