1.一种铁类水滑石纳米片阵列的一步电合成方法，其特征在于，其具体操作步骤如下：
1)配制金属硝酸盐和硫酸亚铁混合溶液作为电解质溶液，金属硝酸盐的浓度为0.1-1mg/mL，硫酸亚铁的浓度为0.1-1mg/mL，金属硝酸盐与硫酸亚铁的摩尔比例为(2:1)-(1:2)；
2)在步骤1)配制的电解质溶液中，以饱和甘汞电极作为参比电极，Pt为对电极，表面经过清洁处理的导电基底作为工作电极，利用恒电位法在导电基底上直接生长铁类水滑石纳米片阵列，电化学合成的电位设为(-0.8)-(-1.2)V，合成时间为10-400s，合成温度为10-50℃。
2.根据权利要求1所述的一种铁类水滑石纳米片阵列的一步电合成方法，其特征在于，所述的金属硝酸盐选自Mg(NO3)2、Co(NO3)2、Ni(NO3)2、Ca(NO3)2、Cu(NO3)2、Fe(NO3)2、Mn(NO3)2、LiNO3中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种铁类水滑石纳米片阵列的一步电合成方法，其特征在于，所述的导电基底选自泡沫镍、ITO、FTO、镍片、钛片、铜网、碳纤维布、透明导电布中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种铁类水滑石纳米片阵列的一步电合成方法，其特征在于，所述的导电基底表面的清洁处理方法为：将导电基底分别用无水乙醇、丙酮和去离子水各超声10-20min，去除表面的杂质。