半导体装置的制造方法

半导体装置的制造方法
【专利摘要】提供可制造空隙少的半导体装置的半导体装置的制造方法。一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：层叠体具备芯片安装基板、在芯片安装基板上配置的热固性树脂片、以及具备与热固性树脂片接触的中央部和在中央部的周边配置的周边部的膜，将层叠体的周边部按压于与芯片安装基板接触的载台，由此形成具备载台和膜的密闭容器的工序；和使密闭容器的外部的压力高于密闭容器的内部的压力，由此利用热固性树脂片覆盖半导体芯片，并且在基板与半导体芯片的间隙中填充热固性树脂片的工序。
【专利说明】
半导体装置的制造方法
技术领域
[0001] 本发明设及半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002] 关于倒装忍片连接方式的半导体装置的制造技术，在专利文献1中记载了一种技 术，其中，将W倒装忍片连接方式安装有半导体忍片的基板配置在模具的腔室内后，W规定 的压力向腔室内注入烙融状态的环氧树脂组合物，由此一并进行忍片下的间隙的填充和忍 片整体的密封。一并进行忍片下的间隙的填充和忍片整体的密封的技术有时也被称为模具 底部填充。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1:日本专利第5256185号公报

【发明内容】

[0006] 发明要解决的问题
[0007] 在专利文献1记载的技术中，容易在半导体装置内产生空隙。运是因为:在填充腔 室的过程中环氧树脂组合物的粘度升高，难W填充整个腔室。另外，在专利文献1记载的技 术中，在环氧树脂组合物中配合的填料中的小粒径的填料容易流动，因此容易引起填料的 偏析。
[0008] 本发明的目的在于解决上述课题，提供一种能够制造空隙少的半导体装置的半导 体装置的制造方法。
[0009] 用于解决问题的手段
[0010] 本发明设及一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
[0011] 层叠体具备忍片安装基板、
[0012] 在忍片安装基板上配置的热固性树脂片、W及
[0013] 具备与热固性树脂片接触的中央部和在中央部的周边配置的周边部的膜，
[0014] 忍片安装基板具备基板和倒装忍片安装于基板上的半导体忍片，
[0015] 将层叠体的周边部按压于与基板接触的台座，由此形成具备台座和膜的密闭容器 的工序;和
[0016] 使密闭容器的外部的压力高于密闭容器的内部的压力，由此利用热固性树脂片覆 盖半导体忍片，并且在基板与半导体忍片的间隙中填充热固性树脂片的工序。
[0017] 本发明中，利用密闭容器的内外的压力差，用热固性树脂片覆盖半导体忍片，并且 在基板与半导体忍片的间隙中填充热固性树脂片。本发明中，不需要用树脂填充腔室的工 序。因此，与传递成型方式的模具底部填充相比，能够制造空隙少的半导体装置。另外，与传 递成型方式的模具底部填充相比，不易发生填料的偏析。
[001引本发明中，例如可W使用日本特开2013-52424号公报中记载的真空加热接合装置 (W下也称作真空热加压装置)等。
[0019] 作为基板，没有特别限定，可W列举例如：有机基板、半导体晶片基板、玻璃基板 等。作为半导体晶片基板，可W列举娃晶片基板等。
[0020] 忍片安装基板优选具备多个半导体忍片。
[0021] 本发明的半导体装置的制造方法只要包含形成密闭容器的工序;利用热固性树脂 片覆盖半导体忍片，并且在基板与半导体忍片的间隙中填充热固性树脂片的工序，就没有 特别限定。本发明的半导体装置的制造方法可W还包括:例如，利用热固性树脂片覆盖半导 体忍片，并且对通过在基板与半导体忍片的间隙中填充热固性树脂片的工序而得到的密封 体进行加热，由此形成固化体的工序；W及对固化体进行切割，由此得到半导体装置的工序 等。本发明的半导体装置的制造方法可W还包括例如:对密封体进行加热由此形成固化体 的工序、在固化体上形成再布线层由此形成再布线体的工序、W及对再布线体进行切割由 此得到半导体装置的工序等。
[0022] 发明的效果
[0023] 根据本发明，可W制造空隙少的半导体装置。
【附图说明】
[0024] 图1是真空加热接合装置的示意性截面图。
[0025] 图2是示出在台座上配置有层叠体的状态的示意性截面图。
[0026] 图3是示出形成有腔室的状态的示意性截面图。
[0027] 图4是示出形成有保存忍片安装基板和热固性树脂片的密闭容器的状态的示意性 截面图。
[0028] 图5是示出使密闭容器的外部的压力为大气压的状态的示意性截面图。
[0029] 图6是示出利用密闭容器的内外压力差形成密封体的状态的示意性截面图。
[0030] 图7是在密封体的旁边配置有间隔物的状态的示意性截面图。
[0031 ]图8是示出利用平板按压密封体的状态的示意性截面图。
[0032] 图9是固化体的示意性截面图。
[0033] 图10是示出在固化体的基板上设置有凸块的状态的示意性截面图。
[0034] 图11是通过对固化体进行切割而得到的半导体装置的示意性截面图。
[0035] 图12是示出将层叠膜固定在框状按压部由此在忍片安装基板的上方配置有层叠 膜的状态的示意性截面图。
[0036] 图13是表示形成有腔室的状态的示意性截面图。
[0037] 图14是示出形成有保存忍片安装基板和热固性树脂片的密闭容器的状态的示意 性截面图。
[0038] 图15是示出使密闭容器的外部的压力为大气压的状态的示意性截面图。
[0039] 图16是示出利用密闭容器的内外压力差形成密封体的状态的示意性截面图。
[0040] 图17是示出在密封体的旁边配置有间隔物的状态的示意性截面图。
[0041 ]图18是示出利用平板按压密封体的状态的示意性截面图。
[0042] 图19是固化体的示意性截面图。
[0043] 图20是示出在固化体的基板上设置有凸块的状态的示意性截面图。
[0044] 图21是通过对固化体进行切割而得到的半导体装置的示意性截面图。
[0045] 图22是示出在台座上配置有层叠体的状态的示意性截面图。
[0046] 图23是表示忍片安装晶片的示意性截面图
[0047] 图24是示出形成有腔室的状态的示意性截面图。
[0048] 图25是示出形成有保存忍片安装晶片和热固性树脂片的密闭容器的状态的示意 性截面图。
[0049] 图26是示出使密闭容器的外部的压力为大气压的状态的示意性截面图。
[0050] 图27是示出利用密闭容器的内外压力差形成密封体的状态的示意性截面图。
[0051] 图28是示出在密封体的旁边配置有间隔物的状态的示意性截面图。
[0052] 图29是示出利用平板按压密封体的状态的示意性截面图。
[0053] 图30是固化体的示意性截面图。
[0054] 图31是对固化层进行磨削后的固化体的示意性截面图。
[0055] 图32是对半导体晶片进行磨削后的固化体的示意性截面图。
[0056] 图33是再布线体的示意性截面图。
[0057] 图34是通过对再布线体进行切割而得到的半导体装置的示意性截面图。
【具体实施方式】
[0058] W下列举实施方式对本发明详细地进行说明，但本发明并非仅限定于运些实施方 式。
[0059] [实施方式1]
[0060] 首先，对真空加热接合装置进行说明。
[0061] (真空加热接合装置）
[0062] 如图1所示，在真空热加压装置中，在基台101上配置有加压缸下板102,滑动移动 工作台103 W能够利用滑动缸104在真空热加压装置内外移动的方式配置在加压缸下板102 之上。在滑动移动工作台103的上方，配置有下加热板105,在下加热板105的上表面配置有 下板部材106,在下板部材106的上表面配置有台座（W下也称为基板载置台）107。
[0063] 在加压缸下板102之上配置多个支柱108,在支柱108的上端部固定有加压缸上板 109。在加压缸上板109的下方，穿过支柱108配置有中间移动部材（中间部材）110,在中间移 动部材110的下方隔着隔热板固定有上加热板111，在上加热板111的下表面的外周部，上框 部材112被气密固定并向下方延伸。另外，在上加热板111的下表面，在上框部材112的内侧 固定有内侧框体113。另外，在上加热板111的下表面上，在内侧框体113的内侧固定有平板 117。
[0064] 内侧框体113具备下端部的框状按压部113a和从该框状按压部113a向上方延伸的 杆棒113b，在杆棒113b的周边配置有弹黃，杆棒113b隔热固定于上加热板111的下表面。框 状按压部113a相对于杆棒113b通过弹黃被向下方施力。框状按压部113a能够使膜13气密地 保持在与台座107之间。
[0065] 在加压缸上板109的上表面配置有加压缸114,加压缸114的活塞杆115穿过加压缸 上板109被固定在中间移动部材110的上表面，通过加压缸114,中间移动部材110和上加热 板111和上框部材112能够沿上下一体地移动。在图1中，S是限制因加压缸114引起的中间移 动部材110和上加热板111和上框部材112的下方的移动的止动件，下降后与加压缸114主体 的上表面的止动板相抵接。作为加压缸114,使用油压缸、空压缸、伺服缸等。
[0066] 加压缸114从使上框部材112提拉起的状态开始下降，上框部材112的下端部与在 下板部材106的外周部端部设置的台阶部气密地滑动，然后使加压缸114暂时停止。由此，形 成具备上加热板111、上框部材112和下板部材106的收纳容器。需要说明的是，在上框部材 112设置有用于对收纳容器的内部下也称为腔室）进行抽真空、加压的真空?加压口 116。
[0067] 在打开腔室的状态下，可W通过滑动缸104将滑动移动工作台103、下加热板105、 下板部材106和台座107 W-体的方式拉出至外部。在将它们拉出的状态下，可W在台座107 之上配置层叠体1等。
[0068] (半导体装置4的制造方法）
[0069] 接着，对半导体装置4的制造方法进行说明。
[0070] 如图2所示，将层叠体1配置在台座107上。层叠体1具备忍片安装基板11、在忍片安 装基板11上配置的热固性树脂片12W及在热固性树脂片12上配置的膜13。
[0071] 忍片安装基板11具备基板11a、倒装忍片安装于基板Ila上的半导体忍片1化。半导 体忍片Ub与基板Ila经由凸块Ilc电连接。
[0072] 热固性树脂片12的外形尺寸为能够将半导体忍片Ub密封的大小。
[0073] 膜13具备与热固性树脂片12接触的中央部13a和在中央部13a的周边配置的周边 部13b。膜13的外形尺寸为能够覆盖忍片安装基板11和热固性树脂片12的大小。
[0074] 作为膜13,没有特别限定，可W列举例如:氣类膜、聚締控类膜、聚对苯二甲酸乙二 醋(PET)膜等。
[0075] 膜13在23°C时的拉伸断裂伸长率优选为30% W上、更优选为40% W上。该拉伸断 裂伸长率为30% W上时，成型时的凹凸追随性良好。膜13在23°C时的拉伸断裂伸长率优选 为300% W下、更优选为100% W下。该拉伸断裂伸长率为300% W下时，剥离作业容易进行。
[0076] 拉伸断裂伸长率可W按照ASTM D882来测定。
[0077] 膜13的软化溫度没有特别限定，优选为80°C W下、更优选为60°C W下。该软化溫度 为80°C W下时，成型时的凹凸追随性良好。另外，膜13的软化溫度优选为(TC W上。
[0078] 需要说明的是，将拉伸弹性模量为300MPa时的溫度作为软化溫度。
[0079] 膜13的厚度没有特别限定，优选为1 Owii~200WI1。
[0080] 台座107预先被加热。台座107的溫度优选为70°C W上、更优选为80°C W上、进一步 优选为85 °C W上。该溫度为70°C W上时，能够使热固性树脂片12烙融、使其流动。台座107的 溫度优选为120°C W下、更优选为Iior W下。该溫度为120°C W下时，能够抑制热固性树脂 片12的热固化的进行，并且能够抑制粘度升高。
[0081] 如图3所示，使上加热板111和上框部材112下降，使上框部材112的下端部沿着下 板部材106的外缘部气密地滑动，形成由上加热板111、上框部材112和下板部材106气密地 围成的腔室。在形成腔室的阶段，停止上加热板111和上框部材112的下降。
[0082] 接着，进行抽真空，使腔室内为减压状态。腔室内的压力优选为SOOPaW下。
[0083] 如图4所示，使框状按压部113a下降，由此将膜13的外周部13b按压于台座107，从 而形成密闭容器121。密闭容器121具备台座107和膜13。在密闭容器121的内部配置有忍片 安装基板11和在忍片安装基板11上配置的热固性树脂片12。需要说明的是，使腔室内变为 减压状态后形成密闭容器121，因此密闭容器121的内部和外部为减压状态。
[0084] 如图5所示，打开真空?加压口 116,由此使腔室内的压力变为大气压。即，使密闭 容器121的外部的压力变为大气压。
[0085] 如图6所示，向真空?加压口 116导入气体由此提高腔室内的压力。即，使密闭容器 121的外部的压力高于大气压。由此，利用热固性树脂片12覆盖半导体忍片Ub,并且在基板 Ila与半导体忍片Ub的间隙中填充热固性树脂片12。由此，得到密封体2。
[0086] 作为气体，没有特别限定，可W列举空气、氮气等。
[0087] 气体导入后的密闭容器121的外部的压力优选为0.5MPa W上、更优选为0.6MPa W 上、进一步优选为0.7M化W上。密闭容器121的外部的压力的上限没有特别限定，优选为 0.99MPa W下、更优选为0.9MPa W下。
[0088] 密封体2具备忍片安装基板11和在忍片安装基板11上配置的树脂层21。树脂层21 具备被夹于基板Ila与半导体忍片Ub之间的底部填充部21a、W及在底部填充部21a的周边 配置的密封部2化。半导体忍片Ub被密封部2化覆盖。密封体2与膜13接触。
[0089] 如图7所示，在密封体2的旁边配置有间隔物131。
[0090] 如图8所示，使平板117下降至与间隔物131相接触，对密封体2进行压制，调节密封 体2的厚度。由此，能够使密封体2的厚度变得均匀。作为利用平板117按压密封体2时的压 力，优选为0.1 MPa~SOMPa。
[0091] 接着，去除膜13。
[0092] 接着，切除密封部2化中从基板1 Ia向侧方突出的部分。
[0093] 如图9所示，对密封体2进行加热由此使树脂层21固化，从而形成固化体3。
[0094] 固化体3具备忍片安装基板11和在忍片安装基板11上配置的固化层31。固化层31 具备被夹于基板Ila与半导体忍片Ub之间的连接保护部31a、W及在连接保护部31a的周边 配置的忍片保护部3化。半导体忍片Ub被忍片保护部3化覆盖。
[00M]加热溫度优选为IOCTC W上、更优选为120°C W上。另一方面，加热溫度的上限优选 为200°C W下、更优选为180°C W下。加热时间优选为10分钟W上、更优选为30分钟W上。另 一方面，加热时间的上限优选为180分钟W下、更优选为120分钟W下。
[0096] 如图10所示，在基板Ila上设置有凸块32。
[0097] 如图11所示，将固化体3制成单片(切割），从而得到半导体装置4。
[009引（热固性树脂片12)
[0099] 对热固性树脂片12进行说明。
[0100] 热固性树脂片12在50°(：~150°(：时的最低烙融粘度优选为5?3-8^上、更优选为 10化? SW上。该最低烙融粘度为5Pa ? SW上时，加热时的操作性优异。热固性树脂片12在 50°C~150°C时的最低烙融粘度优选为2000化? SW下、更优选为1500化? SW下、进一步优 选为1000化? SW下、更进一步优选为500Pa ? SW下、特别优选为300Pa ? SW下。该最低烙 融粘度为2000化? SW下时，能够使热固性树脂片12追随半导体忍片1化。另外，能够容易地 在基板Ila与半导体忍片Ub的间隙中填充热固性树脂片12。
[0101] 最低烙融粘度可W通过实施例中记载的方法来测定。
[0102] 热固性树脂片12的最低烙融粘度可W通过无机填充剂的含量、无机填充剂的平均 粒径等来控制。例如，通过减少无机填充剂、使用平均粒径大的无机填充剂，能够降低最低 烙融粘度。
[0103] 热固性树脂片12优选含有热固性树脂。作为热固性树脂，例如可W适当使用环氧 树脂、酪醒树脂等。
[0104] 作为环氧树脂，没有特别限定。例如可W使用S苯基甲烧型环氧树脂、甲酪线性酪 醒型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酪A型环氧树脂、双酪A型环氧树脂、双酪F型环氧树 月旨、改性双酪F型环氧树脂、双环戊二締型环氧树脂、苯酪线性酪醒型环氧树脂、苯氧基树脂 等各种环氧树脂。运些环氧树脂可W单独使用也可W合用两种W上。
[0105] 其中，从能够赋予晓性的理由出发，优选双酪A型环氧树脂，更优选23°C时为液态 的双酪A型环氧树脂。双酪A型环氧树脂的环氧当量优选为150g/eq~250g/eq。
[0106] 另外，从能够使其低粘度的理由出发，优选与双酪A型环氧树脂一起使用双酪F型 环氧树脂。双酪F型环氧树脂的软化点优选为5(TC W上。该软化点为5(TC W上时，能够提高 常溫时的操作性。双酪F型环氧树脂的软化点优选为100°C W下。该软化点为IOCTCW下时， 能够降低烙融粘度。双酪F型环氧树脂的环氧当量优选为150g/eq~250g/eq。
[0107] 环氧树脂100重量％中的双酪A型环氧树脂的含量优选为20重量％ ^上、更优选为 25重量％^上。该含量为20重量％ W上时，热固性树脂片12的晓性优异，因此处理容易。环 氧树脂100重量％中的双酪A型环氧树脂的含量优选为70重量％ ^下、更优选为65重量％ W 下。该含量为70重量％ W下时，能够提高热固性树脂片12的固化物的Tg,并且能够提高耐热 循环可靠性。
[0108] 酪醒树脂只要在与环氧树脂之间发生固化反应就没有特别限定。例如可W使用苯 酪线性酪醒型固化剂（W下将苯酪线性酪醒型固化剂也称为苯酪线性酪醒树脂）、苯酪芳烧 基树脂、联苯芳烷基树脂、双环戊二締型酪醒树脂、甲酪线性酪醒树脂、甲阶酪醒树脂等。运 些酪醒树脂可W单独使用也可W合用两种W上。其中，从固化反应性高的观点出发，优选苯 酪线性酪醒型固化剂。
[0109] 从与环氧树脂的反应性的观点出发，酪醒树脂的径基当量优选为70g/eq~250g/ eq。酪醒树脂的软化点优选为5(TC W上。该软化点为5(TC W上时，能够提高常溫时的操作 性。酪醒树脂的软化点优选为120°C W下。该软化点为120°C W下时，能够降低烙融粘度。
[0110] 热固性树脂片12中的环氧树脂和酪醒树脂的总含量优选为5重量％ ^上、更优选 为8重量％ ^上。该总含量为5重量％ W上时，可W得到足够的固化物强度。热固性树脂片12 中的环氧树脂和酪醒树脂的总含量优选为30重量％ W下、更优选为25重量％ W下、进一步 优选为20重量％ ^下、特别优选为15重量％ ^下。该总含量为30重量％ W下时，固化物的线 性膨胀系数小，并且容易得到低吸水性。
[0111] 关于环氧树脂和酪醒树脂的配合比例，从固化反应性的观点出发，优选配合使得 酪醒树脂中的径基的合计相对于环氧树脂中的环氧基1当量为0.7当量~1.5当量，更优选 为0.9当量~1.2当量。
[0112] 热固性树脂片12优选含有无机填充剂。
[0113] 作为无机填充剂，可W列举例如:石英玻璃、滑石、二氧化娃(烙融二氧化娃、结晶 性二氧化娃等）、氧化侣(氧化侣）、氮化棚、氮化侣、碳化娃等。其中，从能够良好地降低热膨 胀系数的理由出发，优选二氧化娃。作为二氧化娃，从流动性优异的理由出发，优选烙融二 氧化娃、更优选球状烙融二氧化娃。另外，从热导率高的理由出发，优选导热性填料，更优选 氧化侣、氮化棚、氮化侣。需要说明的是，作为无机填充剂，优选为电绝缘性的无机填充剂。
[0114] 无机填充剂的最大粒径优选为30wiiW下、更优选为20wiiW下。该最大粒径为30WH W下时，能够良好地填充基板Ila与半导体忍片Ub的间隙。另一方面，无机填充剂的最大粒 径优选为如m W上。
[0115] 无机填充剂的最大粒径可W通过实施例中记载的方法来测定。
[0116] 在无机填充剂的粒度分布中，优选至少存在峰A和峰B。具体而言，优选在0.01皿~ IOmi的粒径范围内存在有峰A、在Imi~IOOmi的粒径范围内存在有峰B。由此，能够在形成峰 B的无机填充剂之间填充形成峰A的无机填充剂，能够高填充无机填充剂。
[0117] 峰A更优选存在于0.1 miW上的粒径范围内。峰A更优选存在于IwnW下的粒径范围 内。
[0118] 峰B更优选存在于2. SwnW上的粒径范围内、进一步优选存在于4wiiW上的粒径范 围内。峰B更优选存在于lOwnW下的粒径范围内。
[0119] 在无机填充剂的粒度分布中，可W存在除峰A和峰BW外的峰。
[0120] 需要说明的是，无机填充剂的粒度分布可W通过下述方法来测定。
[0121 ]无机填充剂的粒度分布的测定方法
[0122] 将热固性树脂片12放入相蜗中，进行灼烧使热固性树脂片12灰化。将所得到的灰 分分散在纯水中进行10分钟超声波处理，使用激光衍射散射式粒度分布测定装置(Beckman Coulter公司制、"LS 13320";湿式法)求出粒度分布(体积基准）。
[0123] 无机填充剂可W利用硅烷偶联剂进行处理(预处理）。由此，能够提高与树脂的润 湿性，能够提高无机填充剂的分散性。
[0124] 硅烷偶联剂为在分子中具有水解性基团和有机官能团的化合物。
[0125] 作为水解性基团，可W列举例如：甲氧基、乙氧基等碳数为1~6的烷氧基、乙酷氧 基、2-甲氧基乙氧基等。其中，从容易除去因水解而生成的醇等挥发成分的理由出发，优选 甲氧基。
[0126] 作为有机官能团，可W列举:乙締基、环氧基、苯乙締基、甲基丙締酷基、丙締酷基、 氨基、脈基、琉基、硫酸基、异氯酸醋基等。其中，从容易与环氧树脂、酪醒树脂反应的理由出 发，优选环氧基。
[0127] 作为硅烷偶联剂，可W列举例如：乙締基=甲氧基硅烷、乙締基=乙氧基硅烷等含 乙締基的硅烷偶联剂；2-( 3,4-环氧环己基）乙基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二 甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基=甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环 氧丙氧基丙基=乙氧基硅烷等含环氧基的硅烷偶联剂;对苯乙締基=甲氧基硅烷等含苯乙 締基的硅烷偶联剂;3-甲基丙締酷氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基= 甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基=乙氧基 硅烷等含甲基丙締酷基的硅烷偶联剂;3-丙締酷氧基丙基=甲氧基硅烷等含丙締酷基的娃 烧偶联剂;N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基 二甲氧基硅烷、3-氨基丙基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基二乙氧基硅烷、3-二乙氧基甲硅烷 基-N-( 1,3-二甲基-亚下基）丙胺、N-苯基-3-氨基丙基S甲氧基硅烷、N-(乙締基苄基)-2-氨基乙基-3-氨基丙基=甲氧基硅烷等含氨基的硅烷偶联剂；3-脈基丙基=乙氧基硅烷等 含脈基的硅烷偶联剂；3-琉基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-琉基丙基=甲氧基硅烷等含琉基 的硅烷偶联剂;双(=乙氧基甲娃烷基丙基）四硫酸等含硫酸基的硅烷偶联剂;3-异氯酸醋 丙基=乙氧基硅烷等含异氯酸醋基的硅烷偶联剂等。
[0128] 作为利用硅烷偶联剂对无机填充剂进行处理的方法，没有特别限定，可W列举:将 无机填充剂和硅烷偶联剂在溶剂中进行混合的湿式法、使无机填充剂和硅烷偶联剂在气相 中进行处理的干式法等。
[0129] 硅烷偶联剂的处理量没有特别限定，优选相对于未处理的无机填充剂100重量份， 处理0.1重量份~1重量份的硅烷偶联剂。
[0130] 热固性树脂片12中的无机填充剂的含量优选为70重量％ ^上、更优选为75重量％ W上。该含量为70重量％ W上时，能够降低热固性树脂片12的固化物的热膨胀系数，并且能 够提高半导体装置4的耐热循环可靠性。热固性树脂片12中的无机填充剂的含量优选为90 重量％ W下、更优选为87重量％ W下。该含量为90重量％ W下时，能够提高热固性树脂片12 的流动性，并且能够使热固性树脂片12追随半导体忍片1化。另外，能够良好地填充基板Ila 与半导体忍片Ub的间隙。
[0131] 热固性树脂片12优选含有固化促进剂。
[0132] 作为固化促进剂，只要使环氧树脂与酪醒树脂的固化进行就没有特别限定，可W 列举例如:S苯基麟、四苯基麟四苯基棚酸醋等有机憐类化合物;2-苯基-4,5-二径基甲基 咪挫、2-苯基-4-甲基-5-径甲基咪挫等咪挫类化合物等。其中，从可W得到良好的保存性的 理由出发，优选2-苯基-4，5-二径基甲基咪挫。
[0133] 相对于环氧树脂和酪醒树脂的合计100重量份，固化促进剂的含量优选为0.1重量 份W上、更优选为0.5重量份W上。该含量为0.1重量份W上时，在实用性时间内固化完成。 另外，固化促进剂的含量优选为5重量份W下、更优选为2重量份W下。该含量为5重量份W 下时，可W得到良好的保存性。
[0134] 热固性树脂片12可W含有热塑性树脂。
[0135] 作为热塑性树脂，可W列举:天然橡胶、下基橡胶、异戊二締橡胶、氯下二締橡胶、 乙締-乙酸乙締醋共聚物、乙締-丙締酸共聚物、乙締-丙締酸醋共聚物、聚下二締树脂、聚碳 酸醋树脂、热塑性聚酷亚胺树脂、6-尼龙或6,6-尼龙等聚酷胺树脂、苯氧基树脂、丙締酸类 树脂、PET或PBT等饱和聚醋树脂、聚酷胺酷亚胺树脂、氣树脂、苯乙締-异下締-苯乙締嵌段 共聚物、甲基丙締酸甲醋-下二締-苯乙締共聚物(MBS树脂)等。
[0136] 作为热塑性树脂，优选弹性体。从在环氧树脂中的分散性的理由出发，特别优选具 有由橡胶成分构成的核层和由丙締酸类树脂构成的壳层的核壳型丙締酸类树脂。
[0137] 核层的橡胶成分没有特别限定，可W列举例如：下二締橡胶、异戊二締橡胶、氯下 二締橡胶、丙締酸类橡胶、娃橡胶等。
[0138] 核壳型丙締酸类树脂的平均粒径优选为0.1皿W上、更优选为0.5皿W上。该平均 粒径为0.1 MiW上时，分散性良好。核壳型丙締酸类树脂的平均粒径优选为200miW下、更优 选为IOOmi W下。该平均粒径为200WI1W下时，制作出的片的平坦性良好。
[0139] 需要说明的是，平均粒径例如可W通过使用从母体中任意抽取的试样利用激光衍 射散射式粒度分布测定装置进行测定来导出。
[0140] 热固性树脂片12中的热塑性树脂的含量优选为1重量％^上、更优选为2重量％ W 上。该含量为I重量％ W上时，可W得到足够的固化物强度。热固性树脂片12中的热塑性树 脂的含量优选为20重量％^下、更优选为10重量％^下。该含量为20重量％ W下时，固化物 的线性膨胀系数小，并且容易得到低吸水性。
[0141] 热固性树脂片12中除上述成分W外可W适当含有在密封树脂的制造中通常使用 的配合剂，例如阻燃剂成分、颜料等。
[0142] 热固性树脂片12的制造方法没有特别限定。例如，可W通过涂布方式制造热固性 树脂片12。例如，制作出含有上述各成分的粘接剂组合物溶液，将粘接剂组合物溶液涂布在 基材隔板上并形成规定厚度从而形成涂布膜，然后使涂布膜干燥，由此能够制造热固性树 脂片12。
[0143] 作为用于粘接剂组合物溶液的溶剂，没有特别限定，优选能够将上述各成分均匀 地溶解、混炼或分散的有机溶剂。可W列举例如:二甲基甲酯胺、二甲基乙酷胺、N-甲基化咯 烧酬、丙酬、甲基乙基酬、环己酬等酬类溶剂、甲苯、二甲苯等。
[0144] 作为基材隔板，可W使用利用聚对苯二甲酸乙二醋(PET)、聚乙締、聚丙締、氣类剥 离剂、长链烷基丙締酸醋类剥离剂等剥离剂进行表面涂布后的塑料膜或纸等。作为粘接剂 组合物溶液的涂布方法，可W列举例如:漉涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，涂布膜的干燥 条件没有特别限定，例如可W在干燥溫度为70~160°C、干燥时间为1~5分钟的条件下进 行。
[0145] 对于热固性树脂片12的制造方法，还优选将对上述各成分（例如，环氧树脂、酪醒 树脂、无机填充剂和固化促进剂等)进行混炼而得到的混炼物塑性加工为片状的方法。由 此，能够高填充无机填充剂，能够将热膨胀系数设计得较低。
[0146] 具体而言，通过混炼漉、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机将环氧树脂、酪醒 树脂、无机填充剂和固化促进剂等进行烙融混炼由此制备出混炼物，将得到的混炼物塑性 加工成片状。作为混炼条件，溫度的上限优选为140°C W下、更优选为130°C W下。溫度的下 限优选为上述各成分的软化点W上，例如为30°C W上、优选为50°C W上。混炼的时间优选为 1~30分钟。另外，混炼优选在减压条件下(减压气氛下)进行，减压条件下的压力例如为IX 1〇-4~0. ：Lkg/cm2。
[0147] 烙融混炼后的混炼物优选不进行冷却而保持高溫状态进行塑性加工。作为塑性加 工方法，没有特别限制，可W列举:平板压制法、T模挤出法、螺杆模头挤出法、漉社制法、漉 混炼法、吹塑挤出法、共挤出法、压延成型法等。作为塑性加工溫度，优选为上述各成分的软 化点W上，考虑到环氧树脂的热固化性和成型性，例如为40~150°C、优选为50~140°C、进 一步优选为70~120 °C。
[0148] 热固性树脂片12的厚度没有特别限定，优选为lOOwnW上、更优选为150皿W上。另 夕h热固性树脂片12的厚度优选为2000miW下、更优选为1000 miW下。该厚度为上述范围内 时，能够良好地密封半导体忍片Ub。
[0149] 热固性树脂片12可W为单层结构，也可W为将两层W上的热固性树脂层层叠而成 的多层结构。但是，从不用担屯、层间剥离、片厚度的均匀性高的理由出发，优选单层结构。
[0150] (变形例1)
[0151] 在实施方式1，将层叠体1配置在台座107上，但在变形例1中，将忍片安装基板11配 置在台座107上，接着在忍片安装基板11上配置热固性树脂片12,接着在热固性树脂片12上 配置膜13。
[0152] (变形例2)
[0153] 虽然在实施方式1将层叠体1配置在台座107上，但是在变形例2中，将具备忍片安 装基板11和在忍片安装基板11上配置的热固性树脂片12的层叠物配置在台座107上，接着 在层叠物上配置膜13。
[0154] (变形例3)
[0155] 虽然在实施方式1利用平板117对密封体2进行压制，但是在变形例3中，不对密封 体2进行压制。
[0156] 如上所述，实施方式1的半导体装置4的制造方法包括:将层叠体1的外周部13b按 压于台座107由此形成密闭容器121的工序、和使密闭容器121的外部的压力高于密闭容器 121的内部的压力由此利用热固性树脂片12覆盖半导体忍片Ub并且在基板Ila与半导体忍 片Ub的间隙中填充热固性树脂片12的工序。
[0157] 实施方式1中，不需要用树脂填充腔室的工序。因此，与传递成型方式的模具底部 填充相比，能够制造空隙少的半导体装置4。另外，与传递成型方式的模具底部填充相比，不 易发生填料的偏析。
[0158] 实施方式1的半导体装置4的制造方法还包括:对密封体2进行加热由此形成固化 体3的工序、W及对固化体3进行切割由此得到半导体装置4的工序等。
[0159] [实施方式2]
[0160] 如图12所示，将层叠膜10固定于框状按压部113a。层叠膜10具备热固性树脂片12 和在热固性树脂片12上配置的膜13。作为固定方法，例如存在有使层叠膜10吸附于框状按 压部113a的方法、利用粘接剂将层叠膜10固定于框状按压部113a的方法、使膜13卷绕于框 状按压部113a的方法等。接着，将忍片安装基板11配置在台座107上。
[0161] 台座107预先被加热。台座107的适当的溫度条件与实施方式3中说明的溫度条件 同样。
[0162] 如图13所示，使上加热板111和上框部材112下降，使上框部材112的下端部沿着下 板部材106的外缘部气密地滑动，形成由上加热板111、上框部材112和下板部材106气密地 围成的腔室。在形成腔室的阶段，停止上加热板111和上框部材112的下降。
[0163] 接着，进行抽真空，使腔室内为减压状态。腔室内的压力优选为SOOPaW下。
[0164] 使框状按压部113a下降，由此将层叠膜10配置在忍片安装基板11上，从而形成层 叠体1。
[0165] 如图14所示，在形成层叠体1后也继续使框状按压部113a下降，由此将膜13的外周 部13b按压于台座107,从而形成密闭容器121。密闭容器121具备台座107和膜13。在密闭容 器121的内部配置有忍片安装基板11和在忍片安装基板11上配置的热固性树脂片12。需要 说明的是，使腔室内变为减压状态后形成密闭容器121，因此密闭容器121的内部和外部为 减压状态。
[0166] 如图15所示，打开真空?加压口 116,由此使腔室内的压力变为大气压。即，使密闭 容器121的外部的压力变为大气压。
[0167] 如图16所示，向真空?加压口 116导入气体由此提高腔室内的压力。即，使密闭容 器121的外部的压力高于大气压。由此，利用热固性树脂片12覆盖半导体忍片Ub,并且在基 板Ila与半导体忍片Ub之间填充热固性树脂片12。由此，得到密封体2。
[0168] 作为气体，没有特别限定，可W列举空气、氮气等。
[0169] 密闭容器121的外部的适当的压力与实施方式1中说明的压力同样。
[0170] 如图17所示，在密封体2的旁边配置有间隔物131。
[0171] 如图18所示，使平板117下降至与间隔物131相接触，由此对密封体2进行压制，调 节密封体2的厚度。由此，能够使密封体2的厚度变得均匀。作为利用平板117按压密封体2时 的压力，优选为0. f5k奸/cm2~2〇kgf/cm2。
[0172] 接着，去除膜13。
[0173] 接着，切除密封部2化中从基板1 Ia向侧方突出的部分。
[0174] 如图19所示，对密封体2进行加热由此使树脂层21固化，从而形成固化体3。
[0175] 适当的加热溫度与实施方式1中说明的加热溫度同样。适当的加热时间与实施方 式1中说明的加热时间同样。
[0176] 如图20所示，在基板Ila上设置有凸块32。
[0177] 如图21所示，将固化体3制成单片(切割），从而得到半导体装置4。
[0178] (变形例1)
[0179] 在实施方式2中，将层叠膜10固定于框状按压部113a后，将忍片安装基板11配置在 台座107上，但在变形例1中，将忍片安装基板11配置在台座107上后，将层叠膜10固定于框 状按压部113a。
[0180] (变形例2)
[0181] 在实施方式2中，利用平板117对密封体2进行压制，但在变形例2中，不对密封体2 进行压制。
[0182] 如上所述，实施方式2的半导体装置4的制造方法包括:将层叠体1的外周部13b按 压于台座107由此形成密闭容器121的工序;和使密闭容器121的外部的压力高于密闭容器 121的内部的压力由此利用热固性树脂片12覆盖半导体忍片Ub并且在基板Ila与半导体忍 片Ub的间隙中填充热固性树脂片12的工序。
[0183] 实施方式2的半导体装置4的制造方法还包括:在减压气氛下将层叠膜10配置在忍 片安装基板11上而形成层叠体1的工序。由于在减压气氛下将层叠膜10配置在忍片安装基 板11上，因此能够防止在半导体忍片Ub周边产生空隙。
[0184] 实施方式2的半导体装置4的制造方法还包括:对密封体2进行加热由此形成固化 体3的工序、W及对固化体3进行切割由此得到半导体装置4的工序等。
[0185] [实施方式3]
[0186] 如图22所示，将层叠体6配置在台座107上。层叠体6具备忍片安装晶片61、在忍片 安装晶片61上配置的热固性树脂片12和在热固性树脂片12上配置的膜13。
[0187] 膜13具备与热固性树脂片12接触的中央部13a和在中央部13a的周边配置的周边 部13b。
[0188] 如图23所示，忍片安装晶片61具备半导体晶片61a和倒装忍片安装（倒装忍片焊 接)于半导体晶片61a上的半导体忍片6化。
[0189] 半导体晶片61a具备电极601a和与电极601a电连接的贯通电极60化。即，半导体晶 片61a具备向半导体晶片61a的厚度方向延伸的贯通电极601b和与贯通电极601b电连接的 电极601a。半导体晶片61a可W由设置有电极601a的电路形成面和与电路形成面对置的面 来定义双面。
[0190] 半导体忍片6化具备电路形成面(活性面）。在半导体忍片6化的电路形成面上配置 有凸块62。
[0191] 半导体忍片6化与半导体晶片61a经由凸块62电连接。
[0192] 台座107预先被加热。台座107的适当的溫度条件与实施方式1中说明的溫度条件 同样。
[0193] 如图24所示，使上加热板111和上框部材112下降，使上框部材112的下端部沿着下 板部材106的外缘部气密地滑动，形成由上加热板111、上框部材112和下板部材106气密地 围成的腔室。在形成腔室的阶段，停止上加热板111和上框部材112的下降。
[0194] 接着，进行抽真空，使腔室内变为减压状态。腔室内的压力优选为SOOPaW下。
[01巧]如图25所示，使框状按压部113a下降，由此使膜13的外周部13b按压于台座107,从 而形成密闭容器121。密闭容器121具备台座107和膜13。在密闭容器121的内部配置有忍片 安装晶片61和在忍片安装晶片61上配置的热固性树脂片12。需要说明的是，使真空腔室内 变为减压状态后形成密闭容器121，因此密闭容器121的内部和外部为减压状态。
[0196] 如图26所示，打开真空?加压口 116,由此使腔室内的压力变为大气压。即，使密闭 容器121的外部的压力变为大气压。
[0197] 如图27所示，向真空?加压口 116导入气体，由此提高腔室内的压力。即，使密闭容 器121的外部的压力高于大气压。由此，利用热固性树脂片12覆盖半导体忍片6化，并且在半 导体晶片61a与半导体忍片6化的间隙中填充热固性树脂片12。由此，得到密封体7。
[0198] 作为气体，没有特别限定，可W列举空气、氮气等。
[0199] 密闭容器121的外部的适当的压力与实施方式1中说明的压力同样。
[0200] 密封体7具备忍片安装晶片61和在忍片安装晶片61上配置的树脂层71。树脂层71 具备被夹于半导体晶片61a与半导体忍片6化之间的底部填充部71a、W及在底部填充部71a 的周边配置的密封部7化。半导体忍片6化被密封部7化覆盖。密封体7与膜13接触。
[0201] 如图28所示，在密封体7的旁边配置有间隔物131。
[0202] 如图29所示，使平板117下降至与间隔物131相接触，由此对密封体7进行压制，调 节密封体7的厚度。由此，能够使密封体7的厚度变得均匀。作为利用平板117按压密封体7时 的压力，优选为0. f5k奸/cm2~2〇kgf/cm2。
[0203] 接着，去除膜13。
[0204] 接着，切除密封部7化中从半导体晶片61a向侧方突出的部分。
[0205] 如图30所示，对密封体7进行加热，由此使树脂层71固化，从而形成固化体8。
[0206] 适当的加热溫度与实施方式1中说明的加热溫度同样。适当的加热时间与实施方 式1中说明的加热时间同样。
[0207] 固化体8具备忍片安装晶片61和在忍片安装晶片61上配置的固化层81。固化层81 具备被夹于半导体晶片61a与半导体忍片6化之间的连接保护部81a、W及在连接保护部81a 的周围配置的忍片保护部8化。半导体忍片6化被忍片保护部8化覆盖。
[0208] 固化体8可W由配置有半导体晶片61a的晶片面和与晶片面对置的固化面来定义 双面。在固化面上配置有固化层81
[0209] 如图31所示，对固化体8的固化层81进行磨削。
[0210] 如图32所示，对固化体8的半导体晶片61a进行磨削，从而使贯通电极601b露出。 即，在对晶片面进行磨削而得到的磨削面82中，贯通电极60化露出。
[0211] 如图33所示，利用半加成法等，在磨削面82上形成再布线层83，从而形成再布线体 84。再布线层83具备再布线83a。接着，在再布线层83上形成凸块85。凸块85经由再布线83a、 贯通电极60化、电极601a和凸块62而与半导体忍片6化电连接。
[0212 ]如图34所示，将再布线体84审喊单片彻割），从而得到半导体装置9。
[0213] (变形例1)
[0214] 在实施方式3中，将层叠体6配置在台座107上，但在变形例1中，将忍片安装晶片61 配置在台座107上，接着在忍片安装晶片61上配置热固性树脂片12,接着在热固性树脂片12 上配置膜13。
[0215] (变形例2)
[0216] 在实施方式3中，将层叠体6配置在台座107上，但在变形例2中，将具备忍片安装晶 片61和在忍片安装晶片61上配置的热固性树脂片12的层叠物配置在台座107上，接着在层 叠物上配置膜13。
[0217] (变形例3)
[0218] 在实施方式3中，利用平板117对密封体7进行压制，但在变形例3中，不对密封体2 进行压制。
[0219] (变形例4)
[0220] 在实施方式3中，对固化体8的固化层81进行磨削，但在变形例4中，不对固化层81 进行磨削。
[0221] 如上所述，实施方式3的半导体装置9的制造方法包括:将层叠体6的外周部13b按 压于台座107由此形成密闭容器121的工序;和使密闭容器121的外部的压力高于密闭容器 121的内部的压力由此利用热固性树脂片12覆盖半导体忍片6化并且在半导体晶片61a与半 导体忍片6化的间隙中填充热固性树脂片12的工序。
[0222] 实施方式3中，不需要用树脂填充腔室的工序。因此，与传递成型方式的模具底部 填充相比，能够制造空隙少的半导体装置9。另外，与传递成型方式的模具底部填充相比，不 易发生填料的偏析。
[0223] 实施方式3的半导体装置9的制造方法还包括:对密封体7进行加热由此形成固化 体8的工序、在固化体8上形成再布线层83由此形成再布线体84的工序、W及对再布线体84 进行切割由此得到半导体装置9的工序等。
[0224] 实施例
[0225] W下，W例示的方式对本发明的优选实施例详细地进行说明。但是，该实施例中记 载的材料、配合量等只要没有特别限定性记载，就没有将本发明的范围仅限于下述实施例 的意思。
[0226] 对用于制作热固性树脂片的成分进行说明。
[0227] 环氧树脂A:S菱化学公司制造的EP828(双酪A型环氧树脂、环氧当量184g/eq~ 194g/eq、23°C 时为液态）
[022引环氧树脂B:新日铁化学公司制造的YSLV-80XY(双酪F型环氧树脂、环氧当量： 200g/eq、软化点:80°C)
[0229] 酪醒树脂：明和化成公司制的MEH-7500-3S(线性酪醒型固化剂、径基当量103g/ eq、软化点83°C)
[0230] 球状填料A:电化学工业公司制的5SDC(烙融球状二氧化娃、平均粒径如m)
[0231] 球状填料B: A血atechs公司制的S0-25R(烙融球状二氧化娃、平均粒径0.5WI1)
[0232] 炭黑:S菱化学公司制的#20
[0233 ] 固化促进剂：四国化成工业公司制的2P监-PW( 2-苯基-4，5-二径基甲基咪挫）
[0234] [密封用片的制作]
[0235] 相对于环氧树脂A(商品名巧P828"、S菱化学公司制）100重量份，配合环氧树脂B (商品名叮化V-SOXr、新日铁化学公司制）103重量份、酪醒树脂(商品名"MEH-7500-3S"、明 和化成公司制)93重量份、球状填料A(商品名"5SDC"、电化学工业公司制）1500重量份、球状 填料B(商品名"S0-25R"、Admatechs公司制）350重量份、炭黑（商品名、S菱化学公司 制)5重量份、固化促进剂(商品名"2P监-PW"、四国化成工业公司制)3重量份，通过漉混炼机 在依次在60°C加热2分钟、在80 °C加热2分钟、在120 °C加热6分钟、合计10分钟、减压条件下 (O.Olkg/cm2)进行烙融混炼，制备了混炼物。接着，将所得到的混炼物在120°C的条件下通 过涂布流延头法在脱模处理膜上涂敷形成片状，制作了具备脱模处理膜和在脱模处理膜上 配置的厚度500WH、纵190mm、横240mm的热固化树脂片的密封用片。作为脱模处理膜，使用了 经有机娃脱模处理的厚度为50WI1的聚对苯二甲酸乙二醋膜。
[0236] [热固化树脂片的制作]
[0237] 从密封用片除去脱模处理膜，得到了纵190mm、横240mm、厚度500WI1的热固化树脂 片。
[0238] [忍片安装基板的准备]
[0239] 准备具备纵190mm、横240mm的有机基板和倒装忍片安装于有机基板上的多个忍片 的忍片安装基板。在忍片安装基板中，基板与忍片的间隙为sown。作为忍片，使用了厚度780 皿的IOmm见方忍片。在忍片中，焊料凸块的间距为400皿。
[0240] [密封体的制作]
[0241] (实施例1)
[0242] 通过在忍片安装基板上配置热固化树脂片，由此形成层叠物。层叠物具备忍片安 装基板和在忍片安装基板上配置的热固化树脂片。在设定于90度的真空压制装置(ミ力Kテ 夕7 乂公司制的VACUUM ACE)的台座上配置层叠物。接着，在层叠物上配置脱模膜(经有机 娃脱模处理的厚度25WI1的聚对苯二甲酸乙二醋膜），用脱模膜覆盖层叠物。由此，形成具备 忍片安装基板、在忍片安装基板上配置的热固化树脂片和在热固化树脂片上配置的脱模膜 的层叠体。接着，形成具备上加热板、上框部材和下板部材的保存容器。在保存容器的内部 (腔室），配置有台座和在台座上配置的层叠体。接着，对腔室内进行减压。接着，将脱模膜的 外周部按压于台座，形成包含台座和脱模膜的密闭容器。接着，将腔室开放由此使密闭容器 的外部的压力为大气压。由此，用脱模膜按压层叠物。接着，将密闭容器的外部的压力设为 180秒钟、0.5MPa。由此，用热固性树脂片覆盖忍片，并且在有机基板与忍片的间隙中填充热 固性树脂片。
[0243] (比较例1)
[0244] 通过在忍片安装基板上配置热固化树脂片，由此形成层叠物。层叠物具备忍片安 装基板和在忍片安装基板上配置的热固化树脂片。在设定于90度的真空压制装置(ミ力Kテ 夕7 乂公司制的VACUUM ACE)的台座上配置层叠物。接着，在层叠物上配置脱模膜(经有机 娃脱模处理的厚度25WI1的聚对苯二甲酸乙二醋膜），用脱模膜覆盖层叠物。由此，形成具备 忍片安装基板、在忍片安装基板上配置的热固化树脂片和在热固化树脂片上配置的脱模膜 的层叠体。在层叠体的旁边配置间隔物。接着，形成具备上加热板、上框部材和下板部材的 保存容器。在保存容器的内部(腔室），配置有台座、在台座上配置的层叠体、在层叠体的旁 边配置的间隔物。接着，对腔室内进行减压。接着，通过使在层叠体的上方配置的平板下降 直至抵接间隔物，由此对层叠体进行了压制。由此，用热固性树脂片覆盖忍片，并且在有机 基板与忍片的间隙中填充热固性树脂片。
[0245] [评价]
[0246] 对于密封体和热固性树脂片进行了下述的评价。结果示于表1。
[0247] (密封性）
[0248] 用超声波探伤成像装置观察密封体，将密封体中无空隙的情况判定为O，将存在 空隙的情况判定为X。结果示于表1。
[0249] (最低烙融粘度）
[0250] 使用漉式层压机，将两片厚度为50化m的热固性树脂片在90°C层叠，得到厚度为 1000皿的层叠片。将层叠片冲裁成直径为25mm，由此得到直径为25mm的试验片。对于试验 片，使用流动测试仪(Thermo Fisher Scientif ic公司制造的MahrsIII)在IHz、应变5%、升 溫速度IOtV分钟条件下于50°C~150°C测定粘度。将测定的粘度的最低值作为最低烙融粘 度。
[0巧1] 表1 [0 巧 2]
[0253] 符号说明
[0巧4] 1层叠体
[0巧日]11忍片安装基板
[0巧6] Ila基板
[0巧7] 1化半导体忍片
[0巧引 Ilc凸块
[0巧9] 12热固性树脂片
[0260] 13 膜
[0%1] 13a中央部
[0262] 13b周边部
[0%3] 2密封体
[0264] 21树脂层
[02化]21a底部填充部
[0266] 21b密封部
[0%7] 3固化体
[0%引 31固化层
[0269] 31a连接保护部
[0270] 3化忍片保护部 [0打。32凸块
[0272] 4半导体装置
[0273] 10层叠膜
[0274] 101 基台
[02巧]102加压缸下板
[0276] 103滑动移动工作台104滑动缸
[0277] 105下加热板 [027引106下板部材
[0279] 107 台座
[0280] 108 支柱
[0281] 109加压缸上板
[0282] 110中间移动部材111上加热板
[0283] 112上框部材
[0284] 113内侧框体 [02化]113a框状按压部
[0286] 113b 杆棒
[0287] 114加压缸
[028引 115活塞杆
[0289] 116真空?加压口
[0290] 117 平板
[0巧1] S止动件
[0巧2] 121密闭容器
[0巧3] 131间隔物
[0巧4] 6层叠体
[02巧]61忍片安装晶片
[0296] 61a半导体晶片
[0巧7] 601a电极
[0巧引 60化贯通电极
[0299] 6化半导体忍片
[0300] 62 凸块
[0301] 7密封体
[0302] 71树脂层
[0303] 71a底部填充部
[0304] 7化密封部
[0305] 8固化体
[0306] 81固化层
[0307] 81a连接保护部
[0308] 8化忍片保护部
[0309] 82磨削面
[0310] 83再布线层
[031。 83a再布线
[0312] 84再布线体
[031；3] 85 凸块
[0314] 9半导体装置
【主权项】
1. 一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序： 层叠体具备芯片安装基板、 在所述芯片安装基板上配置的热固性树脂片、以及 具备与所述热固性树脂片接触的中央部和在所述中央部的周边配置的周边部的膜， 所述芯片安装基板具备基板和倒装芯片安装于所述基板上的半导体芯片， 将所述层叠体的所述周边部按压于与所述基板接触的台座，由此形成具备所述台座和 所述膜的密闭容器的工序;和 使所述密闭容器的外部的压力高于所述密闭容器的内部的压力，由此利用所述热固性 树脂片覆盖所述半导体芯片，并且在所述基板与所述半导体芯片的间隙中填充所述热固性 树脂片的工序。2. 如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述芯片安装基板具备多个所述 半导体芯片。
【文档编号】H01L23/12GK105849880SQ201480070975
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2014年12月22日
【发明人】志贺豪士, 盛田浩介, 石坂刚, 饭野智绘, 石井淳
【申请人】日东电工株式会社