用于有机电致发光器件的氟衍生物的制作方法
【专利摘要】本发明涉及用于有机电致发光器件的氟衍生物。特别地，本发明涉及芴衍生物和有机电子器件，其中所述的化合物用作发光层中的基质材料，和/或用作空穴传输材料，和/或用作电子阻挡或激子阻挡材料，和/或用作电子传输材料。
【专利说明】用于有机电致发光器件的氟衍生物
[0001] 本发明是申请日为2009年3月11日、申请号为200980111846.X、发明名称为"用 于有机电致发光器件的氟衍生物"的发明专利申请的分案申请。
【技术领域】
[0002] 本发明涉及有机半导体和其在有机电子器件中的用途。
【背景技术】
[0003] 正在开发用于许多不同类型的电子应用的有机半导体。例如在US4539507、US 5151629、EP0676461和WO98/27136中描述了其中这些有机半导体用作功能材料的有机 电致发光器件（OLED)的构造。然而，为了这些器件用于高质量和长寿命的显示器，仍然希 望进一步改进。因此，目前需要改进，特别是，发蓝色光有机电致发光器件的寿命和效率。此 外需要化合物具有高的热稳定性和高的玻璃化转变温度，而且它们能够在不分解的情况下 升华。特别是对于高温应用，为了实现长寿命，高的玻璃化转变温度是必要的。
[0004] 仍旧需要改进的材料，例如用于荧光和磷光发光体的主体材料，但是同样希望进 一步改进，特别是，在电荷传输材料的情况下，即，空穴和电子传输材料和电荷阻挡材料。特 别是这些材料的性能通常限制有机电致发光器件的寿命和效率。
[0005] 意想不到的，已经发现在两个苯基每一个的3'-和5'-位被取代的9, 9-二苯基芴 衍生物，非常适用于有机电致发光器件中，其中它们相对于现有技术产生明显的改进。如果 使用9, 10-二氢蒽衍生物或相应的杂环衍生物而不是芴，这同样适用。因此，本发明涉及这 些化合物和其在有机电子器件中的用途。取决于在苯基上的取代，本发明的化合物特别适 合作为空穴传输材料、电子或激子阻挡材料、用于荧光或磷光化合物的基质材料、空穴阻挡 材料和电子传输材料。与现有技术的材料相比较，本发明的材料对于有机电子器件的相同 或改善的寿命，能够增加效率。此外，这些化合物具有高的热稳定性。通常，因为它们具有 高的玻璃化转变温度，因此这些材料非常适合用于有机电子器件中。相应的扩展结构，特别 是茚并芴结构和茚并咔唑结构，同样具有良好的性能。
[0006] 作为最接近的现有技术，可以提到US5, 698, 740、JP2005/085599和JP 2007/049055。US5, 698, 740和JP2005/085588公开了在两个苯基每一个上被至少一个氨 基或单或二取代的氨基取代的9, 9-二苯基芴衍生物。仅明确地公开了在苯基每一个4' -位 被氨基取代的结构，即与芴连接的对位。没有公开在一个苯基上被多个氨基取代的结构。 JP2007/049055公开了在两个苯基的至少一个上被至少一个取代或未取代的吡咯或苯并咪 唑基团取代的9, 9-二苯基芴衍生物。仅明确地公开了在每一个苯基的4-位被氨基取代的 结构，即与芴连接的对位。没有公开在一个苯基上被多个吡咯或苯并咪唑基团取代的结构。 然而，在这些申请中公开的取代方式没有产生在用于有机电子器件中时具有足够良好性能 的化合物。意想不到的，已经发现特定的在苯基的3' -和5' -位的每一个均同时取代是本 发明化合物良好性能的成因。
[0007] 此外，WO05/053055公开了在每一个三嗪基团的3, 5-位载带苯基的9, 9-双（三 嗪基）芴，作为磷光电致发光器件中的空穴阻挡材料。然而，该化合物的效果归因于在分子 中存在的三嗪基团。在三嗪的3, 5-位存在的取代基没有给予任何重要性。
[0008] 为了清楚起见，9, 9-二苯基芴的结构和编号显示如下：
[0009]
【权利要求】
1.通式⑴的化合物
其中以下适用于使用的符号和标记： X在每一次出现中相同或者不同地是CR1或N，其中在每一个环中最多3个基团X代表 N； 或两个直接相邻的基团X代表以下通式（7)的单元
其中，虚线键表示所述单元与相邻的C或N原子的连接； Y在每一次出现中相同或者不同地是单键或C(R1)2 ; Z在每一次出现中相同或者不同地是CR1或N，其中在每一个环中最多两个符号Z代表 N； R在每一次出现中相同或者不同地是NAr2X ( = 0) Ar、P( = 0) Ar2或具有5-30个芳族 环原子的芳族或杂芳族环体系，它们可被一个或多个非芳基R1取代； Ar在每一次出现中相同或者不同地是具有5-30个芳族环原子的芳族或杂芳族环体 系，它们可被一个或多个非芳基R1取代；此处结合到同一氮或磷原子上的两个基团Ar也 可以通过单键或选自如下的桥连基彼此连接：B(R2)、C(R2)2、Si(R 2)2、C = 0、C = NR2、C = C(R2)2、0、S、S = 0、S02、N(R2)、P(R2)和 P( = 0)R2 ; #在每一次出现中相同或者不同地是扎0、？、(：1、81'、1、010^〇?2)2^仏1') 2、(：（ = 0) Ar、P( = 0) (Ar)2、S( = 0)Ar、S( = 0)2Ar、CR2 = CR2Ar、CN、N02、Si(R2)3、B(0R 2)2、B(R2)2、 B(N(R2)2)2、0S02R2、具有1-40个碳原子的直链烷基、链烯基、炔基、烷氧基或者硫代烷氧基、 或者具有3-40个碳原子的支链或者环状的烷基、链烯基、炔基、烷氧基或者硫代烷氧基，它 们每个可被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被如下基团替代： R2C = CR2、C E c、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R 2)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR2、P( = 0) (R2)、 SO、S02、NR2、0、S或CONR2,和其中一个或多个H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO 2替代，或为 具有5-60个芳族环原子的芳族或杂芳族环体系，在每一情况下它们可以被一个或多个基 团R2取代，或为具有5-60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基，它们可被一个或多个基团R2 取代，或这些体系的组合；此处两个或多个相邻的取代基R1也可以彼此形成单或多环的、月旨 肪族或者芳族环体系； R2在每一次出现中相同或者不同地是H、D或具有1-20个碳原子的脂肪族、芳族和/或 杂芳族烃基，其中，另外，H原子可被F替代；此处两个或多个相邻的取代基R2也可以彼此 形成单或多环的、脂肪族或芳族环体系； n是2 ; 本发明不包括以下化合物：
其中使用的符号和标记具有在权利要求1中指出的含义。
3.权利要求1或2所述的化合物，其特征在于符号Y代表单键。 4?通式（2a)、（3a)、（8a)、（8b)、（9a)、（9b)、（IOa)、（IOb)、（Ila)或（Ilb)的根据权利 要求1-3中一项或多项所述的化合物：
其中使用的符号和标记具有在权利要求1中提及的含义。
7. 根据权利要求1-6中一项或多项所述的化合物，其特征在于符号R在每一次出现中 相同或者不同地代表NAr2。
8. 根据权利要求1-6中一项或多项所述的化合物，其特征在于符号R在每一次出现中 相同或者不同地代表C( = 0)Ar或P( = 0)Ar2。
9. 根据权利要求1-6中一项或多项所述的化合物，其特征在于符号R在每一次出现中 相同或者不同地代表具有5-30个芳族环原子的芳族或杂芳族环体系，它们可被一个或多 个非芳基R1取代。
10. 根据权利要求1-9中一项或多项所述的化合物，其特征在于如果R或R1基代表基 团N(Ar)2，则它选自通式（5)或通式（6)的基团，
其中R2具有以上指出的含义，和此外： E 代表单键、0、S、N(R2)或 C(R2)2 ; Ar1在每一次出现中相同或者不同地是具有5-20个芳族环原子的芳族或杂芳族环体 系，或具有15-30个芳族环原子的三芳基胺基团，它们每个可被一个或多个基团R2取代； P在每一次出现中相同或者不同地是0或1 ; 和/或其特征在于，如果R基代表芳族或杂芳族环体系，则它选自苯基、1-萘基、2-萘 基、蒽基、苯基蒽基、1-或2-萘基蒽基、联萘基、芘基、荧蒽基、2_，3_，4_，5_，6-或7-苯并蒽 基、N-苯并咪唑基、苯基-N-苯并咪唑基、N-苯基苯并咪唑基、或苯基-N-苯基苯并咪唑基。
11. 制备根据权利要求1-10中一项或多项所述的化合物的方法，包括使双（3, 5-二 溴）二苯甲酮与取代或未取代的2-联苯基锂、2-锂二苯基醚、2-锂二苯基硫醚、2- (2-苯基 锂）-2-苯基-1，3-二氧戊环、2-苯基锂二苯基胺或相应的格氏化合物反应，得到三芳基甲 醇，随后在酸性条件下环化。
12. 混合物，包括权利要求1-10中一项或多项所述的至少一种化合物和至少一种其他 化合物。
13. 溶液，包括权利要求1-10中一项或多项所述的至少一种化合物和至少一种有机溶 剂。
14. 权利要求1-10中一项或多项所述的化合物在电子器件中的用途。
15. -种包括权利要求1-10中一项或多项所述的至少一种化合物的电子器件。
16. 根据权利要求15所述的电子器件，其特征在于所述电子器件选自有机电致发光器 件（OLED、PLED)、有机场效应晶体管（O-FET)、有机薄膜晶体管（O-TFT)、有机发光晶体管 (O-LET)、有机集成电路（O-IC)、有机太阳能电池（O-SC)、有机场猝灭器件（O-FQD)、发光电 化学电池（LEC)、有机激光二极管（O-Iaser)或有机光感受器。
17. 根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于权利要求1-10中一项或多 项所述的化合物用作荧光或磷光化合物的基质材料，用作空穴传输材料，用作空穴注入材 料，用作电子阻挡材料，用作激子阻挡材料，用作电子传输材料或用作空穴阻挡材料。
【文档编号】C07D251/24GK104327003SQ201410490593
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2009年3月11日 优先权日:2008年4月7日
【发明者】菲利普·施特塞尔, 霍尔格·海尔, 多米尼克·约斯滕, 克里斯托夫·普夫卢姆, 安雅·格哈德 申请人:默克专利有限公司