专利名称：掩模、显示装置、有机电致发光显示装置及它们的制法的制作方法
技术领域：
本发明是关于掩模及掩模的制造方法、显示装置的制造方法、有机EL显示装置的制造方法、有机EL装置、及电子仪器。
本申请对2003年11月17日申请的日本国特许申请第2003-386511号提出优先权要求，此处引用其内容。
背景技术：
例如，在制造低分子全色有机EL(电致发光，eleceroluminescence)显示装置的工艺中，在分别蒸镀各色有机材料时，使用掩模进行形成图案。在日本国特开2001-93667号公报和日本国特开2001-185350号公报中，公开了一种蒸镀各色有机材料时，使用掩模形成图案的技术实例。
日本国特开2001-93667号公报中公开的技术中，作为掩模使用了金属掩模，在使被蒸镀物的玻璃基板与金属掩模用永久磁铁形成密接的状态下进行蒸镀。然而，玻璃基板为大型化时，伴随着金属掩模也需要大型化，但是，金属掩模和玻璃基板的线性膨胀系数差，影响非常显著，尤其是在玻璃基板的端部，金属掩模的贯通(开口部)与被蒸镀的目标位置产生偏移的问题。而在日本国特开2001-185350号公报中公开的技术，作为掩模使用了硅制的掩模，虽然与玻璃基板的线性膨胀系数差很小，但不能使用永久磁铁使玻璃基板和硅制掩模形成密接。进而，当使硅制掩模或玻璃基板为大型化时，这些硅制掩模和玻璃基板的翘曲变形(挠曲变形)影响非常显著，很难在使硅制掩模和玻璃基板形成密接的状态下进行蒸镀，通过硅制掩模贯通孔的蒸镀粒子(蒸镀物质)会产生返回到硅制掩模和玻璃基板之间的状况，产生不能形成良好精度图案的问题。
发明内容
本发明就是鉴于上述问题而进行的，其目的是提供一种使用具有贯通孔的掩模形成图案时，既能降低掩模和被蒸镀物变形的影响，又能形成良好图案的掩模及其制造方法、及使用该掩模的显示装置制造方法、有机EL显示装置的制造方法、有机EL装置、和电子仪器。
为了解决上述课题，本发明的掩模具备具有表面、背面和贯通孔的基板，和设在上述基板表面和背面中至少一个面上的控制该基板形状的膜。
根据本发明，由于在掩模基质材料的基板的至少一个面上设有控制基板形状的膜，所以能够根据被蒸镀物的形状，控制基板的形状，使被蒸镀物掩模形成密接。因此，即使被蒸镀物和掩模都形成大型化，也能降低其变形等的影响，对于被蒸镀对象，也能使蒸镀物质形成良好的图案。
本发明的掩模中，上述膜向基板付与应力，以调整该基板的翘曲变形。
由基板上设置的膜，可向基板付与翘曲方向的应力(拉伸应力或压缩应力)。据此，即使大型化的掩模，因其自重增大翘曲变形(挠曲变形)，该翘曲变形也能得到很好的矫正，并可以与被蒸镀物形成密接。
本发明的掩模中，在基板上以所定图案设置多个贯通孔，再根据该贯通孔的所定图案设置上述膜。
对掩模上形成贯通孔的配置或大小等进行各种变更时，虽然掩模(基板)的翘曲变形状态有可能发生变化，但通过根据掩模上形成贯通孔的配置或大小设置的膜，能很好地矫正该掩模的翘曲变形。因此，能提高掩模的贯通孔和大小等的设计自由度，同时能在使掩模与被蒸镀物形成密接的状态下进行蒸镀。
本发明的掩模中，是根据上述基板的目标形状，使膜形成图案。
在根据被蒸镀物的形状设置基板(掩模)的目标形状时，由于是根据该目标的形状使膜形成图案，所以能向基板付与根据该膜图案的应力(翘曲应力)，并能形成具有根据被蒸镀物形状的掩模。
本发明的掩模中，根据上述基板的目标形状设置上述膜的厚度分布。
在根据被蒸镀物的形状设置基板(掩模)的目标形状时，由于根据该目标形状设置膜的厚度分布，所以能向基板付与根据该膜厚度分布的应力(翘曲应力)，并能形成具有根据被蒸镀物形状的掩模。
本发明的掩模中，上述膜具有在上述基板面上沿第1方向存在的第1膜图案、和沿与第1方向交叉的第2方向存在的第2膜图案。
例如，掩模为矩形形状时，在基板面内关于第1方向的翘曲变形、和关于与第1方向成交叉的第2方向的翘曲变形，显著出现的可能性会很高，但通过根据该翘曲变形方向设置存在膜，向掩模付与翘曲方向的应力，翘曲变形能得到很好的矫正。
本发明的掩模制造方法，包括在具有表面和背面的基板表面和背面中的至少一方上，设置控制该基板形状的膜的形成工序，和在该基板上设置贯通孔的孔加工工序。
根据本发明，由于在掩模基质材料的基板至少一方的面上，设置控制基板形状的膜，所以能根据被蒸镀物的形状控制基板的形状，并能使被蒸镀物与掩模密接。因此，即使是大型化的被蒸镀物或掩模，也能降低其变形等的影响，而且能对被蒸镀物，良好地进行蒸镀物质图案形成。尤其是在基板上开设贯通孔之前，将膜设置在基板上，不会受到贯通孔的影响，使用旋转涂布法等各种方法，可圆满地进行成膜工序。
本发明的掩模制造方法中，在对利用上述成膜工序设置的膜图案形成后，再进行上述的孔加工工序。
在基板上开设贯通孔前，对基板上设置的膜进行图案形成，不会受贯通孔的影响，并能圆满地进行膜图案形成处理。
本发明的掩模制造方法，具有在基板上设置贯通孔的孔加工工序；和在具有表面和背面的基板表面和背面中至少一方的面上，为控制该基板形状设置膜的成膜工序。
即，也可以在基板上设置贯通孔后再设置膜，即使这种情况下，也能根据被蒸镀物的形状控制基板的形状，并能在使被蒸镀物与掩模密接的状态下，对被蒸镀物良好地进行蒸镀物质图案形成。
本发明的掩模制造方法中，是测量有关由上述孔加工工序设置了贯通孔的上述基板形状的信息后，根据该测量结果设置上述膜。
与设置贯通孔之前比较，由于设置贯通孔，掩模(基板)的翘曲变形状态有可能发生变化，但是在基板上设置了贯通孔后，测量有关基板翘曲变形等形状的信息后，再根据该测量结果设置膜，能很好地矫正根据贯通孔的配置或大小等而变化的掩模的翘曲变形。
本发明的显示装置的制造方法，具有使用上述所述的掩模，在被蒸镀物上蒸镀显示装置形成用材料的工序。
本发明的有机EL显示装置制造方法，具有使用上述所述的掩模，在被蒸镀物上蒸镀有机EL显示装置形成用材料的工序。
另外，本发明的有机EL显示装置，是使用上述所述的掩模，在被蒸镀物上蒸镀有有机EL显示装置形成用材料。
本发明的电子仪器具备由上述制造方法制造的显示装置。
根据本发明可提供一种既能降低掩模和被蒸镀物的变形影响，又具有很好图案形成的像素图案、以高质量显示性能的显示装置、有机EL显示装置、及电子仪器。
图1A～E是说明本发明掩模制造方法的一实施方式的图。
图2是表示本发明掩模的一实施方式的平面图。
图3是表示本发明掩模的另一实施方式的平面图。
图4是表示本发明掩模的另一实施方式的平面图。
图5是表示本发明掩模的另一实施方式的平面图。
图6是表示本发明掩模的再一实施方式的平面图。
图7是表示本发明掩模的又一实施方式的平面图。
图8是用来说明使用本发明的掩模，对蒸镀目的物进行蒸镀的状态的图。
图9A～D是用来说明本发明显示装置制造方法的一实施方式的图。
图10A～C是本发明电子仪器的一实施方式的简要构成图。
具体实施例方式
以下参照图1对本发明掩模制造方法的一实施方式进行说明。
图1是模式地表示本发明掩模的制造工序的图。
首先准备如图1A所示的掩模M的基质材料基板10。基板10由硅(Si)形成，更具体讲是由单结晶硅(单晶Si)形成。本实施方式中，硅基板10的第1面(表面)1和第2面(背面)2，密勒指数为100。
在硅基板10上设置耐蚀刻膜30(第1工序)。耐蚀刻膜30，至少设置在硅基板10的第1面1上。耐蚀刻膜30也可以设在第2面2上。图1A所示例中，是在硅基板10中，第1面1、第2面2、及侧面，所有面上连续设置耐蚀刻膜30。耐蚀刻膜30可通过热氧化处理(例如湿式热氧化法)生成氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、或碳化硅形成。或者，耐蚀刻膜30由以下膜形成，即，通过CVD形成的氧化硅膜或氮化硅膜、和通过溅射形成的金或铬等的膜。耐蚀刻膜30是本发明中控制基板10形状的膜，由此要进行控制基板10形状的膜形成工序。
接着，对由第1工序设置的耐蚀刻膜30图案形成(第1次形成图案)(第2工序)。
如图1B所示，设在第1面1上的耐蚀刻膜30是根据硅基板10上形成的所有贯通孔(下述)形成图案，除去与贯通孔对应区域的耐蚀刻膜30，形成多个第1蚀刻开口部3。而设在第2面2上的耐蚀刻膜30，除了第2面2的边缘区域2A外，几乎全部除去，形成大的第2蚀刻开口部4。第1、第2蚀刻开口部3、4从硅基板10露出。第1、第2蚀刻开口部3、4可利用光刻蚀技术和蚀刻技术形成。
在对耐蚀刻膜30图案形成后，如图1C所示，在硅基板10上设置贯通孔20(第3工序)。
贯通孔20形成为贯通硅基板10的第1面1和第2面2，可通过使用YAG激光或CO2激光等激光加工形成。通过对与第1蚀刻开口部3相对应的位置，即硅基板10的露出部照射激光，形成贯通孔20。本实施方式中，如图1C所示，贯通孔20形成为直径小于第1蚀刻开口部3的直径。而且，作为贯通孔20的形成方法，能够使用喷出微小粒子气流撞击的微型喷出加工法、将侧壁保护膜的形成和蚀刻交替进行的时间调节等离子体蚀刻法、以及使用钻头等的机械加工法等。由此进行在硅基板10上设置贯通孔20的孔加工工序。
在硅基板10上形成贯通孔20后，将耐蚀刻膜30作为掩模，从硅基板10的第1面1和第2面2同时进行蚀刻(第4工序)。
本实施方式中，进行结晶异向性蚀刻。即，在硅基板10的蚀刻中存在对结晶面的方位依赖性，例如，对(111)面的蚀刻速度比对(100)面的蚀刻速度慢。如上述，本实施方式中，硅基板10的第1面1和第2面2都是(100)面，蚀刻速度都比对(111)面的蚀刻速度慢。这种情况下，在第1面1侧，在第1蚀刻开口部3内部中露出的(100)面被蚀刻，形成其径小于第1蚀刻开口部3的贯通孔20的直径被扩大。贯通孔20的因蚀刻而扩大，在耐蚀刻膜30的第1蚀刻开口部3处停止继续扩大。由此，在硅基板10的第1面1上形成与第1蚀刻开口部3相对应的开口部20A。而在第2面2侧，第2蚀刻开口部4内部中露出的(100)面被蚀刻。在第2面2侧，彼此相互相邻的贯通孔20之间的区域中，也露出硅基板10，该部分的(100)面也被蚀刻。由此，除了硅基板10的蚀刻区域2A以外的区域，形成薄壁化的薄壁部分12。而与硅基板10的边缘区域2A相对应的区域，不被蚀刻，形成厚壁部分14。从硅基板10的耐蚀刻膜30到全部露出面达到(111)面后，蚀刻终止。这样，形成如图1D所示的内壁面全部由(111)面形成的锥体状贯通孔20。
这样的蚀刻，使用有机胺系碱性水溶液，例如，以10～30重量％(优选10～20重量％)的比率，将四甲基氢氧化铵溶解的溶液。将其加热到80℃下进行。或者，使用氢氧化钾水溶液以外的无机碱性水溶液，例如氨水。由于使用不用钾、钠的碱性溶液，所以在制造掩模M时，能防止被污染的问题发生。在使掩模M进行蒸镀时，可以防止被蒸镀物受污染。也可以使用钾的溶液进行蚀刻。例如，也可以使用加热到80℃的15％氢氧化钾溶液。
通过以上说明的工序制造本发明的掩模M。即使掩模M发生翘曲变形(挠曲变形)，由于在基板(硅基板)10上设置的膜(耐蚀刻膜)30，给基板10(掩模M)付与了应力，矫正了翘曲变形，所以将该掩模M用作蒸镀用掩模时，能与被蒸镀物形成密接。
另外，通过使掩模M的一部分形成薄壁部12，在使掩模M与被蒸镀物形成密接的状态下进行蒸镀时，能形成与掩模M的开口部20A大致相同面积的蒸镀膜，通过形成锥体状的贯通孔20，蒸镀物质能进一步圆满地蒸镀到被蒸镀物上，同样由厚壁部14保持住具有薄壁部12的硅基板10强度。这时，虽然在薄壁部12有时产生显著的翘曲变形，但设在该薄壁部12的膜，能矫正基板10(薄壁部12)的翘曲变形。
本实施方式中，膜30，例如由氧化硅形成，这种氧化硅会产生压缩应力。作为膜30，可使用如金或铬代替氧化硅，也能给基板10付与拉伸应力。使用上述的溅射法可将金或铬设置在基板10上。因此，可根据基板10的翘曲变形方向等，选择产生上述压缩应力的材料或产生拉伸应力的材料。在基板10中，设置膜30的面，并不限于第1面(表面)1，当然也可设在第2面(背面)2上。
根据需要，如图1E所示，进一步对膜30图案形成(第2次图案形成)(第5工序)。
在膜30图案形成时，可以使用光刻蚀技术和蚀刻技术。即，在图1D所示状态的掩模M上面上涂布抗蚀剂层，随后，根据光刻蚀技术，对抗蚀剂层图案形成，进行显影处理，接着对膜30进行蚀刻，使膜30进行所要求的图案形成。这种情况下，为了在具有贯通孔20的基板10上涂布了抗蚀剂层，由于不能使用旋转涂布法等涂布方法，所以可使用能将抗蚀剂形成喷雾状态，通过使其带有电荷，涂布在导电性表面上的静电涂布装置。
因此，在进行第5工序(第2次形成图案)之前，对设有贯通孔20的基板(即，图1D所示状态的基板10)测量包括翘曲变形量在内的有关形状的信息，根据该测量结果设置膜30，并对膜30形成图案，调整膜30的膜厚分布。由于对基板10的翘曲变形状态进行了实测，并根据该实测结果，设置矫正翘曲变形的膜30，所以能更好地矫正基板10(掩模M)的翘曲变形。另外，对于基板10的翘曲变形信息，可使用公知的测量装置，例如可以光学测量法测量基板10的翘曲变形。
另外，上述实施方式中，在参照图1B说明的第2工序中，进行膜30的第1次图案形成，接着在参照图1C说明的第3工序中，在基板10上设置贯通孔，之后，根据需要，在参照图1E说明的第5工序中，对膜30进行第2次图案形成，形成所要求的图案，当然，在参照图1B说明的第2工序中，也可将膜30形成十字状等所要求的图案。即，在进行孔加工工序之前，对膜30进行图案形成。这种情况下，如上述说明的，可省略包括使用静电涂布装置在具有贯通孔20的基板10上涂布抗蚀剂层工序在内的第5工序。
图2～图7是经过参照图1E说明的第5工序，在掩模M(基板10)上形成膜30图案的示例图。此外，以8行9列的矩阵状，在掩模M上设置多个平面看为矩形状的贯通孔(开口部)20。这些多个贯通孔(开口部)20分别根据下述显示装置的像素排列(条状排列、三角形排列等)，排列成所定图案。
图2是在基板10的第1面1的整个面上设置膜30的示例图。即，相当于参照图1D说明的掩模M。
图3是在平面看为矩形状的基板10第1面1中，设置有具有存在于第1对角线方向(第1方向)上的第1膜图案30A，和存在与第1对角线方向交叉的第2对角线方向(第2方向)上的第2膜图案30B的膜30的示例图。
图4是进一步设置有框状图案30C，围绕着参照图3说明的第1膜图案30A和第2膜30B的示例图。
图5是在平面看为矩形状的基板10上，设置有具有存在于横方向(第1方向)上的第1膜图案30D、和存在于与第1膜图案30D的存在方向大致成直交的纵方向(第2方向)上的第2膜图案30E的膜30的示例图。
在上述图2～图5的示例中，基板10为矩形状时，基板面内，有关第1方向上的翘曲变形、和有关与第1方向交叉的第2方向上的翘曲变形，出现显著的可能性很高，但通过根据该翘曲变形的方向延伸地设置膜30，以给掩模M付与翘曲方向的应力，能很好地矫正翘曲变形。
图6是在基板10的大致中央部分设置有平面看为圆形状的膜30的示例图。由此，即使基板10的中央部分发生凹陷类的变形，该变形也能得到很好矫正。膜30的图案并不限于上述实例，只要是能矫正掩模M的翘曲变形就可以，可以采用任意的图案。上述实施方式中，虽然膜30设在第1面1上，但也可设在第2面2上，还可设在第1面1和第2面2双方上。
如图7所示，通过对膜30设置的厚度分布，也能很好地矫正掩模M的翘曲变形，尤其是基板10中央部分发生凹陷类翘曲变形时，可将该中央部分的膜厚度加厚，向着外侧依次变薄，以同心状设置变化的膜厚。图7示例中，中央部分的圆形状膜图案30F的膜厚度最厚，其周围环状的膜图案30G厚度比膜图案30F薄，进而其周围的膜图案30H厚度比膜图案30G薄。
而且，基板10(掩模M)的翘曲变形状态，依照板厚和板厚分布、基板10的材质、贯通孔(开口部)20的排列图案、贯通孔20的大小等进行变化。因此，根据其翘曲变形状态，进而根据基板10(掩模M)的目标形状，如参照上述图2～图7说明的那样，将膜30形成各种图案，并设置膜厚分布。
图8是表示在使被蒸镀物玻璃基板P与掩模M密接的状态下，来自蒸镀源的蒸镀物质，通过掩模M的贯通孔20蒸镀到玻璃基板P上的图。如图8所示，利用膜30矫正掩模M的翘曲变形，并能使玻璃基板P与掩模M形成良好的密接。因此，即使玻璃基板P或掩模M为大型化，也能降低其变形等的影响，而且蒸镀物质能很好地对玻璃基板P图案形成。由于掩模M的一部分形成薄壁部分12，所以能形成与掩模M开口部20A大致相同面积的蒸镀层，通过形成锥体状的贯通孔20，可更圆满地使蒸镀物质蒸镀到玻璃基板P上。同样，利用厚壁部分14保持住具有薄壁部分12的硅基板10强度。
上述各实施方式中，虽然将掩模M作为蒸镀用掩模作了说明，但例如也可用作溅射用的掩模。
图9是表示使用本发明的掩模M，在被蒸镀物的玻璃基板P上，蒸镀有机EL显示装置形成用材料的模式图。
图9A中，在玻璃基板P上形成薄膜晶体管等开关元件，并设置阳极40，与该开关元件连接。同样，形成空穴注入层41和空穴输送层42，与该阳极40连接。同样，密接本发明的掩模M上面(第1面)，与空穴输送层42密接。在掩模M的薄壁部分12上形成贯通孔20(开口部20A)，在该薄壁部分12设置的贯通孔20中，通过设在有机EL显示装置像素区域的有机材料(发光层)形成用材料，在玻璃基板P上形成像素图案。同样，作为像素形成部分的薄壁部分12翘曲变形，由设在该薄壁部分12处的膜30进行矫正。
于是，如图9A所示，在使掩模M与玻璃基板P(空穴输送层42)密接的状态下，在玻璃基板P上蒸镀红色(R)发光层形成用材料R。在玻璃基板P上，根据掩模M的贯通孔20(开口部20A)蒸镀红色发光层形成用材料R。
接着，如图9B所示，错开掩模M对玻璃基板P的位置(或者将掩模M与另一掩模M变换)，在使掩模M与玻璃基板P(空穴输送层42)密接的状态下，在玻璃基板P上蒸镀绿色发光层形成用材料G。在玻璃基板P上，根据掩模M的贯通孔20蒸镀绿色发光层形成用材料G。
接着，如图9C所示，错开掩模M对玻璃基板P的位置(或者将掩模M与另一掩模M交换)，在使掩模M与玻璃基板P(空穴输送层42)密接的状态下，在玻璃基板P上蒸镀蓝色发光层形成用材料B，在玻璃基板P上，根据掩模M的贯通孔20蒸镀蓝色发光层形成用材料B。
如以上方式，在玻璃基板P上形成由RGB三色有机材料形成的发光层43。
如图9D所示，通过在发光层43上形成电子输送层44和阴极45，从而形成有机EL显示装置A。
另外，本实施方式的有机EL显示装置A的形态是从含有发光层的发光元件发出的光，从基板P侧射出到装置外部。作为基板P的形成材料，除了透明玻璃外，可使用能透光的透明或半透明材料，例如有石英、蓝宝石、或聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚醚酮等透明的合成树脂等。作为基板P的形成材料优选使用廉价的钠钙玻璃。
另一方面，在从基板P相反侧射出发光的形状时，基板P可为不透明的，这种情况下，可使用氧化铝等陶瓷、不锈钢等金属片、对其表面实施氧化等绝缘处理的，热固化性树脂、热塑性树脂等。
作为上述阳极的材料，可由铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、镁(Mg)镍(Ni)、锌-钒(ZnV)、铟(In)、锡(Su)等单体、它们的化合物或混合物、含有金属填料的导电性接合剂等构成，但此处使用ITO(Indium TinOxide)。该阳极的形成，优选利用溅射法、离子镀法、真空蒸镀法形成，也可以用旋转涂布器、凹版涂布器、刮刀涂布器等的WET工艺涂布法、和筛网印刷、苯胺印刷等形成。
这样，阳极的透光率优选设定在80％或其以上。
作为空穴输送层，例如，共同蒸镀咔唑聚合物和TPD、三苯基化合物，形成10～1000nm(优选100～700nm)厚的膜。
在此，作为空穴输送层6的形成材料，没有特殊限定，可使用公知的，例如有吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、均二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物等。具体示例有特开昭63-70257号、同63-175860号公报、特开平2-135359号、同2-135361号、同2-209988号、同3-37992号同3-152184号公报中记载的，优选是三苯基二胺衍生物、其中优选用4，4’-二(N(3-甲苯基)-N-苯胺基)联苯。
作为空穴注入层的形成材料，例如有铜酞花青(CuPc)、聚四氢噻吩苯撑的聚苯撑乙烯撑、1，1-二-(4-N，N-二甲苯基氨苯基)环己烷、三倍(8-羟基喹啉)铝等，但特别是优选使用铜酞花青(CuPc)。
作为另一种方法，空穴输送层形成在阳极上，例如，利用液滴喷出法(喷墨法)，将含有空穴注入、输送层材料的组合物喷出到阳极上后，再进行干燥处理和热处理。即，将上述含有空穴输送层材料或空穴注入层材料的组合物喷出到阳极的电极面上后，通过进行干燥处理和热处理，在阳极上形成空穴输送层(空穴注入层)。例如，将含有空穴输送层材料或空穴注入层材料的组合物油墨填充到喷墨头(未图示)中，使喷墨头的喷嘴对准阳极的电极面，一边使喷墨头与基板1作相对移动，一边从喷嘴将控制每1液滴量的墨滴喷出到电极面上。接着，对喷出后的墨滴进行干燥处理，通过蒸发掉油墨组合物中所含的极性溶剂，形成空穴输送层(空穴注入层)。
另外，作为油墨组合物，例如可以使用将聚乙烯二氧噻吩等聚噻吩衍生物和聚苯乙烯磺酸等的混合物溶解在异丙醇等极性溶剂中的油墨组合物。喷出的油墨滴在亲油墨处理的阳极电极面上扩展。另一方面，在疏油墨处理的绝缘层上面会弹落，不附着。因此，即使油墨滴偏离所定的喷出位置，而喷出到绝缘层上面，该面也不会被油墨滴所润湿，弹落的油墨滴也会转入到阳极5上。
作为构成发光材料，可使用芴系高分子衍生物、(聚)对苯撑乙烯撑衍生物、聚苯撑衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑、聚噻吩衍生物、苝系色素、香豆素系色素、罗丹明系色素，其他可溶于苯衍生物的低分子有机EL材料等。
另外，作为电子输送层，是将由金属和有机配位子形成的金属配位化合物进行层叠，优选是将Alq3(三(8-羟基喹啉)铝配位物)、Znq2(二(8-羟基喹啉)锌配位物)、Bebq2(二(8-羟基喹啉)铍配位物)、Zn-BTZ(2-(o-羟苯基)苯并噻唑锌)、苝衍生物等，蒸镀成10～1000nm(优选100～700nm)厚的膜。
阴极是由有效地向电子输送层注入电子的功函数低的金属形成，优选是Ca、Au、Mg、Sn、In、Ag、Li、Al等单体、或它们的合金、或化合物。本实施方式中，是由以Ca为主体的阴极、和以Al为主体的反射层二层构成。
本实施方式的有机EL显示装置A是有源矩阵型的，实际上是以格子状配置多条数据线和多条扫描线，这些区分成数据线和扫描线的矩阵状配置的各个像素，通过开关晶体管和驱动晶体管等驱动用TFT，与上述发光元件连接。这样，通过数据线和扫描线供给驱动信号时，电流流入电极间，发光元件发光，并射出到透明基板的外面侧，点亮上述像素。此外，本发明并不限于有源矩阵型，当然也适用于无源驱动型的显示元件。
虽然未图示，但为隔断大气从外部侵入含有电极的发光元件，而设置密封部件。作为密封部件的形成材料，例如有玻璃或石英、蓝宝石、合成树脂等透明半透明材料。作为玻璃，例如有钠钙石灰玻璃、铅碱性玻璃、硼硅酸玻璃、铝硅酸玻璃、硅玻璃等。作为合成树脂，例如有聚烯烃、聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚醚酮等透明的合成树脂等。
以下对具有上述实施方式有机EL显示装置A的电子仪器实例进行说明。
图10A是一例移动电话机的立体图。图10A中，符号1000表示移动电话机主体，符号1001表示使用了上述有机EL装置A的显示部。
图10B是一例手表型电子仪器的立体图。图10B中，符号1100表示手表主体，符号1101表示使用了上述有机EL装置A的显示部。
图10C是一例文字处理器、个人计算机等便携型信息处理装置立体图。图10C中，符号1200表示信息处理装置、符号1202表示键盘等输入部，符号1204表示信息处理装置主体、符号1206表示使用了上述有机EL装置A的显示部。
图10A～C所示的电子仪器，由于具有上述实施方式的有机EL显示装置A，所以能实现具有薄型、高寿命的有机EL显示部的电子仪器。
作为电子仪器，并不限于上述移动电话机等，可适用于各种电子仪器。例如可适用于笔记本型计算机、液晶投影仪、多媒体对应的个人计算机(PC)及工程·工作台(EWS)、寻呼机、文字处理器、电视、探视型或监视直视型的视频信号磁带记录器、电子笔记本、电子台式计算机、汽车驾驶导航装置、POS末端、具有触屏的装置等电子仪器。
以上虽然说明了本发明的最佳实施例，但本发明不限于这些实施例。在不超出本发明宗旨的范围内，可对构成进行添加、省略、置换、和其他变更。本发明并未限定于上述说明，只由要求保护的技术方案范围限定。
权利要求
1.一种掩模，其特征在于，具备具有表面、背面和贯通孔的基板；和设在该基板表面和背面中至少一个面上并控制基板形状的膜。
2.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，上述膜给基板付与应力，以调整该基板的翘曲变形。
3.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，以所定图案在上述基板上设置多个贯通孔，上述膜是根据上述贯通孔的所定图案设置。
4.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，根据上述基板的目标形状，使上述膜图案形成。
5.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，根据上述基板的目标形状，设置有上述膜的厚度分布。
6.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，上述膜具有在上述基板面上的第1方向上延伸的第1膜图案，和与第1方向交叉的第2方向上延伸的第2膜图案。
7.一种掩模的制造方法，其特征在于，包括在具有表面和背面的基板表面和基板背面的至少一个面上，设置以控制该基板形状的膜形成工序；和在上述基板上设置贯通孔的孔加工工序。
8.根据权利要求7所述的掩模制造方法，其特征在于，将由上述膜形成工序设置的膜图案形成后，再进行孔加工工序。
9.一种掩模的制造方法，其特征在于，包括在基板上设置贯通孔的孔加工工序；和在上述具有表面和背面的基板表面和基板背面中的至少一个面上，设置以控制该基板形状的膜形成工序。
10.根据权利要求9所述的掩模制造方法，其特征在于，测量对由上述孔加工工序设置的贯通孔的上述基板的有关形状的信息后，根据上述测量结果设置上述膜。
11.一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有使用权利要求1所述的掩模，对被蒸镀物蒸镀显示装置形成用材料的工序。
12.一种有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，具有使用权利要求1所述的掩模，对被蒸镀物蒸镀有机EL显示装置的形成用材料的工序。
13.一种有机EL显示装置，其特征在于，使用权利要求1所述的掩模，对被蒸镀物蒸镀有机EL显示装置形成用材料。
14.一种电子仪器，其特征在于，具有由权利要求11所述的制造方法制造的显示装置。
全文摘要
本发明提供一种掩模及掩模的制造方法、显示装置的制造方法、有机EL显示装置的制造方法、有机EL装置、及电子仪器。本发明的掩模，具备具有表面、背面、和贯通孔的基板；和设在上述基板的表面和背面中至少一个面上并控制该基板形状的膜。
文档编号H05B33/10GK1620203SQ20041009469
公开日2005年5月25日 申请日期2004年11月12日 优先权日2003年11月17日
发明者桑原贵之, 四谷真一 申请人:精工爱普生株式会社