导电性膜及图像显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种导电性膜及图像显示装置。
【背景技术】
[0002] 以往，在具有触控传感器的图像显示装置中，多使用在透明树脂膜上形成 ITO(铟-锡复合氧化物）等金属氧化物层而获得的透明导电性膜作为触控传感器的电极。 然而，具备该金属氧化物层的透明导电性膜存在如下问题：因弯曲而容易失去导电性，难以 用在软性显示器（flexible display)等需要弯曲性的用途中。
[0003] 另一方面，在液晶显示装置等具备偏振片的图像显示装置中存在如下问题：在介 由偏光太阳镜等偏光透镜观看显示画面的情形时无法看到图像或看到色不均。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1 :日本特开2000-112663号公报
【发明内容】
[0007] 发明所要解决的问题
[0008] 本发明是为了解决上述问题而作出的，其目的在于提供一种导电性膜，该导电性 膜的耐弯曲性优异，即便弯曲也不会损害导电性，且在应用于具备偏振片的图像显示装置 的情形时可有助于提高介由偏光透镜的可视性。
[0009] 用于解决问题的技术手段
[0010] 本发明的导电性膜具备相位差膜和配置在该相位差膜的至少单面上的透明导电 层，该相位差膜的波长550nm下的面内相位差为90nm~190nm，该相位差膜的波长400nm 下的面内相位差Re [400]相对于波长550nm下的面内相位差Re [550]的比（Re [400] / Re [550])为0. 5~0. 9，该透明导电层包含选自由导电性纳米线、金属网及导电性聚合物所 组成的组中的至少1种。
[0011] 在优选的实施方式中，上述导电性纳米线或金属网由选自由金、铂、银及铜所组成 的组中的1种以上的金属构成。
[0012] 在优选的实施方式中，上述导电性纳米线包含碳纳米管。
[0013] 在优选的实施方式中，上述导电性纳米线的粗度d与长度L的比（L/d)为10~ 100,000〇
[0014] 在优选的实施方式中，上述导电性聚合物是选自由聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚 合物、聚对苯系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚对苯乙烯撑系聚合物及聚吡咯系聚合物所组成 的组中的1种以上的聚合物。
[0015] 根据本发明的另一方面，提供一种图像显示装置。该图像显示装置具备上述导电 性膜和偏振片。
[0016] 在优选的实施方式中，本发明的图像显示装置在上述导电性膜的可视侧不具备偏 振片。
[0017] 根据本发明的又一方面，提供一种触摸面板。该触摸面板包含上述导电性膜。
[0018] 发明的效果
[0019] 根据本发明，可获得一种导电性膜，其通过具备具有特定的相位差的相位差膜、及 包含选自由导电性纳米线、金属网及导电性聚合物所组成的组中的至少1种的透明导电 层，从而耐弯曲性优异，即便弯曲也不会损害导电性，且在应用于具备偏振片的图像显示装 置的情形时可有助于提高介由偏光透镜的可视性。
【附图说明】
[0020] 图1是本发明的优选的实施方式的导电性膜的概略剖面图。
[0021] 图2是表示具备本发明的导电性膜的图像显示装置的一个例子的概略剖面图。
[0022] 图3是表示具备本发明的导电性膜的图像显示装置的另一个例子的概略剖面图。
[0023] 图4是表示具备本发明的导电性膜的图像显示装置的又一个例子的概略剖面图。
[0024] 图5是表示具备本发明的导电性膜的图像显示装置的再一个例子的概略剖面图。
[0025] 图6是表示实施例1及比较例1中所使用的相位差膜的波长分散特性的图。
【具体实施方式】
[0026] A.导电件腊的整体构成
[0027] 图1是本发明的优选的实施方式的导电性膜的概略剖面图。该导电性膜10具备 相位差膜1和配置在相位差膜1的单面或两面（图示例中为单面）上的透明导电层2。透 明导电层2包含选自由导电性纳米线、金属网及导电性聚合物所组成的组中的至少1种。透 明导电层2由于包含导电性纳米线、金属网或导电性聚合物，因而耐弯曲性优异，即便弯曲 也难以失去导电性。导电性纳米线可被保护层保护。
[0028] 本发明的导电性膜的总光线透过率优选为80%以上，更优选为85%以上，特别优 选为90%以上。例如，若使用导电性纳米线，则可形成形成有开口部的透明导电层，可获得 光透过率高的导电性膜。
[0029] 本发明的导电性膜的表面电阻值优选为0. 1Ω / □~1000Ω / □，更优选为 〇· 5Ω / □~500Ω / □，特别优选为 1Ω / □~250Ω / 口。
[0030] B.相位差腊
[0031] 上述相位差膜可发挥作为所谓λ/4板的功能。在本说明书中，"λ/4板"是指具 有将某特定波长的直线偏振光转换为圆偏振光（或将圆偏振光转换为直线偏振光）的功 能者。上述相位差膜的波长550nm下的面内相位差Re为90nm~190nm，优选为IOOnm~ 180nm，进而优选为IlOnm~170nm。本发明的导电性膜通过包含具有此种面内相位差Re的 相位差膜，在应用于具备偏振片的图像显示装置的情形时可有助于提高介由偏光透镜的可 视性。再者，在本说明书中，面内相位差Re是在23°C下、将面内的折射率成为最大的方向 (即慢轴方向）的折射率设为nx、将在面内与慢轴正交的方向（即快轴方向）的折射率设 为ny、将相位差膜的厚度设为d(nm)时、由Re = (nx - ny) Xd求出。相位差膜只要具有 nx > ny的关系，则表示任意适当的折射率椭圆体。例如，相位差膜的折射率椭圆体显示nx > nz > ny 或 nx > ny ^ nz 的关系。
[0032] 上述相位差膜显示随着变为长波长侧而面内相位差Re变大的波长分散特性。具 体而言，上述相位差膜的波长400nm下的面内相位差Re [400]相对于波长550nm下的面内 相位差Re[550]的比（Re[400]/Re[550])为0.5~0.9,优选为0.6~0.8。本发明的导电 性膜通过具备显示此种波长分散的λ/4板作为相位差膜，在应用于具备偏振片的图像显 示装置的情形时可有助于提高介由偏光透镜的可视性。通常，介由偏光透镜的可视性的问 题（具体为看到图像着色或变色、看到虹斑花纹等问题）在自图像显示装置出射的光量多 的情形时变得显著。本发明的成果之一在于，可使用光透过率高的透明导电层而实现导电 性膜本身的高透过率化，且可获得可有助于提高介由偏光透镜的可视性的导电性膜。
[0033] 在一个实施方式中，上述相位差膜的波长550nm下的厚度方向的相位差Rth优选 为45nm~85nm，进而优选为50nm~80nm，特别优选为55nm~75nm。在该实施方式中，相 位差膜的波长550nm下的Nz系数优选为0. 4~0. 95,更优选为0. 4~0. 8。再者，在本说 明书中，厚度方向的相位差Rth是指23°C下的厚度方向的相位差值。Rth是在将面内的折 射率成为最大的方向（即慢轴方向）的折射率设为nx、将厚度方向的折射率设为nz、将相 位差膜的厚度设为d(nm)时、由Rth = (nx - nz) Xd求出。Nz系数是由Nz = Rth/Re求 出。
[0034] 在另一实施方式中，上述相位差膜的波长550nm下的厚度方向的相位差Rth优 选为90nm~230nm，进而优选为IOOnm~200nm，特别优选为IlOnm~180nm，最优选为为 IlOnm~165nm。在该实施方式中，相位差膜的波长550nm下的Nz系数优选为I. 0~L 3， 更优选为I. 〇~1. 25,进而优选为I. 0~1. 2,特别优选为I. 0~1. 15。
[0035] 上述相位差膜的厚度可以以能获得所需的面内相位差的方式进行设定。具体而 言，相位差膜的厚度优选为30 μπι~130 μπι，进而优选为35 μπι~125 μπι，特别优选为 40 μ m ~ 120 μ m〇
[0036] 上述相位差膜可在能获得本发明的效果的范围内利用任意适当的材料形成。代表 例为高分子膜的拉伸膜。作为形成该高分子膜的树脂，例如可列举出：具有芴骨架的聚碳酸 酯系树脂（例如记载在日本特开2002-48919号公报中）、纤维素系树脂（例如记载在日本 特开2003-315538号公报、日本特开2000-137116号公报中）等。另外，作为相位差膜，也 可使用：包含2种以上具有不同波长分散特性的芳香族聚酯聚合物的高分子材料的拉伸膜 (例如记载在日本特开2002-14234号公报中）；包含以下共聚物的高分子材料的拉伸膜，该 共聚物具有2种以上源自形成具有不同波长分散特性的聚合物的单体的单体单元（记载在 W000/26705号公报中）；层叠2种以上具有不同波长分散特性的拉伸膜而成的复合膜（记 载在日本特开平2-120804号公报中）。
[0037] 作为上述高分子膜的形成材料，例如可为均聚物（homopolymer)，可为共聚物 (copolymer)，也可为多种聚合物的掺合物。在掺合物的情形时，由于必须在光学上透明，因 而优选各聚合物相容。另外，优选各聚合物的折射率大致相等。作为相位差膜的形成材料， 例如可优选地使用日本特开200