技术特征：
技术总结
本发明提供一种硅纳米孔结构及其制作方法。包括：一绝缘衬底上的硅片作为基板；在基体两侧表面沉积 SiN 纳米薄膜，将基体一侧的 SiN 刻蚀形成硅表面；同时刻蚀 SiN 纳米薄膜形成基体释放窗口；将金属纳米颗粒均匀分散在硅表面；在金属纳米颗粒和硅表面上方沉积保护层，在保护层上方涂覆一层增粘剂和抗碱性刻蚀液的胶，使用碱性溶液刻蚀硅基体得到由SOI 氧化层、SOI 顶层硅、金属纳米颗粒、保护层和保护胶组成的自支撑纳米薄膜。去除保护胶与增粘剂和 SOI 氧化层，刻蚀去除自支撑纳米薄膜上方部分保护层，得到保护层窗口；使用双氧水、氢氟酸配置成的刻蚀液体，辅助金属纳米颗粒刻蚀得到硅纳米孔结构。本发明工艺简单，可重复循环使用，在生化检测领域使用前景广。
技术研发人员：袁志山;王成勇
受保护的技术使用者：广东工业大学
技术研发日：2017.05.16
技术公布日：2017.12.01