本实用新型属于半导体功率器件技术领域,具体涉及一种低压超级结沟槽掩膜板。
背景技术:
目前,如图1现有的低压超级结沟槽掩膜板为单一源极区域设计,导致靠近栅极拐角只能实施直角形沟槽如图3。
技术实现要素:
有鉴于此,本实用新型的主要目的在于提供一种低压超级结沟槽掩膜板,。
本实用新型所采用的技术方案为:
一种低压超级结沟槽掩膜板,其特征在于:
所述沟槽掩膜板的源极区沟槽为分区并联的图形,令靠近栅极的沟槽拐角实施直角、弧形、斜角。
所述沟槽拐角位于沟槽掩膜板左边中间区域两个拐角。
本实用新型具有以下优点:
本实用新型的低压超级结沟槽掩膜板让靠近栅极的拐角,从只能直角沟槽的单一设计,修改为该处图形可以实施直角、弧形、斜角多样化设计,使产品达到应用需求的参数。
附图说明
图1为现有的低压超级结沟槽掩膜板结构。
图2为本实用新型实施例提供低压超级结沟槽掩膜板的结构示意图。
图3为现有的低压超级结沟槽掩膜板靠近栅极拐角只能实施直角形沟槽的情形。
图4为本实用新型实施直角形沟槽的情形。
图5为本实用新型实施弧形拐角沟槽的情形。
图6为本实用新型实施斜角拐角沟槽的情形。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本实用新型进行详细的说明。
本实用新型实施例提供一种新型低压超级结沟槽掩膜板,如图2所示,该新型低压超级结沟槽掩膜板的源极区沟槽分区并联,让靠近栅极的沟槽拐角设计从只能直角图形的设计,变化为直角、弧形、斜角均可实施的设计。
所述沟槽拐角设计区域位于掩膜板的左边中间区域两个拐角。
所述图形为直角、弧形、斜角。
本实用新型将源极从大面积单一极性优化为多块源极并联设计,使其可以使用更优化的拐角设计,让产品达到应用对参数的要求。
本实用新型的内容不限于实施例所列举,本领域普通技术人员通过阅读本实用新型说明书而对本实用新型技术方案采取的任何等效的变换,均为本实用新型的权利要求所涵盖。