基板结构的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种基板结构的制作方法。提供一基材。基材具有一核心层以及位于核心层的一第一表面与一第二表面上的一第一铜箔层与一第二铜箔层。对第一铜箔层与第二铜箔层进行一表面处理，以形成一第一粗糙表面与一第二粗糙表面。对第一粗糙表面照射一激光光束，以形成至少一从第一铜箔层延伸至核心层的第二表面的第一盲孔。对第二铜箔层进行一蚀刻步骤，以形成至少一从第二铜箔层延伸至核心层的第二表面的第二盲孔。第二盲孔连通第一盲孔而构成至少一通孔。形成一导电层于第一铜箔层与第二铜箔层上。导电层填满通孔且覆盖第一铜箔层与第二铜箔层。
【专利说明】基板结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种基板结构的制作方法，且特别是涉及一种具有通孔结构的基板结构的制作方法。
【背景技术】
[0002]现今具有至少二层线路层的多层线路板通常具有导电通孔结构(conductivethrough hole structure),而此导电通孔结构电连接多层线路板的其中二线路层，以使这些线路层能电性导通。目前形成导电通孔结构的方法大多是先采用机械式与蚀刻法来形成贯孔，而后再通过通孔电镀制作工艺来完成导电通孔结构。
[0003]一般来说，若是采用机械式钻孔法来形成贯孔，则其所形成的贯孔的孔径较大，且不适于大量生产。若是采用蚀刻法搭配机械钻孔法来形成贯孔，则先分别对树脂层相对两表面上的铜箔层进行一次涂布光致抗蚀剂、曝光、显影及蚀刻的步骤，接着才能先于铜箔层上形成开口，而后再通过机械钻具于开口的位置形成贯穿树脂层的通孔。虽然此方式所形成的贯孔具有较小的孔径，但却需要先经过两次的涂布光致抗蚀剂、曝光、显影及蚀刻的步骤来形成铜箔层的开口，因此制作步骤较为复杂。因此，如何针对具有通孔结构的基板结构的制作工艺进行改良，以进一步减少制作工艺步骤及提升制作工艺良率，实为目前亟待克服的一大课题。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种基板结构的制作方法，其可减少制作工艺步骤及降低制作成本的优势。
[0005]为达上述目的，本发明提出一种基板结构的制作方法，其包括以下步骤。提供一基材。基材具有一核心层以及位于核心层彼此相对的一第一表面与一第二表面上的一第一铜箔层与一第二铜箔层。对第一铜箔层与第二铜箔层进行一表面处理，以分别于第一铜箔层与第二铜箔层上形成一第一粗糙表面与一第二粗糙表面。对第一铜箔层的第一粗糙表面照射一激光光束，以形成至少一从第一铜箔层延伸至核心层的第二表面的第一盲孔。对第二铜箔层进行一蚀刻步骤，以形成至少一从第二铜箔层延伸至核心层的第二表面的第二盲孔。第二盲孔连通第一盲孔而构成至少一通孔。形成一导电层于第一铜箔层与第二铜箔层上，其中导电层填满通孔且覆盖第一铜箔层与第二铜箔层。
[0006]在本发明的一实施例中，上述表面处理包括一棕化处理或一粗化处理。
[0007]在本发明的一实施例中，上述形成导电层的方法包括电镀法。
[0008]在本发明的一实施例中，上述第二盲孔的孔径与第一盲孔的孔径相同。
[0009]在本发明的一实施例中，上述第一盲孔的孔径介于75微米(μ m)至150微米(μπι)之间。
[0010]在本发明的一实施例中，上述基板结构的制作方法，还包括:于形成导电层之前，形成一电镀种子层于第一铜箔层上、第二铜箔层上以及通孔的内壁上。[0011]在本发明的一实施例中，上述第一粗糙表面的十点平均粗糙度(Rz)介于3.5微米(μ m)至4.5微米(μ m)之间。
[0012]在本发明的一实施例中，上述第二粗糙表面的十点平均粗糙度(Rz)介于3.5微米(μ m)至4.5微米(μ m)之间。
[0013]在本发明的一实施例中，上述核心层的材质包括树脂。
[0014]在本发明的一实施例中，上述导电层的材质包括铜。
[0015]基于上述，本发明是先对铜箔层进行表面处理后，再对经表面处理后的铜箔层依序通过照射激光光束的步骤及蚀刻步骤来形成通孔。因此，相较于现有通过蚀刻法搭配机械钻孔法来形成通孔结构而言，本发明的基板结构的制作方法可减少一次涂布光致抗蚀齐U、曝光、显影及蚀刻的步骤，意即可有效减少制作工艺步骤，且具有降低制作成本及适于量产的优势。
[0016]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1A至图1E为本发明的一实施例的一种基板结构的制作方法的剖面示意图。
[0018]主要元件符号说明
[0019]100:基板结构
[0020]110、110，:基材
[0021]111:第一表面
[0022]112:核心层
[0023]113:第二表面
[0024]114、114’:第一铜箔层
[0025]116、116’:第二铜箔层
[0026]120:电镀种子层
[0027]130:导电层
[0028]B1:第一盲孔
[0029]B2:第二盲孔
[0030]L:激光光束
[0031]S1:第一粗糙表面
[0032]S2:第二粗糙表面
[0033]T:通孔
【具体实施方式】
[0034]图1A至图1E为本发明的一实施例的一种基板结构的制作方法的剖面示意图。依照本实施例的基板结构的制作方法，首先，请参考图1A，提供一基材110，其中基材110具有一核心层112、一第一铜箔层114以及一第二铜箔层116。在本实施例中，核心层112具有彼此相对的一第一表面111与一第二表面113，而第一铜箔层114与一第二铜箔层116分别位于核心层112的第一表面111与第二表面113上。于此,核心层112的材质例如是树脂。[0035]接着，请参考图1B，对第一铜箔层114与第二铜箔层116进行一表面处理，以分别于第一铜箔层114与第二铜箔层116上形成一第一粗糙表面SI与一第二粗糙表面S2。在本实施例中，表面处理例如是一棕化处理或一粗化处理，而第一粗糙表面SI的十点平均粗糙度(Rz)介于3.5微米(μ m)至4.5微米(μ m)之间，且第二粗糙表面S2的十点平均粗糙度(Rz)介于3.5微米(μ m)至4.5微米(μ m)之间。
[0036]接着，请参考图1C，对第一铜箔层114的第一粗糙表面SI照射一激光光束L，以形成至少一从第一铜箔层114延伸至核心层112的第二表面113的第一盲孔BI。于此，第一盲孔BI暴露出第二铜箔层116，且第一盲孔BI的孔径介于75微米(μ m)至150微米(μ m)之间。
[0037]由于本实施例是先对第一铜箔层114与第二铜箔层116进行表面处理来增加表面粗糙度，因此于照射激光光束L时，可具有较佳的制作工艺可靠度。
[0038]接着，请同时参考图1C与图1D，对第二铜箔层116进行一蚀刻步骤，以形成至少一从第二铜箔层116’延伸至核心层112的第二表面113的第二盲孔B2。于此,第二盲孔B2连通第一盲孔BI而构成至少一通孔T，且第二盲BI的孔径与第一盲孔BI的孔径实质上相同。。需说明的是，当进行蚀刻步骤时，蚀刻液(未绘示)会同时侵蚀第一铜箔层114、第二铜箔层116、第一粗糙表面SI以及第二粗糙表面S2，而使第一铜箔层114的厚度与第二铜箔层116的厚度降低，而构成具有较薄厚度的第一铜箔层114’与第二铜箔层116’的基材110，。
[0039]之后，请参考图1E，形成一电镀种子层120于第一铜箔层114’上、第二铜箔层116’上以及通孔T的内壁上，其中电镀种子层120覆盖第一铜箔层114’、第二铜箔层116’上以及通孔T的内壁。最后,在形成一导电层130于位于第一铜箔层114’与第二铜箔层116’上的电镀种子层120上，其中导电层130填满通孔T且覆盖位于第一铜箔层114’、第二铜箔层116’及通孔T的内壁上的电镀种子层120。于此，形成导电层130的方法例如是电镀法，而导电层130的材质例如是铜。至此，已完成基板结构100的制作方法。
[0040]由于本实施例是先对第一铜箔层114与第二铜箔层116进行表面处理后，再对经表面处理后的第一铜箔层114通过照射激光光束L以及对第二铜箔层116进行蚀刻步骤来形成通孔T。因此，相较于现有通过蚀刻法搭配机械钻孔法来形成通孔结构而言，本实施例的基板结构100的制作方法可减少一次涂布光致抗蚀剂、曝光、显影及蚀刻的步骤，意即可有效减少制作工艺步骤，且具有降低制作成本及适于量产的优势。再者，由于本实施例是通过先照射激光光束L而后再进行蚀刻步骤来形成通孔T，因此相对于现有的机械钻孔法来形成通孔结构而言，本实施例的通孔T于制作的过程中可具有较佳的制作工艺容裕度，且通孔T也可具有较小的孔径，适于量产。
[0041]综上所述，本发明是先对铜箔层进行表面处理后，再对经表面处理后的铜箔层依序通过照射激光光束的步骤及蚀刻步骤来形成通孔。因此，相较于现有通过蚀刻法搭配机械钻孔法来形成通孔结构而言，本发明的基板结构的制作方法可减少一次涂布光致抗蚀齐U、曝光、显影及蚀刻的步骤，意即可有效减少制作工艺步骤，且具有降低制作成本及适于量产的优势。
[0042]虽然结合以上实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属【技术领域】中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。
【权利要求】
1.一种基板结构的制作方法，包括: 提供一基材，该基材具有一核心层以及位于该核心层彼此相对的一第一表面与一第二表面上的一第一铜箔层与一第二铜箔层； 对该第一铜箔层与该第二铜箔层进行一表面处理，以分别于该第一铜箔层与该第二铜箔层上形成一第一粗糙表面与一第二粗糙表面； 对该第一铜箔层的该第一粗糙表面照射一激光光束，以形成至少一从该第一铜箔层延伸至该核心层的该第二表面的第一盲孔； 对该第二铜箔层进行一蚀刻步骤，以形成至少一从该第二铜箔层延伸至该核心层的该第二表面的第二盲孔，其中该第二盲孔连通该第一盲孔而构成至少一通孔；以及 形成一导电层于该第一铜箔层与该第二铜箔层上，其中该导电层填满该通孔且覆盖该第一铜箔层与该第二铜箔层。
2.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中该表面处理包括一棕化处理或一粗化处理。
3.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中形成该导电层的方法包括电镀法。
4.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中该第二盲孔的孔径与该第一盲孔的孔径相同。
5.如权利要求4所述的基板结构的制作方法，其中该第一盲孔的孔径介于75微米至150微米之间。
6.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，还包括: 在形成该导电层之前，形成一电镀种子层于该第一铜箔层上、该第二铜箔层上以及该通孔的内壁上。
7.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中该第一粗糙表面的十点平均粗糙度介于3.5微米至4.5微米之间。
8.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中该第二粗糙表面的十点平均粗糙度介于3.5微米至4.5微米之间。
9.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中该核心层的材质包括树脂。
10.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中该导电层的材质包括铜。
【文档编号】H05K3/42GK103717014SQ201310058654
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年2月25日 优先权日:2012年10月8日
【发明者】黄子威 申请人:旭德科技股份有限公司