在此，用于测量表面积的3D显微镜是允许#D分析的激光显微镜，并且没有特别的 限制，只要该显微镜能够测量面积和表面积。3D显微镜使用的激光可W是具有405nm至 410nm的可见阔值波长的紫外激光，因为该激光允许SC因子的精确测量。
[0043] 同时在本公开中，该测量区域没有特别的限制，而是可W具有各种形状，如正方形 和矩形等。
[0044] SC与施加至用于制备电解铜锥1的锥片制备工艺的添加剂的种类和含量范围、电 锻液的溫度(40至60°C)、电锻液的组成(铜为60至lOOg/L，硫酸根为80至130g/L)、施加的用 于电锻的电流密度(10至80A/dm2) W及制锥机的滚筒研磨条件等相关。
[0045] 例如，可W通过从径乙基纤维素、明胶、胶原、或氯等中选择任意电锻添加剂并且 调节电锻液中选择性材料的浓度(径乙基纤维素在2至5ppm的范围内、明胶和胶原在2至 4ppm的范围内、氯在10至20ppm的范围内）来控制第一表面Ia的SC值，并且还可W通过一起 改变电锻液的浓度和组成来控制电解铜锥1的第一表面Ia的SC值。
[0046] 同时，关于影响SC的各种因素之中的滚筒研磨条件，当滚筒用刷子进行磨光 (buffing)时，可W通过调节研磨数(grinding#)、磨光压力、磨光旋转速度和振动速度来控 审IJSC。换言之，可W通过将刷子的研磨数调节至600至2000的范围内、将磨光压力调节至0.5 至5.0安培的范围内、将旋转速度调节至50至35化pm的范围内并且将振动速度调节至50至 250cpm的范围内来制备根据本公开的实施方式的满足SC的铜锥。
[0047] 在改变影响SC的各种因素时，根据本公开的实施例1至9和比较例1至9制备的电解 铜锥的制备条件示于W下表1中，各滚筒研磨条件示于W下表2中。
[004引表1.
[0049]
[(K)加 ]
[C
[加的」
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[0054] 同时，后面将参照表3中示出的实施例和比较例详细描述控审IjSC所获得的优点。
[0055] 接下来将描述电解铜锥1的第二表面化。如果电解铜锥1的第二表面化具有过高的 平均粗糖度Ra,当使用电解铜锥1形成铜布线图案时，可能发生铜残留（代表运样一种现象， 即铜锥组分保留在其中在通过蚀刻形成图案后铜锥应该完全消除的区域中）。因此，为了防 止残留铜的生成，第二表面化的平均粗糖度Ra可W被限制在大于Owii且小于0.祉m的范围。
[0056] 同时，电解铜锥1可W包括在通过如上所述的电沉积方式制备的铜锥的第二表面 化上的至少一个功能层。功能层可W包括铜结节层、保护层、阻挡层、硅烷偶联层等。
[0057] 更详细地，当在电解铜锥1的第二表面Ib上形成运样的功能层时，可能的是按照铜 结节层和/或保护层和/或阻挡层（当保护层和阻挡层二者均存在时，该层压顺序可W改变） 和/或硅烷偶联层的顺序进行层压。
[005引通过在电解铜锥1的第二表面化(其接触树脂)上形成铜结节的核并且在对其进行 电锻工艺W使核生长来形成铜结节层，从而确保与树脂膜2的物理粘合力。
[0059]该保护层由例如锋(Zn)、锋合金、铭(化）、铭合金、锋氧化物或铭氧化物制成，并且 通常通过在铜锥制备工艺之后进行的电锻工艺来形成，W防止铜锥的热氧化并得到防诱效 果。
[0060] 电解铜锥1的第二表面Ib设置有阻挡层W抑制铜从铜锥的扩散，从而确保铜锥的 稳定性。阻挡层可W由例如儀(Ni)、钻(Co)、钢(Mo)等的金属制成。运里，预先形成铜结节层 和/或保护层，在其上可W形成阻挡层。同时，可W形成单个阻挡层，并且也可W形成两个或 更多个阻挡层。
[0061] 硅烷偶联层由娃化合物制成并且可W设置在电解铜锥1的第二表面Ib上，W确保 电解铜锥1和树脂膜2之间的化学粘合力。形成如上所述的铜结节层和/或保护层和/或阻挡 层，可W在其上一起形成该硅烷偶联层。
[0062] 现在，将参照W下表3描述通过控制电解铜锥1的第一表面Ia的SC而获得的效果。
[0063] 表3. 「00641
[0066]根据实施例和比较例制备的双面FC化样品是通过将铜锥置于PI膜的两个表面并 且在氮气气氛下对其进行漉压，此时，该漉压是在约360°C进行。
[0067] 此外，在将用于制造 F(XL的线速度设定为4mpm的共同值（common va 1 Ue)下，测量 根据SC的外观缺陷的出现。
[006引参照表3可W发现，当电解铜锥1的第一表面Ia具有在约2.21至4.09范围内的SC值 时，电解铜锥1保持优良的品质。
[0069] 换言之，当在树脂膜2的两个表面施加层压漉压W制备双面F(XL，如果SC值小于 2.21，则在层压漉和电解铜锥1之间发生滑动，由此引起电解铜锥1发生起皱。
[0070] 如果将实施例6和比较例9对比，可W清楚地发现根据对照SC的起皱的发生;并且 其还可W通过将图2(示出实施例1的结果)与图3(示出比较例1的结果)对比来检查。
[0071] 此外，类似地，当通过施加层压漉压制备双面FC化时，如果SC大于4.09，则在层压 工艺期间电解铜锥1发生压扁。
[0072] 可W通过将图4(示出实施例7的结果）与图5(示出比较例5的结果)对比来检查根 据对照SC的压扁的发生。
[0073] 如上所述，根据本发明的一个实施方式的电解铜锥1可W在高的线速度下无误地 粘附至树脂膜，运是因为未附着树脂膜2的表面被控制为具有在预定范围内的SC值。
[0074] 换言之，如果使用根据本公开的电解铜锥1，当通过将电解铜锥1层压至由聚酷亚 胺(PI)等制成的树脂膜2的两个表面来制造双面F(XL时，能够防止电解铜锥1发生起皱和/ 或压扁，由此允许W高产率生产具有优良品质的F(XL。
[00巧]同时，不仅当将电解铜锥1施加至双面FC化时，而且当将其施加至单面FC化或CCL 时，均可W防止起皱和/或压扁的发生。
[0076]已经详细描述了本公开。然而，应当理解，详细的说明和特定的实施例在示出本发 明的优选实施方式的同时，是仅W说明的方式给出的，因为通过该详细描述，在本公开的范 围之内的各种改变和修改对于本领域技术人员而言将是显而易见的。
【主权项】
1. 一种电解铜箱，其用于制造覆铜层压板(CCL)， 其中所述电解铜箱的第一表面未附着树脂膜，所述电解铜箱的第一表面具有在2.21至 4.09范围内的表面系数(SC)，和 其中所述SC是指所述电解铜箱的第一表面的实际表面积与单位测量面积的比值。2. 根据权利要求1所述的电解铜箱， 其中所述电解铜箱的第二表面附着有树脂膜，所述电解铜箱的第二表面设置有由选自 锌、锌合金、铬、铬合金、氧化锌和氧化铬的至少一种材料制成的保护层。3. 根据权利要求1所述的电解铜箱， 其中所述电解铜箱的第二表面附着有树脂膜，所述电解铜箱的第二表面设置有由选自 Ni、Co和Mo的材料制成的至少一个阻挡层。4. 根据权利要求1所述的电解铜箱， 其中附着有树脂膜的所述电解铜箱的第二表面具有大于〇μπι且小于0.8μπι的平均粗糙 度(Ra)〇5. 根据权利要求1所述的电解铜箱， 其中所述电解铜箱的第二表面附着有树脂膜，所述电解铜箱的第二表面设置有Si化合 物层。6. 根据权利要求1所述的电解铜箱， 其中所述电解铜箱具有l〇5ym或更小的厚度。7. 根据权利要求1所述的电解铜箱， 其中所述第一表面是铜箱表面，所述铜箱表面在制备铜箱时不与滚筒接触。8. -种柔性覆铜层压板(FCCL)，其包括： 权利要求1至7中任一项所定义的电解铜箱;和 在所述电解铜箱的第二表面形成的树脂膜。9. 一种覆铜层压板(CCL)，其包括： 权利要求1至7中任一项所定义的电解铜箱;和 在所述电解铜箱的第二表面形成的树脂膜。10. -种印刷电路板(PCB)，其包括： 如权利要求8所述的柔性覆铜层压板(FCCL)，或权利要求9所述的覆铜层压板(CCL)。
【专利摘要】本发明公开的是一种电解铜箔，其用于制造覆铜层压板(CCL)，其中未附着树脂膜的作为暴露表面的该电解铜箔的第一表面具有在2.21至4.09范围内的表面系数SC，并且其中该SC是指暴露表面的实际表面积与单位测量面积的比值。
【IPC分类】C25D1/04, H05K3/02
【公开号】CN105714336
【申请号】CN201510977729
【发明人】金升玟, 金洙烈, 李廷吉
【申请人】Ls美创有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年12月23日