具有顺形电磁屏蔽结构的半导体封装件及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种具有顺形(conformal)电磁屏蔽(EM shielding)结构的半导体封装件及其制造方法。
【背景技术】
[0002]目前，电子产品，例如无线通讯产品，在其运作过程中产生的电磁辐射，可能会干扰其他装置的正常运作，甚至影响人体健康。由于现代的电子产品功能越来越强大，操作速度越来越快，电磁屏蔽(EM shielding)功能及质量相对显得重要。
[0003]在传统电磁屏蔽结构中，通常以一金属盖体盖于芯片上，以达到抗电磁干扰的效果。然而，公知的电磁屏蔽金属盖体必须针对不同的模块或装置进行设计制造，需耗费较多的工时、人力与成本。此外，过去的电磁屏蔽金属盖体通常是固定在基板的表面上，除了较占基板面积，也无法提供较佳的电磁屏蔽效果。
[0004]由此可知，目前本技术领域仍需要一种改良的半导体封装件的电磁屏蔽结构，能够解决上述现有技术的不足与缺点。
【发明内容】
[0005]本发明的主要目的在提供一具有顺形电磁屏蔽结构的半导体封装件，其电磁屏蔽结构的工艺简易、不占用基板表面积、电磁屏蔽效果佳，而能够解决上述先前技艺的不足与缺点。
[0006]根据本发明一实施例，提供一种半导体封装件，包括一基板，其中具有一正面、一底面，以及一位于所述基板周边的侧壁面；数个焊垫，设置在所述底面上；至少一电磁屏蔽连接结构，设置在所述底面，并且部分所述电磁屏蔽连接结构是被暴露于所述侧壁面上；一半导体器件，设置在所述正面上；一封膜，设置在所述正面上，并覆盖住所述半导体器件；以及一电磁屏蔽层，顺形的覆盖住所述封膜以及所述侧壁面，并与暴露于所述侧壁面上的所述电磁屏蔽连接结构直接接触并电性连接。
[0007]根据本发明另一实施例，提供一种半导体封装件的制造方法，包括:提供一基板，其中具有一正面以及一底面，所述基板上区分有数个器件区域以及围绕各个器件区域的切割区域，其中在所述底面，形成有数个焊垫以及至少一电磁屏蔽连接结构；于所述基板的所述正面上安置一半导体器件；形成一封膜，全面覆盖所述基板的所述正面，且所述封膜覆盖住所述半导体器件；进行一切割工艺，沿着所述切割区域切割所述封膜以及所述基板，分离出数个半导体封装件，并使部分所述电磁屏蔽连接结构于所述基板的一侧壁面上暴露出来；以及于所述半导体封装件上顺形的形成一电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包覆所述封膜以及所述基板的所述侧壁面，并直接接触所述侧壁面上被暴露出来的部分所述电磁屏蔽连接结构。
[0008]根据本发明另一实施例，提供一种半导体封装件的制造方法，包括:提供一基板，其中具有一正面以及一底面，其中所述基板上区分有数个器件区域以及切割区域，在所述切割区域内预先形成有数个孔洞结构，且至少在各所述孔洞结构的侧壁上形成有一导电层，其中所述导电层是与所述基板内的一接地层直接接触并电性连接，且所述孔洞结构在所述基板的所述正面是被一盖层遮盖起来；于所述基板的所述正面上安置一半导体器件；形成一封膜，全面覆盖所述基板的所述正面，且所述封膜覆盖住所述半导体器件；进行一切割工艺，沿着所述切割区域切割所述封膜以及所述盖层，使所述孔洞结构内的所述导电层被显露出来，形成数个封膜块体；以及于各所述封膜块体上顺形的形成一电磁屏蔽层，其中所述电磁屏蔽层是填入所述孔洞结构内，并与所述导电层电性连接。
[0009]为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0010]图1到图5为依据本发明一实施例所绘示的制造具有顺形电磁屏蔽结构的半导体封装件的剖面示意图。
[0011]图5A为一局部放大图，绘示出电磁屏蔽连接结构通过基板内的导电孔与基板内的接地层电性连接。
[0012]图5B为一局部放大图，绘示出与电磁屏蔽层电性连接的电磁屏蔽连接结构不连接到基板中的接地层。
[0013]图6为图1中基板的底面的部分俯视图，例示器件区域内的焊垫以及电磁屏蔽连接结构的位置。
[0014]图7绘示本发明半导体封装件的部分侧视图，显示出显露于侧壁面上的电磁屏蔽连接结构。
[0015]图7A绘示本发明半导体封装件的部分侧视图，显示出显露于侧壁面上的电磁屏蔽连接结构，且电磁屏蔽连接结构是被防焊层覆盖住。
[0016]图8到图13绘不本发明另一实施例，例不制造具有顺形电磁屏蔽结构的半导体封装件的方法。
[0017]图8A例示在孔洞结构上另网印一防焊层，形成双层防焊层结构。
[0018]图8B例示于孔洞结构一端设置一盖层，而盖层上再覆以防焊层。
[0019]图8C例示孔洞结构为一盲孔。
[0020]图8D例示孔洞结构为一埋孔。
[0021]图13A例示制造具有顺形电磁屏蔽结构的半导体封装件的方法，其中第一切割的切割宽度大于或等于孔洞结构的孔洞宽度。
[0022]图14为图1中基板的底面的部分俯视图，例示器件区域以及切割区域内的孔洞结构。
[0023]图15到图17绘不本发明又另一实施例，例不制造具有顺形电磁屏蔽结构的半导体封装件的方法。
[0024]须注意的是所有附图以说明和制图方便为目的，相对尺寸及比例都经过调整。相同的符号在不同的实施例中代表相对应或类似的特征。
[0025]其中，附图标记说明如下:
[0026]1、1’器件区域
[0027]2、2’切割区域
[0028]10、10’半导体封装件
[0029]10a、10a’ 上表面
[0030]10b、10b’ 侧壁面
[0031]20、20’ 芯片
[0032]30、30，器件
[0033]40、40’ 封膜
[0034]50、50’电磁屏蔽层
[0035]62、62’ 锡球
[0036]64 锡球
[0037]100、100，基板
[0038]100a、100a，正面
[0039]100b、100b，底面
[0040]101 焊垫
[0041]102 焊垫
[0042]102a电源焊垫
[0043]102b接地焊垫
[0044]103 焊垫
[0045]104电磁屏蔽连接结构
[0046]105、105，、105” 防焊层
[0047]106、106’ 防焊层
[0048]110’孔洞结构
[0049]111’ 导电层
[0050]120导电孔
[0051]140、140’ 接地层
[0052]150’、150” 盖层
[0053]200、200’ 载膜
[0054]300系统印刷电路板
[0055]302系统电源焊垫
[0056]304系统接地焊垫
[0057]306系统电磁屏蔽焊垫
[0058]312 锡球
[0059]314 锡球
[0060]316 锡球
[0061]320滤波器件
[0062]400’封膜块体
[0063]400a’ 上表面
[0064]400b’ 侧壁面
【具体实施方式】
[0065]本发明可通过此一优选实施例的附图及详细说明，让在本领域的技术人员明了以下的描述的诸多具体细节提供对此发明全面了解。然而对于本领域中的技术人员，在没有这些特定细节下依然可实行此发明。此外，一些本领域中公知的系统配置和工艺步骤并未在此详述，因为这些应是此领域中的技术人员所熟知的。
[0066]同样的，实施例的附图为示意图，并未照实际比例绘制，为了清楚呈现而放大一些尺寸。在此公开和描述的数个实施例中若具有共通或类似的某些特征时，为了方便图示及描述，类似的特征通常会以相同的标号表示。
[0067]请参考图1到图5，其为依据本发明一实施例所绘示的制造具有顺形电磁屏蔽(EMshielding)结构的半导体封装件的剖面示意图。如图1所示，首先提供一基板100，例如内部形成有线路的封装基板或电路板，其中具有一正面100a以及一底面100b。根据本发明例示实施例，基板100的正面100a又可称为芯片安置面(chip side)，而底面100b又可称为印刷电路板连接面(PCBside)，但不限于此。在基板100的正面100a上，形成有一防焊层105，而在基板100的底面100b上，形成有一防焊层106。
[0068]根据本发明例示实施例，基板100上区分有数个器件区域1以及围绕各个器件区域1的切割区域2。根据本发明例示实施例，在基板100的底面100b，形成有数