专利名称：成膜设备以及成膜方法
技术领域：
本说明书公开的技术涉及在晶片的表面上形成膜的成膜技术。
背景技术：
已知通过在晶片被设置在腔室内的状态下向该腔室内导入原料气体来在晶片的表面上形成膜的技术。例如，在日本国专利公开公报第2008-198752号(以下称为专利文献1)中公开了在硅晶片的表面上形成硅膜的成膜设备。该成膜设备具有在内部设置硅晶片的腔室、以及向腔室内导入三氯硅烷等氯化硅气体和氢气的混合气体(原料气体)的气体导入装置。通过一边加热硅晶片一边向腔室内导入原料气体，氢气和氯化硅气体在硅晶片表面上进行反应。由此，在硅晶片的表面上形成硅膜。
发明内容
发明要解决的问题上述的成膜技术具有成膜速度慢的问题。尤其近年来，为了制造处理大电流的功率半导体器件等而出现了对厚膜的需求。为了形成这样的厚膜，需要较长时间，从而导致半导体器件的制造效率显著下降。因此要求成膜速度更快的成膜技术。本发明人进行分析的结果，发现了成膜速度慢的一个原因在于以下的现象。S卩，当使原料气体在晶片的表面上反应时，生成粘附到晶片的表面上的物质(即，成为晶片表面的膜的物质)和副产品气体。生成的副产品气体被排出到腔室外，但却不能把全部副产品气体排出到腔室外。生成的一部分副产品气体在腔室内进行对流。对流的副产品气体与导入到腔室内的原料气体混合并向晶片的表面流动。如上所述，如果副产品气体与原料气体混合并向晶片的表面流动，则晶片表面上的成膜反应受阻，成膜速度下降。例如，在专利文献1的技术中，通过氢气和氯化硅气体在硅晶片的表面上进行反应来在该表面上形成硅膜(硅晶体)，另一方面生成作为副产品气体的盐酸气体(HCl气体)。生成的一部分盐酸气体在腔室内进行对流，并混在原料气体(氢气和氯化硅气体)中向硅晶片的表面流动。于是，盐酸气体和硅膜发生反应，生成氢气和氯化硅气体。即，在晶片的表面上发生相对于氢气和氯化硅气体的反应(成膜反应)的逆反应(刻蚀硅膜的刻蚀反应)。因此，在专利文献1的技术中，虽然在刚开始成膜后成膜速度高，但在从开始成膜后经过固定时间后腔室内的盐酸气体浓度上升，成膜速度下降。本说明书中公开的技术就是鉴于上述的实际情况而提出的，其目的在于，提供能够抑制由副产品气体引起的成膜速度的下降的成膜设备以及成膜方法。用于解决问题的手段本说明书中公开的成膜设备在晶片的表面上形成膜。该成膜设备具有腔室、气体导入装置、以及逆反应装置。在腔室的内部设置晶片。气体导入装置向腔室内导入原料气体，原料气体通过在晶片的表面上反应来变成粘附到晶片的表面上的物质和副产品气体。逆反应装置通过使腔室内的副产品气体反应来生成原料气体。气体导入装置也可以不仅导入原料气体，还导入其他气体。例如，也可以在晶片的表面上形成硅膜时，除原料气体之外，还导入用于向硅膜中掺杂P型或N型杂质的掺杂剂气体。此外，原料气体既可以是如上述的氢气和氯化硅气体那样在原料气体之间发生反应而在晶片的表面上形成膜的气体，也可以是与晶片进行反应而在晶片的表面上形成膜的气体。在该成膜设备中，逆反应装置通过使腔室内的副产品气体反应而在腔室内生成原料气体。因此在腔室内，副产品气体的量减少，原料气体的量增加。因此，抑制了由于副产品气体而成膜反应受阻的情况。根据该成膜设备，能够以高的成膜速度在晶片的表面上形成膜。在上述的成膜设备中，能够在腔室内设置由硅形成的晶片。在此情况下，气体导入装置能够向腔室内导入第一原料气体和含硅的第二原料气体。由此，第一原料气体和第二原料气体在晶片的表面上相互反应，变成粘附到晶片的表面上的硅晶体、和副产品气体。在此情况下，逆反应装置优选具有含硅的逆反应原料。逆反应装置优选通过使逆反应原料和副产品气体反应来生成第一原料气体和第二原料气体。根据这样的构成，能够在晶片的表面上高效地形成硅膜。在使用含硅的第二原料气体的成膜设备中，逆反应原料也可以是设置在腔室内的副产品气体的流通路径上的硅块。并且，成膜设备优选还具有加热硅块的第一加热装置、 以及将晶片加热到比硅块更高温度的第二加热装置。通过将晶片保持在比硅块更高的温度，能够在晶片的表面上优先发生成膜反应 (通过第一原料气体和第二原料气体反应而在晶片的表面上形成硅晶体的反应)。此外，通过将硅块保持在比晶片更低的温度，能够在硅块的表面上优先发生刻蚀反应(通过副产品气体和硅块的硅反应而硅块被刻蚀并生成第一原料气体和第二原料气体的反应)。因此，抑制了副产品气体被供应到晶片的表面。能够在晶片的表面上高效地形成硅膜。在上述的成膜设备中，逆反应原料优选被设置在下述路径上，所述路径是在腔室内对流的气体从晶片的外周边缘流动到与原料气体的汇流部的路径。根据这样的构成，能够使得逆反应原料与通过了含有最多的副产品气体的晶片表面附近后的气体接触。从而，能够高效地减少副产品气体。上述的成膜设备可以还包括保持器，所述保持器具有设置晶片的载置部；以及叶轮，所述叶轮包括布置在保持器的载置部的周围的多个叶片。通过叶轮以保持器为中心旋转，保持器上方的气体向外周侧被送出。在此情况下，所述多个叶片优选由逆反应原料构成。根据这样的构成，通过使叶轮旋转，能够将保持器上方(即，晶片表面附近)的气体向叶轮的外周侧送出，并向晶片表面附近供应新的原料气体。此外，由于多个叶片由逆反应原料构成，因此通过叶片送出的气体中包含的副产品气体与叶片(逆反应原料)发生反应。由此，能够减少副产品气体。通过叶片送出的气体由于是通过了晶片表面附近的气体， 因此包含大量的副产品气体。从而，通过用逆反应原料构成叶片，能够高效地减少副产品气体。
本说明书提供在设置于腔室内的晶片的表面上形成膜的成膜方法。该成膜方法的特征在于，具有以下步骤通过向腔室内导入原料气体来使得原料气体在晶片的表面上反应，从而生成副产品气体和粘附到晶片的表面上的物质；以及通过在腔室内使副产品气体反应来在腔室内生成原料气体。根据该成膜方法，能够在晶片的表面上高效地形成膜。发明效果在本说明书中公开的成膜设备以及成膜方法中，从通过成膜反应生成的副产品气体生成原料气体。由此，能够降低腔室内的副产品气体的量来抑制由于副产品气体而成膜反应受阻的情况。因此，能够以高的成膜速度形成膜。
图1是第一实施例的成膜设备10的简要截面图；图2是第一实施例的成膜设备10的腔室15内部的简要立体图；图3是第二实施例的成膜设备80的简要截面图；图4是叶轮82的顶面图。
具体实施例方式首先在下面列出要详细进行说明的实施例的主要特征。(特征1)气体导入装置向晶片的表面导入原料气体。成膜设备包括使晶片旋转的旋转设备；以及从腔室内排出气体的排气装置。因此，导入的原料气体向晶片的表面流动，之后沿晶片的表面向外周侧流动。已通过晶片的表面后(即，反应后)的气体的一部分通过排气装置被排出。剩余的气体沿着腔室的外周壁向原料气体导入部侧流动，与导入的原料气体汇流(即，在腔室内对流)。(特征2、逆反应装置具有硅块，该硅块设置于在腔室内对流的气体从晶片的外周部向原料气体的导入部流动时的路径上。更具体地，具有设置在腔室的外周壁附近的硅块。(特征幻气体导入装置向腔室内导入由氢气组成的第一原料气体、和由氯化硅气体6让2(12、5让(13、5比14等)组成的第二原料气体。并且，气体导入装置向腔室内导入掺杂剂气体。(特征4)在晶片的表面上发生成膜反应(通过第一原料气体和第二原料气体反应而生成硅晶体并且产生副产品气体的反应)、和刻蚀反应(通过副产品气体和硅晶体反应而硅晶体被刻蚀并且生成第一原料气体和第二原料气体的反应)。在硅块的表面上发生成膜反应和刻蚀反应。(特征幻成膜设备包括加热硅块的第一加热装置、以及加热晶片的第二加热装置。第一加热装置将硅块加热到在硅块的表面上刻蚀反应比成膜反应更优先发生的温度。 第二加热装置将晶片加热到在晶片的表面上成膜反应比刻蚀反应更优先发生的温度。(第一实施例)对根据第一实施例的成膜设备进行说明。图1示出了第一实施例的成膜设备10 的简要截面图。成膜设备10使得在硅晶片50的表面上生长硅的外延层。如图1所示，成膜设备10包括第一壳体12、设置在第一壳体12内的第二壳体14。由第二壳体14的内部空间形成了腔室15。腔室15的内表面被高纯度石英或SiC覆盖。在腔室15内设置了保持器16和硅环30。保持器16为筒形部件，并包括直径大的保持器部17和直径小的轴部18。在壳体12的底部形成有轴承部20。保持器16的轴部18被插入轴承部20中。由此，保持器16以如图1的箭头60所示那样可旋转地安装在轴承部20上。保持器16通过没有图示的驱动设备被旋转。保持器部17位于腔室15内。保持器部17的上面17a是载置面，作为使外延层生成的对象的硅晶片50被载置在该载置面上。在载置面17a的中央形成有开口 17b。硅晶片 50被载置在载置面17a上，以封闭开口 17b。在保持器部17的内部设置有电阻加热型的加热器22。加热器22被设置在开口 17b的紧接下方。从而，通过加热器22，能够对载置在载置面17a上的硅晶片50进行加热。硅环30是由高纯度的硅构成的块。图2是示出腔室15内部的简要构成的立体图。如图2所示，硅环30具有环形状。硅环30沿着腔室15的外周壁(即，壳体14的外周壁14a)布置。此外，如图1所示，硅环30被布置成位于比载置在载置面17a上的硅晶片50 更靠上侧的位置。原料气体供应通路Ma、24b连接在腔室15的上部。原料气体供应通路Ma、Mb 被引出到壳体12的外部，并且其上游端与原料气体供应设备％连接。原料气体供应设备 25向原料气体供应通路Ma、Mb内供应吐气体(氢气)、SiHCl3气体(三氯硅烷气体)以及PH3气体(磷化氢气体)的混合气体(以下，将该混合气体称为原料混合气体)。H2气体和SiHCl3气体是通过相互反应而在硅晶片50的表面上生长硅的外延层的气体。PH3气体是用于通过向外延层中参杂磷来将外延层变成N型的掺杂剂气体。在腔室15的上部设置有簇射极板26，以分离原料气体供应通路Ma、24b与腔室15。簇射极板沈包括连通正反面的多个连通孔。从而，从原料气体供应设备25供应的原料混合气体通过原料气体供应通路Ma、24b和簇射极板沈被供应到腔室15内。在腔室15的底面15a连接有排气通路^aJ8b。排气通路观￡1、2汕的下游端连接在排气泵四上。排气泵四排出排气通路^aJSb内的气体。通过使排气泵四作，能够减低腔室15内的压力。在壳体14的外周壁14a(即，腔室15的外周壁)与壳体12的外周壁1 之间设置有水冷管32。能够使冷水在水冷管32内流通。通过水冷管32，能够冷却壳体14的外周壁14a。由此，可防止腔室15内的气体在外周壁14a的表面发生反应。在壳体14的外周壁14a(即，腔室15的外周壁)与壳体12的外周壁1 之间(比水冷管32靠外侧)设置有感应加热线圈34。感应加热线圈34被配置在与硅环30大致相等的高度(与硅环30对应的位置)上。感应加热线圈34被连接在没有图示的高频电源上。 通过由高频电源向感应加热线圈；34提供高频电流，能够使感应电流在硅环30内流动。由此，能够对硅环30进行加热。接着，对通过成膜设备10使得硅晶片50的表面生长外延层的处理(成膜处理) 进行说明。当进行成膜处理时，在保持器16的载置面17a上载置硅晶片50。然后，如下控制成膜设备10的各部分。即，使排气泵四工作，将腔室15内的压力保持在760ΤΟΠ·以下。通过使冷水在水冷管32内流通，冷却壳体14的外周壁14a。使保持器16约以IOOOrpm的旋转速度旋转。使加热器22工作，从而将硅晶片50的温度保持在约1100°C。向感应加热线圈34提供高频电流，从而将硅环30的温度保持在约1000°C。然后，使原料气体供应设备 25工作，向腔室15内供应原料混合气体。供应到腔室15中的原料混合气体如图1的箭头70所示从簇射极板沈向硅晶片 50流动。原料混合气体在到达至硅晶片50的表面附近之后，如箭头72所示向硅晶片50的外周侧流动。由于硅晶片50高速旋转，因此受其离心力的影响，在箭头72所示的路径上气体的流速变高。从而，在箭头72所示的路径上流动的气体的流量多于向腔室15内供应的气体的流量以及从腔室15排出的气体的流量。由于硅晶片50正在被加热器22加热，因此当原料混合气体在硅晶片50的附近流动时发生反应。更详细地，SiHCl3气体和H2气体发生下述反应式所示的反应。SiHCl3+H2 — Si+3HC1通过上述反应式所示的反应而生成的Si (硅)成为粘附在硅晶片50的表面上的硅。即，通过上述反应式所示的反应，在硅晶片50的表面生长外延层(硅层)。此外，当在硅晶片50的表面生长外延层时，PH3气体所具有的磷原子被捕获到外延层中。因此，生长的外延层变成N型硅层。此外，如上述的反应式所示，在反应之后生成作为副生成物的HCl气体(盐酸气体)。以下，将上述反应式所示的反应称为成膜反应。如箭头72所示，流动到硅晶片50的外周边缘的气体包含有在硅晶片50的表面上没有反应的气体(SiHCl3气体、H2气体以及PH3气体)、和在硅晶片50的表面上通过反应而生成的HCl气体。流动到硅晶片50的外周边缘的气体大多如箭头74所示向排气通路^a、 28b内流动，并从腔室15排出。但是，如上所述，如箭头72所示那样流动的气体的流量多于从腔室15排出的气体的流量(箭头74所示的气体的流量)。因此，气体的一部分如箭头76所示，沿着腔室15的外周壁14a向上侧(簇射极板沈侧)流动。即，气体的一部分在腔室15内对流。此时，气体通过硅环30的表面附近。由于硅环30已通过感应加热线圈 34被加热，因此在硅环30附近流动的气体发生反应。具体地，SiHCl3气体和H2气体进行上述的成膜反应。此外，HCl气体和硅环30(即，Si)进行下述反应式所示的反应。Si+3HC1 — SiHCl3+H2BP,HCl气体和硅环30的Si (硅)彼此反应，从而生成SiHCl3气体和H2气体。该反应是相对于上述成膜反应的逆反应。通过该反应，硅环30被刻蚀。以下，将该反应称为刻蚀反应。如上所述，硅环30保持在约1000°C。在该温度范围，刻蚀反应比成膜反应优先发生。从而，当气体通过硅环30的表面附近时，HCl气体的量减少，SiHCl3气体和H2气体的量增加。如箭头76所示那样流动的气体(含HCl气体的气体)与从簇射极板沈供应而来的原料混合气体汇流，并再次如箭头70所示那样向硅晶片50的表面流动。S卩，HCl气体被供应到硅晶片50的表面。因此，在硅晶片50的表面上除上述的成膜反应之外，还发生上述的刻蚀反应。即，发生在硅晶片50的表面上生长的外延层(硅层)被HCl气体刻蚀的反应。 如上所述，硅晶片50被保持在1100°C。在该温度范围，成膜反应比刻蚀反应优先发生，因此外延层继续生长。但是，由于发生刻蚀反应，其生长速度下降。
这里，如上所述，当气体在腔室15内对流(如箭头76所示那样流动)时，通过在硅环30的表面上发生的刻蚀反应，HCl气体被消耗，生成SiHCl3气体和H2气体。因此，到达至硅晶片50的表面的HCl气体减少。由此，抑制了在硅晶片50的表面发生刻蚀反应，从而抑制了外延层的生长速度下降。从而，根据该成膜设备10，能够使外延层更快生长。如上所述，根据第一实施例的成膜设备10，由于通过成膜反应而产生的HCl气体与硅环30反应，因此HCl气体的量减少。从而，即使继续进行成膜处理，腔室15内的HCl 气体的浓度也不会越来越上升。因此，抑制了外延层被HCl气体刻蚀。根据第一实施例的成膜设备10，能够使外延层以高的生长速度生长。(第二实施例)接着，对第二实施例的成膜设备80进行说明。在对第二实施例的成膜设备80的各部分的说明中，对于具有与第一实施例的成膜设备10相同的功能的部分，标注与第一实施例相同的参考标记并进行说明。图3示出了第二实施例的成膜设备80的简要截面图。第二实施例的成膜设备80 与第一实施例的成膜设备10不同，不具有硅环30和感应加热线圈34。此外，在第二实施例的成膜设备80中，保持器16不能旋转，被固定在腔室15内。此外，第二实施例的成膜设备 80具有叶轮82和加热器88。叶轮82设置在保持器16的载置面17a上。图4示出了从顶面侧观看叶轮82的平面图。如图4所示，叶轮82由基底部86和多个叶片84构成。基底部86是具有环形状的板状部件。基底部86以围绕载置晶片50的部分(晶片50的载置部)的周围的方式设置在保持器16的载置面17a上。基底部86能够绕自己中心(图4的箭头98的方向)旋转。即，整个叶轮82能够以晶片50的载置部为中心进行旋转。叶轮82通过没有图示的驱动设备被旋转。多个叶片84被立起设置在基底部86上。叶片84被安装成当叶轮82旋转时将叶轮82内侧(环形状的内侧)的气体向叶轮82外侧(环形状的外侧)送出的角度。 叶片84由高纯度的硅形成。加热器88被安装在保持器16内部的叶轮82的下部。加热器 88对叶轮82进行加热。接着，对通过成膜设备80使得硅晶片50的表面生长外延层处理(成膜处理)进行说明。当进行成膜处理时，在保持器16的载置面17a上载置硅晶片50。并且，如下所述控制成膜设备80的各部分。即，使排气泵四工作，将腔室15内的压力保持在760ΤΟΠ·以下。通过使冷水在水冷管32内流通，冷却壳体14的外周壁14a。使叶轮82旋转。使加热器22工作，从而将硅晶片50的温度保持在约1100°C。使加热器88工作，从而将叶轮82的温度保持在约1000°C。然后，使原料气体供应设备25工作，向腔室15内供应原料混合气体。供应到腔室15中的原料混合气体如图1的箭头90所示从簇射极板沈向硅晶片 50流动。到达至硅晶片50的表面附近的原料混合气体通过旋转的叶轮82如箭头92所示向外周侧被送出。被送出到外周侧的气体大多如箭头94所示被排出到腔室15之外，但一部分气体如箭头96所示在腔室15内对流。并且，与从簇射极板沈供应而来的原料混合气体(如箭头90所示那样流动的气体)混合，并再次向硅晶片50的表面流动。在硅晶片50的表面上，通过成膜反应，在生长外延层的同时生成HCl气体。从而，如箭头92所示通过叶轮82的气体中包含很多HCl气体。如上所述，叶轮82的叶片84是硅，并且叶轮82被保持在约1000°C。因此，当气体通过叶轮82时，叶片84和气体发生反应。此时，发生上述的成膜反应和刻蚀反应，但刻蚀反应优先进行。从而，通过叶轮82的气体中的HCl气体的量减少，SiHCl3气体和H2气体的量增加。从而，进行对流的气体(如箭头96所示那样流动的气体)中的HCl气体的量变少，从而混在原料混合气体中到达至硅晶片50的表面的HCl气体的量变少。由此，抑制了在硅晶片50的表面上发生刻蚀反应。从而，根据第二实施例的成膜设备80，能够使外延层更快生长。如上所述，根据第一实施例的成膜设备10以及第二实施例的成膜设备80，能够使外延层比以往更快地生长。在上述的实施例中，将SiHCl3气体用作原料气体，但代替SiHCl3气体也可以使用 SiH3Cl2气体或SiCl4气体。在使用这些气体的情况下，也可以在硅晶片50的表面上生长硅的外延层，并且能够通过与硅环30或叶片84进行的刻蚀反应来减少副产品气体(HCl气体)。此外，在上述的实施例中，使用硅块(即，硅环30、以及叶片84)用作用于减少HCl 气体的逆反应原料。但是，硅块的形状可根据需要适当进行改变。此外，设置硅块的位置只要是可与HCl气体进行反应的位置即可，也可以适当进行改变。此外，逆反应原料不限于硅。只要含硅并与HCl气体反应的物质即可，可以适当改变材质。此外，逆反应原料不限于块状物体。逆反应原料可以是气体、液体、固体中的任一种。此外，也可以不将逆反应原料设置在腔室15内，而是根据需要向腔室15内供应逆反应原料。此外，在上述的实施例中，对在硅晶片的表面上形成膜的例子进行了说明，但要成膜的对象的晶片不限于硅晶片。例如，当在SiC晶片等的表面上形成膜时，也可以应用本说明书中公开的技术。此外，在上述的实施例中，对使硅的外延层(单晶层)生长的例子进行了说明，但当使其他层生长时，也可以应用本说明书中公开的技术。例如，当使SiC等其他材质层生长时，也可以应用本说明书中公开的技术。此外，当不是外延层而是使多晶层生长时，也可以应用本说明书中公开的技术。此外，在上述的实施例中，对吐气体和SiHCl3气体(S卩，原料气体彼此)进行反应而成膜的例子进行了说明，但在使原料气体和晶片进行反应而成膜的情况下，也可以应用本说明书中公开的技术。此外，在上述的实施例中，将电阻加热型的加热器、感应加热线圈用作加热设备， 但加热设备能够采用各种设备，例如能够采用灯加热退火设备等。以上，对本说明书中公开的技术的具体例进行了详细说明，但这些仅仅是例示，并不用来限定权利要求书。在权利要求书中记载的技术中还包含以上例示的具体例的各种各样的变形、变更。在本说明书或附图中说明的技术元素单独或通过各种组合来展现技术实用性，并不限定于申请时权利要求中所记载的组合。此外，在本说明书或附图中例示的技术用于同时达到多个目的，并且自身通过达到其中一个目的而具有技术实用性。
权利要求
1.一种成膜设备，用于在晶片的表面上形成膜，所述成膜设备的特征在于，具有 腔室，在该腔室的内部设置晶片；气体导入装置，所述气体导入装置向腔室内导入原料气体，所述原料气体通过在晶片的表面上反应而变成副产品气体和粘附到晶片的表面上的物质；以及逆反应装置，所述逆反应装置通过使腔室内的副产品气体反应来生成原料气体。
2.如权利要求1所述的成膜设备，其特征在于， 在腔室内设置由硅形成的晶片，气体导入装置向腔室内导入第一原料气体和含硅的第二原料气体， 第一原料气体和第二原料气体在晶片的表面上相互反应，从而变成副产品气体和粘附到晶片的表面上的硅晶体，逆反应装置具有含硅的逆反应原料，并通过使所述逆反应原料和副产品气体反应来生成第一原料气体和第二原料气体。
3.如权利要求2所述的成膜设备，其特征在于，逆反应原料是设置在腔室内的副产品气体的流通路径上的硅块， 所述成膜设备还具有加热硅块的第一加热装置、以及将晶片加热到比硅块更高温度的第二加热装置。
4.如权利要求2或3所述的成膜设备，其特征在于，逆反应原料设置在下述路径上，所述路径是在腔室内对流的气体从晶片的外周边缘流动到与原料气体的汇流部的路径。
5.如权利要求2或3所述的成膜设备，其特征在于，所述成膜设备还包括保持器，所述保持器具有设置晶片的载置部；以及叶轮，所述叶轮包括布置在保持器的载置部的周围的多个叶片；通过叶轮以保持器为中心旋转，保持器上方的气体向叶轮的外周侧被送出， 所述多个叶片由逆反应原料构成。
6.一种成膜方法，用于在设置于腔室内的晶片的表面上形成膜，所述成膜方法的特征在于，包括以下步骤通过向腔室内导入原料气体，使得原料气体在晶片的表面上反应而生成副产品气体和粘附到晶片的表面上的物质；以及通过使副产品气体在腔室内反应来在腔室内生成原料气体。
全文摘要
提供能够抑制由副产品气体引起的成膜速度的下降的成膜设备以及成膜方法。成膜设备用于在晶片的表面上形成膜，并具有腔室，在所述腔室的内部设置晶片；气体导入装置，所述导入装置向腔室内导入原料气体，所述原料气体通过在晶片的表面上反应而变成副产品气体和粘附到晶片的表面上的物质；以及逆反应装置，所述逆反应装置通过使腔室内的副产品气体反应来生成原料气体。
文档编号C23C16/455GK102232240SQ200980148378
公开日2011年11月2日 申请日期2009年8月10日 优先权日2008年12月2日
发明者中岛健次, 伊藤孝浩 申请人:丰田自动车株式会社