一种分段式单晶硅加料器的制作方法

本实用新型涉及单晶硅生产设备技术领域，特别涉及一种分段式单晶硅加料器。

背景技术：

单晶硅，即硅的单晶体，是一种良好的半导体材料，主要用于家用电器、航空航天、太阳能电池等领域，是当代信息技术和光伏产业的支柱。然而就目前的发展趋势来看，单晶硅的原料价格昂贵、生产周期长、工艺要求高，以至于它还不能被大量广泛和普遍使用，亟待人们去开发和利用。直拉法作为生产单晶硅重要的工艺方法，其过程分为装料、化料、引晶、放肩、等径、收尾和清炉，意味着装的料越多，产量也就越高。但是由于石英坩埚的容量一定，而原料的大小不均一、形状不规则，这种情况下一开始在石英坩埚装的料是有限的，只能等料溶化之后再进行二次加料。现有加料器采用的是一体式内筒结构，加料器在装料过程中底部由于受到料的冲击力大，加料过程中内筒底部所承受的温度较高，往往内筒底部部会提前损坏，导致整个内筒发生损坏，使用寿命较短，更换成本较大。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于解决现有整体加料器结构存在的上述技术问题，提供一种结构简单、设计合理，使用成本低的分段式单晶硅加料器。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种分段式单晶硅加料器，包括外筒和内筒，内筒设置在外筒内，所述内筒包括设置在外筒底部的内底筒和设置在内底筒上的内套筒。

上述技术方案中，进一步地，所述内底筒和内套筒外径相同，内底筒厚度大于内套筒厚度。

上述技术方案中，进一步地，所述内套筒下端面与内底筒上端面贴合。

上述技术方案中，进一步地，所述内底筒高度小于内套筒高度。

上述技术方案中，进一步地，所述内底筒高度为内筒高度的1/7-1/5。

上述技术方案中，进一步地，所述内底筒高度为内筒高度的1/7。

上述技术方案中，进一步地，所述内底筒和内套筒为石英筒。

上述技术方案中，进一步地，所述内底筒为钼筒，内套筒为石英筒。

本实用新型所具有的有益效果：

本实用新型中的加料器内筒采用分段式结构，当内筒底部部分发生损坏时，只需要对底部的部分进行更换即可，而不再需要对整个内筒进行更换，从而降低了加料器的使用成本。

同时将内筒中容易发生损坏的部位进行加厚，防止该部分发生损坏，提高了内筒的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型中结构示意图。

图2为图1中A处局部示意图。

图中：1、外筒，2、内筒，201、内底筒，202、内套筒；

H、内筒高度；H1、内底筒高度。

具体实施方式

本实用新型针对现有的单晶硅加料器存在的，内筒底部部分容易发生损坏，导致整个内筒报废的问题，将内筒设计为分段式结构，这样当内筒底部部分发生损坏时，仅需要对损坏的部分进行更换即可，未损坏的部分还可以继续使用，这样就大大降低了加料器的使用成本。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。

实施例1

如图1，本实施例中的分段式单晶硅加料器，包括外筒1和内筒2，内筒2设置在外筒1内，内筒2包括设置在外筒底部的内底筒201和设置在内底筒上的内套筒202。

如图2，内底筒201和内套筒202外径相同，内底筒201厚度大于内套筒201厚度。通过将内筒中容易发生损坏的内底筒进行加厚处理，防止内底筒发生损坏，提高了内底筒的使用寿命，进而提高了加料器的使用寿命。

本实施例中先将内底筒201安装到外筒1内，然后将内套筒202安装到外筒1内，此时，内套筒202下端面与内底筒201上端面直接贴合，内筒的安装更换方便。

为进一步降低成本，本实施例中内底筒201高度小于内套筒202高度。具体地，内底筒高度H1为内筒高度H的1/7-1/5；优选地，内底筒高度H1为内筒高度H的1/7。

本实施例中，内底筒201和内套筒202为石英筒。

实施例2

本实施例中的单晶硅加料器内筒采用上述分段式结构，为提交加料器的使用寿命，将容易发生损坏的内筒设置为钼筒，钼的硬度较大、熔点高和化学性质比较稳定，可满足加料器的使用要求；由于钼筒成本较高，因此这里内套筒仍采用石英筒，这样在提高了加料器使用寿命的同时，还控制了使用成本。

本实用新型的说明书和附图被认为是说明性的而非限制性的，在本实用新型基础上，本领域技术人员根据所公开的技术内容，不需要创造性的劳动就可以对其中一些技术特征作出一些替换和变形，均在本实用新型的保护范围内。