将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氧气的工作气体流量为lOsccm，压强调节为0.2Pa，衬底温度为250°C，激光能量500W。得到的样品的化学式为In2Si6N101.005Eu3+，0.005Bi3+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为
0.0lPa，退火温度为500°C，退火处理lh，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0086]实施例9
[0087]选用纯度为99.99% 的粉体，将 2mmol 的 InN，2mmol 的 Si3N4,0.05mmol 的 EuN 和0.03mmol的BiN粉体，经过均匀混合后，在1300°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0X10_5Pa，氧气的工作气体流量为35SCCm，压强调节为4.0Pa，衬底温度为750°C，得到的样品的化学式为In2Si6Nltl = 0.05Eu3+，0.03Bi3+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0.0lPa，退火温度为800°C，退火处理3h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0088]实施例10
[0089]选用纯度为99.99% 的粉体，将 2mmol 的 TIN, 2mmol 的 Si3N4,0.03mmol 的 EuN 和0.0lmmol的BiN粉体，经过均匀混合后，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.0X10_4Pa，氧气的工作气体流量为25SCCm，压强调节为2.0Pa，衬底温度为500°C，得到的样品的化学式为Tl2Si6N10 = 0.0Eu3+, 0.0lBi3+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0.0lPa，退火温度为600°C，退火处理2h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0090]实施例11
[0091]选用纯度为99.99% 的粉体，将 2mmol 的 TlN，2mmol 的 Si3N4,0.005mmol 的 EuN和0.005mmol的BiN粉体，经过均勻混合后，在900°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氧气的工作气体流量为lOsccm，压强调节为0.2Pa，衬底温度为250°C，激光能量500W。得到的样品的化学式为Tl2Si6N101.005Eu3+, 0.005Bi3+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0.0lPa，退火温度为500°C，退火处理lh，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0092]实施例12
[0093]选用纯度为99.99% 的粉体，将 2mmol 的 TIN, 2mmol 的 Si3N4,0.05mmol 的 EuN 和
0.03mmol的BiN粉体，经过均匀混合后，在1300°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0X10_5Pa，氧气的工作气体流量为35SCCm，压强调节为4.0Pa，衬底温度为750°C，得到的样品的化学式为Tl2Si6Nltl = 0.05Eu3+，0.03Bi3+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0.0lPa，退火温度为800°C，退火处理3h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0094]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种铕铋双掺杂三族氮化硅发光材料，其特征在于:其化学式为Me2Si6Nltl:xEu3+, yBi3+, Me2Si6Nltl是基质，Eu3+和Bi3+离子是激活元素，其中，x为0.005?0.05，y为0.005?0.03，Me为招元素、镓元素、铟元素和铭元素中的一种。
2.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于:所述X为0.03，y为0.01。
3.—种铕铋双掺杂三族氮化硅发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 根据Me2Si6Nltl:xEu3+, yBi3+各元素的化学计量比称取MeN，Si3N4, EuN和BiN粉体并混合均匀，其中，X为0.005?0.05，y为0.005?0.03，Me为铝元素、镓元素、铟元素和铊元素中的一种 '及 将混合均匀的粉体在900 °C?1300°C下烧结0.5小时?5小时即得到化学式为Me2Si6N10:xEu3+, yBi3+的铕铋双掺杂三族氮化硅发光材料。
4.一种铕铋双掺杂三族氮化硅发光薄膜，其特征在于，该铕铋双掺杂三族氮化硅发光薄膜的材料的化学通式为Me2Si6Nltl:xEu3+, yBi3+，Me2Si6N10是基质，Eu3+和Bi3+离子是激活元素，其中，X为0.005?0.05，y为0.005?0.03，Me为铝元素、镓元素、铟元素和铊元素中的一种。
5.一种铕铋双掺杂三族氮化硅发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 根据Me2Si6Nltl:xEu3+, yBi3+各元素的化学计量比称取MeN，Si3N4, EuN和BiN粉体并混合均匀，将混合均匀的粉体在900°C?1300°C下烧结0.5小时?5小时得到靶材，其中，x为0.005?0.05，y为0.005?0.03，Me为铝元素、镓元素、铟元素和铊元素中的一种； 将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0XKT3Pa ?1.0XKT5Pa ;及， 调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa?4Pa，工作气体的流量为1sccm?35sCCm，衬底温度为250°C?750°C，接着进行制膜，得到化学式为Me2Si6Nltl:xEu3+, yBi3+的铕铋双掺杂三族氮化硅发光薄膜。
6.根据权利要求5所述的铕铋双掺杂三族氮化硅发光薄膜的制备方法，其特征在于，还包括步骤:将所述铕铋双掺杂三族氮化硅发光薄膜于50(TC?80(TC下真空退火处理Ih ?3h。
7.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为铕铋双掺杂三族氮化硅发光材料，该铕铋双掺杂三族氮化硅发光材料的化学式为Me2Si6Nltl:xEu3+, yBi3+，Me2Si6N10是基质，Eu3+和Bi3+离子是激活元素，其中，X为0.005?0.05，y为0.005?0.03，Me为铝元素、镓元素、铟元素和铊元素中的一种。
8.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供具有阳极的衬底； 在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铕铋双掺杂三族氮化硅发光材料，该铕铋双掺杂三族氮化硅发光材料的化学式为Me2Si6Nltl:xEu3+, yBi3+，Me2Si6Nltl是基质，Eu3+和Bi3+离子是激活元素，其中，X为0.005?0.05，y为0.005?0.03，Me为铝元素、镓元素、铟元素和铊元素中的一种； 在所述发光层上形成阴极。
9.根据权利要求8所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的制备包括以下步骤: 根据Me2Si6Nltl:xEu3+, yBi3+各元素的化学计量比称取MeN，Si3N4, EuN和BiN粉体并混合均匀在900°C?1300°C下烧结0.5小时?5小时制成靶材，其中，x为0.005?0.05，y为0.005?0.03，Me为招元素、镓元素、铟元素和I它元素中的一种； 将所述靶材以及所述衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0X KT3Pa ?1.0X KT5Pa ； 调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa?4Pa，工作气体的流量为1sccm?35sCCm，衬底温度为250°C?750°C，接着进行制膜，在所述阳极上形成发光层。
10.根据权利要求8所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括步骤:将所述铕铋双掺杂三族氮化硅发光薄膜于500°C?800°C下真空退火处理Ih?3h。
【专利摘要】一种铕铋双掺杂三族氮化硅发光材料，其化学式为Me2Si6N10：xEu3+,yBi3+，Me2Si6N10是基质，Eu3+和Bi3+离子是激活元素，其中，x为0.005～0.05，y为0.005～0.03，Me为铝元素、镓元素、铟元素和铊元素中的一种。该铕铋双掺杂三族氮化硅发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在480nm和580nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该铕铋双掺杂三族氮化硅发光材料的制备方法及其应用。
【IPC分类】C09K11-62, H01L33-50, C09K11-64
【公开号】CN104650859
【申请号】CN201310578441
【发明人】周明杰, 陈吉星, 王平, 钟铁涛
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月18日