理条件等的程序)、用于对包含上述各种薄膜的堆积物进行改性的改性制程(记载有改性处理的处理步骤、处理条件等的程序)、用于除去包含上述各种薄膜的堆积物的清洁制程(记载有清洁处理的处理步骤、处理条件等的程序)可根据各种处理的内容(形成、改性、除去的薄膜的膜种类、组成比、膜质、膜厚等)分别单独准备(准备多个)。而且，优选地，开始各种处理时，根据处理的内容从多个制程中适当选择合适的制程。具体而言，将根据处理内容各自准备的多个制程经由电气通信线路、记录有该制程的记录介质(外部存储装置282)预先存储(安装)在具有衬底处理装置的存储装置280c内是优选的。而且，优选地，开始各种处理时，具有衬底处理装置的CPU280a会根据处理的内容，从存储于存储装置280c内的多个制程中适当选择合适的制程。通过这样构成，可以在1台衬底处理装置中以广泛用于各种各样的膜种类、组成比、膜质、膜厚的薄膜且再现性良好的方式进行形成、改性、除去。此夕卜，可以减少操作员的操作负担(输入处理步骤、处理条件等的负担等)，避免操作失误，同时能够迅速开始各种处理。
[0281]上述工艺制程、改性制程、清洁制程并不限于新作成的情形，例如，可以通过变更已经安装在衬底处理装置中的已有制程进行准备。变更制程时，可以将变更后的制程经由电气通信线路、记录有该制程的记录介质安装在衬底处理装置中。此外，还可以操作具有已存的衬底处理装置的输入输出装置281，将已经安装在衬底处理装置中的已有制程进行直接变更。
[0282]在上述实施方式中，对使用一次处理多片衬底的分批式衬底处理装置进行成膜处理、堆积物的改性处理、清洁处理的例子进行了说明。本发明并不限定于上述实施方式，例如，也优选适用于使用一次处理1片或数片衬底的单片式衬底处理装置进行各种处理的情形。此外，在上述实施方式中，对使用具有暖壁(warm wall)型处理炉的衬底处理装置进行各种处理的例子进行了说明。本发明并不限定于上述实施方式，也优选适用于使用具有冷壁(cold wall)型处理炉、热壁型(hot wall)处理炉的衬底处理装置进行各种处理的情形。在上述情况下，处理步骤、处理条件也可以为例如与上述实施方式相同的处理步骤、处理条件。
[0283]此外，例如，本发明也优选适用于使用图11所示的侧流(sideflow)式(错流式，crossflow type)处理炉302的情形。处理炉302具有:处理容器303，其形成处理室301 ；支承台317，其以水平姿态支承1枚或数枚晶片200 ;支承台317所具有的加热器306 ;升降机构307b，其使支承台317升降；搬送机械装置313，其将晶片200搬送到处理容器303内。处理容器303的上部侧壁(侧壁的顶板部附近)连接有供给上述原料气体、改性气体、清洁气体、加热促进气体的气体供给端口 332a和供给上述反应气体的气体供给端口 332b。气体供给端口 332a连接有与上述实施方式的原料气体供给系统、改性气体供给系统、清洁气体供给系统、加热促进气体供给系统相同的气体供给系统。气体供给端口 332b连接有与上述实施方式的反应气体供给系统相同的气体供给系统。处理容器303上设置有对处理室301内进行排气的排气端口 331。排气端口 331连接有与上述实施方式的排气系统相同的排气系统。处理容器303，在气体供给端口 332a、排气端口 331的周围，设置有将上述部件加热至数十?150°C左右的辅助加热器306a。
[0284]此外，例如，本发明也优选适用于使用图12所示的侧流式处理炉402的情形。处理炉402具有:处理容器403，其形成处理室401 ;加热灯(lamp heater) 406，其朝向处理容器403内的晶片200进行光照射；石英窗403w，其使加热灯406的光透过。其他以与图11所示的处理炉302同样的方式构成。
[0285]在使用上述衬底处理装置的情况下，也可以按照与上述实施方式、各变形例相同的顺序、处理条件进行成膜处理、堆积物的改性处理、清洁处理，并能够获得与由上述实施方式所得效果相同的效果。
[0286]此外，可以将上述实施方式、变形例等适当组合后使用。此外，此时的处理条件可以为例如与上述实施方式相同的处理条件。
[0287]<本发明的优选方案>
[0288]以下，附记本发明的优选方案。
[0289](附记1)
[0290]根据本发明的一个方案，提供一种半导体器件的制造方法及衬底处理方法，其具有下述工序:
[0291 ] 将衬底搬入处理室内的工序；
[0292]在所述处理室内，利用具有加热器的支承台支承所述衬底的工序；
[0293]将支承着所述衬底的所述支承台配置于第一位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给处理气体、在所述衬底上形成膜的工序；
[0294]将膜形成后的所述衬底从所述处理室内搬出的工序；
[0295]将所述支承台配置于比所述第一位置更靠近所述处理室内的顶板部的第二位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给反应性气体的工序。
[0296](附记2)
[0297]如附记1所述的方法，优选地，供给所述反应性气体的工序包含下述工序:向所述处理室内供给作为所述反应性气体的改性气体，对在所述衬底上形成膜时附着在所述处理室内的堆积物进行改性。
[0298](附记3)
[0299]如附记1或2所述的方法，优选地，供给所述反应性气体的工序包含下述工序:向所述处理室内供给作为所述反应性气体的清洁气体，除去在所述衬底上形成膜时附着在所述处理室内的堆积物。
[0300](附记4)
[0301]如附记3所述的方法，优选地，使对所述堆积物进行改性的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离与除去所述堆积物的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离不同。更优选地，使对所述堆积物进行改性的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离比除去所述堆积物的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离短。即，与除去所述堆积物的工序中的所述支承台的位置相比，将对所述堆积物进行改性的工序中的所述支承台配置在更靠近所述处理室内的顶板部的位置。
[0302](附记5)
[0303]如附记1至4中任一项所述的方法，优选地，在供给所述反应性气体的工序中，在使所述加热器为打开的状态下将所述支承台保持在所述第二位置。
[0304](附记6)
[0305]如附记1至4中任一项所述的方法，优选地，在供给所述反应性气体的工序中，在使所述加热器为打开的状态下将所述支承台短暂配置(保持)在比所述第二位置更靠近所述处理室内的所述顶板部的第三位置，然后将其配置(保持)在所述第二位置。
[0306](附记7)
[0307]如附记1至4中任一项所述的方法，优选地，在供给所述反应性气体的工序中，在使所述加热器为打开的状态下使所述支承台在所述第二位置和与所述第二位置不同的第四位置之间移动。所述第四位置包括将所述衬底搬入所述处理室内时配置所述支承台的位置。所述第四位置包括将所述衬底从所述处理室内搬出时配置所述支承台的位置。所述第四位置包括将所述衬底搬送于所述处理室内外时配置所述支承台的位置。
[0308](附记8)
[0309]如附记1至7中任一项所述的方法，优选地，在供给所述反应性气体的工序中，在向所述处理室内供给所述反应性气体之前，向所述处理室内供给热导率比所述反应性气体高的气体。更优选地，在向所述处理室内供给所述反应性气体之前，向所述处理室内供给并封入热导率比所述反应性气体高的气体。
[0310](附记9)
[0311]如附记1至8中任一项所述的方法，优选地，在供给所述反应性气体的工序中，在向所述处理室内供给所述反应性气体之前，向所述处理室内供给氢气及氦气中的至少任一种。更优选地，在向所述处理室内供给所述反应性气体之前，向所述处理室内供给并封入氢气及氦气中的至少任一种。
[0312](附记10)
[0313]如附记1至9中任一项所述的方法，优选地，所述处理气体从设置于所述顶板部的气体供给部供给至所述处理室内。优选地，所述反应性气体从所述气体供给部供给至所述处理室内。
[0314](附记11)
[0315]如附记1至9中任一项所述的方法，优选地，所述处理气体从设置于所述顶板部的簇射头供给至所述处理室内。优选地，所述反应性气体从所述簇射头供给至所述处理室内。
[0316](附记12)
[0317]如附记1至9中任一项所述的方法，优选地，所述处理气体从设置于所述处理室的侧部的气体供给部供给至所述处理室内。优选，所述反应性气体从所述气体供给部供给至所述处理室内。
[0318](附记13)
[0319]如附记1至12中任一项所述的方法，优选地，所述处理气体包含具有第一元素和碳形成的化学键的原料气体。所述原料气体更优选包含第一元素、碳及齒族元素，且具有第一元素和碳形成的化学键。
[0320](附记14)
[0321]如附记1至12中任一项所述的方法，优选地，所述处理气体包含:具有第一元素和碳形成的化学键的原料气体、包含第二元素的反应气体(以及包含第三元素的反应气体)。
[0322](附记15)
[0323]如附记1至12中任一项所述的方法，优选地，所述处理气体包含:包含第一元素的原料气体和包含碳的反应气体。
[0324](附记16)
[0325]如附记1至12中任一项所述的方法，优选地，所述处理气体包含:包含第一元素的原料气体、包含碳的反应气体、包含第二元素的反应气体(以及包含第三元素的反应气体)。
[0326](附记17)
[0327]根据本发明的其他方案，提供一种半导体器件的制造方法及衬底处理方法，其具有下述工序:
[0328]将衬底搬入处理室内的工序；
[0329]在所述处理室内，利用具有加热器的支承台支承所述衬底的工序；
[0330]将支承着所述衬底的所述支承台配置于第一层级(第一高度)，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给处理气体、在所述衬底上形成膜的工序；
[0331]将膜形成后的所述衬底从所述处理室内搬出的工序；
[0332]将所述支承台配置于比所述第一层级更靠近所述处理室内的顶板部的第二层级(第二高度)，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给改性气体、对在所述衬底上形成膜时附着在所述处理室内的堆积物进行改性的工序；
[0333]将所述支承台配置于比所述第一层级更靠近所述处理室内的顶板部的第三层级(第三高度)，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给清洁气体、除去在所述衬底上形成膜时附着在所述处理室内的堆积物的工序。
[0334](附记18)
[0335]如附记17所述的方法，优选地，所述第三层级与所述第二层级不同。更优选地，与所述第二层级相比，所述第三层级更靠近所述处理室内的所述顶板部。
[0336](附记19)
[0337]根据本发明的又一其他方案，提供一种衬底处理装置，其具有:
[0338]处理室，其收纳衬底；
[0339]支承台，其在所述处理室内支承衬底；
[0340]加热器，其配置于所述支承台；
[0341]支承台移动部，其使所述支承台移动；
[0342]气体供给系统，其向所述处理室内供给气体；
[0343]搬送单元，其将衬底搬送于所述处理室内外；
[0344]控制部，其被构成为以进行下述处理的方式对所述搬送单元、所述支承台移动部、所述加热器及所述气体供给系统进行控制，所述处理为:将衬底搬入所述处理室内的处理；在所述处理室内，利用所述支承台支承所述衬底的处理；将支承着所述衬底的所述支承台配置于第一位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给处理气体、在所述衬底上形成膜的处理；将膜形成后的所述衬底从所述处理室内搬出的处理；将所述支承台配置于比所述第一位置更靠近所述处理室内的顶板部的第二位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给反应性气体的处理。
[0345](附记20)
[0346]根据本发明的另一其他方案，提供一种程序及记录有该程序的计算机可读取记录介质，所述程序使计算机执行下述步骤:
[0347]将衬底搬入所述处理室内的步骤；
[0348]在所述处理室内，利用具有加热器的支承台支承所述衬底的步骤；
[0349]在将支承着所述衬底的所述支承台配置于第一位置，使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给处理气体、在所述衬底上形成膜的步骤；
[0350]膜形成后的所述衬底从所述处理室内搬出的步骤；
[0351]将所述支承台配置于比所述第一位置更靠近所述处理室内的顶板部的第二位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给反应性气体的步骤。
【主权项】
1.一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序: 将衬底搬入处理室内的工序； 在所述处理室内，利用具有加热器的支承台支承所述衬底的工序； 将支承着所述衬底的所述支承台配置于第一位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给处理气体、在所述衬底上形成膜的工序； 将膜形成后的所述衬底从所述处理室内搬出的工序； 将所述支承台配置于比所述第一位置更靠近所述处理室内的顶板部的第二位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给反应性气体的工序。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，供给所述反应性气体的工序包含下述工序:向所述处理室内供给作为所述反应性气体的改性气体，对在所述衬底上形成膜时附着在所述处理室内的堆积物进行改性。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，供给所述反应性气体的工序包含下述工序:向所述处理室内供给作为所述反应性气体的清洁气体，除去在所述衬底上形成膜时附着在所述处理室内的堆积物。4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，供给所述反应性气体的工序包含下述工序:向所述处理室内供给作为所述反应性气体的清洁气体，除去在所述衬底上形成膜时附着在所述处理室内的堆积物，并且， 使对所述堆积物进行改性的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离与除去所述堆积物的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离不同。5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，使对所述堆积物进行改性的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离比除去所述堆积物的工序中的所述支承台和所述顶板部的距离短。6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应性气体的工序中，在使所述加热器为打开的状态下将所述支承台保持于所述第二位置。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应性气体的工序中，在使所述加热器为打开的状态下，将所述支承台短暂配置在比所述第二位置更靠近所述处理室内的所述顶板部的第三位置，然后将其配置在所述第二位置。8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应性气体的工序中，在使所述加热器为打开的状态下使所述支承台在所述第二位置和与所述第二位置不同的第四位置之间移动。9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应性气体的工序中，在向所述处理室内供给所述反应性气体之前，向所述处理室内供给热导率比所述反应性气体高的气体。10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应性气体的工序中，在向所述处理室内供给所述反应性气体之前，向所述处理室内供给选自氢气及氦气中的至少1种。11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体从设置于所述顶板部的气体供给部供给至所述处理室内。12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体从设置于所述顶板部的簇射头供给至所述处理室内。13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体从设置于所述处理室的侧部的气体供给部供给至所述处理室内。14.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体包含具有第一元素和碳形成的化学键的原料气体。15.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体包含原料气体，所述原料气体包含第一元素、碳及齒族元素，且具有第一元素和碳形成的化学键。16.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体包含:具有第一元素和碳形成的化学键的原料气体、包含第二元素的反应气体。17.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体包含:包含第一元素的原料气体和包含碳的反应气体。18.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体包含:包含第一元素的原料气体、包含碳的反应气体和包含第二元素的反应气体。19.一种衬底处理装置，其具有: 处理室，其收纳衬底； 支承台，其在所述处理室内支承衬底； 加热器，其配置于所述支承台； 支承台移动部，其使所述支承台移动； 气体供给系统，其向所述处理室内供给气体； 搬送单元，其将衬底搬送于所述处理室内外； 控制部，其被构成为以进行下述处理的方式对所述搬送单元、所述支承台移动部、所述加热器及所述气体供给系统进行控制，所述处理为:将衬底搬入所述处理室内的处理；在所述处理室内，利用所述支承台支承所述衬底的处理；将支承着所述衬底的所述支承台配置于第一位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给处理气体、在所述衬底上形成膜的处理；将膜形成后的所述衬底从所述处理室内搬出的处理；将所述支承台配置于比所述第一位置更靠近所述处理室内的顶板部的第二位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给反应性气体的处理。
【专利摘要】一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制实施成膜处理后的处理室内产生颗粒，包括下述工序：将衬底搬入处理室内的工序；在处理室内，利用具有加热器的支承台支承衬底的工序；将支承着衬底的支承台配置于第一位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给处理气体、在衬底上形成膜的工序；将膜形成后的衬底从处理室内搬出的工序；将支承台配置于比第一位置更靠近处理室内的顶板部的第二位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给反应性气体的工序。
【IPC分类】H01L21/22, H01L21/67
【公开号】CN105390378
【申请号】CN201510416824
【发明人】山本隆治, 镰仓司, 广濑义朗, 岛本聪
【申请人】株式会社日立国际电气
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年7月15日
【公告号】US20160064219