1.一种植入式电子装置的防水结构，其用于植入式电子装置的电路板，包括：
第一材料层，包覆至少部分所述电路板；
第二材料层，包覆于所述第一材料层外；
壳体，其内部空间可容置所述电路板，且所述壳体的材质系为聚醚醚酮；以及
第三材料层，填充于所述第二材料层及所述壳体之间。
2.根据权利要求1所述的防水结构，其中所述第三材料层是填充于所述第二材料层及所述壳体之间，以使所述壳体内的空隙度小于5％。
3.根据权利要求1所述的防水结构，其中所述第一材料层与所述第三材料层的材料分别为环氧树脂或硅胶。
4.根据权利要求1所述的防水结构，其中所述第二材料层的材料为聚对二甲苯、或氧化铝与氧化钛的组合。
5.根据权利要求1所述的防水结构，其中所述壳体具有至少二个贯通馈孔。
6.一种植入式电子装置的防水结构的制备方法，所述防水结构是用于植入式电子装置的电路板，所述制备方法包括：
形成第一材料层于所述电路板上，且所形成的所述第一材料层包覆至少部分所述电路板；
形成第二材料层于所述第一材料层外；
于所述第二材料层形成后，将所述电路板、所述第一材料层以及所述第二材料层设置于壳体中，其中所述壳体的材质为聚醚醚酮；以及
填充第三材料层于所述第二材料层及所述壳体之间。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其中于所述第三材料层填充后，所述壳体内的空隙度小于5％。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其中所述第一材料层与所述第三材料层的材料为环氧树脂或硅胶。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其中所述第二材料层的材料包含聚对二甲苯，且形成所述第二材料层的方法包括进行化学气相沉积。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其中所述第二材料层的材料包含氧化铝与氧化钛的组合，且形成所述第二材料层的方法包括原子层沉积制程。