所公开的化合物组合使用的材料的非限制性实例，并且所属领域的技术人员可以容易 地查阅文献以鉴别可以组合使用的其它材料。
[0113]HIL/HTL：
[0114] 用于本发明中的空穴注入/传输材料不受特定限制，并且可以使用任何化合物， 只要所述化合物典型地用作空穴注入/传输材料即可。材料的实例包括（但不限于）：酞 菁或卟啉衍生物；芳香族胺衍生物；D引哚并咔唑衍生物；含有氟烃的聚合物；具有导电性掺 杂剂的聚合物；导电聚合物，如PED0T/PSS;衍生自如膦酸和硅烷衍生物的化合物的自组装 单体；金属氧化物衍生物，如Μ〇0χ;ρ型半导电有机化合物，如1，4, 5, 8, 9, 12-六氮杂三亚苯 六甲腈；金属络合物；以及可交联化合物。
[0115] 用于HIL或HTL中的芳香族胺衍生物的实例包括（但不限于）以下一般结构：
[0118]Ar1到Ar9中的每一者选自：由芳香族烃环状化合物组成的基团，如苯、联苯、三苯 基、三亚苯、萘、蒽、菔、菲、荷、花、窟、.花和奧；由芳香族杂环化合物组成的基团，如二苯并 噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔 唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二 唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚嗪、苯并 噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、咕吨、 吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡 啶、苯并硒吩并吡啶和硒酚并二吡啶；以及由2到10个环状结构单元组成的基团，所述环状 结构单元是选自芳香族烃环基和芳香族杂环基的相同类型或不同类型的基团并且直接或 经由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪族环基中的至少 一者彼此键结。其中每个Ar进一步被选自由以下组成的群组的取代基取代：氢、氘、卤基、 烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氣基、娃烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、 芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、异腈基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基以及其 组合。
[0119] 在一个方面，Ar1到Ar9独立地选自由以下组成的群组：
[0120]
[0122] 其中k是1到20的整数；X1Q1到X108是C(包括CH)或N;Z101是NAr\ 0或SMr1 具有上文所定义的相同基团。
[0123]HIL或HTL中所用的金属络合物的实例包括（但不限于）以下通式：
[0124]
[0125] 其中Met是原子量可以大于40的金属；(Y1Q1-Y1Q2)是双齿配体，Y1Q1和Y102独立地 选自C、N、0、P以及S;L1M是辅助性配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数 值；并且k' +k〃是可以与金属连接的最大配体数。
[0126] 在一个方面，（Y^-Y1·32)是2-苯基吡啶衍生物。在另一个方面，（Y^-Y1·32)是碳烯 配体。在另一个方面，Met选自Ir、Pt、Os以及Ζη。在另一个方面，金属络合物具有相较于 Fc+/Fc耦合的小于约0. 6V的溶液中最小氧化电势。
[0127]主体：
[0128] 本发明的有机EL装置的发光层优选地至少含有金属络合物作为发光材料，并且 可以含有使用金属络合物作为掺杂剂材料的主体材料。主体材料的实例不受特定限制，并 且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要主体的三重态能量大于掺杂剂的三重态能 量即可。虽然下表将主体材料归类为优选用于发出各种颜色的装置，但可以与任何掺杂剂 一起使用任何主体材料，只要满足三重态准则即可。
[0129]用作主体的金属络合物的实例优选具有以下通式：
[0130]
[0131] 其中Met是金属；（Y^-Y104)是双齿配体，Y103和Y104独立地选自C、N、0、P以及S; Lm是另一个配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值；并且k' +k〃是可以与 金属连接的最大配体数。
[0132] 在一个方面，金属络合物是：
[0133]
[0134] 其中（0-N)是具有与0和N原子配位的金属的双齿配体。
[0135] 在另一个方面，Met选自Ir和Pt。在另一个方面，（Υ^-Υ1，是碳烯配体。
[0136]用作主体的有机化合物的实例选自：由芳香族烃环状化合物组成的基团，如苯、 联苯、三苯基、三亚苯、萘、蒽、菔、菲、荷、花、窟、茈和奧；由芳香族杂环化合物组成的基团， 如二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、 叼丨噪并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二 噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲 哚嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋 啶、咕吨、p丫啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并咲喃并啦啶、咲喃并二啦啶、苯并噻吩并啦啶、噻 吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒酚并二吡啶；以及由2到10个环状结构单元组成的基团， 所述环状结构单元是选自芳香族烃环基和芳香族杂环基的相同类型或不同类型的基团并 且直接或经由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪族环基 中的至少一者彼此键结。其中每个基团进一步被选自由以下组成的群组的取代基取代：氢、 沉、齒基、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氣基、娃烷基、烯基、环烯基、杂稀 基、炔基、芳基、杂芳基、醜基、幾基、駿酸基、醋基、臆基、异臆基、硫基、亚横醜基、横醜基、麟 基以及其组合。
[0137] 在一个方面，主体化合物在分子中含有以下基团中的至少一者：
[0140] 其中Rm到R1OT独立地选自由以下组成的群组：氢、氘、卤基、烷基、环烷基、杂烷 基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氣基、娃烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、醜基、 羰基、羧酸基、酯基、腈基、异腈基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基以及其组合，当其是芳基或 杂芳基时，其具有与上文所提及的Ar类似的定义。k是0到20或1到20的整数；k' 〃是0 到20的整数。X101到X108选自C(包括CH)或N。Z101和Z102选自NR101、0或S。
[0141]HBL：
[0142] 可以使用空穴阻挡层（HBL)来减少离开发射层的空穴和/或激子的数目。与缺乏 阻挡层的类似装置相比，在装置中存在此类阻挡层可以产生实质上较高的效率。此外，可以 使用阻挡层将发射限制于0LED的所需区域。
[0143] 在一个方面，用于HBL中的化合物含有与用作上文所描述的主体相同的分子或相 同的官能团。
[0144] 在另一个方面，HBL中所用的化合物在分子中含有以下基团中的至少一者：
[0146] 其中k是1到20的整数；L1M是另一个配体，k'是1到3的整数。
[0147]ETL：
[0148] 电子传输层（ETL)可以包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是固有的（未 经掺杂的）或经掺杂的。可以使用掺杂来增强导电性。ETL材料的实例不受特定限制，并且 可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要其典型地用于传输电子即可。
[0149] 在一个方面，ETL中所用的化合物在分子中含有以下基团中的至少一者：
[0151] 其中Rm选自由以下组成的群组：氢、氘、卤基、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷 氧基、芳氧基、氣基、娃烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、醜基、幾基、駿酸基、 酯基、腈基、异腈基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基以及其组合，当其是芳基或杂芳基时，其 具有与上文所提及的Ar类似的定义。Ar1到Ar3具有与上文所提及的Ar类似的定义。k是 1到20的整数。X1M到X选自C(包括CH)或N。
[0152] 在另一个方面，ETL中所用的金属络合物包括（但不限于）以下通式：
[0154] 其中（0-N)或（N-N)是具有与原子0、N或N，N配位的金属的双齿配体；L1M是另 一个配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值。
[0155] 在0LED装置的每个层中所用的任何上文所提及的化合物中，氢原子可以被部分 或完全氘化。因此，任何具体列出的取代基，如（但不限于）甲基、苯基、吡啶基等包涵其非 氘化、部分氘化以及完全氘化形式。类似地，如（但不限于）烷基、芳基、环烷基、杂芳基等 类别的取代基也包涵其非氘化、部分氘化以及完全氘化形式。
[0156] 除本文所公开的材料外和/或与本文所公开的材料组合，可以在0LED中使用许多 空穴注入材料、空穴传输材料、主体材料、掺杂剂材料、激子/空穴阻挡层材料、电子传输以 及电子注入材料。可以与本文所公开的材料组合用于0LED中的材料的非限制性实例在下 表A中列出。表A列出材料的非限制性类别、每种类别的化合物的非限制性实例以及公开 所述材料的参考文献。
[0157]表A
[0158]
[0181] 实验
[0182] 合成实例：
[0183] 合成化合物46(Ir(LA46) (LB1) 2)
[0184]合成化合物46(Ir(L^) (L=)9 ：
[0185]
[0186] 将苯并咪唑配体（1. 85g，4. 33mmol)和铱络合物（1. 85g，2. 59mmol)装