0a’构成电性连接，但不限于此。
[0085]如图10所示，接着在基板100’的正面100a’上形成一封膜(mold compound)40’，例如，环氧树脂成型胶。根据本发明例示实施例，封膜40’全面覆盖基板100’的正面100a’，包括器件区域1’以及切割区域2’，且封膜40’覆盖住已安置在基板100’的正面100a’上的芯片20’及器件30’。由于有盖层150’遮盖住孔洞结构110’，故封膜40’不会流入孔洞结构110’内。
[0086]如图11所示，接着进行第一次的切割工艺，利用刀锯、线锯或雷射切割等方式，沿着切割区域2’切割封膜40’，直到孔洞结构110’内的导电层111’被显露出来为止。换句话说，上述第一次的切割工艺仅切割封膜40’到一预定深度，并将盖层150’切开，使孔洞结构110’内的导电层111’被显露出来，此时基板100’的器件区域1’仍未彼此分离。封膜40被切割成数个封膜块体400’，各封膜块体400’包括一上表面400a’以及四个侧壁面400b’。
[0087]如图12所示，接着在各封膜块体400’的上表面400a’以及四个侧壁面400b’上顺形的形成一电磁屏蔽层50’。根据本发明例示实施例，电磁屏蔽层50’可以利用喷涂、溅射、电镀、蒸镀或类似工艺形成，例如电磁屏蔽层50’可以包括一导电材料，例如一铜层，但不限于此。此外，还可以有一保护层，例如环氧树脂，但不限于此。根据本发明例示实施例，电磁屏蔽层50’是填入孔洞结构110’内，并与孔洞结构110’内的导电层111’电性连接。
[0088]如图13所示，接着进行第二次的切割工艺，利用刀锯、线锯或雷射切割等方式，沿着切割区域2’截断器件区域1’之间的电磁屏蔽层50’、孔洞结构110’内的导电层111’，以及基板100’，如此分离出数个半导体封装件10’。需注意的是，经过第二次切割后，电磁屏蔽层50’仍与孔洞结构110’内的导电层111’保持电性连接。最后，在基板100’底面100b’上形成数个凸块或锡球62’。根据本发明另一实施例，如图13A所示，第一次切割的切割宽度，可以大于或等于孔洞结构110’的孔洞宽度。
[0089]根据本发明另一实施例，如图15所示，也可以先在基板100’底面100b’上贴合一载膜200’。接着进行一切割工艺，利用刀锯、线锯或雷射切割等方式，沿着切割区域2’切割封膜40’以及孔洞结构110’，切割深度可以直接达到载膜200’的表面。然后，图16所示，将载膜200’去除。如图17所示，接着形成电磁屏蔽层50’，再在基板100’底面100b’上形成数个凸块或锡球62’，形成数个半导体封装件10’。
[0090]以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括: 一基板，其中具有一正面、一底面，以及一位于所述基板周边的侧壁面； 数个焊垫，设置在所述底面上； 至少一电磁屏蔽连接结构，设置在所述底面，并且部分所述电磁屏蔽连接结构是被暴露于所述侧壁面上； 一半导体器件，设置在所述正面上； 一封膜，设置在所述正面上，并覆盖住所述半导体器件；以及 一电磁屏蔽层，顺形的覆盖住所述封膜以及所述侧壁面，并与暴露于所述侧壁面上的所述电磁屏蔽连接结构直接接触并电性连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述基板另包括一导电孔、一接地垫以及一接地层，其中所述导电孔电性连接所述接地层与所述接地垫。3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述电磁屏蔽连接结构是通过所述导电孔与所述接地层电性连接。4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述导电孔电性连接所述接地层及所述接地垫，所述电磁屏蔽连接结构与所述接地垫两者在电性上及结构上互为独立且分呙。5.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述半导体器件包括一滤波器件，设置在所述基板上，且通过所述数个焊垫电性连接于所述电磁屏蔽连接结构与所述接地垫之间。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述电磁屏蔽连接结构设置在所述基板的所述底面的一角落。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，另包括数个凸块状焊料或球状焊料，分别设置在所述焊垫上。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述电磁屏蔽连接结构在所述底面上是被一防焊层覆盖住。9.一种半导体封装件的制造方法，包括: 提供一基板，其中具有一正面以及一底面，所述基板上区分有数个器件区域以及围绕各个器件区域的切割区域，其中在所述底面，形成有数个焊垫以及至少一电磁屏蔽连接结构； 在所述基板的所述正面上安置一半导体器件； 形成一封膜，全面覆盖所述基板的所述正面，且所述封膜覆盖住所述半导体器件； 进行一切割工艺，沿着所述切割区域切割所述封膜以及所述基板，分离出数个半导体封装件，并使部分所述电磁屏蔽连接结构于所述基板的一侧壁面上暴露出来；以及 在所述半导体封装件上顺形的形成一电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包覆所述封膜以及所述基板的所述侧壁面，并直接接触所述侧壁面上被暴露出来的部分所述电磁屏蔽连接结构。10.根据权利要求9所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述基板另包括一导电孔、一接地垫以及一接地层，其中所述导电孔电性连接所述接地层与所述接地垫。11.根据权利要求10所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽连接结构是通过所述导电孔与所述接地层电性连接。12.根据权利要求10所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述导电孔电性连接所述接地层及所述接地垫，所述电磁屏蔽连接结构与所述接地垫两者在电性上及结构上互为独立且分离。13.根据权利要求10所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件包括一滤波器件，设置在所述基板上，且通过所述数个焊垫电性连接于所述电磁屏蔽连接结构与所述接地垫之间。14.根据权利要求9所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽连接结构设置在所述基板的所述底面的一角落。15.根据权利要求9所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，另包括:分别在所述焊垫上形成数个凸块状焊料或球状焊料。16.根据权利要求9所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽连接结构在所述底面上是被一防焊层覆盖住。17.根据权利要求9所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽层是利用喷涂、溅射、电镀、或蒸镀工艺形成。18.一种半导体封装件的制造方法，包括: 提供一基板，其中具有一正面以及一底面，其中所述基板上区分有数个器件区域以及切割区域，在所述切割区域内预先形成有数个孔洞结构，且至少在各所述孔洞结构的侧壁上形成有一导电层，其中所述导电层是与所述基板内的一接地层直接接触并电性连接，且所述孔洞结构在所述基板的所述正面是被一盖层遮盖起来； 于所述基板的所述正面上安置一半导体器件； 形成一封膜，全面覆盖所述基板的所述正面，且所述封膜覆盖住所述半导体器件； 进行一第一切割工艺，沿着所述切割区域切割所述封膜以及所述盖层，使所述孔洞结构内的所述导电层被显露出来，形成数个封膜块体；以及 于各所述封膜块体上顺形的形成一电磁屏蔽层，其中所述电磁屏蔽层是填入所述孔洞结构内，并与所述导电层电性连接。19.根据权利要求18所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，形成所述电磁屏蔽层之后，另包括: 进行一第二切割工艺，沿着所述切割区域截断所述器件区域之间的所述电磁屏蔽层、所述导电层，以及所述基板，如此分离出数个半导体封装件。20.根据权利要求18所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，另包括:分别在所述底面上形成数个凸块状焊料或球状焊料。21.根据权利要求18所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述盖层为多层结构。22.根据权利要求18所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述盖层包括一铜箔或一防焊层。
【专利摘要】本发明公开了一种半导体封装件及其制造方法，该半导体封装件包括一基板，其中具有一正面、一底面，以及一位于所述基板周边的侧壁面；数个焊垫，设置在所述底面上；至少一电磁屏蔽连接结构，设置在所述底面，并且部分所述电磁屏蔽连接结构是被暴露于所述侧壁面上；一半导体器件，设置在所述正面上；一封膜，设置在所述正面上，并覆盖住所述半导体器件；以及一电磁屏蔽层，顺形的覆盖住所述封膜以及所述侧壁面，并与暴露于所述侧壁面上的所述电磁屏蔽连接结构直接接触并电性连接。
【IPC分类】H01L23/552, H01L23/31, H01L21/58
【公开号】CN105321933
【申请号】CN201510461278
【发明人】吴明哲
【申请人】乾坤科技股份有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年7月31日
【公告号】US20160035680