专利名称：新型偶氮甲碱低聚物的制作方法
技术领域：
本发明涉及新型的偶氮甲碱低聚物。
背景技术：
关于开发为直链状的具有共轭结构的聚偶氮甲碱的用途，LED、薄膜晶体管、太阳能电池等的电子以及光学设备材料用的有机半导体材料的用途得到了广泛研究。一般而言，现有的聚偶氮甲碱在主链中具有芳香环、杂环、或芳香环以及杂环，并且形成上述基团通过偶氮甲碱基而被连结的、多个芳香环和/或杂环相连接的共轭类聚合物结构。当将聚偶氮甲碱作为有机半导体材料来利用时，为了在基板上形成上述半导体层，如下的方法简便且成本也较低，所述方法为，将聚偶氮甲碱溶解在溶剂中，并将所得到的溶液涂布在基板上的方法。但是，上記聚偶氮甲碱为，如上所述的共轭类，且平面性较高为刚直的结构的化合物，因此其对于有机溶剂的溶解性较差。因此，无法使所述聚偶氮甲碱溶解在有机溶剂中并涂布于基板上。因此，提出了如下方法，S卩，在将单体真空蒸镀于目标基板上的同时聚合聚偶氮甲碱，并且形成半导体层的方法(參照专利文献1)，该方法由于エ序繁杂且聚偶氮甲碱的收率较低，因此不能说是优选方法。此外，关于专利文献I中公开的聚偶氮甲碱的溶剂溶解性，已知在间甲酚等的质子酸或含有质子酸的有机溶剂中，所述聚偶氮甲碱形成可逆的Lewis酸一碱基对，并在该状态下对于溶剂而显示出溶解性(參照非专利文献I 4)。但是，难以说这些质子酸或含有质子酸的有机溶剂具有通用性。而且，由于所述有机溶剂表现出腐蚀性，因此，对于将所述聚偶氮甲碱溶解于这些溶剂而获得的聚偶氮甲碱溶液而言，其エ业上的使用受到限制。此外，专利文献2公开了，与含有聚偶氮甲碱的有机LED元件相关的发明，其聚偶氮甲碱通过下述通式(I )来表示。[化学式I]
权利要求
1.一种偶氮甲碱低聚物，其特征在于， 在主骨架中具有含芳香族环共轭基，所述含芳香族环共轭基为，偶氮甲碱基与可以具有取代基的二价的芳香族基相互结合而共轭的含芳香族环共轭基， 该含芳香族环共轭基的两末端的偶氮甲碱基上结合有烃基，所述烃基可以具有，不与含芳香族环共轭基共轭的、含有氧原子、硫原子或环烯基的基团， 该烃基与醛基以及氨基间不具有反应性。
2.如权利要求I所述的偶氮甲碱低聚物，其特征在于， 所述烃基为，选自可以具有支链也可以被卤素原子取代的碳原子数2 512的烷基；可以具有支链也可以被卤素原子取代的碳原子数2 512的烷氧基；基团中具有醚键和/或硫醚键，且可以被卤素原子取代的碳原子数2 512的烃基；以及可以具有取代基的碳原子数3 50的环烷基中的任一种基团。
3.如权利要求I或2所述的偶氮甲碱低聚物，其特征在于， 所述偶氮甲碱低聚物的分子量在150 15000的范围内。
4.如权利要求I 3中任意一项所述的偶氮甲碱低聚物，其特征在于， 所述偶氮甲碱低聚物对于选自甲酚、甲苯、THF、环戊基甲基醚、丙酮、MEK、MIBK、环戊酮、氯仿、二氯甲烷、四氯化碳、氯苯、二硫化碳、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、甲醇、乙醇、异丙醇、苯甲醇、正丁醇、叔丁醇、戊醇、乙二醇、丙二醇、丙二醇单甲醚、吡啶、NMP、硫酸、甲酸、乙酸、盐酸、乳酸、三乙胺、二丁胺中的任一种溶剂、或者两种以上的共溶剂100g，而在25°C下具有0. Ig以上的溶解性。
5.如权利要求I 4中任意一项所述的偶氮甲碱低聚物，其特征在于， 所述偶氮甲碱低聚物通过下述通式(I )来表示， [化学式I] R1——A——Ar——A——R2 (I) 在上式中，Ar为可以具有取代基的二价的芳香族基、或者偶氮甲碱基与可以具有取代基的二价的芳香族基相互结合而共轭的含芳香族环共轭基， A为偶氮甲碱基， R1以及R2独立地为，可以具有支链也可以被卤素原子取代的碳原子数2 512的烷基；可以具有支链也可以被卤素原子取代的碳原子数2 512的烷氧基；基团中具有醚键和/或硫醚键，且可以被卤素原子取代的碳原子数2 512的烃基；或者可以具有取代基的碳原子数3 50的环烷基。
6.如权利要求5所述的偶氮甲碱低聚物，其特征在于， 所述二价的芳香族基为通过下式来表示的任一种基团， [化学式2]
7.如权利要求I 6中任意一项所述的偶氮甲碱低聚物，其特征在于， 对于将所述偶氮甲碱低聚物作为P型半导体层或N型半导体层的形成材料来使用而制成的P — n接合元件，能够将正极端子与P型半导体侧的电极连接，将负极端子与N型半导体侧的电极连接，并在一 5V + 5V的范围内施加电压，从而成为正向的电能/反向的电能> I. O。
8.—种如权利要求I所述的偶氮甲碱低聚物的制备方法，其特征在于， 具有如下工序，即，使下述通式(II)所表示的含芳香族环化合物I当量、与下述通式(III)所表示的烃化合物2当量发生反应的工序， [化学式4] X——Ar1-(A-Ar2)p——X (II) [化学式5]
9.如权利要求8所述的偶氮甲碱低聚物的制备方法，其特征在于， 所述含芳香族环化合物为选自下式所表示的化合物中的至少一种化合物， [化学式6]
10.如权利要求8或9所述的偶氮甲碱低聚物的制备方法，其特征在于，所述烃化合物为选自下式所表示的化合物中的至少一种化合物， [化学式10]
全文摘要
本发明的目的在于提供一种新型偶氮甲碱低聚物，所述偶氮甲碱低聚物作为半导体材料而确保了充分的载流子迁移率，而且溶解于甲苯等疏水性溶剂；甲醇、乙醇等醇类溶剂；丙二醇单甲醚等二醇类溶剂；或者乳酸甲酯等酯类溶剂等的通用性比较高的有机溶剂。本发明的偶氮甲碱低聚物的特征在于，在主骨架中具有含芳香族环共轭基，所述含芳香族环共轭基为，偶氮甲碱基与可以具有取代基的二价的芳香族基相互结合而共轭的含芳香族环共轭基，并且，该含芳香族环共轭基的两末端的偶氮甲碱基上结合有烃基，所述烃基可以具有不与该含芳香族环共轭基共轭的、含有氧原子、硫原子或环烯基的基团，且该烃基与醛基以及氨基间不具有反应性。
文档编号C07C251/24GK102770410SQ20118001022
公开日2012年11月7日 申请日期2011年3月1日 优先权日2010年3月3日
发明者岡本秀二, 目黑晃 申请人:综研化学株式会社