Coa阵列基板及液晶面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种COA阵列基板及液晶面板。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
[0003]现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(backlight module) ο通常液晶面板由彩膜基板(Color Filter，CF)、薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片基板上施加驱动电压，由两片基板之间产生的电场来控制液晶层内液晶分子的取向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
[0004]通常，传统的液晶面板在彩膜基板一侧制备有黑色矩阵(Black Matrix，BM)、包含红、绿、蓝色阻的色阻层、及公共电极等，在阵列基板一侧制备TFT、像素电极等。这种传统的液晶面板受阵列基板和彩膜基板对位精度的限制，像素的开口率受到影响。
[0005]为了解决阵列基板和彩膜基板对位要求高的问题，提高开口率，可将色阻层集成制作于阵列基板一侧，即采用COA(Color Filter On Array)技术。
[0006]现有的主流COA阵列基板一般是将黑色矩阵和色阻层制备于像素电极下面，其具体结构如图1所示，包括基板100、设于基板100正面的色阻层700和黑色矩阵800、设于所述黑色矩阵800上的钝化保护层900、及设于钝化保护层900上的像素电极1000。所述像素电极1000通过贯穿所述钝化保护层900、黑色矩阵800、与色阻层700的过孔987接触TFT的漏极。
[0007]由于黑色矩阵800、与色阻层700的厚度相比其它膜层的厚度较大，制作贯穿所述钝化保护层900、黑色矩阵800、与色阻层700的过孔987较困难，所述过孔987的大小不易精准控制，且过孔987底部与顶部的高度差较大，容易造成过孔987对应区域的配向不良，容易产生漏光。
【发明内容】
[0008]本发明的目的在于提供一种COA阵列基板，既能够解决传统的阵列基板和彩膜基板对位要求高的问题，提高开口率，又易于制作，避免漏光。
[0009]本发明的目的还在于提供一种液晶面板，开口率高，易于制作。
[0010]为实现上述目的，本发明提供一种COA阵列基板，包括:基板、设于所述基板正面的TFT、覆盖所述TFT的钝化保护层、设于所述钝化保护层上的像素电极、正对所述TFT设于所述基板背面的黑色矩阵、以及覆盖所述黑色矩阵与基板背面的色阻层；
[0011]所述像素电极经由贯穿所述钝化保护层的过孔接触所述TFT。
[0012]所述TFT包括设于所述基板正面的栅极、覆盖所述栅极与基板正面的栅极绝缘层、于所述栅极上方设于栅极绝缘层上的半导体层、以及设于所述栅极绝缘层上分别接触半导体层两侧的源极与漏极；
[0013]所述钝化保护层覆盖所述源极、漏极、半导体层、与栅极绝缘层；所述像素电极经由贯穿所述钝化保护层的过孔接触所述TFT的漏极。
[0014]所述黑色矩阵的材料为亚克力黑色光阻。
[0015]所述色阻层至少包括红色色阻、绿色色阻、及蓝色色阻。
[0016]所述基板为玻璃基板。
[0017]所述栅极、源极、与漏极的材料为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。
[0018]所述栅极绝缘层与钝化保护层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
[0019]所述像素电极的材料为ITO。
[0020]所述半导体层的材料为非晶硅半导体、低温多晶硅半导体、金属氧化物半导体中的一种。
[0021]本发明还提供一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板及设置在所述阵列基板与彩膜基板间的液晶层，所述阵列基板为上述COA阵列基板。
[0022]本发明的有益效果:本发明提供的一种COA阵列基板及液晶面板，将黑色矩阵与色阻层设置于基板背面，将TFT、钝化保护层与像素电极设置于基板正面，像素电极通过贯穿所述钝化保护层的过孔接触所述TFT，相比于现有技术，既能够解决传统的阵列基板和彩膜基板对位要求高的问题，提高开口率，又无需在黑色矩阵与色阻层开孔即可实现像素电极与TFT的漏极的连接，易于制作，避免漏光。
[0023]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0024]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0025]附图中，
[0026]图1为现有的COA阵列基板的结构示意图；
[0027]图2为本发明的COA阵列基板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0028]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0029]请参阅图2，本发明提供一种COA阵列基板，包括基板1、设于所述基板I正面的TFT T、覆盖所述TFT T的钝化保护层6、设于所述钝化保护层6上的像素电极7、正对所述TFT T设于所述基板I背面的黑色矩阵8、以及覆盖所述黑色矩阵8与基板I背面的色阻层9 ;所述像素电极7经由贯穿所述钝化保护层6的过孔61接触所述TFT T0
[0030]由于将黑色矩阵8正对所述TFT T设于所述基板I的背面，色阻层9覆盖所述黑色矩阵8与基板I背面，能够解决传统的阵列基板和彩膜基板对位要求高的问题，避免组立制程中的对位误差，提高开口率。
[0031]具体地，所述TFT T包括设于所述基板I正面的栅极2、覆盖所述栅极2与基板I正面的栅极绝缘层3、于所述栅极2上方设于栅极绝缘层3上的半导体层4、以及设于所述栅极绝缘层3上分别接触半导体层4两侧的源极51与漏极52。
[0032]所述钝化保护层6覆盖所述源极51、漏极52、半导体层4、与栅极绝缘层3。所述像素电极7经由贯穿所述钝化保护层6的过孔61接触所述TFTT的漏极52。由于像素电极7仅通过贯穿所述钝化保护层6的过孔61即可连接所述TFT T的漏极52，无需像现有的COA阵列基板那样在黑色矩阵与色阻层开孔，而钝化保护层6的厚度较小，开孔较容易，所述过孔61的大小易于进行较精准的控制，且所述过孔61底部与顶部的高度差较小，能够保证所述过孔61对应区域的正常配向，不易产生漏光。
[0033]所述黑色矩阵8的材料为亚克力黑色光阻。
[0034]所述色阻层9至少包括红色色阻、绿色色阻、及蓝色色阻，还可按显示需要增加白色光阻、或黄色光阻。
[0035]所述基板I为玻璃基板。
[0036]所述栅极2、源极51、与漏极52的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)中的一种或几种的堆栈组合。
[0037]所述栅极绝缘层3与钝化保护层6的材料为氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)、或二者的组合。
[0038]所述像素电极7的材料为铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)。
[0039]所述半导体层4的材料为非晶硅半导体、低温多晶硅半导体、金属氧化物半导体中的一种。
[0040]本发明还提供一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板及设置在所述阵列基板与彩膜基板间的液晶层，所述阵列基板为上述如图2所示的COA阵列基板，此处不再进行重复描述。
[0041]综上所述，本发明的COA阵列基板及液晶面板，将黑色矩阵与色阻层设置于基板背面，将TFT、钝化保护层与像素电极设置于基板正面，像素电极通过贯穿所述钝化保护层的过孔接触所述TFT，相比于现有技术，既能够解决传统的阵列基板和彩膜基板对位要求高的问题，提高开口率，又无需在黑色矩阵与色阻层开孔即可实现像素电极与TFT的漏极的连接，易于制作，避免漏光。
[0042]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种COA阵列基板，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(I)正面的TFT(T)、覆盖所述TFT(T)的钝化保护层(6)、设于所述钝化保护层(6)上的像素电极(7)、正对所述TFT(T)设于所述基板(I)背面的黑色矩阵(8)、以及覆盖所述黑色矩阵(8)与基板(I)背面的色阻层(9); 所述像素电极(7)经由贯穿所述钝化保护层(6)的过孔(61)接触所述TFT(T)。2.如权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于，所述TFT(T)包括设于所述基板(I)正面的栅极(2)、覆盖所述栅极(2)与基板(I)正面的栅极绝缘层(3)、于所述栅极(2)上方设于栅极绝缘层(3)上的半导体层(4)、以及设于所述栅极绝缘层(3)上分别接触半导体层⑷两侧的源极(51)与漏极(52); 所述钝化保护层(6)覆盖所述源极(51)、漏极(52)、半导体层(4)、与栅极绝缘层(3);所述像素电极(7)经由贯穿所述钝化保护层(6)的过孔(61)接触所述TFT(T)的漏极(52)。3.如权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于，所述黑色矩阵(8)的材料为亚克力黑色光阻。4.如权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于，所述色阻层(9)至少包括红色色阻、绿色色阻、及蓝色色阻。5.如权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于，所述基板(I)为玻璃基板。6.如权利要求2所述的COA阵列基板，其特征在于，所述栅极(2)、源极(51)、与漏极(52)的材料为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。7.如权利要求2所述的COA阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层(3)与钝化保护层(6)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。8.如权利要求2所述的COA阵列基板，其特征在于，所述像素电极(7)的材料为ΙΤ0。9.如权利要求2所述的COA阵列基板，其特征在于，所述半导体层(4)的材料为非晶硅半导体、低温多晶硅半导体、金属氧化物半导体中的一种。10.一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板及设置在所述阵列基板与彩膜基板间的液晶层，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1-9中任意一项所述的COA阵列基板。
【专利摘要】本发明提供一种COA阵列基板及液晶面板。该COA阵列基板包括基板(1)、设于所述基板(1)正面的TFT(T)、覆盖所述TFT(T)的钝化保护层(6)、设于所述钝化保护层(6)上的像素电极(7)、正对所述TFT(T)设于所述基板(1)背面的黑色矩阵(8)、以及覆盖所述黑色矩阵(8)与基板(1)背面的色阻层(9)；所述像素电极(7)经由贯穿所述钝化保护层(6)的过孔(61)接触所述TFT(T)。相比于现有技术，本发明的COA阵列基板既能够解决传统的阵列基板和彩膜基板对位要求高的问题，提高开口率，又无需在黑色矩阵与色阻层开孔即可实现像素电极与TFT的漏极的连接，易于制作，避免漏光。
【IPC分类】G02F1/1333, G02F1/1335, G02F1/1362
【公开号】CN104965336
【申请号】CN201510460351
【发明人】祝秀芬
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年7月30日