专利名称：多层配线基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种多层配线基板，在该多层配线基板中，在两个相邻的树脂质绝缘层之间形成微细的配线图案。
背景技术：
近年来，为了电子设备的小型化和性能改进，需要实现电子部件在配线基板上的高密度安装。为了实现电子部件的高密度安装，非常重要的是采用具有多层结构的配线基板。这种多层配线基板的一个示例是所谓的增层配线基板(build-up wiring board)，该增层配线基板具有芯部基板和增层，其中，所述芯部基板具有通孔等，而在所述增层中，导电层和树脂绝缘层在所述芯部基板的一侧或两侧上交替地层叠在一起。在多层配线基板中， 导电层一般通过半加成法(semi-additive process)形成有微细的配线图案。如日本特开 2000-188460号公报所公开的那样，半加成法已知为下面的一系列步骤在树脂绝缘层中形成通路导体孔，施加无电金属镀覆(electroless metal plating)，阻镀层和电解金属镀层连续地形成于树脂绝缘层，去除阻镀层，然后，蚀刻无电金属镀层的不必要部分。
发明内容
在上述的传统多层配线基板中，金属镀层通过树脂绝缘层在去除不必要的阻镀层时的粗糙表面的糙面(粘结)效应(anchoring effect)被附着到树脂绝缘层。因此，所形成的金属镀层的配线图案只安装在树脂绝缘层上。另外，越来越需要在增层中形成具有例如20 μ m以下(优选10 μ m以下)的线宽的更微细的配线图案。这导致配线图案的高度与宽度的尺寸比增大，并且配线图案与树脂绝缘层的接触面积减小，使得配线图案结构上变得不稳定。由于配线图案与树脂绝缘层之间的附着力不够，配线图案不能与树脂绝缘层保持接触并且从树脂绝缘层脱落或分离，所以多层配线基板的可靠性和制造成品率劣化。另外，在传统的多层配线基板中，配线图案的粗糙度在整个树脂绝缘层上波动。如果使金属镀层的厚度较小以避免该图案粗糙度，则通路导体孔可能不能被金属镀层充分填充。由于与减小金属镀层的厚度相比，正确地形成通路导体更优先，所以金属镀层需施加到给定厚度。结果，配线图案的厚度增大，并且导致配线基板的最外侧表面的粗糙度增大以及树脂绝缘层的厚度变化增大。因此，本发明的目的是提供一种多层配线基板，该多层配线基板形成抗脱落和抗分离性能高且与树脂绝缘层具有良好接触的微细配线图案。根据本发明的一个方面，提供一种多层配线基板，其包括多层配线基板，其包括形成有两个相反的主表面的基板主体，并且所述基板主体包括第一树脂绝缘层、层叠于所述第一树脂绝缘层的第二树脂绝缘层、配线图案，所述配线图案以所述配线图案的第一表面抵接所述第一树脂绝缘层且所述配线图案的第二表面抵接所述第二树脂绝缘层的方式被配置在所述第一树脂绝缘层和所述第二树脂绝缘层之间，所述配线图案沿所述基板主体的平面方向延伸并且被埋设在所述第一树脂绝缘层和所述第二树脂绝缘层二者中。
从下面的说明中将理解本发明的其它目的和特征。
图1是根据本发明的第一实施方式的多层配线基板的示意性截面图。图2是示出根据本发明的第一实施方式的多层配线基板中配线图案的配置的放大截面图。图3至图10是示出根据本发明的第一实施方式的多层配线基板的制造方法的示意性截面图。图11是根据本发明的第二实施方式的多层配线基板的主要部位的放大截面图。图12是根据本发明的第三实施方式的多层配线基板的主要部位的放大截面图。图13是根据本发明的第四实施方式的多层配线基板的主要部位的放大平面图。图14是根据本发明的第五实施方式的多层配线基板的主要部位的放大平面图。图15至图17是示出根据本发明的第六实施方式的多层配线基板的制造方法的示意性截面图。
具体实施例方式下面将借助于以下实施方式具体说明本发明，其中，相同的部件和部分以相同的附图标记表示，以避免对其进行重复说明。第一实施方式下面将参照图1至图10说明根据本发明的第一实施方式的多层配线基板K1。如图1所示，多层配线基板Kl被设计为增层式多层配线基板，其中，两个增层BUl 和BU2位于芯部基板1的两侧。在下文中，术语“内侧”是指靠近芯部基板1的一侧；而术语“外侧”是指与内侧相反的一侧。使用这些术语仅仅是出于说明图中的位置关系的目的， 并且这些术语不得解释为将本发明限定为特定方位。更具体地，多层配线基板Kl具有基板主体20，该基板主体形成有两个相反的主表面3 和33a，并且基板主体包括芯部基板1、树脂绝缘层12和13、导电层4和5、增层BUl 和BU2、阻焊层32和33以及焊料凸块38。芯部基板1形成为具有两个主表面2和3的板状。树脂绝缘层12和13分别配置在芯部基板1的主表面2和3上。导电层4配置在树脂绝缘层12的内侧表面和芯部基板1的主表面2之间，而导电层5配置在树脂绝缘层13的内侧表面和芯部基板1的主表面3之间。增层BUl和BU2分别配置在树脂绝缘层12和13的外侧表面上。增层BUl具有树脂绝缘层16和30以及导电层10J8和34彼此交替层叠的层叠结构。增层BU2也具有树脂绝缘层17和31以及导电层11J9和35彼此交替层叠的层叠结构。应注意，由于导电层4、5、10、11、观、29、34和35均形成有预定的配线图案，所以为了说明的目的，导电层4和5被称为“最内侧配线图案”;导电层10、11、观和四被称为“内侧配线图案”；且导电层34和35被称为“外侧配线图案”。贯通树脂绝缘层12形成通路导体孔12a ；在通路导体孔12a中填充通路导体14， 以在内侧配线图案10和最内侧配线图案4之间导电。贯通树脂绝缘层16形成通路导体孔18；在通路导体孔18中填充通路导体26，以在内侧配线图案10和观之间导电。贯通树脂绝缘层13形成通路导体孔13a ；在通路导体孔13a中填充通路导体15， 以在内侧配线图案11和最内侧配线图案5之间导电。在树脂绝缘层17中形成通路导体孔
19；在通路导体孔19中填充通路导体27，以在内侧配线图案11和四之间导电。阻焊层32以覆盖形成于树脂绝缘层30上的整个外侧配线图案34的方式配置在增层BUl的外侧表面上。开口部36形成于阻焊层32中的与外侧配线图案34的给定区域 (即，连接盘34a)对应的位置，从而连接盘3 通过开口部36在配线基板K 1的主表面3 露出。焊料凸块38以从配线基板Kl的主表面32a向外突出的方式形成在连接盘3 上， 以与诸如IC芯片等电子部件(未示出)焊接接合。阻焊层33以覆盖形成于树脂绝缘层31上的整个外侧配线图案35的方式配置在增层BU2的外侧表面上。开口部37形成于阻焊层33中的与外侧配线图案35的给定区域 (即，连接盘35a)对应的位置，从而连接盘3 通过开口部37在配线基板Kl的第二主表面 33a露出，以电连接到诸如主板(mother board)等印刷线路板。另外，如图1所示，配线基板Kl (基板主体20)具有如下的通孔结构所述通孔结构包括贯通芯部基板1及树脂绝缘层12和13形成的通孔6、沉积在通孔6的内周面上的筒状通孔导体7以及填充在通孔导体7的筒状中空部中的树脂填料9，从而允许增层BUl和 BU2的导电部之间通过通孔导体7导电。通孔导体7具有在树脂绝缘层12和13的外侧表面上延伸的导电部8。如图1和图2所示，第一实施方式的多层配线基板Kl的特征在于内侧配线图案 28夹在两个相邻的树脂绝缘层16和30之间，并且埋设在这两个相邻的树脂绝缘层16和 30 二者中；以及内侧配线图案四夹在两个相邻的树脂绝缘层17和31之间，并且埋设在这两个相邻的树脂绝缘层17和31 二者中。在第一实施方式中，内侧配线图案观和四均优选地形成为最大宽度为20 μ m以下的微细的配线图案，更具体地，线宽为15 μ m以下且线距为15 μ m以下的微细的配线图案。内侧配线图案观沿配线基板Kl (基板主体20)的平面方向延伸，并且具有与树脂绝缘层16的外侧表面抵接的内侧表面44和与树脂绝缘层30的内侧表面抵接的外侧表面 43。在内侧配线图案观的内侧表面44的中央形成作为内侧导电部的突条46。在第一实施方式中，内侧配线图案观的突条46的宽度沿内侧配线图案洲的配线方向大致均勻。另一方面，槽部51沿内侧配线图案观的配线方向凹入树脂绝缘层16的外侧表面。将内侧配线图案观埋设在两个相邻的树脂绝缘层16和30 二者中，使内侧配线图案观的突条46嵌入树脂绝缘层16的槽部51中并且内侧配线图案观的剩余导电部45全部被树脂绝缘层30 覆盖。类似地，内侧配线图案四沿配线基板Kl (基板主体20)的平面方向延伸，并且具有与树脂绝缘层17的外侧表面抵接的内侧表面44和与树脂绝缘层31的内侧表面抵接的外侧表面43。在内侧配线图案四的内侧表面44的中央形成作为内侧导电部的突条46。 内侧配线图案四的突条46的宽度沿内侧配线图案四的配线方向也大致均勻。另外，槽部 51沿内侧配线图案四的配线方向凹入树脂绝缘层17的外侧表面。将内侧配线图案四埋设在两个相邻的树脂绝缘层17和31 二者中，使内侧配线图案四的突条46嵌入树脂绝缘层17的槽部51中并且内侧配线图案四的剩余导电部45全部被树脂绝缘层31覆盖。
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因此，可以确保内侧配线图案观、四不仅与外侧相邻的树脂绝缘层30、31保持可靠地接触，而且与内侧相邻的树脂绝缘层16、17保持可靠地接触，从而即使在内侧配线图案观、四很微细的情况下，也能防止内侧配线图案观、四脱落和分离，并且内侧配线图案 28,29表现为充分附着于内侧相邻的树脂绝缘层16、17以及外侧相邻的树脂绝缘层30、31 二者。因此，多层配线基板Kl的可靠性和制造成品率高。在第一实施方式中，以如上所述的内侧配线图案观、29的与内侧配线图案观、29 的配线方向(延伸方向)垂直的截面的面积大致均勻的方式沿内侧配线图案观、四的配线方向形成内侧配线图案观、四的突条46和树脂绝缘层16、17的槽部51。因此，可以将内侧配线图案观、29的电阻设定为沿内侧配线图案观、29的配线方向恒定。另外，由于内侧配线图案观、29的突条46埋设在内侧相邻的树脂绝缘层16、17的槽部51中，所以在外侧相邻的树脂绝缘层30、31上不容易发生表面凸凹。因此，可以减小外侧相邻的树脂绝缘层30、31的厚度变化，并且可以由此改善配线基板Kl的IC芯片安装区域的平坦度。对内侧配线图案观、29的高度比hll hl2没有特别限制，其中，hll是内侧配线图案观、四的埋设在树脂绝缘层30、31中的外侧导电部45的高度；hl2是内侧配线图案观、 四的埋设在树脂绝缘层16、17中的内侧导电部(突条46)的高度。内侧配线图案观、29的高度比hll hl2优选地在1 9至8 2的范围。当高度比hll hl2在上述优选范围内时，内侧配线图案观、四能够更确定地保持与相邻的树脂绝缘层16、17和树脂绝缘层30、 31接触。尤其地，高度hl2优选为5μπι以上。在第一实施方式中，内侧配线图案观、29的高度hll为约15 μ m且高度hl2为约5 μ m，于是内侧配线图案观、29的高度比在上述优选范围内(hll hl2 = 15 5)。槽部51的深度(突条46的高度hi》优选地小于树脂绝缘层16、17的厚度Tl。 如果槽部51的深度大于或等于树脂绝缘层16、17的厚度Tl，那么内侧配线图案观、四的突条46贯通树脂绝缘层16、17并且可能与相邻的内侧配线图案10、11发生接触。在该情况下，配线图案观、四需要形成在避开配线图案10、11的位置，以使树脂绝缘层16、17在配线图案观和10之间以及在配线图案四和11之间提供适当的绝缘，同时允许配线图案观、29 和配线图案10、11之间通过通路导体沈、27导电。这使线配置和基板设计的灵活性劣化。 另外，难以对又窄又深的槽部51施加金属镀覆等，以形成配线图案观、29(突条46)。在第一实施方式中，树脂绝缘层16、17的厚度Tl为约30 μ m，其大于内侧配线图案28J9的内侧导电部(突条46)的高度hl2或者等同地大于槽部51的深度，于是，内侧配线图案观、29 的突条46不会贯通树脂绝缘层16、17并且不会与内侧配线图案10、11发生接触。在通路导体沈、27形成于内侧相邻的树脂绝缘层16、17中的情况下，槽部51的深度优选地小于通路导体孔18、19的深度(通路导体沈、27的高度)。对内侧配线图案观、29的最大宽度比Wl W2没有特别限制，其中，Wl是内侧配线图案观、29的埋设在树脂绝缘层30、31中的外侧导电部45的最大宽度；W2是内侧配线图案观、29的埋设在树脂绝缘层16、17中的突出的内侧导电部(突条46)的最大宽度。内侧配线图案观、29的最大宽度比Wl W2优选地在1 1至9 1的范围。当最大宽度比 Wl W2在上述优选范围内时，内侧配线图案观、四能够更确定地保持与内侧相邻的树脂绝缘层16、17接触。在第一实施方式中，内侧配线图案观、29的最大宽度Wl为约15 μ m且最
6大宽度W2为约ΙΟμπι，于是内侧配线图案观、29的最大宽度比在上述优选范围内(Wl W2 =15 10)。另外，对内侧配线图案观、29的内侧导电部(突条46)的当从与内侧配线图案观、 四的配线方向垂直的截面中观察时的锥度比没有特别限制。内侧配线图案观、29的内侧导电部(突条46)的锥度比优选地在80%以上的范围。这里的术语“锥度比”是指用内侧配线图案观、29的内侧导电部(突条46)的截面的两条平行边中较短的一条边除以内侧配线图案观、四的内侧导电部(突条46)的截面的两条平行边中较长的一条边、然后乘以100% 而得到的值。如果锥度比小于80%，可能难以维持内侧配线图案观、四与内侧树脂绝缘层 16、17的充分接触。在第一实施方式中，突条46的锥度比被设定为约85%。树脂绝缘层16、17的形成有内侧配线图案观、29的外侧表面优选为粗糙的，而不是光滑的。槽部51的嵌入有内侧配线图案观、四的突条46的内侧表面也优选为粗糙的，而不是光滑的。通过这种粗糙表面的糙面(粘结)效应可以更确定地维持内侧配线图案观、 29与树脂绝缘层16、17的充分接触。树脂绝缘层16、17的外侧表面和槽部51的内侧表面的表面粗糙度Ra可以设定为例如1 μ m以上，优选为1 μ m至3 μ m。另外，槽部51的深度优选地设定为大于树脂绝缘层16、17的外侧表面和槽部51的内侧表面的表面粗糙度Ra。这里，对芯部基板1的材料没有特别限制。芯部基板1主要由双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)构成。树脂绝缘层12、13、16、17、30和31可以由例如热固性树脂形成。合适的热固性树脂的示例有环氧树脂(EP树脂)、聚酰亚胺树脂(PI树脂)、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、酚树脂、二甲苯树脂、聚酯树脂和硅树脂。在这些树脂中，优选EP树脂、PI树脂和BT 树脂。EP树脂适当的是所谓的双酚(BP)型、可溶酚醛(PN)型或甲酚醛(CN)型。尤其优选的是，树脂绝缘层12、13、16、17、30、31的树脂材料主要由BP型环氧树脂构成。在各种BP 型环氧树脂中，双酚A(BPA)型环氧树脂和双酚F(BPF)型环氧树脂是最优选的。任何相邻的两个树脂绝缘层12、13、16、17、30和31的树脂可以是相同的类型，也可以是彼此不同的类型。如果需要的话，树脂绝缘层12、13、16、17、30、31的树脂材料可以包含无机填料或有机填料。在第一实施方式中，所谓的增层材料不但用于形成树脂绝缘层16、17、30和31，而且用于形成树脂绝缘层12和13。作为增层材料，可以适当使用无机填料分散在热固性环氧树脂中的绝缘膜。可以由诸如金属箔等任何导电的配线材料形成导电层4和5。如下所述，在第一实施方式中各导电层4和5由铜箔形成。另一方面，配线图案10、11、观、29、34和35均可以是镀层的形式。对所述镀层没有特别限制。合适的镀层的示例有铜镀层、镍镀层、金镀层、银镀层、铝镀层、锌镀层、钴镀层和钛镀层。从导电性、成本性能和加工性的角度，根据本发明的埋设于两个相邻的树脂绝缘层16、17和30、31中的内侧配线图案28、四优选地由铜镀层形成。尤其优选的是，各内侧配线图案观、四具有如下的层叠结构如图1和图2所示，电解铜镀层42层叠在无电铜镀层41上。可以通过下面的工序制造第一实施方式的上述构造的多层配线基板K1。制备两个主表面上都附着有铜箔的双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)的基板作为芯部基板1。通过例如减成法(subtractive process)等任何已知的技术使铜箔图案化，由此在芯部基板1的主表面2和3上形成配线图案4和5。均在热固性环氧树脂(EP树脂) 中分散有无机填料的热固性绝缘树脂膜被施加到芯部基板1的主表面2和3上作为树脂绝缘层12和13，以覆盖配线图案4和5。接着，贯通树脂绝缘层12和13而形成通路导体孔 12a和13a。还贯通芯部基板1和树脂绝缘层12和13形成通孔6。之后，顺次施加无电铜镀和电解铜镀以在通孔6中形成通孔导体7以及在通路导体孔1 和13a中形成通路导体 14、15。树脂填料9的浆体(paste)被填充在通孔导体7的中空部中。又将电解铜镀施加到通孔导体7的铜镀层及通路导体14和15的铜镀层。这时，树脂填料9的两端面被铜镀层IOa和Ila覆盖。接着，通过已知的减成法将层叠的两个铜镀层均蚀刻成预定的图案，从而形成如图3所示的增层BUl和BU2的内侧配线图案10和11。然后，如图4所示，通过将与上面的绝缘膜相同的绝缘膜层叠在树脂绝缘层12和配线图案10上而形成增层BUl的树脂绝缘层16。还通过将相同的绝缘膜层叠在树脂绝缘层13和配线图案11上而形成增层BU2的树脂绝缘层17。通过激光照射而在树脂绝缘层16和17中形成通路导体孔18和19。同时，如图5 所示，通过激光照射而在树脂绝缘层16和17中的将形成配线图案观和四的给定位置形成槽部51。由于通路导体孔18和19与槽部51的深度不同，所以通过调节激光输出、射出次数、照射时间等来进行该激光照射处理。接着进行去污处理以从通路导体孔18和19以及槽部51的内表面去污。另外，树脂绝缘层16和17的外侧表面、通路导体孔18和19的内表面以及槽部51的内表面被粗化成例如2 μ m的表面粗糙度Ra。如图6所示，在施加镀覆催化剂之后，通过已知的无电铜镀处理在树脂绝缘层16、 17的外侧表面和通路导体孔18和19的内表面以及槽部51的内表面上施加厚度为例如约 0. 5μπι的无电铜镀层41。如图7所示，将厚度为约25 μ m的光敏/绝缘干燥膜附着到无电铜镀层41的整个表面、曝光并且显影，从而在不与通路导体孔18和19以及槽部51重叠给定位置形成具有开口部49a的阻镀层49。通过已知的电解铜镀处理在无电铜镀层41的通过开口部49a露出的部位上施加厚度例如为约15 μ m至20 μ m的电解铜镀层42。在通过使用专用去除剂去除阻镀层49之后，利用预定的蚀刻剂蚀刻无电铜镀层41的露出部位。这样，如图8和图9所示，形成增层 BUl和BU2的内侧配线图案28和四以及通路导体沈和27。另外，如图10所示，通过将与上面的绝缘膜相同的绝缘膜层叠在树脂绝缘层16和内侧配线图案观上而形成增层BUl的树脂绝缘层30，从而使内侧配线图案观夹在并且埋设在两个相邻的树脂绝缘层16和30中。类似地，通过将同样的绝缘膜层叠在树脂绝缘层 17和内侧配线图案四上而形成增层BU2的树脂绝缘层31，从而使内侧配线图案四夹在并且埋设在两个相邻的树脂绝缘层17和31中。通过半加成处理形成外侧配线图案34和35。然后施加厚度约25 μ m的阻焊层32、 33。将镍-金镀层施加到通过开口部36在阻焊层32的外侧表面3 露出的连接盘34a， 然后将焊料凸块38接合到连接盘34a。还将镍-金镀层施加到通过开口部37在阻焊层33的外侧表面33a露出的连接盘35a。通过这种方式，完成多层配线基板Kl。作为在绝缘层中切出槽部、在槽部中填充铜镀层材料且由此形成配线图案的技术，传统已知的是所谓的沟槽填充处理(trench filling process) 0 (例如参见日本特开平11-87276号公报。)但是，由于在该沟槽填充处理中必须在保持槽部中的铜镀层材料的状态下去除从绝缘层突出的铜镀层材料整个部分，所以难以进行沟槽填充处理。如果以低的加工精度进行该处理，将导致例如配线破损或短路等问题。相比之下，如上所述，在第一实施方式中，在树脂绝缘层16、17的槽部51中形成配线层观、29的内侧导电部(突条46)时，不需要镀层去除处理。由此能够较容易地以高制造成品率并且没有配线破损或短路的风险地生产多层配线基板Kl。第二实施方式除增层BUl具有如图11所示的不同形式的内侧配线图案28A之外，第二实施方式在结构上与第一实施方式类似。第二实施方式的内侧配线图案28A满足关系hll < hl2 ； 而第一实施方式的内侧配线图案观满足关系hll>hl2。可以在第二实施方式中通过满足该尺寸关系来获得与第一实施方式相同的效果。和第一实施方式中的情形一样，即使在第二实施方式中，也期望内侧配线图案^A 的高度比hll hl2在1 9至8 2的优选范围内。另夕卜，以与内侧配线图案28A相同的方式，内侧配线图案四也可变型为满足关系hll < hl2。第三实施方式除增层BUl具有如图12所示的形成有两个突条46的内侧配线图案28B之外，第三实施方式在结构上与第一实施方式类似。在第三实施方式中沿内侧配线图案28B的配线方向在内侧配线图案^B的内侧表面44的两侧形成两个突条46 ；而在第一实施方式中在内侧配线图案观、29的内侧表面44的中央形成单个突条46。在第三实施方式中，两个槽部51与内侧配线图案^B的各突条46对应地凹入内侧相邻的树脂绝缘层16的外侧表面。 由于以突条46分别嵌入槽部51的状态使内侧配线图案28B埋设在两个相邻的树脂绝缘层 16和30 二者中，因此在第三实施方式中可以获得与第一实施方式相同的效果。以与内侧配线图案28B相同的方式，内侧配线图案四也可变型为具有两个突条46。在这种情况下，不必说的是，两个槽部51与内侧配线图案四的各突条46对应地凹入内侧相邻的树脂绝缘层 17的外侧表面。第四实施方式除增层BUl具有如图13所示的形成有不同形式的突条46的内侧配线图案28C之外，第四实施方式在结构上与第一实施方式类似。内侧配线图案^C的突条46包括形成在与内侧配线图案^C的弯曲区对应的位置的窄区46c。虽然配线图案的弯曲区的宽度、即截面积大于配线图案的笔直区的宽度(截面积)，但是该截面积的增大被窄区46c补偿。结果，能够使内侧配线图案28C的电阻设定为恒定。代替形成窄区46c，可使突条46的与配线图案的弯曲区的位置对应的区域的高度可选地小于突条46的任何其它区域的高度，从而使内侧配线图案^C的电阻设定为恒定。因此，可以在第四实施方式中获得与第一实施方式相同的效果。内侧配线图案四也可以与内侧配线图案28C相同的方式变型为内侧配线图案四的突条46包括形成在与内侧配线图案四的弯曲区的对应的位置的窄区46c。第五实施方式
除增层BUl具有如图14所示的形成有多个独立的突出部M的内侧配线图案28D 之外，第五实施方式在结构上与第一实施方式类似。在第五实施方式中，突出部M形成在内侧配线图案^D的内侧表面上并且沿内侧配线图案^D的配线方向排列；而在第一实施方式中，在内侧配线图案观的内侧表面上形成单个连续的脊状突出部(突条)46。在第五实施方式中，在内侧相邻的树脂绝缘层16的外侧表面中与内侧配线图案28D的各突出部M 对应地形成多个凹部53。对凹部53和突出部M的形状没有特别限制。由于以突出部M 分别嵌入凹部53中的状态，使内侧配线图案28D埋设在两个相邻的树脂绝缘层16和30 二者中，所以在第五实施方式中可以获得与第一实施方式相同的效果。这里，由于与第一实施方式相同的原因，在第五实施方式中所期望的是凹部53 的深度小于树脂绝缘层16的厚度Tl ；不仅树脂绝缘层16的外侧表面而且凹部53的内表面也被粗糙化成例如表面粗糙度Ra为1 μ m以上，优选为1 μ m至3 μ m，而不是被光滑化； 以及凹部53的深度被设定为大于树脂绝缘层16的外侧表面的表面粗糙度Ra和凹部53的内表面的表面粗糙度Ra。另外，内侧配线图案四也可以以与内侧配线图案28D相同的方式变型为具有多个独立的突出部M。在这种情况下，不必说的是，多个凹部53与内侧配线图案四的各突出部讨对应地形成于内侧相邻的树脂绝缘层17的外侧表面。第六实施方式除增层BUl具有如图15至图17所示的包括配置在铜镀层(电解铜镀层4 和外侧相邻的树脂绝缘层30之间的金属层的内侧配线图案28E之外，第六实施方式在结构上与第一实施方式类似。在第六实施方式中，虽然金属层可以仅形成在铜镀层42的外侧表面上，但是优选的是，金属层不仅形成在铜镀层42的外侧表面上而且形成在铜镀层42的侧表面上，从而如图15至图17所示地覆盖铜镀层42的从树脂绝缘层16露出的整个部分。金属层可以由不同于铜的一种金属制成，或者由不同于铜的两种以上的金属制成。优选的是， 金属层由如下的金属材料形成该金属材料的扩散到树脂绝缘层30中的扩散速度比铜的扩散速度慢。通过形成这样的金属层可以限制铜从内侧配线图案28E扩散到树脂绝缘层30 中并且防止内侧配线图案观中的短路以及内侧配线图案28E和其它导电构件之间的短路。更具体地，在第六实施方式中金属层优选为锡层61。锡层61的形成对于限制铜从内侧配线图案28E扩散到树脂绝缘层30中以及防止内侧配线图案观中的短路以及内侧配线图案28E和其它导电构件之间的短路特别有效。可以通过例如镀锡(无电镀锡，电解镀锡)或锡溅射等任何技术形成锡层61。对锡层61的厚度没有特别限制。锡层61的厚度可以被设定为例如0. 1 μ m至0. 5 μ m。在这种情况下，更优选的是，内侧配线图案28E具有硅烷耦合层62，硅烷耦合层62 是通过硅烷耦合剂处理锡层61的外侧表面而形成的并且因此被配置在锡层61和树脂绝缘层30之间。在第六实施方式中，硅烷耦合层62形成为覆盖整个锡层61。这里，硅烷耦合剂已知为由有机物质和硅形成的且分子中具有两种以上不同反应性官能团的化合物。作为硅烷耦合剂，适合使用的是乙烯基型、环氧型、氨基型的硅烷耦合剂等。可以根据树脂绝缘层的种类和特性来适当地选择硅烷耦合剂。通常，难以在树脂绝缘层(有机材料)和锡层 (无机材料)之间获得强的结合。但是，通过形成硅烷耦合层62，由于硅烷耦合剂的组分和树脂绝缘层30的组分之间的化学结合，锡层61能够较牢固地经由硅烷耦合层62结合到树脂绝缘层30。由此，可以增大内侧配线图案28E和树脂绝缘层30之间的附着力并且更有效地防止内侧配线图案^E的分离。除了硅烷耦合处理之外，已知表面粗糙化处理作为增大内侧配线图案28E和树脂绝缘层30之间的附着力的技术。然而，表面粗糙化处理导致配线图案28E的表面粗糙度增大并且招致配线图案^E的电气特性劣化。另一方面，硅烷耦合处理具有如下优点配线图案^E的表面粗糙度不会由于硅烷耦合处理而变大，从而可以限制配线图案^E的的电阻变化并且改善配线图案^E的电气特性。在第六实施方式中，增层BU 1还具有设置有锡层61和硅烷耦合剂62的通路导体 26E。可以如下地形成内侧配线图案 E。和第一实施方式中一样，在无电铜镀处理、电解铜镀处理和阻镀层去除处理之后， 蚀刻无电铜镀层41。这样，无电铜镀层41和电解铜镀层42处于图8所示的状态。如图15 所示，然后使用锡镀槽通过已知的的无电镀锡处理在内侧配线图案28E的铜镀层42和通路导体沈的铜镀层42的整个露出表面上形成锡层61。如果需要的话可以使锡层61经受热处理以使其光滑化。在锡层61的厚度大于预定的厚度水平的情况下，可以通过硝酸清洗去除锡层61的多余部分。然后，如图16所示，通过施加硅烷耦合剂(例如，Shin-etsu Chemical Co.，Ltd.的产品)而在锡层61的整个表面上形成硅烷耦合层62。如图17所示，然后通过将上述绝缘膜层叠到树脂绝缘层16和内侧配线图案28E上而形成树脂绝缘层30。内侧配线图案四(或内侧配线图案四和通路导体27中的各方)也可以以与内侧配线图案28E相同的方式变型为具有锡层61和硅烷耦合层62。日本专利申请No. 2010-074799 (2010年3月四日提交)和日本专利申请 No. 2011-0109 QOll年1月21日提交)的全部内容通过引用包含于此。虽然已经参照上面的第一和第二实施方式说明了本发明，但是本发明不限于这些具体的典型实施方式。通过上面的教示，本领域的技术人员可以对上述实施方式进行各种修改和变型。对配线基板Kl的结构、树脂绝缘层的数量以及配线基板Kl中的导电配线层(配线图案)的数量没有特别限制，只要配线基板Ki在两个相邻的树脂绝缘层之间配置有至少一个配线图案即可。另外，不必在芯部基板1的两侧上设置两个增层BUl和BU2。也可替代地仅在芯部基板1的仅一侧上设置一个增层.虽然上述实施方式中的配线基板Kl设置有芯部基板1，但是本发明也可替代地实施为没有芯部基板1的所谓的无芯配线基板。虽然在上述实施方式中，树脂绝缘层12、13、16、17、30和31由相同种类的树脂形成，但是任何相邻的两个树脂绝缘层12、13、16、17、30和31也可替代地由不同种类的树脂形成。在上述实施方式中，仅最大图案宽度为20μπι以下的微细内侧配线图案观、29、 ^AJ8BJ8CJ8D、28E被埋设在两个相邻的树脂绝缘层16、17和30、31 二者中。替代地，本发明可实施为使得最大图案宽度不小于20 μ m的内侧配线图案也埋设在两个相邻的树脂
绝缘层二者中。参照所附的权利要求书来限定本发明的范围。
1权利要求
1.一种多层配线基板，其包括形成有两个相反的主表面的基板主体，并且所述基板主体包括第一树脂绝缘层、层叠于所述第一树脂绝缘层的第二树脂绝缘层、配线图案，所述配线图案以所述配线图案的第一表面抵接所述第一树脂绝缘层且所述配线图案的第二表面抵接所述第二树脂绝缘层的方式被配置在所述第一树脂绝缘层和所述第二树脂绝缘层之间，所述配线图案沿所述基板主体的平面方向延伸并且被埋设在所述第一树脂绝缘层和所述第二树脂绝缘层二者中。
2.根据权利要求1所述的多层配线基板，其特征在于，所述配线图案的高度比 hll hl2为1 9至8 2，其中，hll是所述配线图案的埋设在所述第一树脂绝缘层中的第一导电部的高度；hl2是所述配线图案的埋设在所述第二树脂绝缘层中的第二导电部的高度。
3.根据权利要求1所述的多层配线基板，其特征在于，所述配线图案的宽度比Wl W2 为1 1至9 1，其中，Wl是所述配线图案的埋设在所述第一树脂绝缘层中的第一导电部的最大宽度；W2是所述配线图案的埋设在所述第二树脂绝缘层中的第二导电部的最大宽度。
4.根据权利要求1所述的多层配线基板，其特征在于，所述配线图案的埋设在所述第二树脂绝缘层中的导电部的与所述配线图案的配线方向垂直地截取的截面的锥度比在 80%以上的范围。
5.根据权利要求1所述的多层配线基板，其特征在于，所述第二树脂绝缘层具有槽部， 所述槽部形成在所述第二树脂绝缘层的沿所述配线图案的配线方向与所述配线图案的所述第二表面抵接的表面中；所述配线图案具有在所述配线图案的所述第二表面上形成的突条，且所述突条被埋设在所述第二树脂绝缘层的所述槽部中。
6.根据权利要求1所述的多层配线基板，其特征在于，所述第二树脂绝缘层具有在所述第二树脂绝缘层的与所述配线图案的所述第二表面抵接的表面中形成的多个凹部；并且所述配线图案具有在所述配线图案的所述第二表面形成的多个突出部，且所述多个突出部分别被埋设在所述第二树脂绝缘层的所述多个凹部中。
7.根据权利要求1所述的多层配线基板，其特征在于，所述配线图案是最大线宽为 20 μ m以下的微细配线图案。
8.根据权利要求5所述的多层配线基板，其特征在于，所述槽部的深度小于所述第二树脂绝缘层的厚度。
9.根据权利要求6所述的多层配线基板，其特征在于，所述凹部的深度小于所述第二树脂绝缘层的厚度。
10.根据权利要求5所述的多层配线基板，其特征在于，所述槽部形成有粗糙化的内表
11.根据权利要求6所述的多层配线基板，其特征在于，所述凹部均形成有粗糙化的内表面。
12.根据权利要求1所述的多层配线基板，其特征在于，所述配线图案具有铜镀层和形成在所述铜镀层和所述第一树脂绝缘层之间的锡层。
13.根据权利要求12所述的多层配线基板，其特征在于，所述配线图案具有形成在所述锡层和所述第一树脂绝缘层之间的硅烷耦合层。
全文摘要
提供一种多层配线基板，其具有形成有两个相反的主表面的基板主体，并且基板主体包括第一树脂绝缘层、层叠于第一树脂绝缘层的第二树脂绝缘层、配线图案，配线图案以配线图案的第一表面抵接第一树脂绝缘层且配线图案的第二表面抵接第二树脂绝缘层的方式被配置在第一树脂绝缘层和第二树脂绝缘层之间，配线图案沿基板主体的平面方向延伸并且被埋设在第一树脂绝缘层和第二树脂绝缘层二者中。
文档编号H05K1/02GK102209431SQ20111007916
公开日2011年10月5日 申请日期2011年3月29日 优先权日2010年3月29日
发明者佐藤裕纪, 肥后一咏, 肥田敏德 申请人:日本特殊陶业株式会社