专利名称：一种新型全金属结构封装石英晶体谐振器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及石英晶体谐振器，特别涉及一种新型全金属结构封装石英晶体谐 振器。
背景技术：
随着汽车行业发展，越来越多的汽车朝向电子化发展，于是应用于汽车的石英晶 体谐振器的可靠性，稳定性的要求也随之升高。如图1和图2所示，原来一直采用的弹片 支撑结构普通石英晶体谐振器，已经无法满足需求，在市场竞争激烈的条件下，全金属结构 封装石英晶体谐振器单价日趋低廉，只有对产品进行创新，降低成本，才有更好的市场竞争 力。所以针对高可靠性稳定性的需求，对谐振器的结构进行了改良，新设计出了这款全金属 结构封装石英晶体谐振器。
发明内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种新型全金属结构封装石英晶体谐振 器，满足DIP(双列直插式封装)与SMD(表面贴着组件)封装技术在消费性电子市场与汽 车电子市场的应用需求。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种新型全金属结构封装 石英晶体谐振器，包括金属盖、金属基座、芯片、金属薄膜和导电胶，所述的芯片上覆盖有所 述的金属薄膜，所述的金属基座采用两个单体的圆柱支撑结构；所述的金属薄膜的形状为 双边电极形状；所述的芯片利用导电胶固定在所述的金属基座的两个圆柱支撑结构上；所 述的金属盖盖在所述的金属基座上方。所述的金属基座上的两个单体的圆柱支撑结构的中心间距为4. 88mm,圆柱直径范 围为 1. Omm 2. 0mm。所述的芯片的体积范围为3. 0*0. 8*0. 03mm至6. 0*2. 8*0. 42mm。所述的石英晶体谐振器采用双列直插式封装技术，其体积范围为
11.5*5. 0*15. 08mm至11. 5*5. 0*16. 88mm，或采用表面贴着组件封装技术，其体积为范围为
12.7*4. 8*2. Omm 至 12. 7*4. 8*3. 8mm。有益效果由于采用了上述的技术方案，本实用新型与现有技术相比，具有以下的优点和积 极效果本实用新型采用两个单体的圆柱支撑结构改善抗冷热冲击与抗高温老化性能，从 而满足DIP (双列直插式封装)与SMD (表面贴着组件)封装技术在消费性电子市场与汽车 电子市场的应用需求。
图1是现有技术中全金属结构封装石英晶体谐振器内部结构俯视图；图2是现有技术中全金属结构封装石英晶体谐振器内部结构前视3[0012]图3是本实用新型的全金属结构封装石英晶体谐振器内部结构俯视图；图4是本实用新型的全金属结构封装石英晶体谐振器内部结构前视图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本 实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容 之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申 请所附权利要求书所限定的范围。本实用新型的实施方式涉及一种新型车载专用玻璃封装陶瓷石英晶体谐振器，如 图3和图4所示，包括金属盖1、金属基座2、芯片3、金属薄膜4和导电胶5，所述的芯片3 上覆盖有所述的金属薄膜4，所述的金属基座2采用两个单体的圆柱支撑结构；所述的金 属薄膜4的形状为双边电极形状；所述的芯片3利用导电胶5固定在所述的金属基座2的 两个圆柱支撑结构上，使芯片3固定于金属薄膜4和金属基座2之间；所述的金属盖1盖 在所述的金属基座2上方。其中，导电胶5可以采用导电性银胶，所述的金属盖1与金属 基座2可采用金属冲压制成。所述的金属基座上的两个单体的圆柱支撑结构的中心间距 为4. 88mm，圆柱直径范围为1. Omm 2. 0mm。所述的芯片的体积范围为3. 0*0. 8*0. 03mm 至6. 0*2. 8*0. 42mm。所述的石英晶体谐振器不仅可以采用DIP(双列直插式)封装技术， 还可以采用SMD(表面贴着组件)封装技术进行封装。其中，采用DIP封装的谐振器体积 范围为11.5*5. 0*15. 08mm至11.5*5. 0*16. 88mm，采用SMD封装的谐振器体积为范围为 12. 7*4. 8*2. Omm 至 12. 7*4. 8*3. 8mm。不难发现，本实用新型是一种抗冷热冲击与抗高温老化性能高的谐振器，由金属 盖、金属基座、芯片、芯片上被覆的金属薄膜和导电胶组成，为改善抗冷热冲击与抗高温老 化性能将金属基座由以往的弹片支撑结构改为圆柱支撑结构设计，由于固定方式的变更也 对芯片上被覆的金属薄膜的形状进行了新设计，以符合圆柱支撑结构设计。本实用新型可 以应用DIP(双列直插式封装)与SMD(表面贴着组件)封装技术，满足消费性电子市场与 汽车电子市场的应用需求。
权利要求一种新型全金属结构封装石英晶体谐振器，包括金属盖(1)、金属基座(2)、芯片(3)、金属薄膜(4)和导电胶(5)，所述的芯片(3)上覆盖有所述的金属薄膜(4)，其特征在于，所述的金属基座(2)采用两个单体的圆柱支撑结构；所述的金属薄膜(4)的形状为双边电极形状；所述的芯片(3)利用导电胶(5)固定在所述的金属基座(2)的两个圆柱支撑结构上；所述的金属盖(1)盖在所述的金属基座(2)上方。
2.根据权利要求1所述的新型全金属结构封装石英晶体谐振器，其特征在于，所述 的金属基座(2)上的两个单体的圆柱支撑结构的中心间距为4. 88mm，圆柱直径范围为I.Omm 2. 0mm。
3.根据权利要求1所述的新型全金属结构封装石英晶体谐振器，其特征在于，所述的 芯片(3)的体积范围为 3. 0*0. 8*0. 03mm 至 6. 0*2. 8*0. 42mm。
4.根据权利要求1所述的新型全金属结构封装石英晶体谐振器，其特征在于，所 述的石英晶体谐振器采用双列直插式封装技术，其体积范围为11.5*5. 0*15. 08mm至II.5*5. 0*16. 88mm,或采用表面贴着组件封装技术，其体积为范围为12. 7*4. 8*2. Omm至 12. 7*4. 8*3. 8mm。
专利摘要本实用新型涉及一种新型全金属结构封石英晶体谐振器，是针对消费性电子与汽车电子上高抗冷热冲击与抗高温老化能力的应用，而对基座结构进行的改良。新改进的设计包括将弹片支撑结构变更为圆柱支撑架构，并对谐振器芯片进行框定，基座圆柱支撑架中心间距为4.88mm，圆柱直径范围为1.0mm～2.0mm，谐振器芯片体积范围为3.0*0.8*0.03mm至6.0*2.8*0.42mm。此全金属结构封装石英晶体谐振器可以将双列直插式与表面贴着组件的封装技术应用于被动电子组件上。
文档编号H03H9/05GK201656933SQ20102011898
公开日2010年11月24日 申请日期2010年2月25日 优先权日2010年2月25日
发明者张建聪, 沈俊男 申请人:台晶(宁波)电子有限公司