一种多孔单层1TMoS2纳米片的制备方法及其应用与流程

技术特征：

1.一种多孔单层1T MoS ₂纳米片的制备方法，其特征在于步骤如下：

（一）采用水热法制备2H晶型的MoS₂纳米片；

（二）采用超声辅助锂离子插层法对多层2H晶型的MoS₂纳米片进行剥离，得到多孔单层1T MoS₂纳米片。

2.根据权利要求1所述的多孔单层1T MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（一）采用水热法制备2H晶型的MoS₂纳米片的方法如下：

1）将钼源和硫源加入去离子水中混合均匀，得到混合物A；

2）将混合物A搅拌至透明溶液后，放入水热反应釜中，在180-220℃的条件下加热10-26小时，经沉淀、过滤后得到样品B；

3）将样品B自然冷却至室温，用乙醇洗涤，60-80℃干燥12小时后得到多层2H晶型的MoS₂纳米片。

3.根据权利要求2所述的多孔单层1T MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤1）中钼源为钼酸钠或钼酸铵；硫源为硫脲或硫代乙酰胺，钼源与硫源中Mo/S的摩尔比为1:6.5。

4.根据权利要求1所述的多孔单层1T MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（二）采用超声辅助锂离子插层法对多层2H晶型的MoS₂纳米片进行剥离的方法如下：在无水无氧的条件下，将2H晶型的MoS₂纳米片和正丁基锂正己烷溶液，放入Schlenk反应管中，在100-250W的超声条件下超声3-5小时得到棕黄色悬浊液，沉淀过滤，去除没有剥离的MoS₂以及多余的溶液，将剩余物自然冷却至室温，用乙醇洗涤，60-80℃干燥12小时后得到多孔单层1T MoS₂纳米片。

5.根据权利要求4所述的多孔单层1T MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于：所述将正丁基锂正己烷溶液的浓度为5-10mol/L，以1g 2H晶型的MoS₂纳米片为基准，需要正丁基锂正己烷溶液5 mL。

6.利用权利要求1~5任一所述的多孔单层1T MoS₂纳米片的制备方法制得的1T MoS₂纳米片在电催化制氢方面的应用。