Led封装结构和led发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及半导体技术，尤其设及一种L邸封装结构和L邸发光装置。
【背景技术】
[0002] 随着照明技术的不断发展，越来越多的灯具开始采用发光二极管化ight 血itting Diode,LED)光源，从而达到节能的目的。在L邸光源中，L抓忍片作为光源的核屯、， 能够将电能转化为可见光。对于出射白光的LED发光装置，W下简称白光LED发光装置，通常 采用蓝光Lm)忍片，该蓝光L邸忍片所发出的蓝光并不能直接用于照明，还要对蓝光L邸忍片 进行封装，W调整光色之后，再应用于照明。
[0003] 但现有技术中的LED封装结构通常使得白光Lm)发光装置的出射光出现明显的黄 晕，尤其是白光Lm)发光装置的额定色溫属于冷白光的情况下，运种黄晕就更加明显，从而 影响到了照明效果，使得照明效果不佳。
【发明内容】
[0004] 本发明提供一种LED封装结构和LED发光装置，用于解决现有技术中的LED封装结 构使得白光L邸的出射光出现明显的黄晕，导致照明效果不佳的技术问题。
[0005] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0006] 第一方面，提供了一种L抓封装结构，包括:L抓忍片和覆盖所述L抓忍片的波长转 换物质层；
[0007] 所述波长转换物质层的红色巧光粉的量在所述L邸忍片的边缘位置处低于中屯、位 置处。
[000引第二方面，提供了一种L抓封装结构，包括:L抓忍片和覆盖所述L抓忍片的波长转 换物质层，所述波长转换物质层包括第一子波长转换物质层和第二子波长转换物质层，所 述第一子波长转换物质层中红色巧光粉的量小于所述第二子波长转换物质层中红色巧光 粉的量；
[0009] 所述第一子波长转换物质层环绕所述L邸忍片侧壁设置；
[0010] 所述第二子波长转换物质层覆盖所述第一子波长转换物质层W及所述Lm)忍片 上。
[0011] 第S方面，提供了一种L抓发光装置，包括:L抓忍片和覆盖所述L抓忍片的波长转 换物质层，且所述L邸发光装置的主波长在各发射角度下保持稳定。
[0012 ]第四方面，提供了一种L邸发光装置，包括：
[0013] L抓忍片和覆盖所述L抓忍片的波长转换物质层，且所述L抓发光装置的色溫在各 发射角度下保持稳定。
[0014] 在本发明实施例提供的Lm)封装结构和Lm)发光装置中，波长转换物质层的红色巧 光粉的量在Lm)忍片的边缘位置处低于中屯、位置处，由此，通过减少Lm)边缘位置的红色巧 光粉的量，实现在Lm)忍片的边缘位置避免直接或者间接方式激发产生红光，向高色溫方向 调节边缘位置处的色溫，减轻了黄晕的问题。
[0015] 上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段， 而可依照说明书的内容予W实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够 更明显易懂，W下特举本发明的【具体实施方式】。
【附图说明】
[0016] 通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通 技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明 的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0017] 图1为LH)忍片示意图；
[001引图2为L邸发光装置光色不均匀性示意图之一；
[0019]图3为LED发光装置光色不均匀性示意图之二；
[0020] 图4为本发明实施例一提供的一种L邸封装结构的示意图；
[0021] 图5为波长转换物质层12中红色巧光粉的分布范围示例之一；
[0022] 图6为波长转换物质层12中红色巧光粉的分布范围示例之二；
[0023] 图7为本发明实施例一提供的另一种L邸封装结构的示意图之一；
[0024] 图8为本发明实施例一提供的另一种L邸封装结构的示意图之二；
[0025] 图9为本发明实施例一提供的另一种L邸封装结构的示意图之 [00%]图10为实施例二提供的L邸封装结构的示意图之一；
[0027] 图11为实施例二提供的光学机构示意图；
[0028] 图12为实施例二提供的L邸封装结构的示意图之二；
[0029] 图13为实施例二提供的L邸封装结构的示意图之
[0030] 图14为实施例二提供的L邸封装结构的示意图之四；
[0031] 图15为实施例二提供的L邸封装结构的示意图之五；
[0032] 图16为测试获得的L邸发光装置主波长变化率曲线图；
[0033] 图17为本发明实施例六所提供的巧光粉涂覆方法的流程示意图；
[0034] 图18为本发明实施例屯所提供的巧光粉涂覆方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0035] 下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开 的示例性实施例，然而应当理解，可W W各种形式实现本公开而不应被运里阐述的实施例 所限制。相反，提供运些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围 完整的传达给本领域的技术人员。
[0036] 为了实现本发明，发明人对Lm)的发光原理W及显示特性进行了调查和研究，充分 分析了黄晕的产生原因和现象，具体如下：
[0037] 白光Lm)发光装置的发光原理在于:通过Lm)忍片发出的光，一般为蓝光或者紫外 光，来激发巧光粉，从而产生互补颜色的光来叠加成为白光。W现有的采用蓝光Lm)忍片的 发光装置为例，在蓝光L邸忍片周围设置有巧光粉层，该巧光粉层一般包括红、黄、绿=种颜 色的巧光粉，或者包括红和黄、红和绿两种颜色的巧光粉，蓝光Lm)忍片发出的蓝光激发其 他颜色的巧光粉，产生互补光，叠加后产生白光效果。
[003引图1为LED忍片示意图，如图1所示，对于LED忍片11，此处仍然W蓝光L邸忍片为例， 其发出的蓝光的光强在各个发射角度并不是相同的。
[0039] 需要说明的是，运里所说的发射角度是指发光方向与垂直于Lm)忍片上表面的方 向之间的角度，垂直于Lm)忍片上表面的方向为发射角度的〇°，平行于Lm)忍片上表面的方 向为发射角度的±90%其中，发射角度为+90°是指从平行于Lm)忍片上表面的方向逆时针 旋转90°获得垂直于L抓忍片上表面的方向，发射角度为-90°是指从平行于L抓忍片上表面 的方向顺时针旋转90°获得垂直于L邸忍片上表面的方向。
[0040] 如图1所示，在Lm)忍片11的中屯、位置，即发射角度在零度附近的范围，例如在± 30°的范围内，蓝光的出射光强较强，而在Lm)忍片11的边缘位置，即发射角度接近90°的范 围，例如在±80°到±90°的范围，蓝光的出射光强较弱，在中屯、位置和边缘位置运两个区域 的光强差别较为明显。而在从中屯、位置到边缘位置之间的部分，光强会随着发射角度的增 大而缓慢降低。
[0041] 由于对于L邸发光装置而言中屯、位置处的发射角度为主要的发射角度，因此，波长 转换物质层中各个巧光粉的量首先要保证与中屯、位置处的光强相匹配。但在现有的白光 L邸发光装置中，L邸忍片中屯、位置处的波长转换物质层和边缘位置处的波长转换物质层的 厚度是大致相同的（同时整个巧光粉层的各颜色的巧光粉的浓度是相同的），或者由于工艺 方面的原因，边缘位置处的波长转换物质层中巧光粉的浓度甚至还会高于中屯、位置处。因 此，边缘位置处的光强较弱，必然会导致边缘位置处的巧光粉的量相对过剩，L抓忍片在边 缘位置处发出的蓝光不足W激发全部巧光粉，进而导致各个颜色的巧光粉均会存在未被激 发的部分。
[0042] 表1为巧光粉的激发特性，表1中的表示可W被激发。根据表1中各个颜色的巧 光粉的激发特性可知，如果在L邸忍片的边缘位置存在未被激发的红色巧光粉，则已经激发 出的绿光和黄光将会继续激发红色巧光粉，从而导致在LED发光装置在边缘位置的发射角 度上发出的红光增加，而红光的色溫较低，从而导致在Lm)发光装置的边缘位置处发出的光 线的整体色溫降低，呈现黄晕现象。
[0044] 表1巧光粉的激发特性
[0045] 此外，由于边缘位置处的蓝光不足，因此，发出的混合光中，蓝光比例较低，蓝光属 于高色溫的光，高色溫的光不足也会降低出射光线的整体色溫，也会导致黄晕现象。
[0046] 图2为Lm)发光装置光色不均匀性示意图之一和图3为Lm)发光装置光色不均匀性 示意图之二。基于上述原因，整个Lm)发光装置光色均匀性如图2所示，从光色均匀性的角度 分析，现有Lm)发光装置中屯、（发射角度0°)色溫高，边缘色溫低；如图3所示，从色坐标来分 析，边缘(