量子点发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置的制造方法
【专利摘要】一种量子点发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置。该量子点发光器件包括：基板以及依次形成在基板上的第一电极层、发光层、第二电极层和封装层，其中，发光层包括量子点发光材料，第一电极层和第二电极层之间设置有荧光材料，该荧光材料包括热激发延迟荧光(Thermally Activated Delayed Fluorescence,TADF)材料；第一电极层和第二电极层之一为阳极层，相应的第一电极层和第二电极层中的另一者为阴极层。
【专利说明】
量子点发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置
技术领域
[0001] 本公开设及量子点发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置。
【背景技术】
[0002] 量子点（Quantum Dot)是在把导带电子、价带空穴及激子在Ξ个空间方向上束缚 住的半导体纳米结构。例如，可W是一种由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒。量子 点的粒径一般介于1-10皿之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分 子特性的分立能级结构，受激后可W发射巧光。基于量子效应，量子点在太阳能电池、发光 器件、光学生物标记等领域具有广泛的应用前景。科学家已经发明许多不同的方法来制造 量子点，并预期运种纳米材料在二^^一世纪的纳米电子学(nano-electronics)上有极大的 应用潜力。
[0003] 量子点电致发光器件的激励机制主要有两种方式，一种是载流子的直接注入，即 空穴从空穴传输层注入到量子点发光层，电子从电子传输层注入到量子点发光层，空穴和 电子在量子点发光层内复合成激子发光；另一种是能量传递的方式，即在传输层形成的激 子将能量直接传递给量子点进而发光。
[0004] 当下典型的量子点发光二极管结构是一个空穴注入层、一个空穴传输层、一个电 子传输层、一个量子点发光层，运些电子传输层、空穴传输层、空穴注入层可W是有机小分 子、有机聚合物，也可W是无机金属氧化物。但是，由于量子点的价带远远低于空穴传输层 的最高已占有轨道化0M0)能级，空穴的注入能力差，导致载流子不平衡，引起漏电流和器件 的降解，从而影响器件的发光效率和寿命。
【发明内容】
[0005] 本公开的实施例提供了一种量子点发光器件，包括:基板W及依次形成在所述基 板上的第一电极层、发光层、第二电极层和封装层，其中，所述发光层包括量子点发光材料， 所述第一电极层和第二电极层之间设置有巧光材料，所述巧光材料包括热激发延迟巧光材 料;所述第一电极层和所述第二电极层之一为阳极层，所述第一电极层和所述第二电极层 中的另一者为阴极层。
[0006] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述量子点发光器件满足下述 两个条件至少之一:所述巧光材料与所述量子点发光材料共渗杂形成所述发光层;和，所述 巧光材料在所述发光层一侧或两侧形成能量传递层，所述能量传递层与所述发光层相接 触。
[0007] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述巧光材料由单一的热激发 延迟巧光材料组成。
[000引在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述热激发延迟巧光材料为2， 4,5,6-四（9-巧挫基)-间苯二腊(4CzIPN)。
[0009]在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述热激发延迟巧光材料为包 括主体材料和客体材料的混合物。
[0010] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述巧光材料还包括不具有热 激发延迟巧光特性的巧光材料。
[0011] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述主体材料包括1,2-二巧挫- 4，5-二氯基苯（2-CzPN)、（3 ' -(4，6-二苯基-1，3，5-立嗦-2-基）-(1，Γ -联苯）-3-基）-9H-巧 挫(3-CzTRZ)和2,5-双(巧挫-9-基)-l，4-二氯基苯(CzTPN)中的至少一种，所述客体材料包 括D抑B-QA和DMeDB-QA中的至少一种，所述不具有热激发延迟巧光特性的巧光材料包括4， 4'-双(N-巧挫)-1，Γ-联苯(DBP)。
[0012] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述热激发延迟巧光材料的巧 光发射光谱与所述量子点发光材料吸收光谱至少部分重叠，且重叠部分的面积占所述客体 材料的巧光发射光谱面积的30 % W上。
[0013] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述量子点发光材料包括红光 量子点、绿光量子点和蓝光量子点中的至少一种。
[0014] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述红光量子点最大发光波长 为550-650nm、所述绿光量子点最大发光波长为480-550nm、所述蓝光量子点最大发光波长 为400-480nm。
[0015] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述量子点发光材料是具有核/ 壳结构的硫化锋。
[0016] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述量子点发光材料表面具有 配体，所述配体选自由憐酸根配体、琉基配体和簇酸配体组成的组。
[0017] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述热激发延迟巧光材料在所 述发光层一侧或两侧形成能量传递层，所述能量传递层与所述发光层相接触，所述能量传 递层的厚度在3-80nm之间。
[0018] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述量子点发光器件还包括下 述两者至少之一:在所述阳极层和所述发光层之间依次设置的空穴注入层、空穴传输层和 空穴阻挡层;和，在所述阴极层和所述发光层之间依次设置的电子注入层、电子传输层和点 子阻挡层。
[0019] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述基板为阵列基板，所述阳极 与所述阵列基板中的开关元件相电连接。
[0020] 本公开的实施例还提供一种制备量子点发光器件的方法，包括:提供基板;在所述 基板上依次形成第一电极层、发光层、第二电极层和封装层，其中，所述发光层包括量子点 发光材料，所述方法还包括在所述第一电极层和第二电极层之间设置巧光材料，所述巧光 材料包括热激发延迟巧光材料;所述第一电极层和所述第二电极层之一为阳极层，所述第 一电极层和所述第二电极层中的另一者为阴极层。
[0021] 在本公开提供的所述的量子点发光器件中，例如，所述在所述第一电极层和第二 电极层之间设置巧光材料，所述巧光材料包括热激发延迟巧光材料包括下述两者至少之 一:将所述巧光材料与所述量子点发光材料共渗杂形成所述发光层;和，所述巧光材料在所 述发光层一侧或两侧形成能量传递层，所述能量传递层与所述发光层相接触。
[0022] 本公开的实施例还提供一种显示基板，包括如上所述的量子点发光器件，其中多 个所述量子点发光器件布置成阵列的形式。
[0023] 本公开的实施例还提供一种显示基板，包括如上所述的显示基板。
【附图说明】
[0024] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介 绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅设及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
[0025] 图1为本发明一实施例提供的0L邸器件结构示意图；
[0026] 图2为本发明又一实施例提供的0L邸器件结构示意图；
[0027] 图3为本发明又一实施例提供的0L邸器件结构示意图；
[0028] 图4为本发明又一实施例提供的0L邸器件结构示意图；
[0029] 图5为本发明又一实施例提供的0L邸器件结构示意图。
【具体实施方式】
[0030] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例 的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发 明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术 人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0031] 除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有 一般技能的人±所理解的通常意义。本发明专利申请说明书W及权利要求书中使用的"第 一"、"第二及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的 组成部分。同样，"一个"或者"一"等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。
[0032] 本文设及的化合物的结构式如下：
[0033] 2-CzPN)
[0034]
[00：35] 3-CzTRZ: (3' -(4,6-diphenyl-l,3,5-t;riazin-2-yl)-(1,1' -biphenyl)-3-yl)- 9-carbazole
[0036]
[0037] CzTPN:2,5-双（巧挫-9-)-l，4-二氯基苯，2,5-bis(carbazol-9-yl)-l，4- dicy曰nobenzene
[0038] DFDB-QA
[0044] 现有的比较普遍的优化量子点发光器件的做法是从载流子的注入、传输入手，选 择合适的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL、电子注入层EIL等来优化器件的 结构、提高器件的性能。
[0045] TADF机制是利用具有比较小的单重态一Ξ重态能级差（AEst)的有机小分子材料， 其Ξ重态激子在环境热能下可W通过反向系间窜越(RISC)运一过程转化为单重态激子的 机制。理论上其器件内量子效率能达到100%。更具体地说，WTADF材料为主体、客体渗杂材 料为例，在电注入情况下，在TADF主体材料中生成的单重激发态和Ξ重激发态的比例为1: 3。具有较小的单重态重态能级差（AEst)的TADF主体材料在环境热能的作用下，其Ξ重 激发态能通过反向系间窜越(RISC)过程转化为单重激发态。当TADF主体材料与量子点发光 材料具有良好的能量匹配关系时，主体分子至客体分子间能量转移的主导机制为长程 化ster型能量转移，即单重态-单重态能量转移的方式。基于上述原理，客体分子不仅可W 获得直接生成的主体单重激发态的能量，也可W获得经由RISC过程转化为单重态激子的Ξ 重态激子的能量，理论上其内量子效率也能达到100%。可见，利用TADF产生的激子将能量 传递给量子点发光层，可W使量子点的发光增强。
[0046] 图1是本发明实施例提供的一种量子点发光器件结构示意图。该量子点发光器件 例如包括:基板100W及依次形成在所述基板100上的第一电极层101、发光层102、第二电极 层103和封装层104。所述发光层102包括量子点发光材料，所述第一电极层101和第二电极 层103之间设置有巧光材料，所述巧光材料包括热激发延迟巧光（Thermally Activated Delayed Fluorescence,TADF)材料;所述第一电极层101为阳极层或阴极层并且相应地所 述第二电极层103为阴极层或阳极层。在本实施例中，热激发延迟巧光(TADF)材料与量子点 发光材料共渗杂形成所述发光层102。所述巧光材料包括热激发延迟巧光材料是指:所述巧 光材料至少含有一种热激发延迟巧光材料，但还可W含有其他巧光材料。
[0047] 图2是本发明实施例提供的另一种量子点发光器件结构示意图。该量子点发光器 件例如包括:基板200W及依次形成在所述基板200上的第一电极层201、能量传递层205、发 光层202、第二电极层203和封装层204。在本实施例中，发光层202由量子点发光材料形成， 而包括热激发延迟巧光(TADF)材料的巧光材料形成与所述发光层202相接触的能量传递层 205。
[0048] 图3是本发明实施例提供的另一种量子点发光器件结构示意图。该量子点发光器 件例如包括:基板300W及依次形成在所述基板300上的第一电极层301、第一能量传递层 305、发光层302、第二能量传递层306、第二电极层303和封装层304。在本实施例中，发光层 302由量子点发光材料形成，而包括热激发延迟巧光(TADF)材料的巧光材料形成与所述发 光层302相接触的第一能量传递层305和第二能量传递层306。
[0049] 图4是本发明实施例提供的另一种量子点发光器件结构示意图。该量子点发光器 件例如包括:基板400W及依次形成在所述基板400上的第一电极层401、第一能量传递层 405、发光层402、第二能量传递层406、第二电极层403和封装层404。在本实施例中，热激发 延迟巧光(TADF)材料与量子点发光材料共渗杂形成所述发光层402,并且热激发延迟巧光 (TAD巧材料形成与所述发光层402相接触的第一能量传递层405和第二能量传递层406。
[0050] 图5是本发明实施例提供的另一种量子点发光器件结构示意图。该量子点发光器 件例如包括:基板500 W及依次形成在所述基板500上的第一电极层501、空穴注入层508、空 穴传输层509、空穴阻挡层510、发光层502、电子阻挡层511、电子传输层512、电子注入层 513、第二电极层503和封装层504。在本实施例中，热激发延迟巧光(TADF)材料与量子点发 光材料共渗杂形成所述发光层502,第一电极层501为阳极层，第二电极层503为阴极层。应 当理解的是，上述空穴注入层508、空穴传输层509、电子传输层512、电子注入层513、空穴阻 挡层510、电子阻挡层511都不是必需的，可W根据实际情况增加或者减少。
[0051 ]在上述实施方式中，所述热激发延迟巧光材料例如可W选则Δ s,T<0 . lev的化合 物。在上述实施方式中，所述巧光材料例如可w由单一的热激发延迟巧光材料组成。例如， 所述热激发延迟巧光材料可W是2,4,5,6-四（9-巧挫基)-间苯二腊(4CZIPN)。或者，所述热 激发延迟巧光材料也可W为包括主体材料和客体材料的混合物，例如，所述主体材料选自 1，2-二巧挫-4，5-二氯基苯(2-CzPN)、（ 3 ' -(4，6-二苯基-1，3，5-Ξ嗦-2-基)-(1，Γ -联苯)- 3-基)-9H-巧挫（3-CzTRZ)、2，5-双(巧挫-9-基)-1，4-二氯基苯(CzTPN)的至少一种，所述客 体材料选自DFDB-QA、DMeDB-QA的至少一种。又或者，所述热激发延迟巧光材料还可W进一 步包括不具有热激发延迟巧光特性的巧光材料，例如，所述主体材料选自1，2-二巧挫-4，5- 二氯基苯（2-CzPN)、（3'-(4,6-二苯基-1，3,5-Ξ 嗦-2-基）-(1，Γ-联苯)-3-基）-9H-巧挫 (3-CzTRZ)、2,5-双（巧挫-9-基）-l，4-二氯基苯（CzTPN)的至少一种，所述客体材料选自 DFDB-QA、DMeDB-QA的至少一种，所述不具有热激发延迟巧光特性的巧光材料包括4，4 ' -双 (N-巧挫)-1，Γ-联苯(DBP)。
[0052] 在上述实施方式中，所述量子点发光材料可W根据需要选择红光量子点、绿光量 子点和蓝光量子点，例如，所述红光量子点最大发光波长为550-650nm、所述绿光量子点最 大发光波长为480-550nm、所述蓝光量子点最大发光波长为400-480nm;例如，所述量子点发 光材料可W是具有核/壳结构的硫化锋。
[0053] 由于热激发延迟巧光材料的主要作用在于增强能量向量子点发光材料的传递，因 此，热激发延迟巧光材料的选择标准主要在于让热激发延迟巧光材料的能级与量子点发光 材料的能级匹配，使得能量从热激发延迟巧光材料向量子点发光材料的传递更加有效。例 如，所述热激发延迟巧光材料的巧光发射光谱与所述量子点发光材料吸收光谱至少部分重 叠，且重叠部分的面积占所述客体材料的巧光发射光谱面积的30% W上、40% W上、50% W 上、60% W上、70% W上或80% W上。
[0054] 在上述实施方式中，例如，量子点发光材料表面具有配体，所述配体例如选自由憐 酸根配体、琉基配体和簇酸配体组成的组。由于量子点容易团聚而导致发光泽灭，在量子点 发光材料表面连接配体，可W有效防止量子点的团聚而提高发光效率，并且能够减缓量子 点发光材料的分解。
[0055] 在上述实施方式中，例如，所述能量传递层的厚度在3-80nm之间、或5-50nm之间、 或10-30nm之间。能量传递层厚度的设置应当W能量的高效传递为目标，厚度过大，则激子 无法有效地传递给量子点发光材料;厚度过小，则能量传递层发挥的作用又受到限制。
[0056] 在上述实施方式中，例如，空穴注入层例如可采用Ξ苯胺化合物或者是有P型渗杂 的有机层或者是聚合物制成，如Ξ-[4-(5-苯基-2-嚷吩基)苯]胺、4,4'，4"-Ξ[2-糞基(苯 基)氨基]Ξ苯胺(2-ΤΝΑΤΑ)或者4,4'，4"-^-(3-甲基苯基苯胺基)^苯胺(111-1了04了4)、献菁 铜（化化）、化(1〇1:?33、了?0或。41^觸。空穴注入层厚度例如可^为1~10011111，或者10~5011111。
[0057] 在上述实施方式中，例如，空穴传输层例如可采用芳香族二胺类化合物、Ξ苯胺化 合物、芳香族Ξ胺类化合物、联苯二胺衍生物、Ξ芳胺聚合物W及巧挫类聚合物制成。如 NPB、TPD、TCTAW及聚乙締巧挫或者其单体。空穴传输层厚度例如可W为20~200皿，或者30 ~80nm。
[005引在上述实施方式中，例如，电子传输层例如可采用邻菲罗林衍生物，嗯挫衍生物， 嚷挫衍生物，咪挫衍生物，金属配合物，蔥的衍生物。具体示例包括:8-径基哇嘟侣(Alq3)、 8-径基哇嘟裡化iq)、8-^基哇嘟嫁、双[2-(2-?基苯基-1)-化晚]被、2-(4-二苯基)-5-(4- 叔下苯基)-1，3，4-嗯二挫（P抓）、1，3，5-Ξ(Ν-苯基-2-苯并咪挫-2)苯(TPBI)、BCP、Bphen 等。电子传输层厚度例如可W为20~500nm，或者50~lOOnm。
[0059] 在上述实施方式中，例如，电子注入层例如可W采用碱金属氧化物、碱金属氣化物 等。碱金属氧化物包括氧化裡化i2〇)、氧化裡棚化iBO)、娃氧化钟化2Si〇3)、碳酸飽(CS2C〇3) 等；碱金属氣化物包括氣化裡化iF)、氣化钢(NaF)等。电子注入层厚度例如可W为0.5~ 3nm〇
[0060] 本发明的一些实施例还提供了一种显示基板，包括呈阵列形式排布的多个上述量 子点发光器件。本发明的一些实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
[0061 ]本发明的实施例还提供一种制备量子点发光器件的方法，包括:提供基板;在所述 基板上依次形成第一电极层、发光层、第二电极层和封装层，其中，所述发光层包括量子点 发光材料，所述方法还包括在所述第一电极层和第二电极层之间设置巧光材料，所述巧光 材料包括热激发延迟巧光（Thermally Activated Delayed Fluorescence,TADF)材料；所 述第一电极层为阳极层或阴极层并且相应地所述第二电极层为阴极层或阳极层。
[0062] 在上述方法中，例如，所述在所述第一电极层和第二电极层之间设置巧光材料，所 述巧光材料包括热激发延迟巧光(Thermally Activated Delayed Fluorescence,TADF)材 料包括下述两者至少之一：将所述巧光材料与所述量子点发光材料共渗杂形成所述发光 层;和所述巧光材料在所述发光层一侧或两侧形成能量传递层，所述能量传递层与所述发 光层相接触。
[0063] 上述实施方式中，量子点发光器件的各层结构可采用常规方法制作。例如，可W采 用溶液方法沉积阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极 层。选择合适溶剂，在每一层上沉积另外一层，都可W保护在先沉积的层不被破坏。沉积方 法例如可W采用旋涂、喷涂或印刷技术实施，或者例如还可W采用瓣射、电子束蒸发、真空 蒸锻或化学气相沉积实施。
[0064] W下将结合实施例进一步说明本发明实施例提供的量子点发光器件的制作过程。 [0(?日]实施例1:器件结构为：
[0066] [口 0/阳 DOT: PSS/poly-TPD/PVK/D 阳 POCz: FI 巧 ic: QD/ZnO/LiF/Al ]
[0067] 制作步骤包括：
[006引1)、清洗含IT0透明电极（阳极）的玻璃衬底：用去离子水和乙醇清洗并且超声处理 20分钟，然后用氮气枪迅速吹干，再臭氧处理10分钟，W清洁IT0表面，并提升IT0电极的功 函数；
[0069] 2)、空穴注入层的制作:于空气中，在清洁后的玻璃衬底上W3500转/分钟的转速 旋涂PED0T: PSS，旋涂时间为45s。旋涂完后在空气中120°C退火20分钟，烘干未挥发完的液 体；
[0070] 3)、空穴传输层的制作:转移入手套箱，在阳DOT :PSS层上W2500转/分钟的转速旋 涂poly-TPD溶液(浓度为lOmg/ml)，旋涂时间为45s。旋涂完成后在手套箱中110°C退火30分 钟形成poly-TPD层；
[0071] 4)、空穴阻挡层的制作:在poly-TPD层上W2000转/分钟的转速旋涂PVK溶液(浓度 为2mg/ml)，旋涂时间为45s。旋涂完成后在手套箱中170°C退火30分钟形成PVK层；
[0072] 5)、发光层的制作：发光层由DPEPOCz : Fbpic:孤共渗组成，其中DPEPOCz : Fbpic 组成TADF体系形成激子，并将激子能量传递给量子点发光材料；
[0073] 6)、电子传输层的制作：在EML层上W2000转/分钟的转速旋涂ZnO溶液（浓度为 30mg/ml)，旋涂时间为45s;
[0074] 7)、电子注入层的制作:将旋涂完成的器件放入真空蒸锻腔体中，蒸锻LiF;
[0075] 8)、阴极的制作:在LiF层上蒸锻阴极侣，得到量子点发光器件。
[0076] W上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发 明的保护范围由所附的权利要求确定。
【主权项】
1. 一种量子点发光器件，包括:基板以及依次形成在所述基板上的第一电极层、发光 层、第二电极层和封装层， 其中，所述发光层包括量子点发光材料，所述第一电极层和第二电极层之间设置有荧 光材料，所述荧光材料包括热激发延迟荧光材料;所述第一电极层和所述第二电极层之一 为阳极层，所述第一电极层和所述第二电极层中的另一者为阴极层。2. 根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中，所述量子点发光器件满足下述两个条 件至少之一： 所述荧光材料与所述量子点发光材料共掺杂形成所述发光层;和 所述荧光材料在所述发光层一侧或两侧形成能量传递层，所述能量传递层与所述发光 层相接触。3. 根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其中，所述荧光材料由单一的热激发延 迟荧光材料组成。4. 根据权利要求3所述的量子点发光器件，其中，所述热激发延迟荧光材料为2,4,5,6_ 四（9-咔唑基)-间苯二腈(4CzIPN)。5. 根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其中所述热激发延迟荧光材料为包括主 体材料和客体材料的混合物。6. 根据权利要求5所述的量子点发光器件，其中所述荧光材料还包括不具有热激发延 迟荧光特性的荧光材料。7. 根据权利要求6所述的量子点发光器件，其中所述主体材料包括1，2-二咔唑-4，5-二 氰基苯(2-〇2?"、（3'-(4,6-二苯基-1，3,5-三嗪-2-基)-(1，1'-联苯)-3-基)-9!1-咔唑（3-CzTRZ)和2，5_双（咔唑-9-基）-1,4-二氰基苯（CzTPN)中的至少一种，所述客体材料包括 DFDB-QA和DMeDB-QA中的至少一种，所述不具有热激发延迟荧光特性的荧光材料包括4，4 ' -双(N-咔唑)-1，Γ-联苯(DBP)。8. 根据权利要求1-2、4、6-7的任一项所述的量子点发光器件，其中所述热激发延迟荧 光材料的荧光发射光谱与所述量子点发光材料吸收光谱至少部分重叠，且重叠部分的面积 占所述客体材料的荧光发射光谱面积的30 %以上。9. 根据权利要求1-2、4、6-7的任一项所述的量子点发光器件，其中所述量子点发光材 料包括红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点中的至少一种。10. 根据权利要求9所述的量子点发光器件，其中所述红光量子点最大发光波长为550-650nm、所述绿光量子点最大发光波长为480_550nm、所述蓝光量子点最大发光波长为400-480nm。11. 根据权利要求1 -2、4、6-7的任一项所述的量子点发光器件，其中所述量子点发光材 料是具有核/壳结构的硫化锌。12. 根据权利要求1-2、4、6-7任一项所述的量子点发光器件，其中所述量子点发光材料 表面具有配体，所述配体选自由磷酸根配体、巯基配体和羧酸配体组成的组。13. 根据权利要求1-2、4、6-7任一项所述的量子点发光器件，其中所述热激发延迟荧光 材料在所述发光层一侧或两侧形成能量传递层，所述能量传递层与所述发光层相接触，所 述能量传递层的厚度在3_80nm之间。14. 根据权利要求1-2、4、6-7任一项所述的量子点发光器件，还包括下述两者至少之 在所述阳极层和所述发光层之间依次设置的空穴注入层、空穴传输层和空穴阻挡层； 和 在所述阴极层和所述发光层之间依次设置的电子注入层、电子传输层和点子阻挡层。15. 根据权利要求1-2、4、6-7任一项所述的量子点发光器件，其中所述基板为阵列基 板，所述阳极与所述阵列基板中的开关元件相电连接。16. -种制备量子点发光器件的方法，包括： 提供基板； 在所述基板上依次形成第一电极层、发光层、第二电极层和封装层， 其中，所述发光层包括量子点发光材料，所述方法还包括在所述第一电极层和第二电 极层之间设置荧光材料，所述荧光材料包括热激发延迟荧光材料;所述第一电极层和所述 第二电极层之一为阳极层，所述第一电极层和所述第二电极层中的另一者为阴极层。17. 根据权利要求16所述的方法，所述在所述第一电极层和第二电极层之间设置荧光 材料，所述荧光材料包括热激发延迟荧光材料包括下述两者至少之一： 将所述荧光材料与所述量子点发光材料共掺杂形成所述发光层;和 所述荧光材料在所述发光层一侧或两侧形成能量传递层，所述能量传递层与所述发光 层相接触。18. -种显示基板，包括如权利要求1-17任一项所述的量子点发光器件，其中多个所述 量子点发光器件布置成阵列的形式。19. 一种显示装置，包括如权利要求18所述的显示基板。
【文档编号】H01L51/50GK105870347SQ201610237544
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月15日
【发明人】何月娣, 鲍里斯.克里斯塔尔, 李延钊, 孙杰
【申请人】京东方科技集团股份有限公司