层叠陶瓷电子部件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及层叠陶瓷电子部件，详细而言，设及具备陶瓷巧体和外部电极的层叠 陶瓷电子部件，所述陶瓷巧体具有隔着陶瓷层而层叠了内部电极的结构，所述外部电极W 从陶瓷巧体的端面起环绕至侧面运样的方式进行配设。
【背景技术】
[0002] 作为代表性的陶瓷电子部件之一，例如有具有图3所示结构的层叠陶瓷电容器。
[0003] 如图3所示，该层叠陶瓷电容器具有如下结构:在隔着作为电介质层的陶瓷层51而 层叠了多个内部电极52(52a，5化）的陶瓷层叠体（陶瓷巧体)60的两端面53a，53b配设外部 电极54(54a，54b)，W与内部电极52(52a，52b)导通。
[0004] 然而，在制造运种层叠陶瓷电容器时，外部电极54(54a，54b)-般是通过在陶瓷层 叠体(陶瓷巧体)的两端面涂布导电性糊剂并烧成的方法而形成的。
[000引作为用于运种外部电极的形成的导电性糊剂，例如，提出了一种导电性糊剂，其通 过至少含有金属粉末、BaO-SrO-ZnO-Bs化一Si化系玻璃料而形成，玻璃料W氧化物换算 含有BaO: 10~50重量％、SrO: 5~40重量％、ZnO: 10~30重量％、B203: 15~30重量％、Si02:3 ~20重量％，同时相对于金属粉末100重量％，含有0.5~10重量％玻璃料(参见专利文献 Do
[0006] 而且，通过使用该导电性糊剂形成外部电极，在烧成时玻璃料难W浸透到构成陶 瓷层叠体的陶瓷中。其原因认为是:在专利文献1的导电性糊剂中使用的玻璃料的BaCKSrO 含量多，难W与陶瓷巧体反应。
[0007] 另外，作为其他的导电性糊剂，提出了一种导电性糊剂，其含有选自铜粉末、儀粉 末、铜一儀合金粉末W及它们的混合物中的至少1种导电性粉末和玻璃料，所述玻璃料无 铅、无祕、无儒、并且具有530~650°C的软化点、9.0~11.5ppm/°C的热膨胀系数，所述导电 性粉末和玻璃料分散在有机介质中（参见专利文献2)。
[0008] 而且，根据该专利文献2的导电性糊剂，可W形成致密性高，与陶瓷巧体的密合性 优异的外部电极。
[0009] 然而，上述专利文献1的导电性糊剂，由于所使用的玻璃料中的Si化量少，因此使 用专利文献1的导电性糊剂而形成的外部电极所含的玻璃容易溶解在锻液中，并且在对外 部电极实施锻覆的工序中，锻液浸入到外部电极、陶瓷巧体中，存在有导致层叠陶瓷电子部 件的机械强度下降运样的问题。
[0010] 此外，对于上述专利文献2的导电性糊剂，也存在有与关于专利文献1的导电性糊 剂所描述的上述问题同样的问题。
[0011] 现有技术文献 [001引专利文献
[0013] 专利文献1:日本特开2003-77336号公报
[0014] 专利文献2:日本特开2004-228075号公报
【发明内容】
[001引发明要解决的问题
[0016] 本发明解决了上述问题，其目的在于，提供一种即使在对外部电极实施锻覆时，也 能够防止因锻液浸入至外部电极、陶瓷巧体而导致的机械强度下降，且可靠性高的层叠陶 瓷电子部件。
[0017] 用于解决问题的方法
[0018] 为了解决上述问题，本发明的层叠陶瓷电子部件，其特征在于，
[0019] 具备陶瓷巧体和外部电极，所述陶瓷巧体具有多个内部电极隔着陶瓷层而被层叠 的结构，所述外部电极与所述内部电极导通、并且形成于所述陶瓷巧体的端部且从所述陶 瓷巧体的端面环绕至侧面，
[0020] 在环绕至所述陶瓷巧体侧面的所述外部电极的环绕部的前端区域与构成所述陶 瓷巧体表面的陶瓷的界面处存在有无机物质，
[0021 ] 该无机物质含有26mol % W上且小于45mol %的Si化、并且
[0022] 由下述式(1):
[0023] 摩尔比=(Ti〇2+化化）/(Si〇2+Ti〇2+Zr〇2)……（1)
[0024] 所表示的摩尔比的值为0.154W上。
[0025] 另外，本发明的其他层叠陶瓷电子部件，其特征在于，
[0026] 具备陶瓷巧体和外部电极，所述陶瓷巧体具有多个内部电极隔着陶瓷层而被层叠 的结构，所述外部电极与所述内部电极导通、并且形成于所述陶瓷巧体的端部且从所述陶 瓷巧体的端面环绕至侧面，
[0027] 在环绕至所述陶瓷巧体侧面的所述外部电极的环绕部的前端区域与构成所述陶 瓷巧体表面的陶瓷的界面处存在有无机物质，
[002引该无机物质含有45mol % W上的Si化、并且
[0029] 由下述式(1):
[0030] 摩尔比=(Ti〇2+化化）/(Si〇2+Ti〇2+Zr〇2)……（1)
[0031 ] 所表示的摩尔比的值为0.022W上。
[0032] 另外，在本发明的层叠陶瓷电子部件中，优选为:存在于所述界面的所述无机物质 含有B2化，并使化化与Si化的摩尔比为下述式(2):
[0033] 0.25 <B2〇3/Si〇2< 0.5……(2)
[0034] 所表示范围。
[0035] 通过如上所述对外部电极的前端区域与构成陶瓷巧体表面的陶瓷的界面处所存 在的无机物质中的B2化与Si化的摩尔比进行规定，从而能够抑制并防止存在于上述界面（W 下，也仅称为"外部电极前端区域与陶瓷巧体的界面"）中的玻璃发生结晶化、或耐酸性下降 的情形，并且能够更可靠地防止机械强度的下降，从而可W使本发明更具实效。
[0036] 另外，在本发明的层叠陶瓷电子部件中，所述前端区域优选为从环绕至所述陶瓷 巧体侧面的所述外部电极的环绕部前端起lOwnW内的区域。
[0037] 通过将所述前端区域设定为从上述外部电极的环绕部的前端起lOwnW内的区域， 能够可靠地起到本发明的效果，可W使本发明更具实效。
[0038] 另外，所述外部电极优选在表面上具备锻膜层。
[0039] 在外部电极的表面设置了锻膜层的层叠陶瓷电子部件是经过锻覆工序制作的，本 发明的层叠陶瓷电子部件具备上述运样的构成，在环绕至陶瓷巧体的侧面的外部电极的环 绕部的前端区域（即，施加了应力，容易成为裂纹等的起点的区域)与、构成陶瓷巧体表面的 陶瓷的界面处，存在有上述运样的无机物质，因此，抑制了存在于界面的陶瓷与玻璃的反应 层、陶瓷巧体表面的陶瓷在锻覆工序中向锻液的溶出、锻液向外部电极或陶瓷巧体的浸入， 进而能够提供机械强度高、可靠性高的层叠陶瓷电子部件。
[0040] 发明效果
[0041] 如上所述，在本发明的层叠陶瓷电子部件中，如上所述，在"外部电极前端区域与 陶瓷巧体的界面"存在含有26mol % W上且小于45mol %的Si化、同时由上述式（1)求出的摩 尔比=(1'1〇2+2地)/间〇2巧1〇2+2地）的值为0.154^上的无机物质，因此，更可靠地抑制了 存在于"外部电极前端区域与陶瓷巧体的界面"的陶瓷与玻璃的反应层、陶瓷巧体的表面的 陶瓷的溶出，从而能够提高耐锻覆性。
[0042] 因此，根据本发明，能够提供即使在对外部电极实施锻覆时，仍抑制并防止了因锻 液浸入到外部电极或陶瓷巧体而导致的机械强度下降，从而可靠性高的层叠陶瓷电子部 件。
[0043] 另外，如本发明的其他层叠陶瓷电子部件那样，在"外部电极前端区域与陶瓷巧体 的界面"存在有含有45mol%W上的Si〇2、同时由上述式（1)求出的摩尔比= (Ti〇2+化化)/ (Si〇2+Ti化+Zr〇2)的值为0.022 W上的无机物质时，也能够更可靠地抑制存在于"外部电极 前端区域与陶瓷巧体的界面"的陶瓷与玻璃的反应层、陶瓷巧体表面的陶瓷的溶出，从而提 高耐锻覆性，进而能够提供一种机械强度优异、可靠性高的层叠陶瓷电子部件。
【附图说明】
[0044] 图1是表示本发明的实施方式的层叠陶瓷电容器的构成的正面剖面图。
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