。
[0323] 在另一个实施方案中，有机发光器件可为一种具有其中在基底上依序层合阴极、 一个或更多个有机材料层和阳极的结构的有机发光器件（反置型）。
[0324] 例如，根据本说明书的一个实施方案，有机发光器件的结构如图1和2所示。
[0325]图1说明一种有机电子器件的结构，其中依序层合基底（1)、阳极（2)、发光层（3) 和阴极（4)。在例如运样的结构中，杂环化合物可包含于发光层（3)中。
[0326] 图2说明一种有机电子器件的结构，其中依序层合基底（1)、阳极似、空穴注入层 巧）、空穴传输层化）、发光层（3)、电子传输层（7)和阴极（4)。在例如运样的结构中，杂环 化合物可包含于空穴注入层巧）、空穴传输层化）、发光层（3)和电子传输层（7)中。
[0327] 在例如运样的结构中，杂环化合物可包含于空穴注入层、空穴传输层、发光层和电 子传输层中的一个或更多个层。
[032引除了有机材料层的一个或更多个层包含本说明书的化合物（即，杂环化合物）夕F， 本说明书的有机发光器件可使用相关领域已知的材料制备。
[0329]当有机发光器件包含多个有机材料层时，有机材料层可使用相同或不同材料形 成。
[0330] 除了有机材料层的一个或更多个层包含杂环化合物（即，由化学式1表示的化合 物）外，本说明书的有机发光器件可使用相关领域已知材料和方法制备。
[0331] 例如，本说明书的有机发光器件可通过在基底上依序层合第一电极、有机材料层 和第二电极来制备。在此，阳极可通过使用物理气相沉积（PVD)方法例如瓣射法或电子束 蒸发法在基底上沉积具有导电性的金属、金属氧化物来形成，且接着将包括空穴注入层、空 穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层形成于其上，将能用作阴极的材料沉积于其 上，因此，可制备有机发光器件。除了运种方法，有机发光二级干可通过在基底上依序沉积 阴极材料、有机材料层和阳极材料来制备。
[0332] 另外，当制备有机发光器件时，化学式1的化合物可利用溶液涂溃法W及真空沉 积法作为有机材料层形成。在此，溶液涂溃法意指旋转涂布、浸涂、刮刀涂布、喷墨印刷、网 版印刷、喷射法、漉式涂布等，但并不限于此。
[0333] 除了运些方法，有机发光器件还可通过在基底上依序沉积阴极材料、有机材料层 和阳极材料来制备（国际专利公开号2003/012890)。但是，制备方法并不受限于此。
[0334] 在本说明书的一个实施方案中，第一电极为阳极，第二电极为阴极。
[0335] 在另一个实施方案中，第一电极为阴极，第二电极为阳极。
[0336] 作为阳极材料，通常优选为具有大功函数的材料，W使空穴顺利注入有机材料层。 能在本发明中使用的阳极材料的具体实例包括金属例如饥、铭、铜、锋、金或其合金，金属氧 化物例如氧化锋、氧化铜、铜锡氧化物ατο)或铜锋氧化物（IZ0)，及金属和氧化物的组合 例如化0:Α1或Sn〇2:Sb，导电聚合物例如聚（3-甲基嚷吩）、聚巧，4-(乙締-1,2-二氧）嚷 吩](P邸0T)、聚化咯和聚苯胺等，但并不限于此。
[0337]作为阴极材料，通常优选为具有小功函数的材料，W使电子顺利注入有机材料层。 阴极材料的具体实例包括金属例如儀、巧、钢、钟、铁、铜、锭、裡、礼、侣、银、锡和铅或其合 金，多层结构材料例如LiF/Al或Li〇2/Al等，但并不限于此。
[033引空穴注射层是从电极注入空穴的层，且空穴注入材料优选为运样的化合物：具有 传输空穴的能力，因此，在阳极具有空穴注入效果，对发光层或发光材料具有优异的空穴注 入效果，防止发光层产生的激子迁移到电子注入层或电子注入材料，且另外，具有优异的薄 膜形成能力。空穴注入材料的最高已占分子轨道（HOMO)优选为介于阳极材料的功函数与 周围有机材料层的HOMO之间。空穴注入材料的具体实例包括金属化嘟、低聚嚷吩、芳基胺 系有机材料、六腊六氮杂Ξ亚苯系有机材料、哇日丫晚酬系有机材料、巧系有机材料、蔥酿、及 聚苯胺系导电聚合物和聚嚷吩系导电聚合物等，但并不受限于此。
[0339] 空穴传输层是从空穴注入层接收空穴并将空穴传输到发光层的层，且作为空穴传 输材料，合适的材料为能从阳极或空穴注入层接收空穴，将空穴迁移到发光层，并对空穴具 有高迁移率的材料。其具体实例包括芳胺系有机材料，导电聚合物，同时具有共辆部分和非 共辆部分的嵌段共聚物等，但并不限于此。
[0340] 发光材料为能通过分别从空穴传输层和电子传输层接收空穴和电子并使该空穴 与该电子结合而在可见光区发光的材料，且优选为对巧光和憐光具有良好量子效率的材 料。其具体实例包括8-径基哇嘟侣络合物（Alq3);巧挫系化合物；二聚苯乙締基化合物； BAlq;10-径基苯并哇嘟-金属化合物；苯并P恶挫系、苯并嚷挫系和苯并咪挫系化合物；聚 (对-苯乙烘）（PPV)系聚合物；螺环化合物；聚巧、红巧締等，但并不受限于此。
[0341] 发光材料可包含主体材料和渗杂物材料。主体材料包含稠芳香环衍生物、含杂环 化合物等。具体来说，稠芳香环衍生物包括蔥衍生物、巧衍生物、糞衍生物、并五苯衍生物、 菲化合物、巧蔥化合物等，而含杂环化合物包括巧挫衍生物、二苯并巧喃衍生物、梯型巧喃 化合物、喀晚衍生物等，但材料并不限于此。
[0342] 渗杂物材料包含芳香族胺衍生物、苯乙締胺化合物、棚络合物、巧蔥化合物、金属 络合物等。具体来说，芳香族胺衍生物包括作为具有被取代或未被取代的芳基氨基的稠芳 香衍生物的包含芳基氨基的巧、蔥、窟和二巧并巧；苯乙締胺化合物包含其中被取代或未 被取代的芳基氨基被至少一个芳乙締基取代且选自芳基、甲娃烷基、烷基、环烷基和芳基氨 基的一个、二个或更多取代基被取代或未被取代的化合物。具体来说，苯乙締胺包括苯乙締 胺、苯乙締二胺、苯乙締Ξ胺、苯乙締四胺等，但是其并不受限于此。另外，金属络合物包括 银络合物、销络合物等，但并不限于此。
[0343] 电子传输层为从电子注入层接收电子并将电子传输至发光层的层，作为电子传输 材料，合适的材料为能从阴极接收电子，将电子迁移到发光层，且对电子具有高迁移率的材 料。其具体实例包括8-径基哇嘟的A1络合物，包含Alq3的络合物，有机自由基化合物，径 基黄酬-金属络合物等，但并不限于此。根据现有技术的使用，电子传输层可与任何所需阴 极材料一起使用。特别地，合适阴极材料的实例包括具有小功函数且其后接着侣层或银层 的常规材料。具体来说，阴极材料包含飽、领、巧、镜和衫，且在各种实例中，其后接着侣层或 银层。
[0344] 电子注入层为从电极注入电子的层，电子注入材料优选为运样的化合物：具有传 输电子的能力，在阴极具有电子注入效果，且对发光层或发光材料具有优异的电子注入效 果，防止发光层中产生的激子迁移至电子注入层，且另外，具有优异的薄膜形成能力。其实 例包括巧酬、蔥酿二甲烧、联苯酿、嚷喃二氧化物、g龜挫、^懇二挫、Ξ挫、咪挫、巧四簇酸、亚 巧甲烧、蔥酬等，及其衍生物、金属络合物化合物、含氮五元环衍生物等，但并不限于此。
[0345] 金属络合物化合物可包括8-径基哇嘟裡、双（8-径基哇嘟）锋、双（8-径基哇嘟） 铜、双（8-径基哇嘟）儘、Ξ(8-径基哇嘟）侣、Ξ(2-甲基-8-径基哇嘟）侣、Ξ(8-径基哇 嘟）嫁、双（10-径基苯并比]哇嘟）被、双（10-径基苯并比]哇嘟）锋、双（2-甲基-8-哇 嘟）氯嫁、双（2-甲基-8-哇嘟）（邻甲苯酪）嫁、双（2-甲基-8-哇嘟）（1-糞酪）侣、双 (2-甲基-8-哇嘟）（2-糞酪）嫁等，但并不受限于此。
[0346] 根据本说明书，有机发光器件根据所用材料可为顶部发光型、底部发光型或双面 发光型。
[0347] 在本说明书的一个实施方案中，除了有机发光器件，杂环化合物可包含在有机太 阳能电池或有机晶体管中。
【具体实施方式】
[034引在下文中，参照实施例，将详细描述由化学式1表示的杂环化合物及包含其的有 机发光器件的制备。但是，W下实例仅用来说明，并不限制本说明书的范围。
[0349] <合成实施例1〉由化学式2-1-1表示的化合物的制备
[0350]
[0351] (1)化学式ΙΑ的制备
[0352] 将7-漠-2-糞酪（21g，94.Immol)、Ξ嗦二氧棚戊环巧Og，114. 9mmol)和碳酸钟 (K2CO3) (39g，282mmol)溶解于四氨巧喃灯HF) (300血）和HzOaOOml)中，然后加热混合物至 90°C。向其中加入四（S苯麟）钮（PcKPPh3)4)化17g，1.88mmol)，然后将所得物回流1小 时。冷却所得物至室溫，然后将水层移除。将硫酸儀（M拆〇4)置于有机层然后滤除。浓缩 滤液，然后经柱色谱法纯化获得化学式lA(30g，产率71% )。
[035引MS: [M+田+=452
[0354] 似化学式1B的制备
[0355]将化学式 1A(22g，48.8mmol)、CaFioOzS(10. 5ml，58. 4mmol)和碳酸钟化2〔〇3) (2〇邑， 145mmol)溶解于乙腊（300mL)中，接着加热混合物至50°C。回流12小时后将所得物冷却 至室溫然后过滤。得到化学式lB(30g，产率84%)。
[035引 MS: [M+田+=734
[0357] (3)化学式2-1-1的制备
[035引将化学式lB(16g，21.8mmol)、二苯R比晚二氧棚戊环（10. 4g，24mmol)和碳酸钟 (K2CO3) (9g，65. 2mmol)溶解于四氨巧喃灯HF) (300血）和HzOaOOml)中，然后加热混合物至 90°C。向其中加入四（立苯麟）钮（PcKPPh3)4H0. 5g，0. 43mmol)，然后将所得物回流4小 时。冷却所得物至室溫后，将水层移除。将硫酸儀（Μ拆04)置于有机层然后滤除。浓缩滤 液，然后经柱色谱法纯化获得化学式2-1-1 (llg，产率68% )。
[035引 MS: [M+田+二 741
[0360] <合成实施例2〉由化学式2-1-2表示的化合物的制备
[0361]
[0362] (1)化学式2-1-2的制备
[0363] 除了使用化晚苯棚酸巧.6g，48mmol)代替二苯化晚二氧棚戊环外，W与合成实施 例1制备化学式2-1-1相同的方法制备化学式2-1-2 (20g，产率78% )。
[0364]MS: [M+田+二 589
[0365] <合成实施例3〉由化学式2-8-1表示的化合物的制备
[0366]
[0367] (1)化学式2-8-1的制备
[036引除了使用化学式2B(16g，21. 8mmol)代替化学式1B夕F，W与合成实施例1制备化 学式2-1-1相同的方法制备化学式2-8-1 (lOg，产率62% )。
[0369]MS: [M+田+二 741
[0370] <合成实施例4〉由化学式2-8-2表示的化合物的制备
[0371]
[0372] (1)化学式2-8-2的制备
[0373] 除了使用化晚苯棚酸巧.6g，48mmol)代替二苯化晚二氧棚戊环外，W与合成实施 例3制备化学式2-8-1相同的方法制备化学式2-8-2 (19g，产率74% )。
[0374] MS: [M+田+二 589
[0375] <合成实施例5〉由化学式2-12-1表示的化合物的制备
[0376]
[0377] (1)化学式2-12-1的制备
[037引除了使用化学式3B(16g，21.8mmol)代替化学式1B夕F，W与合成实施例1制备化 学式2-1-1相同的方法制备化学式2-12-1 (13g，产率80. 7% )。
[037引MS: [M+田+二 741
[0380] <合成实施例6〉由化学式2-12-2表示的化合物的制备
[0381]
[0382] (1)化学式2-12-2的制备
[0383] 除了使用化晚苯棚酸巧.6g，48mmol)代替二苯化晚二氧棚戊环外，W与合成实施 例5制备化学式2-12-1相同的方法制备化学式2-12-2(21g，产率82% )。