金属氧化物层状结构及其形成方法

金属氧化物层状结构及其形成方法
【专利摘要】本发明描述了一些示例性结构和方法。结构包括至少由包封剂横向包封的集成电路管芯以及位于集成电路管芯和包封剂上的再分布结构。再分布结构电连接至集成电路管芯。再分布结构包括位于至少包封剂上的第一介电层、位于第一介电层上的金属化图案、位于金属化图案上的金属氧化物层状结构、以及位于第一介电层和金属化图案上的第二介电层。金属氧化物层状结构包括具有基本上1:1的金属原子与氧原子的比率的金属氧化物层，并且金属氧化物层状结构的厚度为至少第二介电层是光敏材料。金属氧化物层状结构设置在金属化图案和第二介电层之间。本发明的实施例还涉及金属氧化物层状结构及其形成方法。
【专利说明】
金属氧化物层状结构及其形成方法
[0001 ]本申请要求2015年2月 13 日提交的标题为 "Metal Oxide Layered Structure and Methods of Forming the Same"的美国临时申请第62/116,170号的优先权和权益，其全部 内容结合于此作为参考。
技术领域
[0002] 本发明的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及金属氧化物层状结构及其形 成方法。
【背景技术】
[0003] 半导体器件用于各种电子应用中，作为实例，诸如个人计算机、手机、数码相机和 其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料 层以及使用光刻图案化各个材料层以在材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。 通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路来分割 单独的管芯。例如，然后以多芯片模块、或以其他类型的封装单独地封装单独的管芯。
[0004] 半导体工业通过不断地减小最小部件尺寸不断地改进各种电子组件(例如，晶体 管、二极管、电阻器、电容器等）的集成密度，这允许更多的组件集成到给定区域内。在一些 应用中，诸如集成电路管芯的这些较小的电子组件也可能需要比之前的封装件利用更小区 域的较小的封装件。

【发明内容】

[0005] 本发明的实施例提供了一种结构，包括:集成电路管芯，至少由包封剂横向包封； 再分布结构，位于所述集成电路管芯和所述包封剂上，所述再分布结构电连接至所述集成 电路管芯，所述再分布结构包括:第一介电层，至少位于所述包封剂上，金属化图案，位于所 述第一介电层上，金属氧化物层状结构，位于所述金属化图案上，所述金属氧化物层状结构 包括具有基本上1:1的金属原子与氧原子的比率的金属氧化物层，所述金属氧化物层状结 构的厚度为至少50 A,以及第二介电层，位于所述第一介电层和所述金属化图案上，所述 第二介电层是光敏材料，所述金属氧化物层状结构设置在所述金属化图案和所述第二介电 层之间。
[0006] 本发明的另一实施例提供了一种结构，包括:集成电路管芯;包封剂，至少横向包 封所述集成电路管芯;第一介电层，位于所述包封剂和所述集成电路管芯的有源侧上;金属 化图案，位于所述第一介电层上，所述金属化图案电连接至所述集成电路管芯的有源侧;粘 合层，位于所述金属化图案上，所述粘合层包括具有基本上1:1的金属原子与氧原子的比率 的金属氧化物层，所述粘合层的厚度为至少50 A;以及第二介电层，位于所述第一介电层 和所述粘合层上，所述第二介电层是光敏材料。
[0007] 本发明的又一实施例提供了一种方法，包括：以包封剂包封集成电路管芯;在所述 包封剂和所述集成电路管芯上方形成介电层;在所述介电层上方形成金属化图案；以含氧 等离子体处理所述金属化图案，所述处理在所述金属化图案上方形成具有基本上1:1的金 属原子与氧原子的比率的金属氧化物层，所述金属氧化物层的厚度为至少50 A;以及在所 述金属氧化物层上方形成光敏材料。
【附图说明】
[0008] 当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意， 根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺 寸可以任意地增大或减小。
[0009] 图1至图3是根据一些实施例的在处理期间的中间步骤的一般方面的截面图。
[0010]图4A和图4B是根据一些实施例的第一示例金属氧化物层状结构和形成金属氧化 物层状结构的方法。
[0011] 图5A和图5B是根据一些实施例的第二示例金属氧化物层状结构和形成金属氧化 物层状结构的方法。
[0012] 图6A和图6B是根据一些实施例的第三示例金属氧化物层状结构和形成金属氧化 物层状结构的方法。
[0013] 图7A和图7B是根据一些实施例的第四示例金属氧化物层状结构和形成金属氧化 物层状结构的方法。
[0014] 图8A和图8B是根据一些实施例的第五示例金属氧化物层状结构和形成金属氧化 物层状结构的方法。
[0015] 图9至图23是根据一些实施例的在用于形成封装件上芯片(CoP)和/或叠层封装件 (P〇P)结构的工艺期间的中间步骤的截面图。
[0016] 图24是根据一些实施例的CoP结构。
[0017]图25是根据一些实施例的第一 PoP结构。
[0018]图26是根据一些实施例的第二PoP结构。
[0019]图27是根据一些实施例的第三PoP结构。
【具体实施方式】
[0020]以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。 下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本 发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二 部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的 部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例 中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的 各个实施例和/或配置之间的关系。
[0021 ]而且，为便于描述，在此可以使用诸如"在…之下"、"在…下方"、"下部"、"在…之 上"、"上部"等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元 件或部件的关系。类似地，诸如"前侧"和"后侧"的术语在本文中可以用于更容易地识别各 种组件，并且可以识别那些组件例如位于另一组件的相对侧上。除了图中所示的方位外，空 间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向（旋转90 度或在其他方位上），而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。
[0022] 可以在具体上下文中讨论本文中讨论的实施例，即，扇出或扇入晶圆级封装件，诸 如封装件上芯片(CoP)和/或叠层封装件(PoP)结构中使用的。其他实施例预期其他应用，诸 如本领域普通技术人员在阅读本发明之后将显而易见的不同封装件类型或不同配置。应该 注意，本文中讨论的实施例可以不必示出可以在结构中存在的每个组件或部件。例如，诸如 当一个组件的讨论可能足以表达实施例的各方面时，可以从图中省略多倍的组件。此外，本 文中讨论的方法实施例可能讨论为以特定顺序实施;然而，可以以任何逻辑顺序实施其他 方法实施例。
[0023] 图1至图3是根据一些实施例的在处理期间的中间步骤的一般方面的截面图。图1 示出了第一介电层30、位于第一介电层30上的金属化图案32以及位于金属化图案32上的原 生氧化物34。在一些实施例中，第一介电层30由聚合物形成，其可以是诸如聚苯并恶唑 (ΡΒ0)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等的光敏材料。可以通过诸如旋涂、层压等或它们的组 合的任何可接受的沉积工艺在任何支撑衬底上形成第一介电层30,在随后的图的背景下描 述第一介电层30的一些实例。
[0024] 作为实例，为了形成金属化图案32,在第一介电层30上形成晶种层(未示出）。在一 些实施例中，晶种层是金属层，其可以是单层或包括由不同材料形成的多个子层的复合层。 在一些实施例中，晶种层包括钛层和位于钛层上方的铜层。例如，可以使用物理汽相沉积 (PVD)、溅射等形成晶种层。然后在晶种层上形成光刻胶并且图案化光刻胶。光刻胶可以通 过旋涂等形成并且可以暴露于光以用于图案化。光刻胶的图案对应于金属化图案32。图案 化形成穿过光刻胶的开口以暴露晶种层。金属形成在光刻胶的开口中和晶种层的暴露部分 上。可以通过诸如电镀或化学镀等的镀形成金属。该金属可以是铜、镍、钴、钛、钨、铝等。然 后，去除光刻胶和其上未形成金属的晶种层的部分。可以通过可接受的灰化或剥离工艺去 除光刻胶，诸如使用氧等离子体等。一旦去除光刻胶，诸如通过使用可接受的蚀刻工艺，诸 如通过湿蚀刻或干蚀刻，去除晶种层的暴露部分。晶种层的剩余部分和金属形成金属化图 案32〇
[0025] 可以通过在周围环境下金属化图案32的金属与氧气的反应来形成原生氧化物34。 例如，可以通过当在蚀刻之后清洗金属时金属和水、过氧化氢等之间的反应形成原生氧化 物34。此外，可以通过当金属暴露于空气时金属和空气中的氧之间的反应来形成原生氧化 物34。可以通过许多方式形成原生氧化物34。
[0026] 在图2中，在金属化图案32上形成金属氧化物层状结构36。在一些实施例中，金属 氧化物层状结构36可以包括原生氧化物34,或者在其他实施例中，可以去除原生氧化物34。 关于图4A至图4B、图5A至图5B、图6A至图6B、图7A至图7B以及图8A至图8B示出和讨论了各个 金属氧化物层状结构36的实例和进一步的细节。金属氧化物层状结构36包括基本上由比率 为基本上1:1(仅为了方便，此后这个比率表示为"Μ Χ:0=1:Γ)的金属的原子(诸如金属化 图案32的金属的原子)和氧的原子组成的金属氧化物的层。基本上1:1的比率可以包括0.8: 1至1.2:1的比率，诸如0.9:1至1.1:1。例如，在一些实施例中，其中金属化图案32是铜，金属 氧化物层状结构36包括氧化铜(CuO)的层，并且该层中的铜原子与氧原子的比率为基本上 1:1。本领域普通技术人员将容易理解，例如，由于处理，诸如氮和/或碳的其他附带原子可 以包括在基本上由比率为基本上1:1的金属的原子和氧的原子组成的金属氧化物的层。
[0027]在图3中，在金属氧化物层状结构36和第一介电层30上形成第二介电层38。在一些 实施例中，第二介电层38由聚合物形成，聚合物可以是诸如聚苯并恶唑(ΡΒ0)、聚酰亚胺、苯 并环丁烯(BCB)等的光敏材料。如本文中使用的，光敏材料包括在显影之前是光敏的显影的 材料。可以通过诸如旋涂、层压等或它们的组合的任何可接受的沉积工艺形成第二介电层 38 〇
[0028]图4A和图4B是根据一些实施例的第一示例金属氧化物层状结构36A和形成金属氧 化物层状结构36A的方法。图4A示出了关于图1讨论的金属化图案32,其在图4B的步骤200中 形成。如在图1中进一步讨论的，可以在金属化图案32上形成原生氧化物34。在图4B的步骤 202中，去除原生氧化物34。该去除可以通过诸如氮气(N 2)等离子体工艺的可接受的清洗工 艺。在图4B的步骤204中，在金属化图案32上直接形成具有Μχ:0=1:1的金属氧化物层40。可 以通过以诸如包括氧气(〇2)、臭氧(〇3)、水(H 20)等或它们的组合的等离子体的含氧等离子 体处理金属化图案32来形成金属氧化物层40。含氧等离子体可以包括额外的等离子体物 质，诸如氮气(N 2)、氢气(H2)、氩气(Ar)等或它们的组合。作为实例，金属化图案32可以是铜， 并且金属氧化物层40可以是氧化铜(CuO)。如示出的，金属氧化物层状结构36A由具有Mx: 0 =1:1的金属氧化物层40组成。在图4B的步骤206中，如关于图3讨论的，在金属氧化物层状 结构36A上形成第二介电层38。
[0029] 图5A和图5B是根据一些实施例的第二示例金属氧化物层状结构36B和形成金属氧 化物层状结构36B的方法。图5A示出了关于图1讨论的金属化图案32,其在图5B的步骤210中 形成。如在图1中进一步讨论的，可以在金属化图案32上形成原生氧化物34。在图5B的步骤 212中，去除原生氧化物34。该去除可以通过诸如氮气(N 2)等离子体工艺的可接受的清洗工 艺。在图5B的步骤214中，在金属化图案32上直接形成具有Μχ:0=1:1的金属氧化物层42。可 以通过以诸如包括氧气(〇2)、臭氧(〇3)、水(H 20)等或它们的组合的等离子体的含氧等离子 体处理金属化图案32来形成金属氧化物层42。含氧等离子体可以包括额外的等离子体物 质，诸如氮气(N 2)、氢气(H2)、氩气(Ar)等或它们的组合。在图5B的步骤216中，在金属氧化物 层42上形成原生氧化物44。可以通过将金属化图案32和金属氧化物层42暴露于含氧的周围 环境中来形成原生氧化物44,诸如在使用水的清洗工艺期间或通过将结构暴露于空气。作 为实例，金属化图案32可以是铜；金属氧化物层42可以是氧化铜(CuO);并且原生氧化物44 可以是氧化亚铜（Cu 20)。如示出的，金属氧化物层状结构36B由具有Mx: 0 = 1:1的金属氧化 物层42和原生氧化物44组成。在图5B的步骤218中，如关于图3讨论的，在金属氧化物层状结 构36B上形成第二介电层38。
[0030] 图6A和图6B是根据一些实施例的第三示例金属氧化物层状结构36C和形成金属氧 化物层状结构36C的方法。图6A示出了关于图1讨论的金属化图案32,其在图6B的步骤220中 形成。如在图1中进一步讨论的和在图6B的步骤222中，在金属化图案32上直接形成原生氧 化物46。在图6B的步骤224中，在原生氧化物46上直接形成具有Mx: 0=1:1的金属氧化物层 48。可以通过以诸如包括氧气(02)、臭氧(03)、水(H 20)等或它们的组合的等离子体的含氧等 离子体处理原生氧化物46和金属化图案32来形成金属氧化物层48。含氧等离子体可以包括 额外的等离子体物质，诸如氮气(N 2)、氢气(H2)、氩气(Ar)等或它们的组合。作为实例，金属 化图案32可以是铜；原生氧化物46可以是氧化亚铜（Cu 20);并且金属氧化物层48可以是氧 化铜(CuO)。如示出的，金属氧化物层状结构36C由原生氧化物46和具有Mx: 0 = 1:1的金属氧 化物层48组成。在图6B的步骤226中，如关于图3讨论的，在金属氧化物层状结构36C上形成 第二介电层38。
[0031]图7A和图7B是根据一些实施例的第四示例金属氧化物层状结构36D和形成金属氧 化物层状结构36D的方法。图7A示出了关于图1讨论的金属化图案32,其在图7B的步骤230中 形成。如在图1中进一步讨论的，可以在金属化图案32上形成原生氧化物34。在图7B的步骤 232中，去除原生氧化物34。该去除可以通过诸如氮气(N 2)等离子体工艺的可接受的清洗工 艺。在图7B的步骤234中，在金属化图案32上直接形成具有Μχ:0=1:1的金属氧化物层50。可 以通过以诸如包括氧气(〇2)、臭氧(〇3)、水(H 20)等或它们的组合的等离子体的含氧等离子 体处理金属化图案32来形成金属氧化物层50。含氧等离子体可以包括额外的等离子体物 质，诸如氮气(N 2)、氢气(H2)、氩气(Ar)等或它们的组合。在图7B的步骤236中，在金属氧化物 层50上形成原生氧化物52。可以通过将金属化图案32和金属氧化物层50暴露于含氧的周围 环境中来形成原生氧化物52,诸如在使用水的清洗工艺期间或通过将结构暴露于空气。在 图7B的步骤238中，在原生氧化物52上直接形成具有Mx:0=l: 1的金属氧化物层54。可以通 过以诸如包括氧气(〇2)、臭氧(〇3)、水(H20)等或它们的组合的等离子体的含氧等离子体处 理原生氧化物52、金属氧化物层50和金属化图案32来形成金属氧化物层54。含氧等离子体 可以包括额外的等离子体物质，诸如氮气(N 2)、氢气(H2)、氩气(Ar)等或它们的组合。作为实 例，金属化图案32可以是铜;金属氧化物层50可以是氧化铜(CuO);原生氧化物52可以是氧 化亚铜（Cu 20);并且金属氧化物层54可以是氧化铜（CuO)。如示出的，金属氧化物层状结构 36D由具有Μχ:0 = 1:1的金属氧化物层50、原生氧化物52和具有Mx:0=l: 1的金属氧化物层 54组成。在图7B的步骤240中，如关于图3讨论的，在金属氧化物层状结构36D上形成第二介 电层38。
[0032]图8A和图8B是根据一些实施例的第五示例金属氧化物层状结构36E和形成金属氧 化物层状结构36E的方法。图8A示出了关于图1讨论的金属化图案32,其在图8B的步骤250中 形成。如在图1中进一步讨论的并且在图8B的步骤252中，在金属化图案32上直接形成原生 氧化物56。在图8B的步骤254中，在原生氧化物56上直接形成具有Μχ:0= 1:1的金属氧化物 层58。可以通过以诸如包括氧气(02)、臭氧(03)、水(H 20)等或它们的组合的等离子体的含氧 等离子体处理原生氧化物56和金属化图案32来形成金属氧化物层58。含氧等离子体可以包 括额外的等离子体物质，诸如氮气(N 2)、氢气(H2)、氩气(Ar)等或它们的组合。在图8B的步骤 256中，在金属氧化物层58上形成原生氧化物60。可以通过将金属化图案32和金属氧化物层 58暴露于含氧的周围环境中来形成原生氧化物60,诸如在使用水的清洗工艺期间或通过将 结构暴露于空气。作为实例，金属化图案32可以是铜；原生氧化物56可以是氧化亚铜 (Cu 20);金属氧化物层58可以是氧化铜(CuO);并且原生氧化物60可以是氧化亚铜(Cu20)。如 示出的，金属氧化物层状结构36E由原生氧化物56、具有Mx: 0= 1:1的金属氧化物层58和原 生氧化物60组成。在图8B的步骤258中，如关于图3讨论的，在金属氧化物层状结构36E上形 成第二介电层38。
[0033] 诸如金属氧化物层状结构36A、36B、36C、36D和36E的金属氧化物层状结构36可以 促进下面的金属化层和上面的介电层之间的粘合，如上所讨论的，介电层可以是光敏材料。 因此，金属氧化物层状结构36可以称为粘合结构。在一些实施例中，金属氧化物层状结构36 的厚度大于或等于约50A，诸如在从约50人至约200 Λ的范围内，更具体地，在从约50Λ 至约100 A的范围内。例如，金属氧化物层状结构36的具有Μχ:0=1:1的金属氧化物层(诸 如金属氧化物层状结构36A的金属氧化物层40)的厚度大于或等于约50A,诸如在从约 504至约200 A的范围内，更具体地，在从约50 Λ至约u)() A的范围内。已经发现，金属 氧化物层状结构36的大于或等于约50A的厚度增加粘合。
[0034]应该注意，虽然已经使用铜、氧化铜和氧化亚铜提供了具体实例，但是可以使用其 他金属和氧化物。本领域普通技术人员将容易理解当使用诸如镍、钴、钛、钨、铝等的不同金 属时可以使用的各种氧化物。
[0035]图9至图23是根据一些实施例的在用于形成封装件上芯片(CoP)和/或叠层封装件 (P〇P)结构的工艺期间的中间步骤的截面图。图9示出了载体衬底100和形成在载体衬底100 上的释放层102。载体衬底100可以是玻璃载体衬底、陶瓷载体衬底等。载体衬底100可以是 晶圆，从而使得可以在载体衬底100上同时形成多个封装件。释放层102可以由聚合物基材 料形成，其与载体衬底100从将在随后的步骤中形成的上面的结构一起被去除。在一些实施 例中，释放层102是环氧基热释放材料(诸如光热转换(LTHC)释放涂层），当被加热时，环氧 基热释放材料失去其粘合性。在其他实施例中，释放层102可以是紫外(UV)胶，当暴露于UV 光时，UV胶失去其粘合性。释放层102可以作为液体分配并且固化，释放层102可以是层压在 载体衬底100上的层压膜等。可以使释放层102的顶面齐平，并且释放层102可以具有高度的 共面性。
[0036] 在图9至图11中，形成后侧再分布结构114。后侧再分布结构包括介电层104和110 以及金属化图案106。如图9所示，在释放层102上形成介电层104。介电层104的底面可以与 释放层102的顶面接触。在一些实施例中，介电层104由聚合物形成，聚合物可以是诸如TOO、 聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。可以通过诸如旋涂、层压等或它们的组合的任何可接受的沉 积工艺形成介电层104。
[0037] 在图10中，在介电层104上形成金属化图案106。作为实例，为了形成金属化图案 106,在介电层104上方形成晶种层(未示出）。在一些实施例中，晶种层是金属层，其可以是 单层或包括由不同材料形成的多个子层的复合层。在一些实施例中，晶种层包括钛层和位 于钛层上方的铜层。例如，可以使用PVD、溅射等形成晶种层。然后在晶种层上形成光刻胶并 且图案化光刻胶。光刻胶可以通过旋涂等形成并且可以暴露于光以用于图案化。光刻胶的 图案对应于金属化图案106。图案化形成穿过光刻胶的开口以暴露晶种层。金属形成在光刻 胶的开口中和晶种层的暴露部分上。可以通过诸如电镀或化学镀等的镀形成金属。该金属 可以是铜、镍、钴、钛、钨、铝等。然后，去除光刻胶和其上未形成金属的晶种层的部分。可以 通过可接受的灰化或剥离工艺去除光刻胶，诸如使用氧等离子体等。一旦去除光刻胶，诸如 通过使用可接受的蚀刻工艺，诸如通过湿蚀刻或干蚀刻，去除晶种层的暴露部分。晶种层的 剩余部分和金属形成金属化图案106。
[0038] 然后在金属化图案106的暴露表面上形成金属氧化物层状结构108。金属氧化物层 状结构108可以具有图4A、图5A、图6A、图7A和图8A等中示出的任何结构，并且可以通过图 4B、图5B、图6B、图7B和图8B等中概述的任何方法形成。
[0039] 在图11中，在金属化图案106和介电层104上形成介电层110。在一些实施例中，介 电层110由聚合物形成，聚合物可以是诸如ΡΒ0、聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。可以通过旋 涂、层压等或它们的组合形成介电层110。然后图案化介电层110以形成开口，从而暴露金属 化图案106上的金属氧化物层状结构108的部分112。当介电层110是光敏材料时，图案化可 以通过使用光刻掩模将介电层110暴露于光以及随后显影介电层110。可以使用诸如蚀刻的 其他图案化技术。
[0040] 如示出的，后侧再分布结构114包括两个介电层104和110以及一个金属化图案 106。在其他实施例中，后侧再分布结构114可以包括任何数量的介电层、金属化图案和通 孔。可以通过重复用于形成金属化图案106和介电层110的工艺而在后侧再分布结构114中 形成一个或多个额外的金属化图案和介电层。可以在通过在下面的介电层的开口中形成晶 种层和金属化图案的金属的金属化图案的形成期间形成通孔。因此，通孔可以互连和电连 接各个金属化图案。
[0041] 在图12中，形成通孔116。作为实例，为了形成通孔116,去除金属氧化物层状结构 108的暴露部分112以暴露金属化图案106的部分，以及然后在介电层110和金属化图案106 的暴露部分上形成晶种层(未示出）。可以通过溅射蚀刻等去除金属氧化物层状结构108的 暴露部分112。在一些实施例中，晶种层是金属层，其可以是单层或包括由不同材料形成的 多个子层的复合层。在一些实施例中，晶种层包括钛层和位于钛层上方的铜层。例如，可以 使用PVD、溅射等形成晶种层。可以在与形成晶种层的相同的处理室中去除金属氧化物层状 结构108的暴露部分112。然后在晶种层上形成光刻胶并且图案化光刻胶。光刻胶可以通过 旋涂等形成并且可以暴露于光以用于图案化。光刻胶的图案对应于通孔116。图案化形成穿 过光刻胶的开口以暴露晶种层。金属形成在光刻胶的开口中和晶种层的暴露部分上。可以 通过诸如电镀或化学镀等的镀形成金属。该金属可以是铜、钛、钨、铝等。然后，去除光刻胶 和其上未形成金属的晶种层的部分。可以通过可接受的灰化或剥离工艺去除光刻胶，诸如 使用氧等离子体等。一旦去除光刻胶，诸如通过使用可接受的蚀刻工艺，诸如通过湿蚀刻或 干蚀刻，去除晶种层的暴露部分。晶种层的剩余部分和金属形成通孔116。由于从金属化图 案106去除金属氧化物层状结构108的暴露部分112,在通孔116和金属化图案106之间形成 直接金属-金属界面118。
[0042]进一步在图12中，集成电路管芯119通过粘合剂120粘合至介电层110。如示出的， 一个集成电路管芯119粘合在封装结构中，并且在其他实施例中，多个集成电路管芯可以粘 合在封装结构中。在粘合至介电层110之前，可以根据适用的制造工艺处理集成电路管芯 119以在集成电路管芯119中形成集成电路。例如，集成电路管芯119包括半导体衬底122。半 导体衬底122可以是块状半导体衬底122、绝缘体上半导体(SOI)衬底、多层或梯度衬底等。 半导体衬底122的半导体材料可以是掺杂或未掺杂的，并且可以包括元素半导体，诸如硅或 锗；化合物或合金半导体，包括SiGe、SiC、GaAs、GaP、InP、InAs、InSb、GaAsP、A1 InAs、 △16&六8、6&11^8、6&11^、6 &11^8?等;或它们的组合。诸如晶体管、二极管、电容器、电阻器等 的器件可以形成在半导体衬底122中和/或上并且可以通过互连结构124互连以形成集成电 路，互连结构124由例如半导体衬底122上的一个或多个介电层中的金属化图案形成。
[0043] 集成电路管芯119还包括诸如铝焊盘的焊盘126,形成至焊盘126的外部连接。焊盘 126位于可以称为集成电路管芯119的有源侧的一侧上。钝化膜128位于集成电路管芯119和 焊盘126的部分上。开口穿过钝化膜128至焊盘126。诸如导电柱(例如，包括诸如铜的金属） 的管芯连接件130位于穿过钝化膜128的开口中并且机械和电连接至相应的焊盘126。例如， 可以通过镀等形成管芯连接件130。管芯连接件130电连接集成电路管芯119的集成电路。 [0044]介电材料132位于集成电路管芯119的有源侧上，诸如位于钝化膜128和管芯连接 件130上。介电材料132横向包封管芯连接件130,并且介电材料132与集成电路管芯119横向 共末端。介电材料132可以是诸如ΡΒ0、聚酰亚胺、BCB等的聚合物;诸如氮化硅等的氮化物； 诸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG等的氧化物;或它们的组合，并且可以例如通过旋涂、层压、CVD 等形成。
[0045]粘合剂120位于集成电路管芯119的后侧上并且将集成电路管芯119粘合至后侧再 分布结构114,诸如示出的介电层110。粘合剂120可以是任何合适的粘合剂、环氧化物等。粘 合剂可以施加至集成电路管芯119的后侧，诸如施加至相应的半导体晶圆的后侧。诸如通过 锯切或切割，可以分割集成电路管芯119,并且使用例如拾放工具通过粘合剂120将集成电 路管芯119粘合至介电层110。
[0046]在图13中，在各个组件上形成包封剂134。包封剂134可以是模塑料、环氧化物等， 并且可以通过压缩模制、传递模制等施加。在固化之后，包封剂134可以经受研磨工艺以暴 露通孔116和管芯连接件130。在研磨工艺之后，通孔116、管芯连接件130和包封剂134的顶 面可以共面。在一些实施例中，例如，如果通孔116和管芯连接件130已经暴露，则可以省略 研磨。
[0047]在图14至图20中，形成前侧再分布结构166。如将在图20中示出的，前侧再分布结 构166包括介电层136、142、152和162以及金属化图案138、146和156。
[0048] 在图14中，在包封剂134、通孔116和管芯连接件130上形成介电层136。在一些实施 例中，介电层136由聚合物形成，聚合物可以是诸如TOO、聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。可以 通过旋涂、层压等或它们的组合形成介电层136。然后图案化介电层136以形成开口，从而暴 露通孔116和管芯连接件130的部分。当介电层136是光敏材料时，图案化可以通过使用光刻 掩模将介电层136暴露于光以及随后显影介电层136。可以使用诸如蚀刻的其他图案化技 术。
[0049] 在图15中，在介电层136上形成具有通孔的金属化图案138。作为实例，为了形成金 属化图案138,在介电层136上方和在穿过介电层136的开口中形成晶种层(未示出）。在一些 实施例中，晶种层是金属层，其可以是单层或包括由不同材料形成的多个子层的复合层。在 一些实施例中，晶种层包括钛层和位于钛层上方的铜层。例如，可以使用PVD等形成晶种层。 然后在晶种层上形成光刻胶并且图案化光刻胶。光刻胶可以通过旋涂等形成并且可以暴露 于光以用于图案化。光刻胶的图案对应于金属化图案138。图案化形成穿过光刻胶的开口以 暴露晶种层。金属形成在光刻胶的开口中和晶种层的暴露部分上。可以通过诸如电镀或化 学镀等的镀形成金属。该金属可以包括金属，如铜、镍、钴、钛、钨、铝等。然后，去除光刻胶和 其上未形成金属的晶种层的部分。可以通过可接受的灰化或剥离工艺去除光刻胶，诸如使 用氧等离子体等。一旦去除光刻胶，诸如通过使用可接受的蚀刻工艺，诸如通过湿蚀刻或干 蚀刻，去除晶种层的暴露部分。晶种层的剩余部分和金属形成金属化图案138和通孔。通孔 形成在穿过介电层136至例如通孔116和/或管芯连接件130的开口中。
[0050] 然后在金属化图案138的暴露表面上形成金属氧化物层状结构140。金属氧化物层 状结构140可以具有图4A、图5A、图6A、图7A和图8A等中示出的任何结构，并且可以通过图 4B、图5B、图6B、图7B和图8B等中概述的任何方法形成。
[0051] 在图16中，在金属化图案138和介电层136上形成介电层142。在一些实施例中，介 电层142由聚合物形成，聚合物可以是诸如ΡΒ0、聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。可以通过旋 涂、层压等或它们的组合形成介电层142。然后图案化介电层142以形成开口，从而暴露金属 化图案138上的金属氧化物层状结构140的部分144。当介电层142是光敏材料时，图案化可 以通过使用光刻掩模将介电层142暴露于光以及随后显影介电层142。可以使用诸如蚀刻的 其他图案化技术。
[0052] 在图17中，在介电层142上形成具有通孔的金属化图案146。作为实例，为了形成金 属化图案146,去除金属氧化物层状结构140的暴露部分144以暴露金属化图案138的部分， 以及然后在介电层142和金属化图案138的暴露部分上形成晶种层(未示出）。可以通过溅射 蚀刻等去除金属氧化物层状结构140的暴露部分144。在一些实施例中，晶种层是金属层，其 可以是单层或包括由不同材料形成的多个子层的复合层。在一些实施例中，晶种层包括钛 层和位于钛层上方的铜层。例如，可以使用PVD、溅射等形成晶种层。然后可以在与形成晶种 层的相同的处理室中去除金属氧化物层状结构140的暴露部分144。然后在晶种层上形成光 刻胶并且图案化光刻胶。光刻胶可以通过旋涂等形成并且可以暴露于光以用于图案化。光 刻胶的图案对应于金属化图案146。图案化形成穿过光刻胶的开口以暴露晶种层。金属形成 在光刻胶的开口中和晶种层的暴露部分上。可以通过诸如电镀或化学镀等的镀形成金属。 该金属可以是铜、镍、钴、钛、钨、铝等。然后，去除光刻胶和其上未形成金属的晶种层的部 分。可以通过可接受的灰化或剥离工艺去除光刻胶，诸如使用氧等离子体等。一旦去除光刻 胶，诸如通过使用可接受的蚀刻工艺，诸如通过湿蚀刻或干蚀刻，去除晶种层的暴露部分。 晶种层的剩余部分和金属形成金属化图案146和通孔。通孔形成在穿过介电层142至例如金 属化图案138的部分的开口中。由于从金属化图案138去除金属氧化物层状结构140的部分 144,在金属化图案146的通孔和金属化图案138之间形成直接金属-金属界面148。
[0053] 然后在金属化图案146的暴露表面上形成金属氧化物层状结构150。金属氧化物层 状结构150可以具有图4A、图5A、图6A、图7A和图8A等中示出的任何结构，并且可以通过图 4B、图5B、图6B、图7B和图8B等中概述的任何方法形成。
[0054] 在图18中，在金属化图案146和介电层142上形成介电层152。在一些实施例中，介 电层152由聚合物形成，聚合物可以是诸如ΡΒ0、聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。可以通过旋 涂、层压等或它们的组合形成介电层152。然后图案化介电层152以形成开口，从而暴露金属 化图案146上的金属氧化物层状结构150的部分154。当介电层152是光敏材料时，图案化可 以通过使用光刻掩模将介电层152暴露于光以及随后显影介电层152。可以使用诸如蚀刻的 其他图案化技术。
[0055] 在图19中，在介电层152上形成具有通孔的金属化图案156。作为实例，为了形成金 属化图案156,去除金属氧化物层状结构150的暴露部分154以暴露金属化图案146的部分， 以及然后在介电层152和金属化图案146的暴露部分上形成晶种层(未示出）。可以通过溅射 蚀刻等去除金属氧化物层状结构150的暴露部分154。在一些实施例中，晶种层是金属层，其 可以是单层或包括由不同材料形成的多个子层的复合层。在一些实施例中，晶种层包括钛 层和位于钛层上方的铜层。例如，可以使用PVD、溅射等形成晶种层。可以在与形成晶种层的 相同的处理室中去除金属氧化物层状结构150的暴露部分154。然后在晶种层上形成光刻胶 并且图案化光刻胶。光刻胶可以通过旋涂等形成并且可以暴露于光以用于图案化。光刻胶 的图案对应于金属化图案156。图案化形成穿过光刻胶的开口以暴露晶种层。金属形成在光 刻胶的开口中和晶种层的暴露部分上。可以通过诸如电镀或化学镀等的镀形成金属。该金 属可以是铜、镍、钴、钛、钨、铝等。然后，去除光刻胶和其上未形成金属的晶种层的部分。可 以通过可接受的灰化或剥离工艺去除光刻胶，诸如使用氧等离子体等。一旦去除光刻胶，诸 如通过使用可接受的蚀刻工艺，诸如通过湿蚀刻或干蚀刻，去除晶种层的暴露部分。晶种层 的剩余部分和金属形成金属化图案156和通孔。通孔形成在穿过介电层152至例如金属化图 案146的部分的开口中。由于从金属化图案146去除金属氧化物层状结构150的部分154,在 金属化图案156的通孔和金属化图案146之间形成直接金属-金属界面158。
[0056] 然后在金属化图案156的暴露表面上形成金属氧化物层状结构160。金属氧化物层 状结构160可以具有图4A、图5A、图6A、图7A和图8A等中示出的任何结构，并且可以通过图 4B、图5B、图6B、图7B和图8B等中概述的任何方法形成。
[0057] 在图20中，在金属化图案156和介电层152上形成介电层162。在一些实施例中，介 电层162由聚合物形成，聚合物可以是诸如ΡΒ0、聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。可以通过旋 涂、层压等或它们的组合形成介电层162。然后图案化介电层162以形成开口，从而暴露金属 化图案156上的金属氧化物层状结构160的部分164。当介电层162是光敏材料时，图案化可 以通过使用光刻掩模将介电层162暴露于光以及随后显影介电层162。可以使用诸如蚀刻的 其他图案化技术。
[0058] 前侧再分布结构166示出为实例。可以在前侧再分布结构166中形成更多或更少的 介电层和金属化图案。如果形成更少的介电层和金属化图案，则可以省略以上讨论的步骤 和工艺。如果形成更多的介电层和金属化图案，则可以重复以上讨论的步骤和工艺。本领域 普通技术人员将容易理解可以省略或重复哪些步骤和工艺。
[0059]在图21中，在前侧再分布结构166的外侧上形成可以称为凸块下金属化(UBM)的焊 盘168。在示出的实施例中，通过穿过介电层162至金属化图案156的开口形成焊盘168。作为 实例，为了形成焊盘168,去除金属氧化物层状结构160的暴露部分164以暴露金属化图案 156的部分，以及然后在介电层162和金属化图案156的暴露部分上形成晶种层(未不出）。可 以通过溅射蚀刻等去除金属氧化物层状结构160的暴露部分164。在一些实施例中，晶种层 是金属层，其可以是单层或包括由不同材料形成的多个子层的复合层。在一些实施例中，晶 种层包括钛层和位于钛层上方的铜层。例如，可以使用PVD、溅射等形成晶种层。可以在与形 成晶种层的相同的处理室中去除金属氧化物层状结构160的暴露部分164。然后在晶种层上 形成光刻胶并且图案化光刻胶。光刻胶可以通过旋涂等形成并且可以暴露于光以用于图案 化。光刻胶的图案对应于焊盘168。图案化形成穿过光刻胶的开口以暴露晶种层。金属形成 在光刻胶的开口中和晶种层的暴露部分上。可以通过诸如电镀或化学镀等的镀形成金属。 该金属可以是铜、钛、钨、铝等。然后，去除光刻胶和其上未形成金属的晶种层的部分。可以 通过可接受的灰化或剥离工艺去除光刻胶，诸如使用氧等离子体等。一旦去除光刻胶，诸如 通过使用可接受的蚀刻工艺，诸如通过湿蚀刻或干蚀刻，去除晶种层的暴露部分。晶种层的 剩余部分和金属形成焊盘168。焊盘168形成在穿过介电层162至例如金属化图案156的部分 的开口中。由于从金属化图案156去除金属氧化物层状结构160的部分164,在焊盘168和金 属化图案156之间形成直接金属-金属界面170。
[0060] 在图22中，在焊盘168上形成外部电连接件172,诸如焊球，如球栅阵列(BGA)球。外 部电连接件172可以包括诸如焊料的可低温重回流材料，其可以是无铅的或含铅的。可以通 过使用适当的球落工艺形成外部电连接件172。在一些实施例中，可以省略焊盘168,并且外 部电连接件172可以通过穿过介电层162的开口直接形成在金属化图案156上。
[0061 ]在图23中，实施载体衬底脱粘以使载体衬底100从后侧再分布结构114(例如，介电 层104)分离(脱粘）。根据一些实施例，脱粘包括将诸如激光或UV光的光投射到释放层102 上，从而使得释放层102在光的热量下分解，并且可以去除载体衬底100。然后将结构翻转并 且放置在胶带174上。形成穿过介电层104的开口以暴露金属化图案106的部分。例如，可以 使用激光钻孔、蚀刻等形成开口。
[0062] 虽然未具体示出，本领域普通技术人员将容易理解，也在载体衬底100(可以是晶 圆）的其他区域中同时形成图9至图23中形成的结构。因此，诸如通过锯切实施分割工艺以 将单个封装件180从已经与封装件180同时形成的其他封装件分割。
[0063] 如图24至图27中示出的，封装件180可以合并入各种封装件上芯片(CoP)和叠层封 装件(PoP)结构。图24至图27是示例结构，并且封装件180可以合并入任何封装结构。在图24 至图27中，封装件180附接至衬底182。外部电连接件172电连接和机械连接至衬底182上的 焊盘184。例如，衬底182可以是印刷电路板(PCB)等。
[0064]在图24中，集成电路管芯300(或芯片）通过外部电连接件302附接至封装件180的 后侧再分布结构114。集成电路管芯300可以是诸如逻辑管芯、模拟管芯、存储管芯等的任何 集成电路管芯。集成电路管芯300通过外部电连接件302电连接和机械连接至后侧再分布结 构114,外部电连接件302通过穿过介电层104的开口附接至金属化图案106。外部电连接件 302可以包括诸如焊料的可低温重回流材料，诸如无铅焊料，并且在额外的实施例中，外部 电连接件302可以包括金属柱。在一些实施例中，外部电连接件302是可控塌陷芯片连接 (C4)凸块、微凸块等。在一些实施例中，可以回流外部电连接件302以将集成电路管芯300附 接至封装件180。也可以在集成电路管芯300和封装件180的后侧再分布结构114之间以及外 部电连接件302周围分配底部填充材料304。
[0065]在图25中，封装组件310通过外部电连接件312附接至封装件180的后侧再分布结 构114。该实例中的封装组件310包括附接至中介板的集成电路管芯倒装芯片。集成电路管 芯可以是诸如逻辑管芯、模拟管芯、存储管芯等的任何集成电路管芯。封装组件310通过外 部电连接件312电连接和机械连接至后侧再分布结构114,外部电连接件312通过穿过介电 层104的开口附接至金属化图案106。外部电连接件312可以包括诸如焊料的可低温重回流 材料，诸如无铅焊料，并且在额外的实施例中，外部电连接件312可以包括金属柱。在一些实 施例中，外部电连接件312是C4凸块、微凸块等。在一些实施例中，可以回流外部电连接件 312以将封装组件310附接至封装件180。
[0066]在图26中，封装件320通过外部电连接件322附接至封装件180的后侧再分布结构 114。封装件320包括衬底、位于衬底上的两个堆叠的集成电路管芯、将集成电路管芯电连接 至衬底的引线接合以及包封堆叠的集成电路管芯和引线接合的包封剂。在实例中，封装件 320的集成电路管芯是诸如动态随机存取存储器(DRAM)管芯的存储管芯。封装件320通过外 部电连接件322电连接和机械连接至后侧再分布结构114,外部电连接件322通过穿过介电 层104的开口附接至金属化图案106。在一些实施例中，外部电连接件322可以包括诸如焊料 的可低温重回流材料，诸如无铅焊料，并且在额外的实施例中，外部电连接件322可以包括 金属柱。在一些实施例中，外部电连接件322是C4凸块、微凸块等。在一些实施例中，可以回 流外部电连接件322以将封装件320附接至金属化图案106。例如，封装件320的集成电路管 芯通过封装件320中的引线接合和衬底、外部电连接件322、后侧再分布结构114、通孔116和 前侧再分布结构166电连接和机械连接至集成电路管芯119。
[0067]在图27中，封装件330通过外部电连接件332附接至封装件180的后侧再分布结构 114。封装件330可以类似于封装件180并且可以通过类似的工艺形成。例如，与封装件180相 比，封装件330省略了后侧再分布结构和通孔。在实例中，封装件330的集成电路管芯可以是 逻辑管芯、模拟管芯、诸如动态随机存取存储器(DRAM)管芯的存储管芯等。封装件330通过 外部电连接件332电连接和机械连接至后侧再分布结构114,外部电连接件332通过穿过介 电层104的开口附接至金属化图案106。在一些实施例中，外部电连接件332可以包括诸如焊 料的可低温重回流材料，诸如无铅焊料，并且在额外的实施例中，外部电连接件332可以包 括金属柱。在一些实施例中，外部电连接件332是C4凸块、微凸块等。在一些实施例中，可以 回流外部电连接件332以将封装件330附接至金属化图案106。例如，封装件330的集成电路 管芯通过封装件330的前侧再分布结构、外部电连接件332、后侧再分布结构114、通孔116和 前侧再分布结构166电连接和机械连接至集成电路管芯119。
[0068] 实施例可以实现一些优势。例如，通过在金属化图案上以及在金属化图案和介电 层(诸如光敏介电材料)之间提供金属氧化物层状结构，可以改进粘合。该改进的粘合可以 降低金属化图案和介电层之间的分层的风险。
[0069] -个实施例是一种结构，该结构包括至少由包封剂横向包封的集成电路管芯以及 位于集成电路管芯和包封剂上的再分布结构。再分布结构电连接至集成电路管芯。再分布 结构包括位于至少包封剂上的第一介电层、位于第一介电层上的金属化图案、位于金属化 图案上的金属氧化物层状结构、以及位于第一介电层和金属化图案上的第二介电层。金属 氧化物层状结构包括具有基本上1: 1的金属原子与氧原子的比率的金属氧化物层，并且金 属氧化物层状结构的厚度为至少50 13第二介电层是光敏材料。金属氧化物层状结构设置 在金属化图案和第二介电层之间。
[0070] 在上述结构中，其中，所述金属氧化物层状结构基本上由所述金属氧化物层组成， 所述金属氧化物层直接邻接所述金属化图案。
[0071] 在上述结构中，其中，所述金属氧化物层状结构还包括原生氧化物层，所述原生氧 化物层直接邻接所述金属化图案，所述金属氧化物层直接邻接所述原生氧化物层。
[0072] 在上述结构中，其中，所述金属氧化物层状结构还包括原生氧化物层，所述金属氧 化物层直接邻接所述金属化图案，所述原生氧化物层直接邻接所述金属氧化物层。
[0073] 在上述结构中，其中，所述厚度不大于200 A。
[0074] 在上述结构中，其中，所述厚度不大于丨〇() A。
[0075] 在上述结构中，其中，所述金属氧化物层的厚度在从50 A至200 A的范围内。
[0076] 在上述结构中，其中，所述金属氧化物层的厚度在从50 A至100 A的范围内。
[0077] -个实施例是一种结构，该结构包括集成电路管芯、至少横向包封集成电路管芯 的包封剂、位于包封剂和集成电路管芯的有源侧上的第一介电层、位于第一介电层上的金 属化图案、位于金属化图案上的粘合层、以及位于第一介电层和粘合层上的第二介电层。金 属化图案电连接至集成电路管芯的有源侧。粘合层包括具有基本上1:1的金属原子与氧原 子的比率的金属氧化物层，并且粘合层的厚度为至少50 第二介电层是光敏材料。
[0078] 在上述结构中，其中，所述金属氧化物层直接邻接所述金属化图案。
[0079] 在上述结构中，其中，所述粘合层还包括原生氧化物层，所述原生氧化物层直接邻 接所述金属化图案，所述金属氧化物层直接邻接所述原生氧化物层。
[0080] 在上述结构中，其中，所述厚度不大于200 A [0081 ]在上述结构中，其中，所述厚度不大于1 〇() A。
[0082] 在上述结构中，其中，所述金属氧化物层的厚度在从50 A至200 A的范围内。
[0083] 在上述结构中，其中，所述金属氧化物层的厚度在从50 A至100 A的范围内。
[0084] 另一实施例是一种方法。该方法包括以包封剂包封集成电路管芯;在包封剂和集 成电路管芯上方形成介电层;在介电层上方形成金属化图案；以含氧等离子体处理金属化 图案，该处理在金属化图案上方形成具有基本上1:1的金属原子与氧原子的比率的金属氧 化物层，金属氧化物层的厚度为至少50 以及在金属氧化物层上方形成光敏材料。
[0085] 在上述方法中，还包括:在处理所述金属化图案之前，从所述金属化图案去除原生 氧化物。
[0086] 在上述方法中，其中，处理所述金属化图案在原生氧化物上形成所述金属氧化物 层，所述原生氧化物设置在所述金属化图案和所述金属氧化物层之间。
[0087] 在上述方法中，其中，所述厚度不大于200 A。
[0088] 在上述方法中，其中，所述厚度不大于1〇〇 A::
[0089] 上面概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方 面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实 施与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人 员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精 神和范围的情况下，本文中他们可以做出多种变化、替换以及改变。
【主权项】
1. 一种结构，包括： 集成电路管芯，至少由包封剂横向包封； 再分布结构，位于所述集成电路管芯和所述包封剂上，所述再分布结构电连接至所述 集成电路管芯，所述再分布结构包括： 第一介电层，至少位于所述包封剂上， 金属化图案，位于所述第一介电层上， 金属氧化物层状结构，位于所述金属化图案上，所述金属氧化物层状结构包括具有基 本上1:1的金属原子与氧原子的比率的金属氧化物层，所述金属氧化物层状结构的厚度为 至少50 A，以及 第二介电层，位于所述第一介电层和所述金属化图案上，所述第二介电层是光敏材料， 所述金属氧化物层状结构设置在所述金属化图案和所述第二介电层之间。2. 根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属氧化物层状结构基本上由所述金属氧化 物层组成，所述金属氧化物层直接邻接所述金属化图案。3. 根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属氧化物层状结构还包括原生氧化物层， 所述原生氧化物层直接邻接所述金属化图案，所述金属氧化物层直接邻接所述原生氧化物 层。4. 根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属氧化物层状结构还包括原生氧化物层， 所述金属氧化物层直接邻接所述金属化图案，所述原生氧化物层直接邻接所述金属氧化物 层。5. 根据权利要求1所述的结构，其中，所述厚度不大于200 A。6. 根据权利要求1所述的结构，其中，所述厚度不大于丨〇〇 A。7. 根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属氧化物层的厚度在从50 A至200 A的 范围内。8. 根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属氧化物层的厚度在从50 A至U)0 A的 范围内。9. 一种结构，包括： 集成电路管芯； 包封剂，至少横向包封所述集成电路管芯； 第一介电层，位于所述包封剂和所述集成电路管芯的有源侧上； 金属化图案，位于所述第一介电层上，所述金属化图案电连接至所述集成电路管芯的 有源侧； 粘合层，位于所述金属化图案上，所述粘合层包括具有基本上1:1的金属原子与氧原子 的比率的金属氧化物层，所述粘合层的厚度为至少50 A;以及 第二介电层，位于所述第一介电层和所述粘合层上，所述第二介电层是光敏材料。10. -种方法，包括： 以包封剂包封集成电路管芯； 在所述包封剂和所述集成电路管芯上方形成介电层； 在所述介电层上方形成金属化图案； 以含氧等离子体处理所述金属化图案，所述处理在所述金属化图案上方形成具有基本 上1:1的金属原子与氧原子的比率的金属氧化物层，所述金属氧化物层的厚度为至少 50 A:以及 在所述金属氧化物层上方形成光敏材料。
【文档编号】H01L21/768GK105895616SQ201510768173
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2015年11月11日
【发明人】林俊成, 黄震麟
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司