中，保护顺序亦可根据系统需求任意进行调整，例如先进行过电压保护的后再进行过电流保护及负电压保护，而不限于此。此外，上述位于供电路径上的开关SWl及SW3皆使用P型金属氧化物半导体场效晶体管作为其开关元件，但在其它实施例中，为降低开关内阻或符合其它需求，可采用N型金属氧化物半导体场效晶体管作为其开关元件，唯控制信号的电压需根据N型金属氧化物半导体场效晶体管的特性而进行调整(如透过升压的方式产生控制信号)。在一实施例中，也可使用双极性接面晶体管(Bipolar Junct1n Transistor,BJT)来实现开关SW2及SW4，而不限于此。另外，上述实施例是将对应于过电流保护的控制信号S_CTRL输出至控制模块106来控制开关SW1，以实现过电流保护机制。在另一实施例中，亦可将控制信号S_CTRL输出至控制模块302来控制开关SW3，以实现过电流保护机制，亦即，过电压保护与过电流保护可共用相同开关。更明确来说，用于不同保护机制的开关数目及配置方式可依系统需求任意组合或安排，而不限于此。
[0052]上述关于保护装置30的运作方式可归纳为一保护流程60，如图6所示。保护流程60包含以下步骤:
[0053]步骤600:开始。
[0054]步骤602:检测流经电子装置的一供电路径的一电流Ix，以产生一电流信号S_I。
[0055]步骤604:根据电流信号S_I，判断电流信号S_I所对应的电流Ix是否大于临界值TH_I，并据以输出控制信号S_CTRL。
[0056]步骤606:根据供电路径的输入电压Vin，透过开关SWl控制供电路径导通与否，其中，当输入电压Vin低于零时，开关SWl控制供电路径关闭，而当输入电压Vin高于零时，开关SWl控制供电路径导通。
[0057]步骤608:透过控制信号S_CTRL指示开关SWl开启或关闭，以控制供电路径导通与否。
[0058]步骤610:根据供电路径的输入电压Vin，控制开关SW3开启或关闭，以透过开关SW3控制供电路径导通与否，其中，当供电路径的输入电压高于临界值TH_V时，关闭开关SW3，而当输入电压Vin低于临界值TH_V时，开启开关SW3。
[0059]步骤612:结束。
[0060]保护流程60的详细运作方式及变化可参考前述，于此不赘述。
[0061]在公知技术中，过电压或负电压保护电路往往无法同时做到过电流保护，因此需外接一热敏电阻或可恢复式保险丝来进行过电流保护，然而，热敏电阻及可恢复式保险丝具有较大的内阻，且此内阻会在保护电路开关多次造成温度增加的后逐渐上升，当系统负载较大时，流经热敏电阻或可恢复式保险丝的电流会上升，因而造成较大压降，容易对系统产生不良影响。相较的下，本发明的保护装置及方法可结合过电流保护、过电压保护及负电压保护的功能，所使用的电流检测元件具有较小的内阻，且不易受到温度影响，即使电子装置经历长时间使用或多次开关造成温度上升，也不会产生过大压降。
[0062]以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
【主权项】
1.一种保护装置，用来保护一电子装置，该保护装置包含有: 一电流检测模块，用来检测流经该电子装置的一供电路径的一电流，以产生一电流信号; 一处理装置，耦接于该电流检测模块，用来接收该电流信号，以判断该电流信号所对应的该电流是否大于一第一临界值，并据以输出一控制信号； 一第一开关，设置于该供电路径上，用来根据该供电路径的一输入电压，控制该供电路径导通与否；以及 一第一控制模块，耦接于该处理装置及该第一开关，用来根据该处理装置所输出的该控制信号，控制该第一开关开启或关闭，以控制该供电路径导通与否。2.如权利要求1所述的保护装置，其中当该输入电压低于一第二临界值时，该第一开关控制该供电路径关闭，而当该输入电压高于该第二临界值时，该第一开关控制该供电路径导通。3.如权利要求1所述的保护装置，其中当该电流大于该第一临界值时，该控制信号指示该第一控制模块关闭该第一开关，而当该电流小于该第一临界值时，该控制信号指示该第一控制模块开启该第一开关。4.如权利要求1所述的保护装置，其中该电流检测模块包含有: 一电流检测元件，设置于该供电路径上，用来检测流经该供电路径的该电流；以及一电流判断电路，耦接于该电流检测元件，用来根据该电流检测元件所检测到的该电流，产生该电流信号。5.如权利要求1所述的保护装置，其中该第一控制模块包含有: 一第二开关，用来接收该控制信号，其中，当该控制信号开启该第二开关时，该第二开关控制该第一控制模块输出一低电位信号，以开启该第一开关，进而控制该供电路径导通；以及 一拉高电阻，用来于该控制信号关闭该第二开关时，控制该第一控制模块输出一高电位信号，以关闭该第一开关，进而控制该供电路径关闭。6.如权利要求1所述的保护装置，另包含有: 一第三开关，设置于该供电路径上，用来控制该供电路径导通与否；以及一第二控制模块，耦接于该第三开关，用来根据该供电路径的该输入电压，控制该第三开关开启或关闭。7.如权利要求6所述的保护装置，其中当该供电路径的该输入电压高于一第三临界值时，该第二控制模块关闭该第三开关，而当该输入电压低于该第三临界值时，该第二控制模块开启该第三开关。8.如权利要求6所述的保护装置，其中该第二控制模块包含有: 一第四开关，用来接收该输入电压； 一二极管，耦接于该第四开关的一控制端，用来箝制该控制端的电压，以在该输入电压高于该第三临界值时，开启该第四开关，使该输入电压转换为一高电位信号，以关闭该第三开关；以及 一拉低电阻，用来于该第四开关关闭时，控制该第二控制模块输出一低电位信号，以开启该第三开关。9.如权利要求1所述的保护装置，其中该第一开关及该第三开关分别是一P型金属氧化物半导体场效晶体管。10.一种用于电子装置的保护方法，包含有: 检测流经该电子装置的一供电路径的一电流，以产生一电流信号； 根据该电流信号，判断该电流信号所对应的该电流是否大于一第一临界值，并据以输出一控制信号； 根据该供电路径的一输入电压，透过一第一开关控制该供电路径导通与否；以及 透过该控制信号指示该第一开关开启或关闭，以控制该供电路径导通与否。11.如权利要求10所述的保护方法，其中当该输入电压低于一第二临界值时，该第一开关控制该供电路径关闭，而当该输入电压高于该第二临界值时，该第一开关控制该供电路径导通。12.如权利要求10所述的保护方法，其中当该电流大于该第一临界值时，该控制信号指示该第一开关关闭，而当该电流小于该第一临界值时，该控制信号指示该第一开关开启。13.如权利要求10所述的保护方法，其中检测流经该电子装置的该供电路径的该电流，以产生该电流信号的步骤包含有: 透过一电流检测元件检测流经该供电路径的该电流；以及 根据该电流检测元件所检测到的该电流，透过一电流判断电路产生该电流信号。14.如权利要求10所述的保护方法，其中透过该控制信号指示该第一开关开启或关闭，以控制该供电路径导通与否的步骤包含有: 透过一第二开关接收该控制信号； 当该控制信号开启该第二开关时，该第二开关输出一低电位信号，以开启该第一开关，进而控制该供电路径导通；以及 当该控制信号关闭该第二开关时，透过一拉高电阻输出一高电位信号，以关闭该第一开关，进而控制该供电路径关闭。15.如权利要求10所述的保护方法，另包含有: 根据该供电路径的该输入电压，控制一第三开关开启或关闭，以透过该第三开关控制该供电路径导通与否。16.如权利要求15所述的保护方法，其中当该供电路径的该输入电压高于一第三临界值时，关闭该第三开关，而当该输入电压低于该第三临界值时，开启该第三开关。17.如权利要求15所述的保护方法，其中根据该供电路径的该输入电压，控制该第三开关开启或关闭，以透过该第三开关控制该供电路径导通与否的步骤包含有: 透过一第四开关接收该输入电压； 箝制该第四开关的一控制端的电压，以在该输入电压高于该第三临界值时，开启该第四开关，使该输入电压转换为一高电位信号，以关闭该第三开关，进而控制该供电路径关闭；以及 当该第四开关关闭时，透过一拉低电阻输出一低电位信号，以开启该第三开关，进而控制该供电路径导通。18.如权利要求10所述的保护方法，其中该第一开关及该第三开关分别是一P型金属氧化物半导体场效晶体管。
【专利摘要】本发明公开了一种用于电子装置的保护方法及保护装置，该保护装置包含有一电流检测模块，用来检测流经该电子装置的一供电路径的一电流，以产生一电流信号；一处理装置，耦接于该电流检测模块，用来接收该电流信号，以判断该电流信号所对应的该电流是否大于一第一临界值，并据以输出一控制信号；一第一开关，设置于该供电路径上，用来根据该供电路径的一输入电压，控制该供电路径导通与否；以及一第一控制模块，耦接于该处理装置及该第一开关，用来根据该处理装置所输出的该控制信号，控制该第一开关开启或关闭，以控制该供电路径导通与否。本发明不会产生过大压降。
【IPC分类】H02H7/20
【公开号】CN105514942
【申请号】CN201410494319
【发明人】张朝兴, 潘孟炅
【申请人】纬创资通股份有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年9月24日
【公告号】US20160072274