有机电致发光元件及其制造方法和显示装置的制作方法

专利名称：有机电致发光元件及其制造方法和显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机电致发光元件及其制造方法、和显示装置及其制造方法，特别涉及发光效率优异的有机电致发光元件及其制造方法、和具有这样的有机电致发光元件的显示装置。
背景技术：
作为与以往的CRT、LCD比较能够实现薄型化、轻量化的显示装置，近年来，使用了有机电致发光元件(EL)的显示装置受到很大的关注。因为有机电致发光元件是自发光型的，所以视觉辨认度高、没有视野角依赖性、可以使用具有可挠性的膜基板，并且与液晶显示装置比较具有薄且轻等各种优点。另外，为了实现高精度显示，在开发有机电致发光元件的同时，还正在开发具有薄膜晶体管等开关元件的有源矩阵型的显示装置。
在使用了以往的有机电致发光元件的显示装置中，例如，在由玻璃基板构成的绝缘性基板上形成由ITO(掺杂了锡的氧化铟)等透明导电膜构成的阳极。在阳极上形成含有通过电子和空穴的再结合而产生光的发光层的有机电致发光层。在有机电致发光层上形成由Al(铝)膜和Mg(镁)-Ag(银)合金膜等构成的阴极。这样，在绝缘性基板上形成具有阳极、有机电致发光层和阴极的有机电致发光元件。另外，在有源矩阵型的显示装置中，在绝缘性基板和有机电致发光元件之间形成对施加在有机电致发光元件上的驱动电压进行控制的薄膜晶体管等开关元件。具有这样的结构的显示装置成为将在有机电致发光层的发光层中产生的光从绝缘性基板一侧取出的所谓底部发光型。
在上述的显示装置中实现全色化时，在像素区域分开地形成发光波长不同的发光层。例如按照下列方式进行使成为像素的区域被开口的蒸镀掩模附着在基板上，并将蒸镀掩模例如以RGB的顺序移动，从而形成用于形成RGB各色的发光层。
在底部发光型的显示装置的情况下，如上所述，在有机电致发光元件中产生的光从绝缘性基板一侧被取出。因此，在绝缘性基板和有机电致发光元件之间形成开关元件时，1个像素所占有的发光面积由于开关元件的存在而实质上变小，有不能得到高发光效率的困难。
对关于这样的发光效率的难点，正在尝试通过从与形成开关元件的绝缘性基板侧相反的一侧即阴极一侧，将在发光层中产生的光取出的所谓顶部发光型的结构来解决(例如参照专利文献1、2)。
在专利文献1中所公开的顶部发光型显示装置中，通过使用具有光透射性的阴极，使用具有光反射性的Cr(铬)薄膜作为阳极，将在发光层产生的光向阴极一侧反射，从阴极取出光。但是，因为Cr的光反射率不太高，所以不能将在发光层产生的光向阴极一侧充分地反射。
另外，在专利文献2中所公开的顶部发光型的显示装置中，在由Al膜构成的反射层上直接形成由ITO膜构成的电极层。但是，因为Al膜和ITO膜的电连接不良，所以将反射层作为电极使用是困难的。
因此，若在反射层下设置开关元件，则电极层和开关元件的连接是困难的。
本发明的目的在于，提供能够实现高发光效率的有机电致发光元件及其制造方法，以及提供具有这样的有机电致发光元件的显示装置。
专利文献1特开2001-85163号公报专利文献2特开平11-329753号公报发明内容根据本发明的一个观点，提供一种有机电致发光元件，其特征在于，其具有阳极，该阳极包含在基板上形成的具有光反射性的第1导电膜和在上述第1导电膜上以覆盖上述第1导电膜的方式形成的具有光透射性的第2导电膜；在上述阳极上形成的有机电致发光层；和在上述有机电致发光层上形成的具有光透射性的阴极。
另外，根据本发明的另一个观点，提供一种有机电致发光元件，其特征在于，其具有阳极，该阳极包含在基板上形成的具有光反射性的第1导电膜和在上述第1导电膜上形成的具有光透射性的第2导电膜、在上述第1导电膜和第2导电膜之间部分地形成并分别与上述第1导电膜和上述第2导电膜电连接的第3导电膜；在上述阳极上形成的有机电致发光层；和在上述有机电致发光层上形成的具有光透射性的阴极。
另外，根据本发明的再一个观点，提供一种有机电致发光元件，其特征在于，其具有阳极，该阳极包含在基板上形成的具有光反射性的第1导电膜、在上述第1导电膜上形成的具有光透射性的绝缘层、和在上述绝缘层上形成的具有光透射性的第2导电膜；在上述阳极上形成的有机电致发光层；和在上述有机电致发光层上形成的具有光透射性的阴极。
另外，根据本发明的再一个观点，提供一种有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，其具有在基板上形成阳极的工序，其中该阳极包含具有光反射性的第1导电膜和在上述第1导电膜上以覆盖上述第1导电膜的方式形成的具有光透射性的第2导电膜；在上述第1导电膜上形成有机电致发光层的工序；和在上述有机电致发光层上形成具有光透射性的阴极的工序。
另外，根据本发明的再一个观点，提供一种显示装置的制造方法，其特征在于，其具有在基板上形成开关元件的工序；在形成了上述开关元件的上述基板上形成第1绝缘层的工序；在上述第1绝缘层上形成具有光反射性的第1导电膜的工序；在形成了上述第1导电膜的上述第1绝缘层上形成在上述开关元件的电极上具有第1开口部分、并由具有光透射性的感光性树脂构成的第2绝缘层的工序；以上述第2绝缘层为掩模，对上述第1绝缘层进行蚀刻，从而形成到达上述开关元件的电极的第2开口部分的工序；在上述第2绝缘层上通过上述第1开口部分和上述第2开口部分，形成包含与上述开关元件的电极电连接并具有光透射性的第2导电膜的阳极的工序；在上述阳极上形成有机电致发光层的工序；和在上述有机电致发光层上形成具有光透射性的阴极的工序。
根据本发明，通过由在基板上形成的具有光反射性的第1导电膜、和在第1导电膜上以覆盖第1导电膜的方式形成的具有光透射性的第2导电膜构成阳极，因为在有机电致发光层中产生的光从阴极一侧取出，所以可以在不伴随发生元件特性的劣化的情况下实现高发光效率。
另外，根据本发明，通过在第1导电膜和第2导电膜之间部分地形成分别与第1导电膜和第2导电膜电连接的第3导电膜，确保了第1导电膜和第2导电膜之间的导通，所以可以从第1导电膜向有机电致发光层中注入空穴。
另外，根据本发明，在基板上形成的具有光反射性的第1导电膜上隔着具有光透射性的绝缘层而形成包含具有光透射性的第2导电膜的阳极，通过阳极下的第1导电膜，将在有机电致发光层中产生的光从阴极一侧取出，所以可以在不伴随元件特性的劣化的情况下实现高发光效率。


图1是表示由本发明的第1实施方式得到的显示装置的结构的概略图。
图2是表示使用了有机电致发光元件的底部发光型的显示装置的结构的1个例子的概略图。
图3是表示由本发明的第1实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图(之一)。
图4是表示由本发明的第1实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图(之二)。
图5是表示由本发明的第2实施方式得到的显示装置的结构的概略图。
图6是表示由本发明的第2实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图(之一)。
图7是表示由本发明的第2实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图(之二)。
图8是表示由本发明的第3实施方式得到的显示装置的结构的概略图。
图9是表示由本发明的第4实施方式得到的显示装置的结构的剖面图。
图10是表示由本发明的第5实施方式得到的显示装置的结构的剖面图。
图11是表示在使用了有机电致发光元件的同时，还使用了薄膜晶体管作为开关元件的底部发光型显示装置的结构的1个例子的剖面图。
图12是表示由本发明的第5实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图(之一)。
图13是表示由本发明的第5实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图(之二)。
图14是表示由本发明的第6实施方式得到的显示装置的结构的剖面图。
图15是表示由本发明的第6实施方式得到的显示装置的特性的图表。
图16是表示使用了Cr膜作为阳极的显示装置的结构的剖面图。
图17是表示由本发明的第6实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图(之一)。
图18是表示由本发明的第6实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图(之二)。
图19是表示由本发明的第7实施方式得到的显示装置的结构的剖面图。
图20是表示由本发明的第7实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图(之一)。
图21是表示由本发明的第7实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图(之二)。
图22是表示由本发明的第7实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图(之三)。
具体实施例方式
(第1实施方式)对由本发明的第1实施方式得到的显示装置及其制造方法，使用图1至图4进行说明。图1是表示由本实施方式得到的显示装置的结构的概略图，图2是表示使用了有机电致发光元件的底部发光型的显示装置的结构的概略图，图3和图4是表示由本实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图。
首先，使用图1对由本实施方式得到的显示装置的结构进行说明。图1A是表示由本实施方式得到的显示装置的结构的平面图，图1B是图1A的X-X′线剖面图。由本实施方式得到的显示装置是具有在绝缘性基板上形成的有机电致发光元件的无源矩阵型的显示装置。另外，图1是表示1个像素部分的结构，而在实际中多个像素被配置为矩阵状。
如图1B所示，在由玻璃基板构成的绝缘性基板10上形成由具有光反射性的Al膜构成的光反射膜12。在光反射膜12上形成由具有光透射性的ITO膜构成的透明导电膜14。另外，在本说明书中，所谓「具有光反射性」，是指光的反射率是50％以上、更优选是80％以上。另外，所谓「具有光透射性」，是指光的透射率是50％以上、更优选是80％以上。这样，在绝缘性基板10上形成具有光反射膜12和透明导电膜14的阳极16。在阳极16上形成依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层而成的有机电致发光层18。在有机电致发光层18上形成由具有光透射性的Al/ITO层叠膜构成的阴极20。这样，在绝缘性基板10上形成具有阳极16、有机电致发光层18和阴极20的有机电致发光元件。
如图1A所示，阳极16在绝缘性基板10上沿规定方向(图1A中的上下方向)延伸地形成。透明导电膜14比光反射膜12更宽地形成。由此，光反射膜12被透明导电膜14覆盖。阴极20是在形成了阳极16的绝缘性基板10上沿与阳极16正交的方向(图1A中的左右方向)延伸地形成。在这些阳极16和阴极20交叉的区域的两者之间，有机电致发光层18以比交叉区域更宽的矩形形状形成。这样，构成形成了具有上述结构的有机电致发光元件的像素区域。
由本实施方式得到的显示装置的主要特征是，在有机电致发光元件中阳极16包含具有光反射性的光反射膜12和具有光透射性的透明导电膜14，光反射膜12被透明导电膜14覆盖。
在由本实施方式得到的显示装置中，电子从阴极20注入到有机电致发光层18中，空穴从阳极16的透明导电膜14注入到有机电致发光层18中。注入的电子由电子输送层输送到发光层，注入的空穴由空穴输送层输送到发光层。这样，输送到发光层的电子和空穴通过在发光层中再结合而产生光。在发光层中产生的光由光反射膜12反射到阴极20一侧，而从具有光透射性的阴极20一侧被取出。
这样，由本实施方式得到的显示装置由于光反射膜12的存在，而成为从与绝缘性基板10相反一侧的阴极20一侧取出光的顶部发光型。因此，在绝缘性基板10和有机电致发光元件之间形成其它元件时，变成从其它元件形成的区域也能够取出光。即，有机电致发光元件的发光面积不受其它元件限制，可以实现高发光效率。例如，在形成了薄膜晶体管等开关元件的绝缘性基板上，隔着层间绝缘膜形成有机电致发光元件时，发光面积不受开关元件限制，可以实现高发光效率。
相对由这样的顶部发光型的本实施方式得到的显示装置，在图2中所示的显示装置是使用了有机电致发光元件的底部发光型的显示装置。图2A是表示使用了有机电致发光元件的底部发光型显示装置的结构的平面图，图2B是图2A的X-X′线剖面图。另外，图2是表示1个像素部分的结构，而在实际中多个像素被配置为矩阵状。
如图2所示，在由玻璃基板构成的绝缘性基板100上形成由ITO膜构成的透明阳极102。在阳极102上形成有依次层叠空穴输送层、发光层和电子输送层而成的有机电致发光层104。在有机电致发光层104上形成由Al膜和Mg-Ag合金膜等构成的阴极106。这样，在绝缘性基板100上形成具有阳极102、有机电致发光层104和阴极106的有机电致发光元件。
在图2所示的底部发光型显示装置中，在有机电致发光层104中产生的光从绝缘性基板100一侧被取出。因此，在绝缘性基板10和有机电致发光元件之间形成开关元件等其它元件时，有机电致发光元件的发光面积被其它元件限制，象由本实施方式得到的显示装置那样地实现高发光效率是困难的。
另外，对于由本实施方式得到的显示装置来说，在阳极16中，由Al膜构成的光反射膜12被由ITO膜构成的透明导电膜14覆盖以使得其表面不露出。由此，在制造工序中将ITO膜布图时，可以防止由Al膜构成的光反射膜12被腐蚀。即，因为在ITO膜的布图中使用了碱性的显影液，因此若将Al膜表面露出、并将Al膜和ITO膜两者暴露至显影液中，则由于电池效应而往往将Al膜腐蚀。在由本实施方式得到的显示装置中，因为以覆盖由Al膜构成的光反射膜12的方式形成由ITO膜构成的透明导电膜14，所以可以防止由这样的电池效应产生的对光反射膜12的腐蚀。
另外，在由Al膜构成的光反射膜12和由ITO膜构成的透明导电膜14之间，有对有机电致发光元件施加驱动电压时由于发热等而产生金属须的情况。这样的金属须可能成为电极之间短路的原因之一。但是，在由本实施方式得到的显示装置中，因为以覆盖由Al膜构成的光反射膜12的方式形成由ITO膜构成的透明导电膜14，所以可以防止由金属须产生的阳极16和阴极20之间的短路。
另外，Al膜具有比以往使用的Cr膜更高的反射率，所以适合作为有机电致发光元件的光反射膜。另一方面，使用Al膜作为光反射膜时，产生上述那样的问题。由本实施方式得到的显示装置通过以覆盖Al膜的方式形成ITO膜，可以在没有伴随产生腐蚀和在电极之间发生短路等缺陷的情况下实现比以往高的发光效率。
另外，有机电致发光层18与以往的有机电致发光元件同样地在由ITO膜构成的透明导电膜14上形成。因此，作为有机电致发光层18，可以原样地使用与以往的有机电致发光元件具有同样的材料和结构的有机电致发光层，而构成具有高发光效率的顶部发光型的显示装置。
接着，使用图3和图4对由本实施方式得到的显示装置的制造方法进行说明。
首先，在由玻璃基板构成的绝缘性基板10上例如通过溅射法形成例如膜厚为150nm的Al膜22(参照图3A)。
接着，通过照相平版印刷法和蚀刻法将Al膜22布图为规定形状。这样，在绝缘性基板10上形成由Al膜22构成的光反射膜12(参照图3B)。
接着，在形成了光反射膜12的绝缘性基板10上例如通过溅射法形成例如膜厚为70nm的ITO膜24(参照图3C)。
接着，通过照相平版印刷法和蚀刻法将ITO膜24布图为规定形状。此时，将ITO膜24布图为覆盖光反射膜12的形状和大小以使得光反射膜12的表面不露出。这样，形成由ITO膜24构成的透明导电膜14(参照图4A)。在将ITO膜24布图的期间，因为ITO膜24下的由Al膜22构成的光反射膜12的表面不露出，所以可以防止由电池效应产生的光反射膜12的腐蚀。
接着，在形成了具有光反射膜12和透明导电膜14的阳极16的绝缘性基板10上，例如通过真空蒸镀法，利用被开口为规定大小的蒸镀掩模，依次形成例如膜厚为40nm的2-TNATA(4，4’，4”-三(2-萘基苯氨基)三苯基胺)膜、和例如膜厚为10nm的α-NPD(N，N’-二萘基-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺)膜、和例如掺杂了少量的t(npa)py(1，3，6，8-四(N-萘基-N’-苯氨基)芘)的例如膜厚为30nm的Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)膜、和例如膜厚为20nm的Alq3膜、和例如0.5nm的LiF膜。
这样，形成具有由2-TNATA膜构成的空穴注入层、和由α-NPD构成的空穴输送层、和由掺杂了t(npa)py的Alq3膜构成的发光层、和由Alq3膜构成的电子输送层、和由LiF膜构成的电子注入层的有机电致发光层18(参照图4B)。
接着，在形成了有机电致发光层18的绝缘性基板10上，例如由真空蒸镀法和溅射法，利用被开口为规定形状的掩模，依次形成例如膜厚为10nm的Al膜和例如膜厚为30nm的ITO膜，从而形成Al/ITO的层叠膜。
这样，形成由Al/ITO的层叠膜构成的阴极20(参照图4C)。
这样，制造出图1所示的显示装置。
这样，根据本实施方式，在使用了有机电致发光元件的显示装置中，因为阳极16包含具有光反射性的光反射膜12和具有光透射性的透明导电膜14，所以可以实现具有高发光效率的顶部发光型的显示装置。
另外，因为光反射膜12被透明导电膜14覆盖，所以可以抑制由光反射膜12的腐蚀和在光反射膜12与透明导电膜14之间产生的金属须等所引起的元件特性的劣化。
另外，因为有机电致发光层18和以往的有机电致发光元件同样地在透明导电膜14上形成，所以，作为有机电致发光层18，可以原样地使用与以往的有机电致发光元件具有同样的材料和结构的有机电致发光层。
(第2实施方式)对由本发明的第2实施方式得到的显示装置，使用图5至图7进行说明。图5是表示由本实施方式得到的显示装置的结构的概略图，图6和图7是表示由本实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图。另外，对与在图1、图3和图4中所示的由第1实施方式得到的显示装置及其制造方法同样的结构要素附注同一符号，并省略说明或简化说明。
由本实施方式得到的显示装置是与由第1实施方式得到的显示装置同样地具有在绝缘性基板上形成了有机电致发光元件的无源矩阵型的显示装置，其基本结构和由第1实施方式得到的显示装置相同。由本实施方式得到的显示装置，在确保光反射膜12和透明导电膜14之间的导通、从而能够从光反射膜12注入空穴的方面，与由第1实施方式得到的显示装置不同。
首先，使用图5对由本实施方式得到的显示装置的结构进行说明。图5A是表示由本实施方式得到的显示装置的结构的平面图，图5B是图5A的X-X′线剖面图。另外，图5是表示1个像素部分的结构的图，而在实际中多个像素被配置成为矩阵状。
如图5B所示，在由玻璃基板构成的绝缘性基板10上形成由具有光反射性的Al膜构成的光反射膜12。在光反射膜12的周边部分上形成由具有光反射性的Mo(钼)膜构成的介入膜30。在周边部分上形成了介入膜30的光反射膜12上，形成由具有光透射性的ITO膜构成的透明导电膜14。介入膜30是分别与光反射膜12和透明导电膜14电连接的膜，通过该介入膜30改善了透明导电膜14和光反射膜12的电连接，从而确保两者之间的导通。这样，在绝缘性基板10上形成具有光反射膜12、透明导电膜14和改善两者的电连接的介入膜30的阳极32。在阳极32上形成有依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、和电子注入层而成的有机电致发光层18。在有机电致发光层18上形成由具有光透射性的Al/ITO层叠膜构成的阴极20。这样，在绝缘性基板10上形成具有阳极32、有机电致发光层18和阴极20的有机电致发光元件。
如图5A所示，阳极32在绝缘性基板10上沿规定的方向(图5A中的上下方向)延伸地形成。介入膜30在光反射膜12的周边部分上以框状形成。透明导电膜14比形成了介入膜30的光反射膜12更宽地形成。由此，形成了介入膜30的光反射膜12被透明导电膜14覆盖。阴极20在形成了阳极16的绝缘性基板10上沿与阳极16正交的方向(图5A中的左右方向)延伸地形成。在这些阳极32和阴极20交叉的区域的两者之间，有机电致发光层18被形成为比交叉区域更宽的矩形形状。这样，构成了形成了具有上述结构的有机电致发光元件的像素区域。
由本实施方式得到的显示装置的主要特征是，在有机电致发光元件中阳极32包含具有光反射性的光反射膜12、在光反射膜12的周边部分上形成的分别与光反射膜12和在光反射膜12上形成的透明导电膜14电连接，从而用于确保两者之间导通的介入膜30、和在周边部分上形成了介入膜30的光反射膜12上形成的具有光透射性的透明导电膜14，其中光反射膜12被透明导电膜14覆盖。
因为Al膜和ITO膜的电连接不良，所以在由第1实施方式得到的显示装置中，在阳极16中，有不能充分确保由Al膜构成的光反射膜12和由ITO膜构成的透明导电膜14之间的导通的情况。
在由本实施方式得到的显示装置中，阳极32的周边部分成为Al/Mo/ITO的结构。因此，通过由分别与Al膜和ITO膜电连接的Mo膜构成的介入膜30，改善由Al膜构成的光反射膜12和由ITO膜构成的透明导电膜14之间的电连接，从而确保两者之间的导通。因此，可以从光反射膜12向有机电致发光层18中注入空穴。另外，因为介入膜30在光反射膜12的周边部分上形成，所以可以通过比介入膜30的反射率更高的光反射膜12将在有机电致发光层18的发光层中产生的光充分地反射到阴极20一侧。
另外，因为以覆盖在周边部分上形成了介入膜30的光反射膜12的方式形成透明导电膜14，所以和由第1实施方式得到的显示装置同样地可以防止光反射膜12的腐蚀。另外，可以防止由施加驱动电压时产生的发热等在光反射膜12和透明导电膜14之间产生的金属须所引起的阳极32和阴极20之间的短路。另外，作为有机电致发光层18，可以原样地使用以往的有机电致发光元件的有机电致发光层。
接着，使用图6和图7对由本实施方式得到的显示装置的制造方法进行说明。
首先，在由玻璃基板构成的绝缘性基板10上，例如由溅射法形成例如膜厚为150nm的Al膜22。
接着，在Al膜22上，例如通过溅射法形成例如膜厚为10nm的Mo膜34(参照图6A)。
接着，在Mo膜34上，例如由旋转涂布法形成抗蚀剂膜36。此后，通过使用照相平版印刷法、将抗蚀剂膜36形成图案(布图)，以覆盖应该使Al膜22残留的光反射膜12的预定形成区域的方式使抗蚀剂膜36残留。此时，覆盖应该使Mo膜34残留的介入膜30的预定形成区域的抗蚀剂膜36的周边部分的膜厚是厚的，为了除去Mo膜34、并覆盖应该使Al膜22残留的区域的抗蚀剂膜36的周边部分以外的部分的膜厚变薄，使抗蚀剂膜36残留(参照图6B)。
上述抗蚀剂膜36的膜厚厚薄的设定可以以例如在照相平版印刷法中使用的掩模调整曝光量来进行。具体地说，例如在照相平版印刷法中使用的掩模中，将覆盖应该使Mo膜34残留的介入膜30的预定形成区域的抗蚀剂膜36曝光的部分设定为通常的开口，另一方面，将除去Mo膜34、并覆盖应该使Al膜22残留的区域的抗蚀剂膜36曝光的部分设定为狭缝状。若使用这样的掩模将抗蚀剂膜36显影，则将除去Mo膜34并覆盖应该使Al膜22残留的区域的抗蚀剂膜36，与覆盖预定形成介入膜30的区域的抗蚀剂膜36相比较，就变得曝光不充分。这样，通过部分地变化抗蚀剂膜36的曝光量而进行显影，可以对抗蚀剂膜36的膜厚设定厚薄。
接着，以对膜厚设定了厚薄的抗蚀剂膜36作为掩模，通过例如湿法蚀刻法除去阳极32的形成区域以外的不要的Al膜22、Mo膜34(参照图6C)。在湿法蚀刻中，可以使用例如混合了磷酸、硝酸、醋酸、和水的蚀刻液。
接着，通过例如抛光处理对抗蚀剂膜36进行干式蚀刻，将除去Mo膜34、并覆盖应该使Al膜22残留的区域的抗蚀剂膜36的膜厚薄的部分除去，在抗蚀剂膜36上形成开口部分38。另一方面，使覆盖介入膜30的预定形成区域的抗蚀剂膜36的膜厚厚的部分残留(参照图6D)。
接着，以形成了开口部分38的抗蚀剂膜36为掩模，通过例如湿法蚀刻除去在开口部分38的底部露出的Mo膜34。在湿法蚀刻中，可以和在图6C中除去不要的Mo膜34和Al膜22时同样地使用例如混合了磷酸、硝酸、醋酸和水的蚀刻液。
接着，除去作为掩模使用的抗蚀剂膜36。
这样，形成由Al膜22构成的光反射膜12和在光反射膜12的周边部分上形成的由Mo膜34构成的介入膜30(参照图7A)。
接着，在形成了光反射膜12和介入膜30的绝缘性基板10上，由例如溅射法形成例如膜厚为70nm的ITO膜24(参照图7B)。
接着，通过照相平版印刷法和蚀刻法，将ITO膜24布图为规定的形状。此时，将ITO膜24布图为覆盖光反射膜12的形状和大小以使得在周边部分上形成了介入膜30的光反射膜12的表面不露出。这样，形成由ITO膜24构成的透明导电膜14(参照图7C)。
以后，按照与在图4B和图4C中所示的由第1实施方式得到的显示装置的制造方法进行同样的操作，分别形成有机电致发光层18、阴极20，制造出在图5中所示的由本实施方式得到的显示装置。
这样，根据本实施方式，在使用了有机电致发光元件的显示装置中，因为阳极32包含具有光反射性的光反射膜12、和具有光透射性的透明导电膜14，所以可以实现具有高发光效率的顶部发光型的显示装置。
另外，因为光反射膜12被透明导电膜14覆盖，所以可以抑制由光反射膜12的腐蚀和在光反射膜12与透明导电膜14之间产生的金属须等所引起的元件特性的劣化。
在光反射膜12的周边部分上形成分别与光反射膜12和在光反射膜12上形成的透明导电膜14电连接、从而用于确保两者之间的导通的介入膜30，所以可以从光反射膜12将空穴注入至有机电致发光层18中。
另外，因为有机电致发光层18和以往的有机电致发光元件同样地在透明导电膜14上形成，所以作为有机电致发光层18，可以原样地使用与以往的有机电致发光元件具有同样的材料和结构的有机电致发光层。
(第3实施方式)使用图8对由本发明的第3实施方式得到的显示装置及其制造方法进行说明。图8是表示由本实施方式得到的显示装置的结构的概略图。另外，对与分别在图1和图5中表示的由第1和第2实施方式得到的显示装置同样的结构要素附注同一符号，并省略说明或简化说明。
由本实施方式得到的显示装置是在形成了在绝缘性基板上形成的有机电致发光元件的1个像素内，具有在有机电致发光层的发光层中产生的光从和绝缘性基板相反的阴极一侧取出的上面发光部分，和在有机电致发光层的发光层中产生的光从阴极一侧和绝缘性基板的两侧取出的两面发光部分的无源矩阵型的显示装置。
以下，使用图8对由本实施方式得到的显示装置的结构进行说明。图8A是表示由本实施方式得到的显示装置的结构的平面图、图8B是图8A的X-X′线剖面图、图8C是图8A的Y-Y′线剖面图。另外，图8是表示1个像素部分结构的图，而在实际中多个像素被配置为矩阵状。
如图8A所示，在由玻璃基板构成的绝缘性基板10上，与第1和第2实施方式得到的显示装置同样地形成透明导电膜14、有机电致发光层18和阴极20。透明导电膜14和阴极20交叉的像素区域，被与透明导电膜14的延伸方向正交的边界分割成为面积几乎相等的2个区域。在边界一侧的区域中，设置形成了具有光反射膜12和透明导电膜14的阳极32的上面发光部分40，在透明导电膜14下形成光反射膜12。在边界另一侧的区域中设置了未形成光反射膜12，而形成了由透明导电膜14构成的阳极42的两面发光部分44。
上面发光部分40具有在图8B中所示的截面结构。在图8B中所示的截面结构成为和由第2实施方式得到的显示装置同样的截面结构。即，在绝缘性基板10上形成由具有光反射性的Al膜构成的光反射膜12。在光反射膜12的周边部分上形成由具有光反射性的Mo膜构成的介入膜30。在周边部分上形成了介入膜30的光反射膜12上形成由具有光透射性的ITO膜构成的透明导电膜14。介入膜30分别与光反射膜12和透明导电膜14电连接，通过该介入膜30使得透明导电膜14和光反射膜12的电连接得到改善，从而确保两者之间的导通。这样，在绝缘性基板10上形成具有光反射膜12、透明导电膜14和改善两者电连接的介入膜30的阳极32。在阳极32上形成有依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、和电子注入层而成的有机电致发光层18。在有机电致发光层18上形成由具有光透射性的Al/ITO层叠膜构成的阴极20。这样，在上面发光部分40中的绝缘性基板10上形成包含具有光反射膜12的阳极32、有机电致发光层18和阴极20的有机电致发光元件。在上面发光部分40中，在有机电致发光层18中产生的光由光反射膜12反射到阴极20一侧，从具有光透射性的阴极20一侧取出。
两面发光部分44具有图8C中所示的截面结构。即，在绝缘性基板10上形成由和上面发光部分40共用的透明导电膜14构成的阳极42。和上面发光部分40不同、在两面发光部分44中，未形成光反射膜12、而在绝缘性基板10上直接形成透明导电膜14。在阳极42上形成和上面发光部分40共用的有机电致发光层18。在有机电致发光层18上形成和上面发光部分40共用的具有光透射性的阴极20。这样，在两面发光部分44中的绝缘性基板10上，形成具有阳极42、有机电致发光层18和阴极20的有机电致发光元件。在两面发光部分44中，在有机电致发光层18中产生的光，在不形成光反射膜12的情况下从阴极20一侧和绝缘性基板10一侧这两侧取出。
这样，通过在同一像素内设置形成了光反射膜12的区域和未形成光反射膜12的区域，即在阳极32、42中共用的透明导电膜14和阴极20重叠的发光区域部分地形成光反射膜12，可以在同一像素内设置上面发光型的区域和两面发光型的区域。
另外，在本实施方式中，将上面发光部分40和两面发光部分44制成为几乎相互同样的形状，但两个发光部分40、44的形状不限于这些。通过适当变更在同一像素内部分地形成的光反射膜12的形状，可以将两个发光部分40、44的形状设定为所希望的形状。由此，根据显示装置的用途、功能等，能够将亮度等发光特性设定为所希望的程度。
另外，在本实施方式中，在上面发光部分40中，使用和由第2实施方式得到的显示装置同样的阳极32，但也可以在上面发光部分40中使用和由未形成介入膜30的由第1实施方式得到的显示装置同样的阳极16。
另外，在本实施方式中，在同一像素中部分地形成光反射膜12，但对配置为矩阵状的多个像素，可以设置形成了光反射膜12的像素和未形成光反射膜12的像素，也可以使上面发光型的像素和两面发光型的像素混合存在。
(第4实施方式)使用图9对由本发明的第4实施方式得到的显示装置及其制造方法进行说明。图9是表示由本实施方式得到的显示装置的结构的剖面图。另外，对与在图1、图3和图4中所示的由第1实施方式得到的显示装置及其制造方法同样的结构要素附注同一符号，并省略说明或简化说明。
由本实施方式得到的显示装置的主要特征是，在由第1实施方式得到的显示装置中，在绝缘性基板10的表面上形成光滑的凹凸。
即，如图9所示，在由玻璃基板构成的绝缘性基板10的表面上形成光滑的凹凸。在表面形成了光滑的凹凸的绝缘性基板10上，和由第1实施方式得到的显示装置同样地形成具有光反射膜12和透明导电膜14的阳极16、有机电致发光层18和阴极20。
在由本实施方式得到的显示装置中，通过在绝缘性基板10的表面上形成的光滑的凹凸，在绝缘性基板10上形成的阳极16、有机电致发光层18和阴极20的面积相比于在未形成凹凸的平坦表面的绝缘性基板10上形成时变大。由此，可以进一步提高发光效率。
在绝缘性基板10的表面形成凹凸的方法，可以使用以下所述的方法。
例如，通过使用硫酸等溶液对绝缘性基板10的表面进行蚀刻，可以在绝缘性基板10的表面上直接形成凹凸。
或者，以树脂等涂布绝缘性基板10后，使用曝光法在绝缘性基板10上形成由树脂等构成的规定图案，由此在绝缘性基板10的表面上可以形成通过树脂等的有无而产生的凹凸。
由本实施方式得到的显示装置，在使用上述的方法在绝缘性基板10的表面形成光滑的凹凸后，可以按照与图3A至图3C以及图4A至图4C所示的由第1实施方式得到的显示装置的制造方法同样的步骤进行制造。
这样，根据本实施方式，因为在形成有机电致发光元件的绝缘性基板10的表面形成光滑的凹凸，所以可以进一步提高发光效率。
另外，在本实施方式中，对在由第1实施方式得到的显示装置中在绝缘性基板10的表面形成光滑的凹凸的情况进行了说明，但对于由第2和第3实施方式得到的显示装置，通过与上述同样地在绝缘性基板10的表面形成光滑的凹凸，也可以进一步提高发光效率。
(第5实施方式)使用图10至图13对由本发明的第5实施方式得到的显示装置及其制造方法进行说明。图10是表示由本实施方式得到的显示装置的结构的剖面图，图11是表示在使用了有机电致发光元件的同时还使用了薄膜晶体管作为开关元件的底部发光型显示装置的结构的1个例子的剖面图，图12和图13是表示由本实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图。另外，对与在图5至图7所示的由第2实施方式得到的显示装置及其制造方法同样的结构要素附注同一符号，并省略说明或简化说明。
由本实施方式得到的显示装置是在设置与由第2实施方式得到的显示装置同样的有机电致发光元件的同时，还设置薄膜晶体管作为开关元件，并由该薄膜晶体管对施加在有机电致发光元件上的驱动电压进行控制的有源矩阵型的显示装置。以下，使用图10对由本实施方式得到的显示装置的结构进行说明。另外，图10是表示1个像素部分的结构，而在实际中多个像素被配置为矩阵状。
在由玻璃基板构成的绝缘性基板10上形成由硅氧化膜构成的缓冲层46。在缓冲层46上形成由多晶硅膜构成的通道层48。在通道层48上隔着由硅氧化膜构成的栅绝缘膜50而形成栅极52。在栅极52两侧的通道层48中，分别形成源区域54和漏区域56。这样，在绝缘性基板10上具有栅极52、在通道层48中形成的源区域54和漏区域56，并形成对施加在有机电致发光元件上的驱动电压进行控制的薄膜晶体管。
在形成了薄膜晶体管的绝缘性基板10上形成层间绝缘膜58。在层间绝缘膜58上，分别形成通过接触孔60与源区域54连接的源极62和通过接触孔64与漏区域56连接的漏极66。
在形成了源极62和漏极66的层间绝缘膜58上形成层间绝缘膜68。在层间绝缘膜68中，形成到达源极62的接触孔70。
在形成了接触孔70的层间绝缘膜68上，在包含接触孔70的区域中形成由具有光反射性的Al膜构成的光反射膜12。在光反射膜12的周边部分上形成了由具有光反射性的Mo膜构成的介入膜30。在周边部分上形成了介入膜30的光反射膜12上形成由具有光透射性的ITO膜构成的透明导电膜14。介入膜30分别与光反射膜12和透明导电膜14电连接，通过介入膜30，使得透明导电膜14和光反射膜12的电连接被改善，从而确保两者之间的导通。这样，在层间绝缘膜68上形成具有光反射膜12、透明导电膜14和用于确保两者之间导通的介入膜30的阳极32。阳极32通过在层间绝缘膜68上形成的接触孔70而与薄膜晶体管的源极62电连接。
在阳极32上形成有依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层而成的有机电致发光层18。在有机电致发光层18上形成由具有光透射性的Al/ITO层叠膜构成的阴极20。这样，在层间绝缘膜68上形成具有阳极32、有机电致发光层18和阴极20的有机电致发光元件。
由本实施方式得到的显示装置通过光反射膜12的存在，而成为从与绝缘性基板10相反一侧的阴极20一侧取出光的顶部发光型。因此，发光面积不受绝缘性基板10上形成的薄膜晶体管的限制，可以实现高发光效率。
相对这样的顶部发光型的由本实施方式得到的显示装置，在图11中所示的显示装置是在使用了有机电致发光元件的同时，还使用了薄膜晶体管作为开关元件的底部发光型的显示装置。另外，图11是表示1个像素部分的结构，而在实际中多个像素被配置为矩阵状。
如图11所示，在由玻璃基板构成的绝缘性基板100上形成缓冲层108。在缓冲层108上形成通道层110。在通道层110上隔着栅绝缘膜112形成栅极114。在栅极114两侧的通道层110中分别形成源区域116和漏区域118。这样，在绝缘性基板110上形成具有栅极114、在通道层110中形成的源区域116和漏区域118的薄膜晶体管。
在形成了薄膜晶体管的绝缘性基板100上形成层间绝缘膜120。在层间绝缘膜120上分别形成通过接触孔122与源区域116连接的源极124和通过接触孔126与漏区域118连接的漏极128。
在形成了源极124和漏极128的层间绝缘膜120上形成层间绝缘膜130。在层间绝缘膜130中形成到达源极124的接触孔132。
在形成了接触孔132的层间绝缘膜130上，在包含接触孔132的区域中形成具有由ITO膜构成的阳极102、有机电致发光层104、以及由Al膜和Mg-Ag合金膜等构成的阴极106的有机电致发光元件。阳极102通过在层间绝缘膜130中形成的接触孔132而与薄膜晶体管的源极124电连接。
在图11所示的底部发光型的显示装置中，在有机电致发光层104中产生的光从绝缘性基板100一侧取出。因此，通过在绝缘性基板10和有机电致发光元件之间形成的薄膜晶体管，有机电致发光元件的发光面积被限制，难以实现象由本实施方式得到的显示装置那样的高发光效率。
另外，由本实施方式得到的显示装置，因为具有和由第2实施方式得到的显示装置同样结构的阳极32，所以，通过介入膜30，使得由Al膜构成的光反射膜12和由ITO膜构成的透明导电膜14的电连接得以改善，从而确保两者之间的导通。由此，可以从与薄膜晶体管的源极62电连接的光反射膜12向有机电致发光层18中注入空穴。另外，因为以覆盖在周边部分上形成了介入膜30的光反射膜12的方式形成透明导电膜14，所以可以防止光反射膜12的腐蚀。另外，可以防止由于施加驱动电压时的发热等而引起在光反射膜12和透明导电膜14之间产生的金属须在阳极32和阴极20之间产生短路。另外，作为有机电致发光层18，可以原样地使用与以往的有机电致发光元件的有机电致发光层具有同样的材料和结构的有机电致发光层。
接着，使用图12和图13对由本实施方式得到的显示装置的制造方法进行说明。
首先，在由玻璃基板构成的绝缘性基板10上，例如由CVD法、形成例如由膜厚为300nm的硅氧化膜形成的缓冲层46。
接着，在缓冲层46上例如通过CVD法形成例如膜厚为40nm的多晶硅膜。另外，也可以代替多晶硅膜而形成无定形硅膜、由激光退火法等将其结晶化而形成多晶硅膜。
接着，通过照相平版印刷法和干式蚀刻法将多晶硅膜布图，从而形成由多晶硅膜构成的通道层48(参照图12A)。
接着，在形成了通道层48的缓冲层46上例如由CVD法形成例如膜厚为100nm的硅氧化膜。
接着，通过例如溅射法形成例如膜厚为300nm的AlNd(铝-钕合金)膜。
接着，通过照相平版印刷法和干式蚀刻法，将硅氧化膜和AlNd膜布图，在通道层48上形成由硅氧化膜构成的栅绝缘膜50和由AlNd膜构成的栅极52。
接着，以栅极52为掩模，例如通过离子注入法注入磷离子，在栅极52两侧的通道层48中分别形成源区域54和漏区域56。
这样，在绝缘性基板10上形成具有栅极52、在通道层48上形成的源区域54和漏区域56的薄膜晶体管(参照图12B)。
接着，在形成了薄膜晶体管的绝缘性基板10上通过例如CVD法、形成由例如膜厚为300nm的硅氮化膜构成的层间绝缘膜58。
接着，通过照相平版印刷法和干式蚀刻法，在层间绝缘膜58中分别形成到达源区域54的接触孔60和到达漏区域56的接触孔64(参照图12C)。
接着，通过例如溅射法，在形成了接触孔60、64的层间绝缘膜58上形成例如膜厚为100nm/100nm/100nm的Ti(钛)/Al/Ti膜。
接着，通过照相平版印刷法和干式蚀刻法，对Ti/Al/Ti膜进行布图，分别形成由Ti/Al/Ti膜构成的源极62和漏极66(参照图13A)。
接着，通过例如CVD法在形成了源极62和漏极66的层间绝缘膜58上形成例如膜厚为3.0μm的由感光性树脂构成的层间绝缘膜68。
接着，通过平版印刷法，在层间绝缘膜68上形成到达源极62的接触孔70(参照图13B)。
接着，在形成了接触孔70的层间绝缘膜68上，通过与由第2实施方式得到的显示装置的制造方法进行同样的操作，形成通过接触孔70与源极62连接的阳极32、有机电致发光层18和阴极20(参照图13C)。
这样，制造成如图10所示的由本实施方式得到的显示装置。
这样，根据本实施方式，在使用了有机电致发光元件的有源矩阵型的显示装置中，因为阳极32包含具有光反射性的光反射膜12、和具有光透射性的透明导电膜14，所以不受在有机电致发光元件下形成的薄膜晶体管的限制，可以实现具有高发光效率的顶部发光型的显示装置。
另外，因为光反射膜12被透明导电膜14覆盖，所以可以抑制由光反射膜12的腐蚀、和在光反射膜12和透明导电膜14之间产生的金属须等所引起的元件特性的劣化。
另外，在光反射膜12的周边部分上形成用于分别与光反射膜12和在光反射膜12上形成的透明导电膜14电连接、从而确保两者之间导通的介入膜30，所以可以从与薄膜晶体管的源极62电连接的光反射膜12向有机电致发光层18中注入空穴。
另外，有机电致发光层18和以往的有机电致发光元件同样地在透明导电膜14上形成，所以作为有机电致发光层18，可以原样地使用与以往的有机电致发光元件具有同样的材料和结构的有机电致发光层。
另外，在本实施方式中，在层间绝缘膜68上形成和由第2实施方式得到的显示装置同样的有机电致发光元件，也可以形成和由第1或第3实施方式得到的显示装置同样的有机电致发光元件。另外，在由第1实施方式得到的显示装置那样不在光反射膜12和透明导电膜14之间形成介入膜时，优选的是，通过在到达源极62的接触孔70内不埋入光反射膜12等的手段，使得透明导电膜14与源极62直接连接。
另外，在由第4实施方式得到的显示装置中，和在绝缘性基板10的表面形成光滑的凹凸时同样地在层间绝缘膜68的表面形成光滑的凹凸，在形成光滑的凹凸的层间绝缘膜68上也可以形成有机电致发光元件。
(第6实施方式)使用图14至图18对由本发明的第6实施方式得到的显示装置进行说明。图14是表示由本实施方式得到的显示装置的结构的剖面图；图15是表示由本实施方式得到的显示装置的特性的图表；图16是表示使用了Cr膜作为阳极的显示装置的结构的剖面图；图17和图18是表示由本实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图。另外，对与在图1、图3和图4中所示的由第1实施方式得到的显示装置及其制造方法同样的结构要素附注同一符号，并省略说明或简化说明。
由本实施方式得到的显示装置是与由第1实施方式得到的显示装置同样地具有在绝缘性基板上形成的有机电致发光元件的无源矩阵型的显示装置，其基本结构和由第1实施方式得到的显示装置相同。由本实施方式得到的显示装置在通过在光反射膜上隔着具有光透射性的绝缘层形成由透明导电膜构成的阳极方面、和由第1实施方式得到的显示装置不同。
首先，使用图14对由本实施方式得到的显示装置的结构进行说明。另外，图14是显示1个像素部分的结构，而在实际中多个像素被配置为矩阵状。
如图14所示，在由玻璃基板构成的绝缘性基板10上形成由具有光反射性的Al膜构成的光反射膜72。光反射膜72可以在每个像素中形成为具有规定的形状，也可以是在排列了像素的显示区域的整个表面上形成。
在光反射膜72上形成由具有光透射性的感光性树脂构成的绝缘层74。作为是绝缘层74的材料的感光性树脂，可以使用例如丙烯酸类树脂。绝缘层74以覆盖光反射膜72的方式形成，以使得光反射膜72的表面不露出。
在绝缘膜74上形成由具有光透射性的ITO的透明导电膜构成的阳极76。在阳极76上形成有依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层而成的有机电致发光层18。在有机电致发光层18上形成有依次层叠具有以薄的膜厚形成的具有光透射性的Al膜、以薄的膜厚形成的具有光透射性的Ag膜和由具有光透射性的ITO膜构成的透明导电膜而成的阴极20。这样，在绝缘性基板10上隔着光反射膜72和绝缘层74而形成具有阳极76、有机电致发光层18和阴极20的有机电致发光元件。
在由本实施方式得到的显示装置中，从阴极20向有机电致发光层18中注入电子、从阳极76向有机电致发光层18中注入空穴。注入的电子由电子输送层输送到发光层、注入的空穴由空穴输送层输送到发光层。这样，通过输送到发光层的电子和空穴在发光层中再结合而产生发光。在发光层中产生的光在阳极76一侧和阴极20一侧放出。在阳极76一侧放出的光通过具有光透射性的绝缘层74、由光反射膜72反射到阴极20一侧，并通过绝缘层74、阳极76和有机电致发光层18而从具有光透射性的阴极20一侧被取出。在阴极20一侧放出的光原样地从具有光透射性的阴极20一侧被取出。这样，在发光层中产生的光从具有光透射性的阴极20一侧被取出。
这样，由本实施方式得到的显示装置通过在由透明导电膜构成的阳极76下隔着绝缘层74而形成的光反射膜72的存在，成为从和绝缘性基板10相反一侧的阴极20一侧取出光的顶部发光型。因此，和由第1实施方式得到的显示装置同样地在绝缘性基板10和有机电致发光元件之间形成了其它元件时，也可以从形成了其它元件的区域取出光。即，有机电致发光元件的发光面积不受其它元件的限制，可以实现高发光效率。
另外，在光反射膜72下形成其它元件时，也可以比由阳极76和阴极20重叠的发光区域更宽地形成光反射膜72。这样，通过更宽地形成光反射膜72，可以抑制机电致发光元件的发光对其它元件特性的影响。
另外，在阳极76和光反射膜72之间形成的具有光透射性的绝缘层74的膜厚优选设定在1μm以上。这是因为，若将绝缘层74的膜厚设定为小于1μm，由光干涉的影响产生的减光就由绝缘层74引起，不能得到充分的发光效率。
图15是对由本实施方式得到的显示装置和使用在图16中所示的由Cr膜构成的阳极的显示装置，变化在有机电致发光层中注入的电流密度并测定亮度，从而比较两个显示装置的特性的结果的图表。在图15中所示图表的横坐标表示在有机电致发光层中注入的电流密度，纵坐标表示被测定的显示装置的亮度。另外，在图15所示的图表中，以●所示的曲线表示对由本实施方式得到的显示装置进行测定而得到的结果，以○所示的曲线表示对使用了由图16所示的Cr膜构成的阳极的显示装置进行测定而得到的结果。
在由本实施方式得到的显示装置中，使用膜厚为100nm的Al膜作为光反射膜72，使用膜厚为3.0μm的丙烯酸类树脂层作为绝缘层74，使用膜厚70nm的ITO膜作为阳极76。另外，作为有机电致发光层18，使用依次层叠由膜厚为140nm的2-TNATA膜构成的空穴注入层、由膜厚为10nm的α-NPD膜构成的空穴输送层、由掺杂了少量t(npa)py的膜厚为30nm的Alq3膜构成的发光层、由膜厚为20nm的Alq3膜构成的电子输送层和由0.5nm的LiF膜构成的电子注入层而成的层。另外，作为阴极20，使用依次层叠膜厚为1.5nm的Al膜、膜厚为15nm的Ag膜和膜厚为35nm的ITO膜而成的电极。
在比较了由本实施方式得到的显示装置和特性的图16中所示的显示装置是，阳极使用Cr膜的顶部发光型的显示装置。如图所示，在由玻璃基板构成的绝缘性基板100上形成由Cr膜构成的阳极134。在阳极134上形成有机电致发光层104。在有机电致发光层104上形成阴极106。除了在绝缘性基板100上直接形成阳极134、和阳极134使用Cr膜以外，关于有机电致发光层104、阴极106的材料和结构，和比较了特性的由本实施方式得到的显示装置同样。
如从图15所示的图表可知，在同一电流注入密度下，由本实施方式得到的显示装置可以得到图16中所示的阳极134使用Cr膜的显示装置时的2倍左右的亮度。因此，根据在由透明导电膜构成的阳极76下隔着具有光透射性的绝缘层74而形成了光反射膜72的由本实施方式得到的显示装置，和阳极只使用Cr膜时相比，可以说能够有效地提高发光效率。
另外，和由第1实施方式得到的显示装置同样地，在由本实施方式得到的显示装置中，有机电致发光层18和以往的有机电致发光元件同样地在由透明导电膜构成的阳极76上形成。因此，作为有机电致发光层18，可以原样地使用与以往的有机电致发光元件具有同样的材料和结构的有机电致发光层，而构成具有高发光效率的顶部发光型的显示装置。
另外，由本实施方式得到的显示装置在由透明导电膜构成的阳极76和由Al膜构成的光反射膜72之间夹有绝缘层74，光反射膜72被绝缘层74覆盖以使得其表面不露出。因此，在和由第1实施方式得到的显示装置同样地在制造工序中将ITO膜布图时，可以防止由Al膜构成的光反射膜72的由电池效应产生的腐蚀。
另外，在由Al膜构成的光反射膜72和由透明导电膜构成的阳极76之间形成有绝缘层74。因此，正如使用在Al膜上直接形成了ITO膜而得到的阳极时那样，不会由于对有机电致发光元件施加驱动电压时的发热等而产生成为电极之间短路原因的金属须。
接着，使用图17和图18对由本实施方式得到的显示装置的制造方法进行说明。
首先，在由玻璃基板构成的绝缘性基板10上，通过例如溅射法，形成例如膜厚为150nm的Al膜。根据需要，可以通过照相凹版印刷和蚀刻，将Al膜在每个像素中布图为规定的形状，或者也可以在成为排列了像素的显示区域的绝缘性基板10的整个表面上使Al膜残留。这样，在绝缘性基板10上形成由Al膜构成的光反射膜72(参照图17A)。
接着，在光反射膜72上，通过例如旋转涂布法涂布例如丙烯酸类的感光性树脂。接着，使用规定的掩模将涂布的感光性树脂曝光后，使用规定的显影液、将被曝光的感光性树脂显影。这样，通过照相凹版印刷而形成例如由膜厚为3.0μm的感光性树脂构成的绝缘层74(参照图17B)。这里，绝缘层74以覆盖光反射膜72的方式形成以使得光反射膜72的表面不会露出。
在本实施方式中，因为由感光性树脂形成绝缘层74，所以可以得到具有高平坦性的表面的绝缘层74，在平坦性高的表面上可以形成有机电致发光元件。
接着，在绝缘层74上例如通过溅射法形成例如膜厚为70nm的ITO膜78(参照图17C)。
接着，通过照相平版印刷法和蚀刻法将ITO膜78布图为规定的形状。这样，在绝缘层74上形成由ITO膜78构成的阳极76(参照图18A)。在将ITO膜78布图的期间，由Al膜构成的光反射膜72被绝缘层74覆盖，从而其表面不会露出。因此，可以防止由电池效应产生的光反射膜72的腐蚀。
接着，在形成了阳极76的绝缘层74上例如由真空蒸镀法通过被开口为规定大小的蒸镀掩模，依次形成例如膜厚为140nm的2-TNATA膜、例如膜厚为10nm的α-NPD膜、例如掺杂了少量t(npa)py的例如膜厚为30nm的Alq3膜、例如膜厚为20nm的Alq3膜和例如0.5nm的LiF膜。
这样，在阳极76上形成具有由2-TNATA膜构成的空穴注入层、由α-NPD膜构成的空穴输送层、由掺杂了t(npa)py的Alq3膜构成的发光层、由Alq3膜构成的电子输送层和由LiF膜构成的电子注入层的有机电致发光层18(参照图18B)。
接着，在有机电致发光层18上，通过真空蒸镀法和溅射法，利用被开口为规定形状的掩模，依次形成例如膜厚为1.5nm的Al膜、例如膜厚为15nm的Ag膜、和例如膜厚为35nm的ITO膜，形成Al/Ag/ITO层叠膜。
这样，形成由Al/Ag/ITO层叠膜构成的阴极20(参照图18C)。
这样，制造成在图14所示的显示装置。
这样，根据本实施方式，因为在使用了有机电致发光元件的显示装置中在由透明导电膜构成的阳极76下隔着具有光透射性的绝缘层74而形成具有光反射性的光反射膜72，所以可以实现具有高发光效率的顶部发光型的显示装置。
另外，因为光反射膜72被绝缘层74覆盖，所以可以抑制由光反射膜72的腐蚀等所引起的元件特性的劣化。
另外，因为有机电致发光层18与以往的有机电致发光元件同样地在由透明导电膜构成的阳极76上形成，所以作为有机电致发光层18，可以原样地使用与以往的有机电致发光元件具有同样的材料和结构的有机电致发光层。
另外，在由本实施方式得到的显示装置中，也和由第3实施方式得到的显示装置情况同样，在同一像素内设置形成了光反射膜72的区域和未形成光反射膜72的区域，即通过在阳极76和阴极20相重叠的发光区域中部分地形成光反射膜72，可以在同一像素内设置上面发光型的区域和两面发光型的区域。
另外，与由第4实施方式得到的显示装置情况同样地在绝缘性基板10的表面形成光滑的凹凸，在形成了光滑凹凸的绝缘性基板10上也可以形成光反射膜72、绝缘层74和有机电致发光元件。或者，也可以在绝缘层74的表面形成光滑的凹凸，并在形成了光滑凹凸的绝缘层74上形成有机电致发光元件。通过在绝缘性基板10或绝缘层74的表面上形成了的光滑的凹凸，与第4实施方式得到的显示装置同样地，阳极76、有机电致发光层18和阴极20的面积比在没有形成凹凸的平坦表面的绝缘性基板10上形成时变大，可以进一步提高发光效率。
(第7实施方式)使用图19至图22对由本发明的第7实施方式得到的显示装置进行说明。图19是表示由本实施方式得到的显示装置的结构的剖面图，图20至图22是表示由本实施方式得到的显示装置的制造方法的工序剖面图。另外，对与图10、图12至图14、图17和图18中所示的由第5和第6实施方式得到的显示装置及其制造方法同样的结构要素附注同一符号，并省略说明或简化说明。
由本实施方式得到的显示装置是设置与由第6实施方式得到的显示装置同样的有机电致发光元件，同时与由第5实施方式得到的显示装置同样地设置薄膜晶体管作为开关元件，并通过该薄膜晶体管对施加在有机电致发光元件上的驱动电压进行控制的有源矩阵型的显示装置。以下，使用图19对由本实施方式得到的显示装置的结构进行说明。另外，图19是表示1个像素部分的结构，而在实际中多个像素被配置为矩阵状。
在由玻璃基板构成的绝缘性基板10上，与由第5实施方式得到的显示装置同样地，隔着由硅氧化膜构成的缓冲层46，形成具有栅极52、在通道层48上形成的源区域54和漏区域56、并对施加在有机电致发光元件上的驱动电压进行控制的薄膜晶体管。
在形成了薄膜晶体管的绝缘性基板10上形成层间绝缘膜58。在层间绝缘膜58上分别形成通过接触孔60与源区域54连接的源极62，和通过接触孔64与漏区域56连接的漏极66。
在形成了源极62和漏极66的层间绝缘膜58上形成层间绝缘膜80。
在层间绝缘膜80上形成由具有光反射性的Al膜构成的光反射膜72。在光反射膜72中形成将层间绝缘膜80的薄膜晶体管上的区域露出的开口部分82。另外，在光反射膜72上形成的开口部分82不一定必须将形成了层间绝缘膜80的薄膜晶体管的区域露出，可以至少将层间绝缘膜80的源极62上的区域露出。形成了这样的开口部分82的光反射膜72，可以在每个像素中形成为具有规定的形状，也可以在排列了像素的显示区域的整个表面上形成。
在光反射膜72和从开口部分82露出的层间绝缘膜80上形成由具有光透射性的感光性树脂构成的绝缘层74。作为是绝缘层74的材料的感光性树脂，可以使用例如丙烯酸类树脂。绝缘层74以覆盖光反射膜72的方式形成以使得光反射膜72的表面不露出。
在绝缘层74和层间绝缘膜80中形成到达源极62的接触孔70。
在形成了接触孔70的绝缘层74上，在包含接触孔70的区域中形成由具有光透射性的ITO的透明导电膜构成的阳极76。阳极76通过在绝缘层74和层间绝缘膜80上形成的接触孔70而与薄膜晶体管的源极62电连接。
在阳极76上形成有依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、和电子注入层而成的有机电致发光层18。在有机电致发光层18上形成有依次层叠由以薄的膜厚形成的具有光透射性的Al膜、以薄的膜厚形成的具有光透射性的Ag膜和由具有光透射性的ITO膜构成的透明导电膜而成的阴极20。这样，在光反射膜72上隔着绝缘层74而形成具有阳极76、有机电致发光层18和阴极20的有机电致发光元件。
由本实施方式得到的显示装置通过在由透明导电膜构成的阳极76下隔着具有光透射性的绝缘层74而形成的光反射膜72的存在，成为从和绝缘性基板10相反一侧的阴极20一侧取出光的顶部发光型。因此，发光面积不受在绝缘性基板10上形成的薄膜晶体管的限制，可以实现高的发光效率。
另外，在由本实施方式得到的显示装置中，在光反射膜72上形成至少将层间绝缘膜80的源极62上的区域露出的开口部分82，由透明导电膜构成的阳极76通过接触孔70与源极62直接电连接。由此，在不介入难以确保和阳极76的电连接的导电膜的情况下，可以从与薄膜晶体管的源极62电连接的光反射膜72向有机电致发光层18中注入空穴。另外，因为以覆盖光反射膜72的方式形成绝缘层74，所以可以防止光反射膜72的腐蚀。另外，作为有机电致发光层18，可以原样地使用与以往的有机电致发光元件的有机电致发光层具有同样的材料和结构的有机电致发光层。
另外，在每个像素中形成根据每个像素而具有规定形状的光反射膜72时，优选的是，比阳极76和阴极20重叠的发光区域更宽地形成光反射膜72。这样，通过更宽地形成光反射膜72，可以抑制有机电致发光元件的发光对薄膜晶体管特性的影响。
接着，使用图20至图22对由本发实施方式得到的显示装置的制造方法进行说明。
首先，与图12A至图12C以及图13A所示的由第5实施方式得到的显示装置的制造方法同样地在绝缘性基板10上形成薄膜晶体管、源极62和漏极66(参照图20A)。
接着，采用例如CVD法在形成了源极62和漏极66的层间绝缘膜58上形成由例如膜厚为300nm的硅氧化膜构成的层间绝缘膜80(参照图20B)。另外，作为层间绝缘膜80，除了硅氧化膜外，可以使用硅氮化膜等无机绝缘膜、由树脂构成的绝缘膜。
接着，在层间绝缘膜80上通过例如溅射法形成例如膜厚为150nm的Al膜84。
接着，通过平版印刷法将Al膜84布图为规定的形状，在Al膜84上形成至少将层间绝缘膜80的源极62上的区域露出的开口部分82。Al膜84可以布图成根据每个像素而具有规定的形状、也可以使在排列了像素的显示区域的整个表面上残留。这样，形成由Al膜84构成的反射膜72(参照图21A)。另外，在图21A中，显示了在光反射膜72上形成了将层间绝缘膜80的薄膜晶体管上的区域露出的开口部分82的情况。
接着，在光反射膜72和从开口部分82露出的层间绝缘膜80上通过例如旋转涂布法涂布感光性树脂，从而形成感光性树脂层86(参照图21B)。
使用规定的掩模将感光性树脂层86曝光后，使用规定的显影液将曝光了的感光性树脂层86显影，在感光性树脂层86上形成将层间绝缘膜80的源极62上的区域露出的开口部分88。这样，通过照相凹版印刷形成由形成了开口部分88并具有光透射性的感光性树脂层86构成的绝缘层74(参照图21C)。这里，绝缘层74以覆盖光反射膜72的方式形成以使得光反射膜72的表面不露出。
接着，通过例如干式蚀刻法，以形成了开口部分88的绝缘层74为掩模，在层间绝缘膜80上形成到达源极62的开口部分90。
这样，形成由层间绝缘膜80上形成的开口部分90和在绝缘层74上形成的开口部分88相连接而成的接触孔70(参照图22A)。另外，优选的是，预先适当设定光反射膜72的开口部分82的大小、绝缘层74的开口部分88的大小、蚀刻条件等以使得在接触孔70中光反射膜72的表面不露出。这是由以下的理由产生的。即，这是因为，若在接触孔70中反射膜72露出，在此后形成的阳极76和光反射膜72接触，在两者之间产生寄生容量，所以避免了由这样的寄生容量产生的元件特性的劣化。
这样，在由本实施方式得到的显示装置的制造方法中，因为由感光性树脂形成绝缘层74、并且作为层间绝缘膜80蚀刻时的掩模也使用绝缘层74，所以可以以少的工序数形成到接触孔70。另外，作为绝缘层74，也可以使用硅氧化膜等具有光透射性的无机绝缘膜。此时，除了形成由无机绝缘膜构成的绝缘层74的工序外，形成用作用于在绝缘层74和层间绝缘膜80中形成接触孔70的蚀刻掩模的抗蚀剂膜的工序、和除去抗蚀剂膜的工序也是必需的。因此和由感光性树脂形成绝缘层74时比较、工序数变多。
接着，在形成了接触孔70的绝缘膜74上，和由第6实施方式得到的显示装置的制造方法同样地形成通过接触孔70与源极62连接的阳极76、有机电致发光层18和阴极20(参照图22B)。
这样，制造成在图19中所示的由本实施方式得到的显示装置。
这样，根据本实施方式，在使用了有机电致发光元件的显示装置中，在由透明导电膜构成的阳极76下隔着具有光透射性的绝缘层74、形成具有光反射性的光反射膜72，所以可以在不受有机电致发光元件下形成的薄膜晶体管的限制的情况下，实现具有高发光效率的顶部发光型的显示装置。
另外，因为光反射膜72被绝缘层74覆盖，所以可以抑制由光反射膜72的腐蚀等产生的元件特性的劣化。
因为有机电致发光层18与以往的有机电致发光元件同样地在由透明导电膜构成的阳极76上形成，所以作为有机电致发光层18，可以原样地使用与以往的有机电致发光元件具有同样的材料和结构的有机电致发光层。
(变形实施方式)本发明不限于上述实施方式，可以有各种变形。
例如，在上述实施方式中，对使用玻璃基板作为绝缘层基板10的情况进行了说明，但绝缘性基板10不限于玻璃基板。例如，也可以使用聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等树脂膜作为绝缘性基板10。通过将树脂膜用作绝缘性基板10，可以实现具有可挠性的柔性显示装置。另外，在只构成顶部发光型的显示装置时，绝缘性基板10不一定象玻璃基板那样具有光透射性。但是，正如由第3实施方式得到的显示装置的情况那样，在同一基板上设置上面发光部分40和两面发光部分44时，必须将具有光透射性的基板用作绝缘性基板10。
另外，在上述实施方式中，对在光反射膜12的周边部分上形成介入膜30的情况进行了说明，但介入膜30不一定必须在光反射膜12的周边部分上形成，也可以在光反射膜12的规定区域上部分地形成。
另外，在上述实施方式中，对使用Al膜作为用于将在有机电致发光层18的发光层中产生的光向阴极20一侧反射的光反射膜12、72的情况进行了说明，但光反射膜12、72不限于Al膜。作为光反射膜12、72，除了Al或以Al为主要成分的合金以外，可以使用例如由Ag、Nd(钕)、Si(硅)、Ti、W(钨)、Cu(铜)、Nb(铌)、Ta(钽)、C(碳)或至少以它们之中的任意一种为主要成分的合金构成的具有光反射性的导电膜。
另外，在上述实施方式中，对使用Mo膜作为改善由Al膜构成的光反射膜12和由ITO膜构成的透明导电膜14的电连接、从而确保两者之间导通的介入膜30的情况进行了说明，但介入膜30不限定于Mo膜。作为介入膜30，除了Mo或以Mo为主要成分的合金以外，可以使用例如由W、Ta、Ti、Cr或至少以它们之中的任意1种为主要成分的合金等的高熔点金属构成的导电膜。
另外，在上述实施方式中，对在光反射膜12上形成的透明导电膜14、作为阳极76使用ITO膜的情况进行说明说明，但透明导电膜14、阳极76不限于ITO膜。作为透明导电膜14，除了ITO膜以外，可以使用例如IZO(掺杂了锌的氧化铟)膜、ZnO(氧化锌)膜等具有光透射性的导电膜。
另外，在上述实施方式中，作为有机电致发光层18，对使用依次层叠由2-TNATA膜构成的空穴注入层、由α-NPD膜构成的空穴输送层、由掺杂了t(npa)py的Alq3膜构成的发光层、由Alq3膜构成的电子输送层和由LiF膜构成的电子注入层而成的层的情况进行了说明，但有机电致发光层18的结构和材料不限于此。作为有机电致发光层18的结构，可以使用只有发光层的单层结构、空穴输送层和发光层或发光层和电子输送层的2层结构、空穴输送层和发光层和电子输送层的3层结构。另外，作为构成有机电致发光层18的空穴注入层、空穴输送层、发光层和电子输送层、以及电子注入层的材料，可以使用所有的有机电致发光材料。
另外，在上述实施方式中，对使用Al/ITO层叠膜、Al/Ag/ITO层叠膜作为阴极20的情况进行了说明，但阴极20不限于Al/ITO层叠膜、Al/Ag/ITO层叠膜。作为阴极20，除了Al/ITO层叠膜、Al/Ag/ITO层叠膜以外，还可以使用例如ITO单膜、IZO膜、ZnO膜、Al单膜、Ag单膜或它们的层叠膜等具有光透射性的导电膜。另外，将Al膜、Ag膜等作为阴极20使用时，为了具有光透射性，必须较薄地形成这些膜。
另外，在上述实施方式中，对使用由感光性树脂构成层作为绝缘层74的情况进行了说明，但如果绝缘层74是具有光透射性的层，则不限于由感光性树脂构成的层。作为绝缘层74，除了由感光性树脂构成以外，可以使用硅氧化膜、硅氮化膜、硅氮化氧化膜等具有光透射性的无机绝缘膜。另外，如果绝缘层74是具有光透射性的层，则不必是无色的，也可以使用由聚酰亚胺等有色树脂构成的层作为绝缘层74。
另外，在上述实施方式中，对作为薄膜晶体管使用顶栅型的情况进行了说明，但也可以使用底栅型薄膜晶体管。另外，对通道层48使用多晶硅膜的情况进行了说明，但通道层48也可以使用无定形硅膜。
另外，在上述实施方式中，对使用薄膜晶体管作为开关元件的情况进行了说明，但也可以使用其它的开关元件。例如，也可以使用利用了作为二端元件的二极管的MIM(金属—绝缘膜—金属)结构的开关元件。
由本发明得到的有机电致发光元件及其制造方法和显示装置，实现了发光效率优异的有机电致发光元件及其制造方法和使用这样的有机电致发光元件的显示装置。因此，在显示特性优异的同时，适用于在低耗电的显示装置中的应用。
权利要求
1.一种有机电致发光元件，其特征在于，其具有阳极，该阳极包含在基板上形成的具有光反射性的第1导电膜、和在所述第1导电膜上以覆盖所述第1导电膜的方式形成的具有光透射性的第2导电膜；在所述阳极上形成的有机电致发光层；和在所述有机电致发光层上形成的具有光透射性的阴极。
2.一种有机电致发光元件，其特征在于，其具有阳极，该阳极包含在基板上形成的具有光反射性的第1导电膜、在所述第1导电膜上形成的具有光透射性的第2导电膜、和在所述第1导电膜与所述第2导电膜之间部分地形成并分别与所述第1导电膜和所述第2导电膜电连接的第3导电膜；在所述阳极上形成的有机电致发光层；和在所述有机电致发光层上形成的具有光透射性的阴极。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述第3导电膜在所述第1导电膜的周边部分上形成。
4.根据权利要求2或3所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述第2导电膜以覆盖所述第1导电膜的方式形成。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述第3导电膜由高熔点金属构成。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述第3导电膜由Mo、W、Ta、Ti、Cr或至少以它们中的任意一种为主要成分的合金构成。
7.一种有机电致发光元件，其特征在于，其具有阳极，该阳极包含在基板上形成的具有光反射性的第1导电膜、在所述第1导电膜上形成的具有光透射性的绝缘层、和在所述绝缘层上形成的具有光透射性的第2导电膜；在所述阳极上形成的有机电致发光层；和在所述有机电致发光层上形成的具有光透射性的阴极。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述绝缘层以覆盖所述第1导电膜的方式形成。
9.根据权利要求7或8所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述第1导电膜以比所述阳极和所述阴极相重叠的发光区域更宽地形成。
10.根据权利要求7～9中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述绝缘层的膜厚是1μm以上。
11.根据权利要求7～10中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述绝缘层的光透射率是50％以上。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述第1导电膜在所述阳极和所述阴极相重叠的发光区域部分地形成。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，在所述基板或所述绝缘层的表面上形成有凹凸。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述第1导电膜由Al、Ag、Nd、Si、Ti、W、Cu、Nb、Ta、C或至少以它们之中的任意一种为主要成分的合金构成。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述第2导电膜由ITO、IZO或ZnO构成。
16.一种显示装置，其特征在于，在像素区域具有权利要求1～15中任一项所述的有机电致发光元件。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，还具有在所述基板上形成并对施加在所述有机电致发光元件上的驱动电压进行控制的开关元件。
18.一种有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，其具有在基板上形成阳极的工序，该阳极包含具有光反射性的第1导电膜、和在所述第1导电膜上以覆盖该第1导电膜的方式形成的具有光透射性的第2导电膜；在所述第1导电膜上形成有机电致发光层的工序；和在所述有机电致发光层上形成具有光透射性的阴极的工序。
19.根据权利要求18所述的有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述阳极的工序中，在形成所述第2导电膜之前，在所述第1导电膜上部分地形成分别与所述第1导电膜和所述第2导电膜电连接的第3导电膜。
20.根据权利要求19所述的有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，形成所述阳极的工序具有在所述第1导电膜上形成所述第3导电膜的工序；在所述第3导电膜上形成抗蚀剂膜、并对所述抗蚀剂膜的膜厚部分地设置厚薄的工序；以对膜厚设置了厚薄的所述抗蚀剂膜为掩模、对所述第3导电膜和所述第1导电膜进行蚀刻的工序；除去所述抗蚀剂膜的膜厚薄的部分并在所述抗蚀剂膜上形成开口部分的工序；和通过以形成了所述开口部分的所述抗蚀剂膜为掩模、对在所述开口部分的底部露出的所述第3导电膜进行蚀刻，从而在所述第1导电膜上部分地形成所述第3导电膜的工序。
21.根据权利要求20所述的有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，在对所述抗蚀剂膜的膜厚部分地设置厚薄的工序中，通过部分地改变所述抗蚀剂膜的曝光量，对所述抗蚀剂膜的膜厚设置厚薄。
22.根据权利要求要求19～21中任一项所述的有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，在部分地形成所述第3导电膜的工序中，在所述第1导电膜的周边部分上形成所述第3导电膜。
23.一种显示装置的制造方法，其特征在于，其具有在基板上形成开关元件的工序；在形成了所述开关元件的所述基板上形成第1绝缘层的工序；在所述第1绝缘层上形成具有光反射性的第1导电膜的工序；在形成了所述第1导电膜的所述第1绝缘层上形成在所述开关元件的电极上具有第1开口部分、并由具有光透射性的感光性树脂构成的第2绝缘层的工序；以所述第2绝缘层为掩模，对所述第1绝缘层进行蚀刻，从而形成到达所述开关元件的电极的第2开口部分的工序；在所述第2绝缘层上通过所述第1开口部分和所述第2开口部分，形成包含与所述开关元件的电极电连接并具有光透射性的第2导电膜的阳极的工序；在所述阳极上形成有机电致发光层的工序；和在所述有机电致发光层上形成具有光透射性的阴极的工序。
全文摘要
本发明的有机电致发光元件具有阳极(16)，该阳极包含在绝缘性基板(10)上形成的光反射膜(12)和在光反射膜(12)上以覆盖光反射膜(12)的方式形成的透明导电膜(14)；在阳极(16)上形成的有机电致发光层(18)；和在有机电致发光层(18)上形成的具有光透射性的阴极(20)。由此，可以在没有伴随产生元件特性的劣化的情况下实现高发光效率。
文档编号H05B33/28GK1961617SQ20048004265
公开日2007年5月9日 申请日期2004年3月29日 优先权日2004年3月29日
发明者八重樫裕之 申请人:富士胶片株式会社