专利名称：图案化石墨烯制备方法
技术领域：
本发明涉及一种石墨烯的制备方法，尤指一种具有图案化结构的石墨烯的制备方法。
背景技术：
石墨烯是碳的一种同素异形体(Allotrope),为碳原子以六方蜂巢晶格排列形成的二维材料，就性质而言，石墨烯具备透明、高导电、高热传导、高强度-重量比(Strength-to-weight ratio)与良好的延展性等特点，因此,学术界及业界皆相继针对石墨烯投入大量的研发，盼能导入现有的电子元件工艺，以通过其特性提升整体效果，以石墨烯的应用而论，目前主要应用方向包括晶体管、锂离子电池的电极材料、光检测器及用于触控面板、发光二极管或太阳能电池的透明电极等。
已知石墨烯制 备方法如美国专利公开第US2010/0237296号，揭示一种于高沸点溶剂中单层石墨氧化物的还原成石墨，先将单层石墨氧化物分散于水中而形成一分散液，接着，将一溶剂添加至该分散液中形成一溶液，该溶剂可为N-甲基吡咯啶酮(N-methlypyrrolidone)、乙二醇(Ethyleneglycol)、甘油(Glycerin)、二甲基批咯唆酮(Dimethlypyrrolidone)、丙酮(Acetone)、四氢呋喃(Tetrahydrofuran)、乙臆(Acetonitrile)、二甲基甲酸胺(Dimethylformamide)或胺(Amine)或醇(Alcohol),最后，将该溶液加热至约200°C，再经纯化后，即得到单层石墨。另外，如美国专利公开第US2010/0323113号，揭示一种石墨烯的合成方法，将一碳氢化合物保持于40°C至1000°C之间的高温，以植入碳原子至一基板中，该基板可为金属或合金。然后，随温度的降低，碳将发生沉淀而扩散出基板外，进而形成石墨烯层。
此外，如美国发明专利公开第US2011/0102068号，揭示一种石墨烯装置及使用该石墨烯装置的方法，该石墨烯装置包括一层状结构、一第一电极、一第二电极与一掺杂物岛(Dopant island),该层状结构包括一导电层、一绝缘层及一石墨烯层，该导电层经由该绝缘层耦合至该石墨烯层，且该第一电极及该第二电极各与该石墨烯层电性耦合，该掺杂物岛耦合至该石墨烯层的一曝露表面，该曝露表面位于该第一电极与该第二电极之间，其中，该石墨烯层可使用剥离(Ex-foliation)法或化学气相沉积法制造得到。
对于某些应用而言，如触控面板或发光二极管等所需的透明电极，通常要求透明电极具备特定图案或结构，而在实际制造上，一般是完成石墨烯层的制备后，再以激光蚀刻对其进行图案成形。然而对于精细度要求高的电极图案而言，使用激光蚀刻将耗费较长的工时，且其设备成本高，因此，将激光蚀刻应用于图案化石墨烯层具有低产率及高成本等缺陷。发明内容
本发明的主要目的，在于解决已知图案化石墨烯制备方法，由于是在制造完成的石墨烯层进行激光蚀刻，而具有低产率与高成本的问题。
为达上述目的，本发明提供一种图案化石墨烯制备方法，先提供一基板，接着于该基板上形成一触媒层，然后，在该触媒层上涂布一碳层，接下来，对该碳层进行一微影蚀刻工艺，使该碳层形成一图案化碳层，最后，加热该图案化碳层至一合成温度，而得到一图案化石墨烯。
为达上述目的，本发明还提供一种图案化石墨烯制备方法，先提供一基板，接着于该基板上形成一触媒层，然后，对该触媒层进行一微影蚀刻工艺，使该触媒层形成一图案化触媒层，接下来，在该图案化触媒层上形成一碳层，该碳层包括一覆盖在该图案化触媒层上的图案化区域与一覆盖该基板的非图案化区域，最后，加热该碳层至一合成温度，使该碳层的图案化区域形成一图案化石墨烯。
为达上述目的，本发明还提供一种图案化石墨烯制备方法，先提供一基板，接着于该基板上形成一触媒层，然后，在该触媒层上形成一碳层，然后，加热该碳层至一合成温度，而得到一石墨烯层，最后，对该石墨烯层进行一微影蚀刻工艺，使该石墨烯层形成一图案化石墨烯。
由以上可知，本发明 图案化石墨烯制备方法相较于现有技术可达到的有益效果在于:
一、由于本发明通过该微影蚀刻工艺对该碳层或该石墨烯进行图案化，其蚀刻率远高于激光蚀刻，故具有高产率的优点，且适用于制作大尺寸的图案化石墨烯。
二、相较于激光蚀刻，该微影蚀刻工艺所使用的设备取得容易，且购置成本较低，可降低该图案化石墨烯的制造成本。
图1A至图1F为本发明第一实施例的制造流程示意图。
图2为本发明第一实施例中该图案化石墨烯的俯视结构示意图。
图3A至图3G为本发明第二实施例的制造流程示意图。
图4为本发明第二实施例中该图案化石墨烯的俯视结构示意图。
图5A至图5G为本发明第三实施例的制造流程示意图。
图6A至图6F为本发明第四实施例的制造流程示意图。
具体实施方式
本发明涉及一种图案化石墨烯制备方法，请先参阅图1A至图1F，为本发明第一实施例的制造步骤示意图。先提供一基板10a，于本实施例中，该基板IOa为一与碳不互溶的材料，该基板IOa可为金属或陶瓷材料，例如铜、铝、二氧化硅、氧化铝或碳化硅等，本发明的该基板IOa并不以前述材料为限,若实质上符合不与碳形成一固溶体(Solid solution)的材料(即不与碳形成一均质相(Homogenous phase)),均能作为该基板IOa的材料。接着，如图1B所示，于该基板IOa上形成一触媒层20a,该触媒层20a可使用蒸镀(Evaporationdeposition)法或物理气相沉积(Physical vapor deposition,简称PVD)法形成在该基板IOa上，其中，该触媒层20a的材料可为铁、钴、镍、锰或前述金属的合金。然后，如图1C所示，利用一沉积工艺在该触媒层20a上形成一碳层30a，该沉积工艺可为旋转涂布(Spincoating)法、派镀(Sputtering)法或蒸镀(Evaporation deposition)法,其中，该碳层 30a可为石墨或一含碳高分子材料，该含碳高分子材料可为压克力(Acrylic，丙烯酸)树脂、酚醒(phenolic aldehyde)树脂、环氧(Epoxy)树脂或其他具有长链(Long-chain)碳或六角苯(Benzene)环的高分子材料。
待该碳层30a形成于该触媒层20a上后，接着对该碳层30a进行一微影蚀刻工艺，请参阅图1D，先在该碳层30a上形成一光阻层40a，然后，对该光阻层40a依序进行一曝光步骤与一显影步骤，如图1E所示，先放置一光罩50a在该光阻层40a上方，于本实施例中，该光阻层40a使用一负光阻材料,而该光罩50a则以镂空结构限定出一透光区域52a与一非透光区域51a，其中，该光阻层40a通过该非透光区域51a而限定出至少一牺牲部分41a(图1E中该光阻层40a的虚线部分)。接下来，对该光阻层40a照射一光线，使该光阻层40a对应至该透光区域52a的部分发生化学反应而形成交联，然后再以一显影剂溶解并移除该光阻层40a未被该光线所照射的部分，即该牺牲部分41a，使该碳层30a的表面部分露出。上述该负光阻材料、该显影剂的种类选择，以及该光线的波长范围与强度大小应属本技术领域中的常用手段，故不在此加以赘述。
然后，对该碳层30a进行一蚀刻步骤，该蚀刻步骤可为化学性蚀刻或反应式离子蚀刻(Reactive ion etch,简称RIE),藉此使该碳层30a对应该牺牲部分41a的区域被去除。然后，移除该光罩50a，并使用适当的化学溶剂溶解该负光阻材料，而得到一图案化碳层31a，如图1F所示。最后，加热该图案化碳层31a至一合成温度，该合成温度优选地介于700°C至1，200°C之间，其中，该图案化碳层31a可于真空、氨气(NH3)、氩气(Ar)、氮气(N2)、氩氢混合气、氮氢混合气等气氛环境下进行加热，前述混合气中，氢气的体积含量优选地介于O 50%之间。待持温一预定时间后，即得到一图案化石墨烯70a，本实施例中，该预定时间优选地介于I分钟至300分钟之间。如图2所示，为本发明第一实施例中，该图案化石墨烯的俯视结构示意图，其中，该图案化石墨烯70a优选地具有一小于7 μ m的线宽W。于本实施例，该蚀刻步骤为同时蚀刻该碳层30a及该触媒层20a，然依实际工艺，该蚀刻步骤也可仅蚀刻该碳层30a。
请继续参阅图3A至图3G，为本发明第二实施例的制造步骤示意图。先提供一基板10b，于本实施例中，该基板IOb为一与碳可互溶的材料，如铁、钴或镍等。如图3B所示，然后，于该基板IOb上形成一隔离层60，其中，该隔离层60须为一与碳不互溶的材料，于本发明中，该隔离层60优选为二氧化硅、氧化铝或碳化硅。接下来，请参阅图3C所示，然后，在该基板IOb上形成一触媒层20b，同前述实施例`，该触媒层20b可使用蒸镀法或物理气相沉积法形成在该基板IOb上，该触媒层20b的材料可为铁、钴、镍、锰或前述金属的合金。接着，如图3D所示，利用一沉积工艺在该触媒层20b上形成一碳层30b，该沉积工艺可为旋转涂布法、溅镀法或蒸镀法，该碳层30b可为石墨或一含碳高分子材料，该含碳高分子材料可为压克力(Acrylic,丙烯酸)树脂、酹醒(phenolic aldehyde)树脂、环氧(Epoxy)树脂或其他具有长链(Long-chain)碳或六角苯(Benzene)环的高分子材料。
待该碳层30b形成于该触媒层20b上后，即对该碳层30b进行一微影蚀刻工艺，请参阅图3E，先在该碳层30b上形成一光阻层40b，接着，对该光阻层40b依序进行一曝光步骤与一显影步骤，如图3F所示，放置一光罩50b在该光阻层40b上方，本实施例中，该光阻层40b为使用一负光阻材料，而该光罩50b则以镂空结构限定出一透光区域52b与一非透光区域51b，其中，该光阻层40b通过该非透光区域51b而限定出一牺牲部分41b (图3F中该光阻层40b的虚线部分)。接下来，对该光阻层40b照射一光线，使该光阻层40b对应至该透光区域52b的部分发生化学反应而形成交联，然后，使用一显影剂溶解并移除该光阻层40b未被该光线所照射的部分，即该牺牲部分40b。接下来，对该碳层30b进行一蚀刻步骤，该蚀刻步骤可为化学性蚀刻或反应式离子蚀刻，以使该碳层30b对应该牺牲部分41b的区域被移除，使该碳层30b的表面部分露出。然后，移除该光罩50b，而得到一图案化碳层31b，如图3G所示。
最后，加热该图案化碳层31b至一合成温度，该合成温度优选地介于700 °C至1，200°C之间，其中，该图案化碳层31b可于真空、氨气(順3)、氩气(Ar)、氮气(N2)、氩氢混合气、氮氢混合气等气氛环境下进行加热，前述混合气中，氢气的体积含量优选地介于O 50%之间。待持温一预定时间后，即得到一图案化石墨烯70b，本实施例中，该预定时间优选地介于I分钟至300分钟之间。如图4所示，为本发明一实施例中，该图案化石墨烯的俯视示意图，其中，该图案化石墨烯70b优选地具有一小于7μπι的线宽W。于本实施例中，该蚀刻步骤是同时蚀刻该碳层30b、该触媒层20b与该隔离层60，然依实际工艺，该蚀刻步骤也可仅蚀刻该碳层30b或是该碳层30b与该触媒层20b。
请继续参阅图5A至图5G，为本发明第三实施例的制造步骤示意图，先提供一基板10c，接着，如图5B所示，于该基板IOc上形成一触媒层20c。然后，对该触媒层20c进行一微影蚀刻工艺，如图5C所示，先在该触媒层20c上形成一光阻层40c，然后，对该光阻层40c依序进行一曝光步骤与一显影步骤，如图所示，先放置一光罩50c在该光阻层40c上方，于本实施例中，该光阻层40c为一负光阻材料,而该光罩50c则以镂空结构限定出一透光区域52c与一非透光区域51c，其中，该光阻层40c通过该非透光区域51c而限定出至少一牺牲部分41c (图中该光阻层40c的虚线部分)。
接下来，对该光阻层40c照射一光线，使该光阻层40c对应至该透光区域52c的部分发生化学反应而形成交联，然后再以一显影剂溶解并移除该光阻层40c未被该光线所照射的部分，即该牺牲部分41c，使该触媒层20c的表面部分露出。然后，对该触媒层20c进行一蚀刻步骤，该蚀刻步骤可为化学性蚀刻、反应式离子蚀刻或其他等效蚀刻工艺，使该触媒层20c对应该牺牲部分41c的区域被去除。然后，移除该光罩50c，而得到一图案化触媒层21，如图5E所示。
待完成该微影蚀 刻工艺后，请参阅图5F，在该触媒层20c上形成一碳层30c，该碳层30c包括一覆盖于该图案化触媒层21上的图案化区域32以及一覆盖于该基板IOc上的非图案化区域33,本实施例中，该碳层30c可为石墨或一含碳高分子材料。最后，加热该碳层30c至一合成温度，该合成温度优选地介于700°C至1，200°C之间，其中，该碳层30c可于真空、氨气(NH3)、氩气(Ar)、氮气(N2)、氩氢混合气、氮氢混合气等气氛环境下进行加热，前述混合气中，氢气的体积含量优选地介于O 50%之间。持温一预定时间后,该碳层30c的该图案化区域32即形成一图案化石墨烯70c，如图5F所示。本实施例中，该预定时间优选地介于I分钟至300分钟之间。此外，依实际制造需求，该碳层30c的该非图案化区域33可于加热后或加热前移除，于本实施例，该非图案化区域33优选地于该图案化区域32形成该图案化石墨烯70c前移除。
请继续参阅图6A至图6G，为本发明第四实施例的制造步骤示意图，先提供一基板10d，接着，如图6B所示，于该基板IOd上形成一触媒层20d。然后，如图6C所示，在该触媒层20d上形成一碳层30d，该碳层30d可为石墨或一含碳高分子材料，该含碳高分子材料可为压克力(Acrylic)树脂、酹醒(phenolic aldehyde)树脂、环氧(Epoxy)树脂或其他具有长链(Long-chain)碳或六角苯(Benzene)环的高分子材料。待该碳层30d形成于该触媒层20d上后，加热该碳层30d至含成温度，该合成温度优选地介于700 C至1，200 C之间，其中，该碳层30d可于真空、氨气(NH3)、氩气(Ar)、氮气(N2)、氩氢混合气、氮氢混合气等气氛环境下进行加热，前述混合气中，氢气的体积含量优选地介于O 50%之间。待持温一预定时间后，使该碳层30d形成一石墨烯层71。
接着，对该石墨烯层71进行一微影蚀刻工艺，请参阅图6D，先在该石墨烯层71上形成一光阻层40d，然后，对该光阻层40d依序进行一曝光步骤与一显影步骤，如图6E所示，先放置一光罩50d在该光阻层40d上方，于本实施例中，该光阻层40d为使用一负光阻材料，而该光罩50d则以镂空结构限定出一透光区域52d与一非透光区域51d，其中，该光阻层40d通过该非透光区域51d而限定出至少一牺牲部分41d(图6E中该光阻层40d的虚线部分)。接下来，对该光阻层40d照射一光线，使该光阻层40d对应至该透光区域52d的部分发生化学反应而形成交联，然后再以一显影剂溶解并移除该光阻层40d未被该光线所照射的部分，即该牺牲部分41d，使该石墨烯层71的表面部分露出。最后，对该石墨烯层71进行一蚀刻步骤，该蚀刻步骤可为化学性蚀刻或反应式离子蚀刻，藉此使该石墨烯层71对应该牺牲部分41d的区域被去除。然后，移除该光罩50d，并使用适当的化学溶剂溶解该负光阻材料，而得到一图案化石墨烯72，如图6F所示。
于上述本发明第三实施例及第四实施例，该基板10c、10d为一与碳不互溶的材料，该基板IOc、IOd可为金属或陶瓷材料，例如铜、铝、二氧化硅、氧化铝或碳化硅等，该触媒层20c、20d的形成可使用蒸镀法或物理气相沉积法，其中，该触媒层20c、20d的材料可为铁、钴、镍、锰或前述金属的合金，且该碳层30c、30d为利用一沉积工艺形成在该触媒层20c、20d上，该沉积工艺可为旋转涂布法、溅镀法或蒸镀法。第三实施例及第四实施例的该基板10c、IOd也可如前述的第二实施例使用一与碳可互溶的材料，如铁、钴或镍，并在形成该触媒层20c、20d前，先于该基板10c、10d上形成一与碳不互溶的隔离层。
另外，前述实施例仅以该图案化石墨烯形成多个呈平行排列的长条状结构作为举例说明，但本发明并不限于此，根据该图案化石墨烯的实际应用范畴，其也可形成其他形貌结构，如三角形、四边形或其他几何形状等。且，前述实施例的该光阻层40a、40b、40c、40d为选用该负光阻材料作为举例说明，而依实`际需求，该光阻层40a、40b、40c、40d也可为一正光阻材料。
综上所述，本发明图案化石墨烯制备方法，主要是通过该微影蚀刻工艺对该碳层或该石墨烯进行图案化，其蚀刻率远高于激光蚀刻，故具有高产率的优点，且适用于制作大尺寸的图案化石墨烯。若在合成石墨烯前，先对其进行该微影蚀刻工艺，而由该图案化碳层转换为该图案化石墨烯，由于该微影蚀刻工艺的蚀刻率远高于一般使用的激光蚀刻，所以具有高产率的优点，且适用于制作大尺寸的图案化石墨烯。其次，相较于激光蚀刻，该微影蚀刻工艺所使用的设备取得容易，且购置成本较低，可降低该图案化石墨烯的制造成本，也具有工艺简便的优势。
以上已将本发明做一详细说明，然而以上所述者，仅为本发明的优选实施例而已，当不能限定本发明实施的范围。即凡依本发明权利要求范围所作的均等变化与修饰等，皆应 仍属本发明的专利涵盖范围内。
权利要求
1.一种图案化石墨烯制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供一基板； 在所述基板上形成一触媒层； 在所述触媒层上形成一碳层； 对所述碳层进行一微影蚀刻工艺，使所述碳层形成一图案化碳层；以及 加热所述图案化碳层至一合成温度，使所述图案化碳层形成一图案化石墨烯。
2.根据权利要求1所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，在形成所述触媒层前，先在所述基板上形成一与碳不互溶的隔离层。
3.根据权利要求2所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述隔离层的材料选自由二氧化硅、氧化铝及碳化硅所组成的群组。
4.根据权利要求1所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述触媒层的材料选自铁、钴、镍及锰所组成的群组。
5.根据权利要求1所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述碳层利用一沉积工艺形成在所述触媒层上，所述沉积工艺选自旋转涂布法、溅镀法及蒸镀法所组成的群组。
6.根据权利要求1所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述触媒层利用蒸镀法或物理气相沉积法形成在所述基板上。
7.根据权利要求1所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述合成温度介于700°C至 1，200°C之间。
8.根据权利要求1所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述碳层的材料为石墨或一含碳闻分子材料。
9.根据权利要求1所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述微影蚀刻工艺包括以下步骤: 在所述碳层上形成一光阻层，所述光阻层具有至少一牺牲部分； 移除所述光阻层的所述牺牲部分，以露出所述碳层的部分表面；以及 对所述碳层进行一蚀刻步骤，去除部分的所述碳层而得到所述图案化碳层。
10.根据权利要求9所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述蚀刻步骤为化学蚀刻工艺或反应式离子蚀刻工艺。
11.一种图案化 石墨烯制备方法，包括以下步骤: 提供一基板； 在所述基板上形成一触媒层； 对所述触媒层进行一微影蚀刻工艺，使所述触媒层形成一图案化触媒层； 在所述图案化触媒层上形成一碳层，所述碳层包括一覆盖在所述图案化触媒层上的图案化区域与一覆盖所述基板的非图案化区域； 加热所述碳层至一合成温度，使所述碳层的所述图案化区域形成一图案化石墨烯。
12.根据权利要求11所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，在形成所述触媒层前，先在所述基板上形成一与碳不互溶的隔离层。
13.根据权利要求12所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述隔离层的材料选自由二氧化硅、氧化铝及碳化硅所组成的群组。
14.根据权利要求11所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述触媒层的材料选自铁、钴、镍及锰所组成的群组。
15.根据权利要求11所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述碳层利用一沉积工艺形成在所述触媒层上，所述沉积工艺选自旋转涂布法、溅镀法及蒸镀法所组成的群组。
16.根据权利要求11所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述触媒层利用蒸镀法或物理气相沉积法形成在所述基板上。
17.根据权利要求11所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述合成温度介于700°C至 1，200°C之间。
18.根据权利要求11所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述碳层的材料为石墨或一含碳闻分子材料。
19.根据权利要求11所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述微影蚀刻工艺包括以下步骤: 在所述触媒层上形成一光阻层，所述光阻层具有至少一牺牲部分； 移除所述光阻层的所述牺牲部分，以露出所述触媒层的部分表面；以及 对所述碳层进行一蚀刻步骤，去除部分的所述触媒层而得到所述图案化触媒层。
20.根据权利要求19所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述蚀刻步骤为化学蚀刻工艺或反应式离子蚀刻工艺。
21.一种图案化石墨烯制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供一基板； 在所述基板上形成一触媒层； 在所述触媒层上形成一碳层； 加热所述碳层至一合成温度，而得到一石墨烯层；以及 对所述石墨烯层进行一微影蚀刻工艺，使所述石墨烯层形成一图案化石墨烯。
22.根据权利要求21所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，在形成所述触媒层前，先在所述基板上形成一与碳不互溶的隔离层。
23.根据权利要求21所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述隔离层的材料选自由二氧化硅、氧化铝及碳化硅所组成的群组。
24.根据权利要求21所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述触媒层的材料选自铁、钴、镍及锰所组成的群组。
25.根据权利要求21所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述碳层利用一沉积工艺形成在所述触媒层上，所述沉积工艺选自旋转涂布法、溅镀法及蒸镀法所组成的群组。
26.根据权利要求21所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述触媒层利用蒸镀法或物理气相沉积法形成在所述基板上。
27.根据权利要求21所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述合成温度介于700°C至 1，200°C之间。
28.根据权利要求21所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述碳层的材料为石墨或一含碳闻分子材料。
29.根据权利要求21所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述微影蚀刻工艺包括以下步骤: 在所述石墨烯层上形成一光阻层，所述光阻层具有至少一牺牲部分； 移除所述光阻层的所述牺牲部分，以露出所述石墨烯层的部分表面；以及 对所述石墨烯层进行一蚀刻步骤，去除部分的所述石墨烯层而得到所述图案化石墨烯。
30.根据权利要求29所述的图案化石墨烯制备方法，其特征在于，所述蚀刻步骤为化学蚀刻工艺或反应式离子蚀 刻工艺。
全文摘要
一种图案化石墨烯制备方法，主要利用一微影蚀刻工艺得到一图案化石墨烯。先提供一基板，接着在该基板上形成一触媒层，然后，在该触媒层上形成一碳层，并加热该碳层至一合成温度，使该碳层转化为石墨烯，其中，可于形成该碳层前，对该触媒层进行该微影蚀刻工艺；或于加热前，对该碳层进行该微影蚀刻工艺；也可于加热后，对该石墨烯进行该微影蚀刻工艺。相较于一般使用的激光蚀刻工艺，该微影蚀刻工艺具备高生产速度、成本低廉及适合制作大面积图案化石墨烯等优点。
文档编号C01B31/04GK103204495SQ201210086899
公开日2013年7月17日 申请日期2012年3月28日 优先权日2012年1月17日
发明者宋健民, 林逸樵, 林弘正 申请人:铼钻科技股份有限公司