一种电路制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种电路制作方法，包括：S1：准备载体，载体为添加了界面处理剂后的高分子化合物制成，以在载体表面形成致密薄膜；S2：根据需要制作电路的形状在载体上进行选择性辐射照射，从而在载体的表面形成照射区域，照射区域的致密薄膜被破坏；S3：采用化学药剂对照射区域进行活化处理，再对照射区域进行金属活化及金属离子还原；S4：对照射区域进行电镀或化镀，形成金属电路。该方法通过将界面处理剂添加到高分子化合物中制作载体有利于产品的电镀或化镀形成金属线路，无需使用金属化合物或金属媒介或疏水剂；当制作的电路为天线产品时，该方法制作的载体产品不会影响电子线路的射频性能，且工艺简单，不良率及成本均较低。
【专利说明】
一种电路制作方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及电子电路技术领域，特别涉及一种电路制作方法。
【背景技术】
[0002]目前在塑料件上直接制作电路的方法有以下几种:
[0003]1.方法一:使用含有某种触媒的塑料(或称高分子化合物)注射成型产品，然后通过激光镭射使需要的区域的金属暴露出来，基于这些暴露的金属触媒，进行化镀或者电镀的方法获得电路。其缺点是:该方法由于需要在塑料粒子里添加金属触媒，从而增加了成本，并且由于产品中含有金属，在某些场合比如天线产品中，金属触媒可能对射频性能产生不利影响。
[0004]2.方法二:在普通塑料产品(或称普通高分子化合物)中添加疏水剂，用激光选择性照射需要的部分，再进行化镀或者电镀。由于没有激光照射的部分有疏水剂，金属无法沉积，因此形成了所需的电路。其缺点:增加了成本和工艺的复杂性，同时由于材料内部也有疏水剂，激光雷雕后疏水剂可能渗出从而影响金属沉积层的附着力，以及疏水薄膜无法避免薄膜表面的细小缺陷，影响化镀或者电镀的效果，导致溢镀等问题。
[0005]3.方法三:在用普通塑料产品制作的产品上用激光选择性照射需要的区域(简称选择性区域)，再在产品上进行化学沉积金属或者真空镀金属，然后再进行激光照射将需要的区域和不需要的区域分割开，再进行电镀将需要的区域的金属层加厚，然后再剥除不需要区域的金属，由于需要的区域的金属比不需要的区域的金属厚，因此在保留需要区域金属的前提下将不需要的区域的金属去掉，最后再化镀或者电镀镀铜、镀镍或者镀金。其缺点是:工艺比较复杂，因而增加不良率和成本。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种电路制作方法，以解决现有的电路制作技术中所存在的成本高昂、工艺复杂，以及需使用金属化合物或金属触媒或疏水剂所造成的易于影响金属沉积及影响制成的电路性能的问题。
[0007]为实现上述目的，本发明提供了一种电路制作方法，包括以下步骤:
[0008]S1:准备载体，所述载体为添加了界面处理剂后的高分子化合物制成，以在所述载体表面形成致密薄膜；
[0009]S2:根据需要制作电路的形状在所述载体上进行选择性辐射照射，从而在所述载体的表面形成照射区域，所述照射区域的致密薄膜被破坏；
[0010]S3:采用化学药剂对所述照射区域进行活化处理，活化处理后对所述照射区域进行金属活化及金属离子还原；
[0011]S4:对所述照射区域进行电镀或化镀，形成金属电路。
[0012]较佳地，所述步骤SI进一步包括:在高分子化合物造粒或高分子化合物粒子中混入所述界面处理剂后再制作所述载体，所示界面处理剂为加入所述高分子化合物里面的有机或无机物质。
[0013]较佳地，所述高分子化合物为塑料、纤维或橡胶;所示界面处理剂为蜡类、硅酮类或有机娃。
[0014]较佳地，所述步骤S2之后还包括:对所述载体进行电子冲击处理或离子冲击处理；进行所述电子冲击处理时采用电晕进行冲击处理;进行所述离子冲击处理时采用等离子进行冲击处理。
[0015]较佳地，所述步骤S3进一步包括:采用稀硫酸作为化学药剂对所述照射区域进行活化处理。
[0016]较佳地，所述步骤S3进一步包括:
[0017]S31:采用金属活化试剂对所述载体进行金属活化，使所述照射区域内沉积金属离子或胶团；
[0018]S32:对所述载体进行金属离子还原，将沉积的金属离子还原为金属或将胶团解团。
[0019]较佳地，所述步骤S4进一步包括:采用与所述金属活化试剂不同的其他金属进行电镀或化学镀，所述其他金属为铜、镍、金中的一种或两种或全部。
[0020]较佳地，所述步骤SI进一步包括:通过注塑成型、挤压成型或吹塑成型将添加了界面处理剂的高分子化合物造粒或高分子化合物粒子制成所述载体。
[0021]较佳地，所述辐射照射具体为采用波长为100?20000纳米的激光进行选择性的辐射照射。
[0022]本发明提供的电路制作方法，具有以下有益效果:
[0023](I)由于不需要使用金属化合物或金属媒介或疏水剂，使得后续的制作过程中不会影响金属层的沉积；
[0024](2)当制作的电路为天线产品时，该方法制作的载体产品不会影响电子线路的射频性能；
[0025](3)界面处理剂添加到高分子化合物中时会均匀地分布在载体产品的表面，钯离子等金属离子对其排斥或亲和力弱，使得非照射区域的载体表面无法有效沉积附着钯离子等金属离子，而辐射照射后的区域表面的处理剂被破坏，可以有效地沉积附着金属离子，有利于产品的电镀或化镀形成金属线路；
[0026](4)界面处理剂形成的致密薄膜可以掩盖成型过程中产生的细小缺陷，从而避免上镀时产生溢镀的产品；
[0027](5)工艺简单，不良率及成本均较低。
【附图说明】
[0028]图1为本发明提供的电路制作方法的流程图；
[0029]图2A为本发明提供的照射区域的结构示意图；
[0030]图2B为本发明方法制作的电路的剖视图。
[0031 ]标号说明:1-载体;2-照射区域;3-金属层。
【具体实施方式】
[0032]为更好地说明本发明，兹以一优选实施例，并配合附图对本发明作详细说明，具体如下:
[0033]如图1所示，本发明提供的电路制作方法，包括以下步骤:
[0034]S1:准备载体，所述载体为添加了界面处理剂后的高分子化合物制成，以在所述载体表面形成致密薄膜；
[0035]S2:根据需要制作电路的形状在所述载体上进行选择性辐射照射，从而在所述载体的表面形成照射区域，以使所述照射区域的致密薄膜被破坏；
[0036]S3:采用化学药剂对所述照射区域进行活化处理，活化处理后对所述照射区域进行金属活化及金属离子还原；
[0037]S4:对所述照射区域进行电镀或化镀，形成金属电路。
[0038]具体地，步骤SI进一步包括:在高分子化合物造粒或高分子化合物粒子中混入上述的界面处理剂后制成载体。其中，界面处理剂可以为蜡类，如一般作为表面润滑剂的聚乙烯蜡，界面处理剂还可以为硅酮类的材料，也可以作为润滑剂使用在步骤SI中。制成载体后，界面处理剂会均匀、有效地分布在载体产品的表面，从而形成致密薄膜。其中，混合了界面处理剂后的高分子化合物造粒或高分子化合物粒子，是通过注塑成型、挤压成型或吹塑成型等类似方式制成所述载体的。本发明的高分子化合物可以为塑料、纤维或橡胶等非金属材料，不含有金属媒介或者疏水剂。
[0039]步骤S2中的辐射照射具体为采用波长为100?20000纳米的激光对需要形成电路的区域进行选择性的辐射照射，照射的区域化学键被破坏、碳化、熔化，使得其表面的粗糙度与未被辐射照射的区域产生了差别，便于后续的钯活化剂的金属活化处理。在其他优选实施例中，本领域技术人员也可以采用其他适用的波段的电磁波对上述的载体进行辐射照射。此外，步骤S2之后还包括:对所述载体进行电子冲击处理。进一步地，进行电子冲击处理时，采用电晕进行电子冲击处理。采用电子冲击处理可以:a、增加材料表面的极性，特别是松散的辐射区域，可以加强照射区域的选择性，从而加强钯离子的吸附和附着;b、避免溢镀风险，由于电子冲击处理后的电子吸附在表面，导致镭射粉尘等在电子排斥力的作用下脱离本体，进而避免溢镀。
[0040]在其他优选实施例中，步骤S2之后还包括:对载体进行离子冲击处理。即离子冲击处理时采用等离子进行冲击处理。其同样可以实现上述a、b处的技术效果。
[0041]本实施例的步骤S3中，采用化学药剂进行活化处理时，采用的化学药剂为稀硫酸。稀硫酸活化后，可以改变载体表面的活性，从而使得后续的金属活化试剂只能在辐射照射的区域内沉积金属离子或者胶团。其中，步骤S3进一步包括:S31:采用金属活化试剂对所述载体进行金属活化，使照射区域内沉积金属离子或胶团；S32:对所述载体进行金属离子还原，将沉积的金属离子还原为金属，或将胶团解团，从而露出金属。本实施例中的金属活化试剂为金属钯活化试剂，由钯活化试剂对整个载体进行金属活化，从而使照射区域内沉积金属离子或胶团
[0042]上述的步骤S4进一步还包括:采用与所述金属活化试剂不同的其他金属进行电镀或化学镀，由于只有经过选择性辐射照射的区域有金属，因此，也只有上述的照射区域内会附着有电镀或者化镀的金属，以此形成需要的电路。其中，本步骤中的其他金属为不同于上述钯金属的金属，如铜、镍、金中的一种或两种或全部。
[0043]本实施例中，步骤S4具体采用化镀的方式将其他金属沉积在经过处理的照射区域内，参考图2A、2B，具体为:
[0044]首先，进行化学镀，在载体I上钯金属活化后的钯金属上沉积铜层；
[0045]然后，通过化学镀在上述的铜层上沉积镍层；
[0046]最后，再通过化学镀在上述的镍层上沉积金层，从而在照射区域2内形成符合要求的金属层3(如图2B中的网状部分)，金属层即构成需要制作的电路。
[0047]本发明提供的电路制作方法，在电子线路的制作过程中，由于不需要使用金属化合物或金属媒介或疏水剂，使得后续的制作过程中不会影响金属层的沉积。当制作的电路为天线产品时，该方法由于没有金属触媒，因此，制作的载体产品中也不含有金属，也不会影响电子线路的射频性能。此外，由于界面处理剂添加到高分子化合物中时会均匀地分布在产品表面，钯离子等金属离子对其排斥或亲和力弱，使得非照射区域的载体表面无法有效沉积附着钯离子，而辐射照射后的区域表面的处理剂被破坏，可以有效地沉积附着钯离子，更有利于产品后续的电镀或化镀以形成金属线路。
[0048]本发明中使用的界面处理剂是一种加入至高分子化合物里面的有机或者无机物质，该物质在成型(注塑或高温挤压成型等)过程中会流到产品表面，形成薄膜。形成的该薄膜往往比较致密，从而可以掩盖在成型过程中产生的细小缺陷，例如浮纤，微小气孔等，从而避免在这些小的缺陷上进行上镀，即避免了一种形式的溢镀。这是与疏水剂最大的区别。当然，在其他的优选实施例中，界面处理剂还可以为有机硅。
[0049]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何本领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，对本发明所做的变形或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述的权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种电路制作方法，其特征在于，包括以下步骤: S1:准备载体，所述载体为添加了界面处理剂后的高分子化合物制成，以在所述载体表面形成致密薄膜； S2:根据需要制作电路的形状在所述载体上进行选择性辐射照射，从而在所述载体的表面形成照射区域，所述照射区域的致密薄膜被破坏； S3:采用化学药剂对所述照射区域进行活化处理，活化处理后对所述照射区域进行金属活化及金属离子还原； S4:对所述照射区域进行电镀或化镀，形成金属电路。2.根据权利要求1所述的电路制作方法，其特征在于，所述步骤SI进一步包括:在高分子化合物造粒或高分子化合物粒子中混入所述界面处理剂后再制作所述载体，所示界面处理剂为加入所述高分子化合物里面的有机或无机物质。3.根据权利要求1或2所述的电路制作方法，其特征在于，所述高分子化合物为塑料、纤维或橡胶;所示界面处理剂为蜡类、硅酮类或有机硅。4.根据权利要求1所述的电路制作方法，其特征在于，所述步骤S2之后还包括:对所述载体进行电子冲击处理或离子冲击处理；进行所述电子冲击处理时采用电晕进行冲击处理;进行所述离子冲击处理时采用等离子进行冲击处理。5.根据权利要求1所述的电路制作方法，其特征在于，所述步骤S3进一步包括:采用稀硫酸作为化学药剂对所述照射区域进行活化处理。6.根据权利要求1或5所述的电路制作方法，其特征在于，所述步骤S3进一步包括: S31:采用金属活化试剂对所述载体进行金属活化，使所述照射区域内沉积金属离子或胶团； S32:对所述载体进行金属离子还原，将沉积的金属离子还原为金属或将胶团解团。7.根据权利要求6所述的电路制作方法，其特征在于，所述步骤S4进一步包括:采用与所述金属活化试剂不同的其他金属进行电镀或化学镀，所述其他金属为铜、镍、金中的一种或两种或全部。8.根据权利要求1至7任一项所述的电路制作方法，其特征在于，所述步骤SI进一步包括:通过注塑成型、挤压成型或吹塑成型将添加了界面处理剂的高分子化合物造粒或高分子化合物粒子制成所述载体。9.根据权利要求1至8任一项所述的电路制作方法，其特征在于，所述辐射照射具体为采用波长为100?20000纳米的激光进行选择性的辐射照射。
【文档编号】C23C18/20GK105848422SQ201610403818
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年6月8日
【发明人】蒋海英, 陈德智
【申请人】上海安费诺永亿通讯电子有限公司