专利名称：硅片喷淋清洗系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及太阳电池制造领域，尤其涉及一种太阳电池基体硅片清洗系统。
背景技术：
太阳电池生产过程中，当使用P型硅作为电池基体材料时，在扩散过程中，磷和硅 会在硅片表面形成一层化合物，我们称之为磷硅玻璃。这层物质会影响太阳光的入射，而且 也会降低硅片表面和电极的接触性能，导致电池质量下降，所以需要去除这层磷硅玻璃。在 实际生产中一般是利用稀氢氟酸溶液与磷硅化合物反应来去除磷硅玻璃，然后再经过去离 子水漂洗。目前，太阳电池生产厂家一般都使用水平式去磷硅玻璃清洗机，采用将硅片在清 洗槽中浸泡的方式来去除磷硅玻璃，为了实现浸泡的目的，通常在硅片进清洗槽处有一个 下坡过程，在出清洗槽处有一个上坡的过程，并加装了多个上下辊轴组来使硅片顺利的在 清洗槽内进出，通过氢氟酸清洗去除硅片表面的磷硅玻璃杂质。采用氢氟酸浸泡的方式决定了硅片刚进清洗槽体的时候会有个下坡的过程，出清 洗槽体的时候会有上坡的过程，所以硅片受力比一般水平传动复杂，而且前后槽会有溢流， 溢流方向与硅片前进方向正好相反，就会使硅片受到冲力，硅片在槽内前进的时候由于浸 没在氢氟酸液体内，会受到氢氟酸的浮力，为了硅片正常的前进，需要在清洗槽内加上多个 上下辊轴组作为驱动硅片前进的动力，所以，硅片又受到了辊轴组的上辊轴的压力。所以， 在整个氢氟酸浸泡过程中硅片的受力情况非常复杂，也导致了采用目前的氢氟酸浸泡方式 会产生碎片。因此，如上所述的硅片浸泡清洗方式导致硅片在氢氟酸清洗槽内受到很多的外 力，包括氢氟酸的浮力、上辊轴的压力、溶液溢流的冲力、上下坡时受到的外力。硅片复杂的 受力情况导致其很容易在氢氟酸清洗槽内碎片。
发明内容本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种使硅片在清洗槽内的 受力情况简单化、减少硅片在清洗槽内的碎片情况的硅片喷淋清洗系统。按照本实用新型提供的技术方案，所述硅片喷淋清洗系统，包括喷淋槽体，所述喷 淋槽体具有进槽口与出槽口，所述喷淋槽体内设置有用于输送硅片的输送辊轮组，所述输 送辊轮组的上方和下方分别设有用于喷射清洗硅片的多个上喷头和多个下喷头。优选地，所述多个上喷头和下喷头对称地分布在所述输送辊轮组的上下两侧。优选地，所述喷淋槽体内的液体平面低于所述输送辊轮组上的硅片所在水平面， 从而减少了硅片在喷淋槽内受到的液体浮力的影响。优选地，在硅片传输方向上的所述两相邻喷头之间的输送辊轮组仅包括下辊轮， 由于在上喷头喷不到的地方去除了上辊轮，减少了上辊轮对硅片的压力，能够有效地防止 碎片产生。优选地，在靠近所述进槽口和出槽口处的输送辊轮组仅包括下辊轮，硅片所受的力与原有浸泡式清洗相比去除了液体浮力的影响，因此可移除进槽口和出槽口处的上辊 轮，以减少对上辊轮硅片的压力从而减少碎片的产生。 优选地，所述喷淋槽体内的液体为氢氟酸。优选地，所述输送辊轮组位于同一水平面上。优选地，所述输送辊轮组在进槽口与出槽口处沿过渡斜面排列。与现有技术相比，本实用新型的优点是由于本实用新型的清洗方式由浸泡式改 为喷淋式，使硅片在喷淋槽内的受力情况简单化，减少了硅片在氢氟酸槽内受到液体浮力 的影响以及上辊轮对硅片的压力，从而减少了硅片碎片情况发生。
图1是本实用新型的整体结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。如图所示该硅片喷淋清洗系统，包括喷淋槽体1，喷淋槽体1上开设有进槽口 2 与出槽口 3 ；喷淋槽体1内设置有用于传送硅片的输送辊轮组，包括上辊轮7与下辊轮6 ；以 及对硅片进行喷淋清洗的喷头，其包括上喷头9与下喷头8。所述上喷头9与下喷头8在输 送辊轮组的上方和下方分别对称地设置，用于喷射清洗液至硅片的上下表面，对输送辊轮 组上传送的硅片进行喷射清洗；辊轮组保证硅片在喷头喷射清洗液的过程中不会发生移位 引起硅片传输出现偏差。作为优选，所述喷淋槽体1内通过喷头喷射的液体为氢氟酸。作为优选，喷淋槽体1内的液体平面始终低于所述输送辊轮组上的硅片所在水平 面，从而减少了硅片在喷淋槽内受到的液体浮力的影响。作为优选的，在硅片传输方向上，由于在位于两相邻喷头之间的位置硅片不会受 到喷射的清洗液的正面冲击，此处的输送辊轮组可仅包括下辊轮6，由于去除了此处多余的 上辊轮，减小了上辊轮对硅片的压力，能够有效地减少碎片产生。作为优选，在靠近所述进槽口 2和出槽口 3处的输送辊轮组可仅包括下辊轮6。 由于与原有浸泡式清洗相比，硅片所受的力去除了液体浮力的影响，因此也可移除进槽口 2 和出槽口 3处的多余的上辊轮，以减小上辊轮对硅片的压力从而减少碎片的产生。下面详细介绍本实用新型的工作过程。待喷淋清洗的硅片从进槽口 2进入喷淋槽 体1，在输送辊轮组的传动下硅片依次进入喷淋槽体1 ；下喷头8与上喷头9对硅片的上下 表面实施喷淋，完成清洗；然后通过出槽口 3将喷淋好的硅片输送到喷淋槽体1外，进行后 道工序。本实施方式中，所述输送辊轮组可以是在进槽口与出槽口处沿过渡斜面排列，具 有较小角度的上坡和下坡过程。在另一实施方式中，所述输送辊轮组位于同一水平面上。另外，本实用新型可以通过调整喷淋槽体1前后挡板(未图示)的高度从而来保 证液面高度低于硅片的高度，这样能去除溶液对硅片的浮力和溢流时对硅片的冲力，使硅 片在受较小的摩擦力的情况下就能顺利前进，从而降低碎片。由于拆除了多余的上辊轮，特 别是上下坡处的上辊轮，这样能减少上辊轮对硅片的压力，硅片在喷淋槽体1内特别是上下坡时受力就比较简单，从而可以有效的减少碎片。本实用新型可使本道工序的碎片率由2%。降低至0. 6%。。以上实施例仅为本实用新型的示例性实施例，不用于限制本实用新型，本实用新 型的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本实用新型的实质和保护范围 内，对本实用新型做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本实用新 型的保护范围内。
权利要求一种硅片喷淋清洗系统，包括喷淋槽体，所述喷淋槽体具有进槽口与出槽口，所述喷淋槽体内设置有用于输送硅片的输送辊轮组，其特征是所述输送辊轮组的上方和下方分别设有用于喷射清洗硅片的多个上喷头和下喷头。
2.如权利要求1所述的硅片喷淋清洗系统，其特征是所述多个上喷头和下喷头对称 地分布在所述输送辊轮组的上下两侧。
3.如权利要求1所述的硅片喷淋清洗系统，其特征是所述喷淋槽体内的液体平面低 于所述输送辊轮组上的硅片所在水平面。
4.如权利要求1所述的硅片喷淋清洗系统，其特征是在硅片传输方向上的所述两相 邻喷头之间的输送辊轮组仅包括下辊轮。
5.如上述任一权利要求所述的硅片喷淋清洗系统，其特征是在靠近所述进槽口和出 槽口处的输送辊轮组仅包括下辊轮。
6.如权利要求1所述的硅片喷淋清洗系统，其特征是所述喷淋槽体内的液体为氢氟酸。
7.如权利要求1所述的硅片喷淋清洗系统，其特征是所述输送辊轮组位于同一水平 面上。
8.如权利要求1所述的硅片喷淋清洗系统，其特征是所述输送辊轮组在进槽口与出 槽口处沿过渡斜面排列。
专利摘要本实用新型公开了一种硅片喷淋清洗系统，包括喷淋槽体，其具有进槽口与出槽口，所述喷淋槽体内设置有用于输送硅片的输送辊轮组，所述输送辊轮组的上方和下方分别设有用于喷射清洗硅片的多个上喷头和多个下喷头。由于本实用新型的清洗方式由浸泡式改为喷淋式，使硅片在喷淋槽内的受力情况简单化，减少了硅片在氢氟酸槽内受到液体浮力的影响，从而减少了硅片碎片情况发生。
文档编号B08B3/08GK201579228SQ20092028273
公开日2010年9月15日 申请日期2009年12月24日 优先权日2009年12月24日
发明者何广春, 陆杰, 陈豪 申请人:无锡尚德太阳能电力有限公司