基于PbO-NiO-MgO和噻吩修饰的石墨电极的制作方法

文档序号:14541849阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种基于PbO‑NiO‑MgO和噻吩修饰的石墨电极。清洗后的石墨棒经Pb(NO3)2、2,3‑二溴噻吩、正丁醇、异丙醇、甲醇和3‑十二烷基噻吩制备的混合液处理后得到物质C。物质C经Ni(NO3)2、3‑甲基苯噻吩、正丁醇、异丙醇、甲醇和5‑氯苯并噻吩制备的混合液处理后得到物质D。物质D经Mg(NO3)2、2‑溴苯并噻吩、正丁醇、异丙醇、甲醇和4‑甲基苯并噻吩制备的混合液处理后得到的物质即为基于PbO‑NiO‑MgO和噻吩修饰的石墨电极。本发明的有益效果是,制得的基于PbO‑NiO‑MgO和噻吩修饰的石墨电极具有活性高、适应性强、寿命长等特点。

技术研发人员:不公告发明人
受保护的技术使用者:光合强化(北京)生物科技有限公司
技术研发日:2017.12.28
技术公布日:2018.05.29
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