往烧瓶中通氮气排空气约30min后;将烧瓶加 热到120°C进行Suzuki耦合反应36h。降温后停止聚合反应，向烧瓶中滴加40ml甲醇中进行 沉降；通过索氏提取器过滤之后依次用甲醇和正己烷抽提24h。然后以氯仿为溶剂抽提至无 色，收集氯仿溶液并旋干得到红色粉末，得到聚{N-正丁烷基-3，7-二基-吩噻嗪-2，7-二基 咔唑- co-2,6-二基-吡啶}有机半导体材料，最后真空下50°C干燥24h。产率为82%。
[0075] 上述制备有机半导体材料P4的反应式如下：
[0076]
[0077] 分子量测试结果为:Mo 1 ecu 1 ar we ight (GPC，THF，R · I): Mn=43 · 4kDa，Mw/Mn = 2 · 1 〇
[0078] 本实施例4制备的有机半导体材料P4的差示扫描量热曲线，差示扫描量热曲线测 试在Perkin Elmer DSC-7上进行，玻璃化转变温度(Tg)为126°C。
[0079] 实施例4中制备的有机半导体材料P4的紫外-可见吸收光谱图，紫外-可见吸收光 谱在Jasco-570紫外分析仪上测量。由图可以看出：本发明聚合物的在300nm~700nm之间有 较大较宽的吸收，其中最大吸收峰位于586nm，宽的吸收光谱表明P4是一种光伏材料。
[0080] 通过测试低温磷光光谱，仪器为FS组合式荧光/磷光光谱仪，以考察有机半导体材 料P4三线态发射特性。在77K的液氮下，有机半导体材料P4表现出很强的磷光发射，发射峰 在438nm，相应的三线态能量为2.82eV，大大高于磷光材料双(4,6_二氟苯基吡啶-N，C2)吡 啶甲酰合铱（III)FIrpic的三线态能量(2.65eV)，测试数据结果表明我们的材料可作为蓝 光磷光主体材料。
[0081 ] 实施例5:
[0082] 本实施例公开了结构式如下的聚{N-正十二烷基-3，7_二基-吩噻嗪-c〇-2,6-二 基-吡啶}(有机半导体材料P5):
[0083]
[0084] 在氮气保护下，将N-正十二烷基-3，7_二频哪醇硼酸酯吩噻嗪（186mg，0.3mmol)、 2，6-二溴-吡啶（7lmg，0 · 36mmo 1)、四三苯基膦钯（8mg，0 · 006mmol)加入到盛有15mL甲苯加 入50mL的双口烧瓶中，充分溶解后加入碳酸钾(3mL，2mo 1/L)溶液。随后往烧瓶中通氮气排 空气约lOmin后;将烧瓶加热到90°C进行Suzuki親合反应60h。降温后停止聚合反应，向烧瓶 中滴加40ml甲醇中进行沉降;通过索氏提取器过滤之后依次用甲醇和正己烷抽提24h。然后 以氯仿为溶剂抽提至无色，收集氯仿溶液并旋干得到红色粉末，得到聚{N-正十二烷基-3， 7-二基-吩噻嗪-c〇-2,6-二基-吡啶}有机半导体材料，最后真空下50°C干燥24h。产率为 76% 〇
[0085]上述制备有机半导体材料P5的反应式如下：
[0086]
[0087] 分子量测试结果为:Mo 1 ecu 1 ar we ight (GPC，THF，R · I): Mn = 22 · 6kDa，Mw/Mn = 2 · 3 〇
[0088] 本实施例5制备的有机半导体材料P5的差示扫描量热曲线，差示扫描量热曲线测 试在Perkin Elmer DSC-7上进行，玻璃化转变温度(Tg)为105°C。
[0089] 实施例5中制备的有机半导体材料P5的紫外-可见吸收光谱图，紫外-可见吸收光 谱在Jasco-570紫外分析仪上测量。由图可以看出：本发明聚合物的在300nm~700nm之间有 较大较宽的吸收，其中最大吸收峰位于585nm，宽的吸收光谱表明P5是一种光伏材料。
[0090] 通过测试低温磷光光谱，仪器为FS组合式荧光/磷光光谱仪，以考察有机半导体材 料P5三线态发射特性。在77K的液氮下，有机半导体材料P5表现出很强的磷光发射，发射峰 在444nm，相应的三线态能量为2.79eV，大大高于磷光材料双(4,6_二氟苯基吡啶-N，C2)吡 啶甲酰合铱（III)FIrpic的三线态能量(2.65eV)，测试数据结果表明我们的材料可作为蓝 光磷光主体材料。
[0091] 应用实施例
[0092]有机电致发光器件300，其结构如图1其包括基底301，阳极302，空穴注入层303，空 穴传输层304，发光层305，电子传输层306，电子注入缓冲层307，阴极308。
[0093]本实施例中基底301的材质为玻璃，在基底301上依次真空镀膜阳极302,空穴注入 层303，空穴传输层304，发光层305，电子传输层306，电子注入缓冲层307，阴极308，阳极302 采用方块电阻为10~20 Ω/□的氧化铟锡，厚度为150nm，空穴注入层303采用聚（3，4_乙烯 二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸，厚度为30nm，空穴传输层304采用N，Y-二苯基-N，g-(1-萘基)-1，1 /-联苯-4,4/-二胺，厚度为2〇11111，发光层305主体发光材料采用本发明实施1制备的化合 物聚{N-正己烷基_3，7_二基-吩噻嘆_co_2，6_二基-吡啶}，并以主体材料为基准惨杂质量 百分数为10%的客体发光材料双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱（III )，发光层 305厚度为20nm，电子传输层306采用5(4,7-二苯基-1，10-菲罗啉，厚度为30nm，电子注入缓 冲层307采用氟化锂，厚度为lnm，阴极308采用金属铝，厚度为100nm 〇
[0094] 有机层和金属层均采用热蒸发工艺沉积完成，真空度为10-3~l(T5pa，薄膜的厚度 采用膜厚监控仪器监视，除客体材料外所有有机材料的蒸发速率为3人/秒，氟化锂的蒸发 速率为1A/秒，金属铝的蒸发速率为1〇人/秒。
[0095] 该电致发光器件具有较高的发光效率，可广泛应用在蓝色或白色等发光领域。器 件的电流-亮度-电压特性是由带有校正过得硅光电二极管的Keithley源测量系统 (Keithley 2400Sourcemeter、Keithley 2000〇11；[1^6111：1116七61')完成的所有测量均在室温大 气中完成。结果表明：器件的最大电效率为l0.8cd/A，最大亮度为24710cd/m 2。
[0096] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的具有阳极的衬底、发光层W及阴极 层，所述发光层为主体材料和客体材料的混合物，其中主体材料如下所示的有机半导体材 料：庚中，R为Cl~C20的烷基，η为10~100的整数，客体材 料为S[ 1-苯基异哇嘟-C2，Ν]银、双(4，6-二氣苯基化晚-Ν，C2川比晚甲酯合银、[二(2/，少- 二氣苯基)邮晚][四（1-化挫基)棚]合银或者[二(2/，少-二氣苯基)邮晚](四挫化晚)合银。2. 如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料与所述客体材料的质 量百分比为5%~20%。3. 如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述阳极材料为氧化铜锋或氧化锋 侣，阴极为金属侣、银、金或儀。
【专利摘要】本发明提供了一种电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的具有阳极的衬底、发光层以及阴极层，所述发光层为主体材料和客体材料的混合物，其中主体材料如下所示的有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：其中，R为C1～C20的烷基，n为10～100的整数，本发明提供有机半导体材料同时具有空穴传输性质和电子传输性质，使在发光层中空穴和电子的传输平衡，还具有较高的三线态能级，三线态能级大于2.78eV，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，大大提高发光效率。
【IPC分类】H01L51/50, C08G61/12, C07D417/14, H01L51/54
【公开号】CN105566614
【申请号】CN201610101019
【发明人】不公告发明人
【申请人】王莎莎
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2013年1月31日
【公告号】CN103965440A