4-309617号公报中所记载的聚合物。
[0038] 作为上述掺合物的具体的组合，例如可列举出：作为具有负的光学各向异性的聚 合物的聚（甲基丙烯酸甲酯）与作为具有正的光学各向异性的聚合物的聚（偏二氟乙烯）、 聚（环氧乙烷）、偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚物等的组合；作为具有负的光学各向异性的 聚合物的聚苯乙烯、苯乙烯/月桂酰基马来酰亚胺共聚物、苯乙烯/环己基马来酰亚胺共 聚物、苯乙烯/苯基马来酰亚胺共聚物等与作为具有正的光学各向异性的聚合物的聚（苯 醚）的组合；作为具有负的光学各向异性的聚合物的苯乙烯/马来酸酐共聚物与作为具有 正的光学各向异性的聚合物的聚碳酸酯的组合；作为具有负的光学各向异性的聚合物的丙 烯腈/苯乙烯共聚物与作为具有正的光学各向异性的聚合物的丙烯腈/丁二烯共聚物的组 合等。在这些组合中，就透明性的观点而言，优选作为具有负的光学各向异性的聚合物的聚 苯乙烯与作为具有正的光学各向异性的聚合物的聚（苯醚）的组合。作为聚（苯醚），例如 可列举出聚（2, 6-二甲基-1，4-苯醚）等。
[0039] 作为上述共聚物（copolymer)，例如可列举出：丁二稀/苯乙稀共聚物、乙稀/苯 乙烯共聚物、丙烯腈/ 丁二烯共聚物、丙烯腈/ 丁二烯/苯乙烯共聚物、聚碳酸酯系共聚物、 聚酯系共聚物、聚酯碳酸酯系共聚物、聚芳酯系共聚物等。特别是由于具有芴骨架的片段 (segment)可成为负的光学各向异性，因而优选具有芴骨架的聚碳酸酯、具有芴骨架的聚 碳酸酯系共聚物、具有芴骨架的聚酯、具有芴骨架的聚酯系共聚物、具有芴骨架的聚酯碳酸 酯、具有芴骨架的聚酯碳酸酯系共聚物、具有芴骨架的聚芳酯、具有芴骨架的聚芳酯系共聚 物等。
[0040] 可使上述高分子膜拉伸而形成相位差膜。可调整高分子膜的拉伸倍率及拉伸温 度，从而控制相位差膜的面内相位差及厚度方向的相位差。
[0041] 拉伸倍率可根据相位差膜所需的面内相位差、厚度方向的相位差、相位差膜所需 的厚度、所使用的树脂的种类、所使用的高分子膜的厚度、拉伸温度等而适当改变。具体而 言，拉伸倍率优选为I. 1倍~2. 5倍，更优选为1. 25倍~2. 45倍，进而优选为1. 4倍~2. 4 倍。
[0042] 拉伸温度可根据相位差膜所需的面内相位差、厚度方向的相位差、相位差膜所需 的厚度、所使用的树脂的种类、所使用的高分子膜的厚度、拉伸倍率等而适当改变。具体而 言，拉伸温度优选为100°C~250°C，更优选为105°C~240°C，进而优选为IKTC~240°C。
[0043] 拉伸方法是在可获得如上所述的光学特性及厚度的范围内采用任意适当的方法。 作为具体例，可列举出自由端拉伸及固定端拉伸。优选使用自由端单轴拉伸，进而优选使用 自由端纵向单轴拉伸。
[0044] C.诱_导电层
[0045] 透明导电层包含选自由导电性纳米线、金属网及导电性聚合物所组成的组中的至 少1种。
[0046] C-L导电性纳米线
[0047] 作为上述导电性纳米线，可在能获得本发明的效果的范围内使用任意适当的导电 性纳米线。导电性纳米线是指形状为针状或丝状、直径为纳米尺寸的导电性物质。导电性 纳米线可为直线状，也可为曲线状。若使用由导电性纳米线构成的透明导电层，则可获得耐 弯曲性优异的导电性膜。另外，若使用由导电性纳米线构成的透明导电层，则通过使导电 性纳米线彼此形成间隙而成为网格状，即便为少量的导电性纳米线也可形成良好的导电路 径，从而可获得电阻小的导电性膜。进而，通过使导电性线成为网格状，可在网格的间隙中 形成开口部，从而获得光透过率高的导电性膜。作为导电性纳米线，例如可列举出由金属构 成的金属纳米线、包含碳纳米管的导电性纳米线等。
[0048] 上述导电性纳米线的粗度d与长度L的比（纵横比：L/d)优选为10~100, 000， 更优选为50~100, 000,特别优选为100~10, 000。若使用如此纵横比大的导电性纳米线， 则导电性纳米线良好地交叉，可利用少量的导电性纳米线表现出高的导电性。其结果，可获 得光透过率高的导电性膜。再者，于本说明书中，所谓"导电性纳米线的粗度"在导电性纳 米线的剖面为圆状的情形时指该圆的直径，在为椭圆状的情形时指该椭圆的短径，在为多 边形的情形时指最长的对角线。导电性纳米线的粗度及长度可通过扫描型电子显微镜或透 射型电子显微镜进行确认。
[0049] 上述导电性纳米线的粗度优选为小于500nm，更优选为小于200nm，特别优选为 IOnm~100nm，最优选为IOnm~50nm。若为此种范围，则可形成光透过率高的透明导电层。
[0050] 上述导电性纳米线的长度优选为2. 5 μ m~1000 μ m，更优选为10 μ m~500 μ m， 特别优选为20 μL?~100 μL?。若为此种范围，则可获得导电性高的导电性膜。
[0051] 作为构成上述金属纳米线的金属，只要为导电性高的金属，则可使用任意适当的 金属。上述金属纳米线优选为由选自由金、铂、银及铜所组成的组中的1种以上的金属构 成。其中，就导电性的观点而言，优选为银、铜或金，更优选为银。另外，也可使用对上述金 属进行了镀覆处理（例如镀金处理）的材料。
[0052] 作为上述金属纳米线的制造方法，可采用任意适当的方法。例如可列举出：在溶 液中还原硝酸银的方法；自探针的前端部使外加电压或电流作用于前体表面、利用探针前 端部拉出金属纳米线而连续地形成该金属纳米线的方法等。就溶液中还原硝酸银的方法 而言，可通过在乙二醇等多元醇及聚乙烯吡咯啶酮的存在下进行硝酸银等银盐的液相还原 而合成银纳米线。均勾尺寸的银纳米线例如可依据Xia, Υ. etal.，Chem. Mater. (2002)、14、 4736-4745 ;Xia, Υ· etal.，Nano letters (2003) 3 (7)、955-960 所记载的方法进行大量生产。
[0053] 作为上述碳纳米管，可使用任意适当的碳纳米管。例如可使用所谓多层碳纳米管、 二层碳纳米管、单层碳纳米管等。其中，就导电性高的方面而言，可优选地使用单层碳纳米 管。作为上述碳纳米管的制造方法，可采用任意适当的方法。优选使用利用电弧放电法所 制作的碳纳米管。利用电弧放电法所制作的碳纳米管由于结晶性优异，因而优选。
[0054] 包含上述导电性纳米线的透明导电层可以如下方式形成：将使上述导电性纳米线 分散于溶剂中而获得的分散液（导电性纳米线分散液）涂布在上述相位差膜上后使涂布层 干燥。
[0055] 作为上述导电性纳米线分散液中所含有的溶剂，可列举出水、醇系溶剂、酮系溶 剂、醚系溶剂、烃系溶剂、芳香族系溶剂等。就降低环境负荷的观点而言，优选使用水。
[0056] 上述导电性纳米线分散液中的导电性纳米线的分散浓度优选为0. 1重量％~1重 量％。若为此种范围，则可形成导电性及光透过性优异的透明导电层。
[0057] 上述导电性纳米线分散液可根据目的而进一步含有任意适当的添加剂。作为上述 添加剂，例如可列举出防止导电性纳米线的腐蚀的防腐蚀材料、防止导电性纳米线的凝集 的界面活性剂等。所使用的添加剂的种类、数及量可根据目的而适当设定。另外，导电性纳 米线分散液在可能获得本发明的效果的范围内，可视需要含有任意适当的粘合剂树脂。
[0058] 作为上述导电性纳米线分散液的涂布方法，可采用任意适当的方法。作为涂布 方法，例如可列举出：喷涂、棒式涂布、辊式涂布、模具涂布、喷墨涂布、网版涂布（screen coating)、浸渍涂布、狭缝式涂布、凸版印刷法、凹版印刷法（Intaglio printing method)、 凹版印刷法（Gravure printing method)等。作为涂布层的干燥方法，可采用任意适当的 干燥方法（例如自然干燥、送风干燥、加热干燥）。例如，在加热干燥的情形时，干燥温度代 表性地为100°C~200°C，干燥时间代表性地为1分钟~10分钟。
[0059] 在上述透明导电层为由导电性纳米线构成的情形时，该透明导电层的厚度优选为 0· 01 μπι~10 μπι，更优选为0· 05 μπι~3 μπι，特别优选为0· 1 μπι~1 μπι。若为此种范围， 则可获得导电性及光透过性优异的导电性膜。
[0060] 在上述透明导电层为由导电性纳米线构成的情形时，该透明导电层的总光线透过 率优选为85 %以上，更优选为90 %以上，进而优选为95 %以上。
[0061] 上述透明导电层中的导电性纳米线的含有比率相对于透明导电层的总重量，优选 为80重量％~100重量％，更优选为85重量％~99重量％。若为此种范围，则可获得导 电性及光透过性优异的导电性膜。
[0062] 在上述导电性纳米线为由银的金属纳米线构成的情形时，透明导电层的密度优选 为I. 3g/cm3~10. 5g/cm3,更优选为I. 5g/cm3~3. Og/cm3。若为此种范围，则可获得导电性 及光透过性优异的导电性膜。
[0063] 包含上述导电性纳米线的透明导电层可被图案化成规定的图案。透明导电层的 图案的形状优选为作为触摸面板（例如静电电容方式触摸面板）良好地进行动作的图案， 例如可列举出：日本特表2011-511357号公报、日本特开2010-164938号公报、日本特开 2008-310550号公报、日本特表2003-511799号公报、日本特表2010-541109号公报