专利名称：用于半导体应用的精确温度测量的制作方法
用于半导体应用的精确温度测量背景技术在半导体制造中，需要控制处理参^t,以确4呆处理的一致性和重复性。随着半导体的器件节点向越来越小的特征(例如，90nm或 更小)发展，半导体器件需在尺寸公差方面(例如，CD、厚度、蚀 刻率、 一致度、形貌，等)为亚纳米的精度，因此，处理控制的需 求变得愈加重要。在更为先进的处理中，在所制造的器件(在晶片 中、晶片到晶片、批到批、芯片到芯片、室到室，等)中，由所有 处理变化产生的特征尺寸变化及尺寸公差需小于5nm，并需在三西 才各玛标准偏差以内。不久，随着晶片处理变得更加先进，可允i午的 特征尺寸变化将会更小，例如，小于2nm并在三西格玛标准偏差内。较难控制、保持和表征的处理参数中之一为处理温度。例如， 在室内壁表面、基板支持件表面以及基才反表面上的温度难以控制、 保持和表征。在本发明的范围内讨论时，所提及的晶片和基板是可语。很多处理方法易受处理温度变化的影响。小达l摄氏度的温度 变化可对该处理方法的结果产生显著影响。例如，在半导体制造的 蚀刻处理中，多晶硅栅(poly gate)的关键尺寸(CD ， critical dimension)随着处理温度(例如，基板支持件表面的温度、基板表 面的温度，等)每变化l摄氏度而改变多达lnm。某些处理方法甚至 受更小的处理温度变化影响，例如，0.5摄氏度。所以，随着器件节 点趋于越来越小的特征尺寸，精确的温度控制以及测量正成为至关 重要的处理控制需求。因此，期望一种^r确的温度测量及表征，其 能够测量绝对温度以及感应微小温度变化，例如小达0.5摄氏度或更 小的变化。很多当前可用的温度测量技术具有实施局限性，并且效果不甚理想。例如，i午多当前可用的温度测量冲支术不能4青确测量原位(in situ)处理温度。那些能够测量晶片原位温度的才支术，通常包括i殳 置一种其上嵌有温度传感器的特殊晶片。在处理室中设置特殊晶片 需要中断处理的正常流程。通常，将特殊晶片设置于处理室内需要 ^吏处理室排气以达到环境气压。 一旦该处理室一皮排气，则需要相当 的时间以^吏该室回复到处理才喿作条件(例如，压力、温度，等)， 这会影响批处理的生产能力。并且，在^f艮多情况下，嵌入的传感器 可能会是导致器件瑕疵的污染源。另外，这些嵌入有传感器的特殊 晶片价格昂贵，并且这些传感器典型地不是非常耐用的。当这些传 感器经受处理4喿作条件时，它们可能会出现故障或者不能正常工 作。最后，该嵌入的传感器对传送理想的测量精确度而言是不可接 受的，因为大多数这样的传感器具有0.5摄氏度或更大的温度测量不 确定性。因此，需要一种改进的原位温度测量方法及"i殳备。发明内容广义地讲，本发明提供了确保精确的原位温度测量的方法和结构。在一个实施方式中，提供了一种带有温度传感元件的处理室， 该温度传感元件可确4呆姊青确的原位温度测量。在该实施方式中，该 温度传感元件i殳置于该处理室中。该温度传感it/f牛具有空月空，在该 空腔中有一透明的盖体设置于该空腔的开口上方。将材料设置于该 温度传感元件的空腔中，并且将传感器配置为透过该透明盖体传感 该材料的相变。
在另一个实施方式中，提供了另一种带有温度传感元件的处理 室，该温度传感元4牛可确{呆4青确的原4立温度测量。在该实施方式中， 该温度传感元件设置于处理室内的表面上(例如，处理室的内表面， 基板支持件上的表面，等)。该温度传感元件具有空腔。将一材料 i殳置于该温度传感元件的空月空内，其中该材料与该处理室内的表面 相4妾触。传感器配置为传感该材^j"的相变。在再一个实施方式中，4是供了一种^"确的原^i温度测量的方 法。该方法包4舌在处理室中i殳置温度传感元件。该温度传感元件具 有嵌入材料。然后，在该处理室中开始处理操作。 一定量的时间以 后，该处理操作会导致该嵌入材料的相变。然后4企测该嵌入材料的 相变。i己录与该相变相关if关的温度。本发明的其它方面和优点将会结合附图，并通过以下体现出本 发明原理的示例性的描述而明显i也呈i见。
结合附图并通过以下的具体描述，本发明爿夺会更容易地^皮理 解，附图中相同的标号代表相同的结构元件。图1是冲艮据本发明一个实施方式的处理室的4黄截面图，该室带 有i殳置于其中的温度传感元件；图2是才艮据本发明一个实施方式的温度传感元件的部分特写斗黄 牙黄截面图；图3是根据本发明一个实施方式的处理室的横截面图，该室带 有i殳置于其中的温度传感元件；图4是才艮据本发明一个实施方式的处理室的4黄截面图，该室带 有设置在基板支持件表面的温度传感元件；图5是根据本发明一个实施方式的温度传感元件的特写横截面 图，该温度传感元件能够传感基板支持件表面上的温度；图6是根据本发明一个实施方式的处理室的横截面图，该室具 有设置于其中的温度传感元件；图7A是根据本发明一个实施方式的处理室的4黄截面图，该室具 有设置于基板支持件表面的温度传感元件，该基一反支持件还具有i殳 置于该支持件上的基板；图7B是根据本发明 一个实施方式的温度传感元件的顶视图，该 温度传感元件能够传感基板支持件表面的温度；图8是4艮据本发明一个实施方式的详细描述精确测量原位处理 温度过禾呈的流程图；图9A是根据本发明 一个实施方式的温度指示装置的4黄截面图；图9B是根据本发明一个实施方式的温度指示装置的横截面图， 该温度指示装置指示已经发生相变。
具体实施方式
如以下实施方式所描述，本发明提供了用于处理基板的确保精 确的原位温度测量的方法和结构，尤其是用于制造半导体。本发明 的这些实施方式可容易地整合入处理室，以用于精确的原位温度测 量，/人而改进了整体的处理控制、处理监测以及处理重复性，同时 不影响处理的生产能力和产量。应当理解，本发明可以多种方式实 施，包括方法和系统。在某些情况下，熟知的处理才喿作和元件未作 详细描述，以避免4吏本发明不清楚。图I显示了根据本发明一个实施方式的基板处理室系统IOO。处理室102包括基斧反支持件104,其中该基才反支持件104具有多个空月空 106、 116、 126,口136。多个空月空106、 116、 126详口136中的每——个合 适;也i殳置为分别容置多个材冲十108、 118、 128和138中的一个。多个 透明盖体110、 120、 130和140中的每一个合适地设置为分别覆盖多 个空腔106、 116、 126和136的开口。由此，每种材冲+108、 118、 128 和138分别容置于多个空腔106、 116、 126和136中的一个中。每种 材冲+108、 118、 128和138一皮大体密去于，并乂人该处理室的内部环境隔 离。由于材料108、 118、 128和138与处理室102的内部隔离，因此， 它们避免了 ？ I入任何污染物到该处理室102中。为恰当地密封和隔 离该材料108、 118、 128和138,透明盖体110、 120、 130和140由合 适的耐性材料制成，以经受得住处理室102内的处理条件。此类耐 性材料的 一个例子为石英。仍然参照图1, 一个或更多个传感器112配置在该处理室102中， 以监测每个材料108、 118、 128和138的相变。为《更于说明，图l显 示了配置在处理室102中的一个传感器112。但是， 一个或更多个传 感器112可配置在该处理室102中，以分别监测每个材料108、 118、 128和138各自的相变。通过一个或更多个传感器112收集的相变^t 据被传输到监测系统114。该监测系统114可包括系统控制器，其控 制该处理室系统100的所有元ff，包4舌该处理室102的处理才喿作。例 如，系统控制器可控制处理化学制剂进入处理室102的操作、控制 一个或多个加热器以加热处理室102内的表面从而处理基^1、控制 能量(例如RF)以激发处理室102中的化学制剂从而开始处理，等。 该监测系统114利用例如数据处理算法处理数据，并通过用户界面 (例如，显示屏监视器)将分析的数据恰当地呈现给用户。
如上所述， 一个或更多个传感器112监测材泮+108、 U8、 128和 138的相变，并且当各材料的每个相变发生时记录相变数据。在给 定的压力下，与材料相变(例如，从固相变为液相)相关的温度， 对于特定组成的材津+为常量。因此，对于已知材坤+组成的相变温度 可用作测量处理室102中处理温度的参考。如图l所示，材料108、 118、 128和138分别容置于整合入基板 支持件104的多个空腔106、 116、 126和136中的一个。每个材津+108、 118、 128和138的相变可用于监测、测量和表征基板支持件104的处 理温度。例如，当在处理室102中开始处理时，基板支持件104被典 型地加热。当充分数量的热能从加热器传递到基板支持件104，在 各自空腔106、 116、 126和136中的材料108、 118、 128和138开始进 行相变。传递到基板支持件的热量可由处理室系统控制器随时间变 化而测量和定量。其间， 一个或多个传感器112监测材#+108、 U8、 128和138的相变。当相变发生时，该材料设置的位置(例如，接触 表面)达到与该材料相关联的相变温度。因为沿表面的热分布才及少是均匀的，所以本发明的实施方式能 够确定沿表面的热分布。例如，如图l所示，材料108、 118、 128和 138设置于沿基板支持件104表面不同区域设置的多个空腔106 、 116、 126和136中。当每个材料108、 118、 128和138进行相变时，可 确定沿基板支持件104表面的温度分布。材料108、 118、 128和138 可以是相同的组成，或者材津+108、 118、 128和138可以是不同的纽— 成。^口果每个才才泮+108、 118、 128详口138为已#、口的具有已乡口才目变5显度变时，沿基板支持件104表面的温度分布可随时间确定。因为材料108、 U8、 128和138分另'J在每个空腔106、 116、 126和136中一皮密封，所以不会发生材料随时间的显著损失。因此，材 泮+108、 118、 128和138可再4吏用，以重复处理室102中的处理周期。
在化学和材料科学中为人熟知，有才几和某些无4几化合物展示出非常精确的熔点，例如，熔点精确度在0.1或0.2摄氏度的范围内。这些有机和无机化和物中的一些包括萘、水杨酸、二笨甲酮、硝酸 钴(II )、苯曱酸铝、乙酸铝、溴化锑(III)以及氯化锑(III )。仍参照图l， 一个或更多个传感器112配置为传感材料108、 118、 128和138的相变。材料的相变可导致材料折射率的变化。对于某些 材料，相变还会导致材料颜色的变化。如图l所示， 一个或更多个 传感器112配置为透过透明的盖体110、 120、 130和140传感这些或其 它与材料相变所伴随的变化。能够传感如上所述的相变的传感器 112的 一 个示例为激光光i普4义。传感器112#皮连4妾以与处理室系统控 制器相通信。传感器112监测材料108、 118、 128和138，并收集用于 传感相变的数据。传感器112将该收集的数据传送至用于处理的处 理室系统控制器。该处理室控制器使用数据处理算法来处理数据并 产生光学常量值，该光学常量值对应于与容置在各个空腔106、 116、 126和136中的材泮+108、 118、 128和138相关if关的相变温度。该处理 室控制器可以是相对于监测设备114的远端分立单元。备选地，该 处理室控制器和监测i殳备114可整合为一个结合单元。不考虑该处 理室控制器和监测设备114的实际配置，该处理室控制器与监测设 备114相通信，并且监测设备114通过用户界面(例如，显示屏监视 器)将处理温度信息提供给用户。图2显示了根据本发明另一个实施方式的处理室系统200。处理 室202包括基板支持件204，其中该基板支持件204具有多个空腔206 和216。该多个空腔206和216中的每一个合适地i殳置为分别容置多 个材料208和218中的一个。多个透明盖体210和220中的每一个合适 地设置为分别覆盖多个空腔206和216的开口 。由此，每个材料208 和218分别容置于多个空腔208和218中的一个中，并且每个材料208 和218被充分密封和隔离。透明盖体210和220由合适的耐性材料制
成，以经受得住处理室系统200中的处理条件。此类耐性材料的一个例子为石英。如图2所示， 一个或更多个传感器211和222配置在该处理室系 统200中，以监测每个材料208和218的相变。通过一个或更多个传 感器211和212收集的相变数据被传输到监测系统214。该监测系统 214可包括系统控制器，其控制该处理室系统200的所有元件，包4舌 该处理室202的处理^喿作。例如，系统4空制器可4空制处理^b学制剂 进入处理室202的才喿作、控制一个或多个加热器以加热处理室202内 的表面从而处理基板、控制能量(例如RF、微波，等)以激发处理 室202中的化学制剂从而开始处理，等。该监测系统214利用例如数 据处理算法处理数据，并通过用户界面(例如，显示屏监—见器)将 分析的数据恰当地呈现给用户。仍参考图2， 一个或更多个传感器212和222监测材冲+208和218的相变，并且当各材料的每个相变发生时记录相变数据。在给定的 压力下，与材津+相变(例如，乂人固相变为液相)相关的温度，对于 特定组成的材料为常量。因此，对于已知材料组成的相变温度可用 作测量处理室202中处理温度(例如，基板支持件204的表面温度) 的参考。图3显示了根据本发明另一个实施方式的处理室系统300。处理 室302包括基板支持件304和整合入该室302壁内的多个空腔336、 346、 356详口366。多个才才泮牛338、 348、 358禾口368的每个分另'J容置入 室302壁内的多个空月空336、 346、 356和366中的一个。多个空月空336、 346、 356禾口3666々每个分另l^皮多个-透曰月盖体340、 350、 360牙口370中 的一个密封。 一个或更多个传感器312配置为分别透过多个透明盖 体传感340、 350、 360和370的每一个而传感多个材料338、 348、 358 和368的每一个的相变。尽管图3中显示了一个传感器312,但一个 或更多个传感器312可以在处理室302中配置，以传感每个材4'十308、 318、 328、 338、 348、 358禾口368的才目变。在一个实施中，4专感器312 可以是激光光谱仪。传感器312被连接以与处理室系统控制器相通 信。传感器312传送由监测材料308、 318、 328、 338、 348、 358和368收集的数据到处理室系统控制器以处理该数据。该处理室控制 器4吏用数据处理算法来处理该数据，并产生对应于与材料308、 318、 328、 338、 348、 358禾口368冲目关耳关的^f目变-显度的光学常量^直。i亥^目 变温度可以进一步经处理，并通过用户界面(例如，显示屏监一见器) 呈现乡合用户。呈现给用户的信息可以是温度分布曲线的形式，例如， 温度的时间分布曲线、温度的区域分布曲线，等。图4显示了根据本发明一个实施方式的处理室400的横截面图。 在处理室系统400中，基板支持件404设置于处理室402中。温度传 感测试基板415设置在基板支持件404上。温度传感测试基板415包 括基板层414和透明层410。多个空腔406、 426和436配置在透明层 410内，其中多个材料408、 428和438中的一个分别设置于多个空腔 406、 426,口436中的一个中。才才泮+408、 428详口438与基氺反层414才目4妻 角虫。透明层41 (H吏才才泮牛408 、 428牙口 438与处J里室402的内4， ^不i竟才目隔 绝，从而使材料408、 428和438不能引入任何污染物到处理室402的 内部环i竟。 一个或更多个传感器412配置在处理室402中，以传感材 泮+408、 428禾口438的坤目变。图5显示了冲艮据本发明 一 个实施方式的温度传感测试基并反415 的特写一黄截面图。温度传感测试基板415包括基才反层414和透明层 410。透日月层410酉己置有多个空月空406、 426和436。每个空月空406、 426 和436容置多个材料408、 428和438中的一个。材料408、 428和438与基板层414相接触，从而使在热平衡状态，每个材料408、 428和 438的温度与基板层414在各接触表面区域的温度相同。 重新参考图4，当处理在处理室402中开始时，基^反支持件404 -陂典型地加热。温度传感测试基板415可用于确定正在处理室402中被处理的基板的温度或热分布。当充分数量的热能由加热器传递到基板支持件404时，温度传 感测{式基寺反415的基一反层414也通过4专导和对流力口热。基*反层414可 模拟正在处理室402中处理的实际基板。因此，基板层414的温度与 正在处理室402中处理的基板的温度近似。与基板层414相接触的材 料408、 428和438与基板层414的温度相同。当充分的热能传递到材 #+408、 428和438时，材泮十的相变^寻会开始。 一个或更多个传感器 412^专感才才泮牛408、 428和438的相变。 一个或更多个4专感器4124专车俞 该传感数据到处理室系统控制器，以处理该数据，并通过用户界面 的方式(例如，显示屏监—见器)将处理数据呈现给用户。呈现给用 户的处理数据可以是基板层414的温度分布曲线的形式，其代表处 理的基板的温度分布。图6显示了才艮据本发明 一个实施方式的温度传感元件。温度传 感元件61(H殳置于处理室602内。该温度传感元件包4舌透明罩606， 该透明罩606配置为容置材料608。该透明罩606由能够经受处理室 602内的条件(例如，热、压力、RF能量、微波、反应等离子体) 而又不降低其材料性能的耐性材料制成。此类耐性材料的 一个示例 为石英。材料608配置为与处理室602内的任意表面相接触，并被密 封在处理室602内的4妾触表面和透明罩606之间。4专感器612"i殳置于 处理室602内，以透过透明罩606传感材津牛608的相变。例如，传感 器612可以是激光光谱仪。材料608可以是具有非常精确熔点(例如， 熔点精确度在0.1或0.2才聂氏度范围内)的有机或无才几化合物。这些 有机和无机化合物的一些包括萘、水杨酸、二苯曱酮、硝酸钴(II )、 苯曱酸铝、乙酸铝、溴化锑(III)以及氯化锑(III )。为便于显示 和讨"i仑，图6中iX显示了一个温度传感元件610和传感器612i殳置于 处理室602中。^f旦是，在本发明的范围内，任何凄t量的温度传感元 ^牛和传感器可在处理室602中1"吏用。当处理在处理室602中开始时，室表面也#1加热。室表面可通 过多种不同的方式加热。该室表面可通过循环流体、力口热器或任何 其它合适的方式加热。本发明的实施方式^是供了用于4青确测量原位 处理温度的方法和装置。与处理室602内的表面相 一妻触的材料608的温度与该4妻触表面 相同。当充分量的热能由该4妾触表面传递到材津+608时，材并+608会 进4亍相变。传感器612传感该相变，并^夸该相变凄t据传^T到处理室 系统控制器。该处理室系统控制器处理该相变数据，并通过用户界 面的方式(例如，屏幕监视器)将经处理的相变数据提供给用户。 该经处理的相变凄t据可以是温度分布曲线的形式。图7A显示了根据本发明一个实施方式的另一种温度传感元件。 温度传感元件710设置在处理室702内的基板支持件704上。基板714 也i殳置在基板支持件704上。温度传感元件710可具有多个空腔。如 图7A所示，材津+718和728分别容置于温度传感元件710的两个空月空 中。材料718和728与基板支持件740相接触。传感器712和722配置 为传感材#+718和728的相变。尽管图7A显示了两个配置为传感材泮牛 718和728相变的传感器712和722,但^f壬^f可lt量的传感器可用于传感 材料718和728的相变。例如， 一个传感器可配置为传感容置于温度 传感元件710中的任何数量的材料的相变。图7B显示了温度传感元件710和基板714的顶视图。根据本发明 的一个实施方式，温度传感元件710可^f吏温度传感和基^反处理同时 进行。当处理在处理室702中开始时，基板支持件704被典型地加热， 以利于处理基板714。当充分数量的热能由加热器传递到基板支持 4牛704以、力口;^基氺反714用于处5里日于，才才泮牛718、 728、 738禾口748也一皮力口
热。材冲牛718、 728、 738和748#:选4奪为具有非常4青确的熔点，例如， 熔点精确度在0.1或0.2摄氏度的范围内。已经知道，对于特定材料 组成而言，与材料相变相关联的温度为常量，因此，材料718、 728、 738和748的相变温度可用作控制和监测基板714处理温度的参考温度。4专感器712和722配置为传感才才泮+718、 728、 738和748的相变，并传输相变数据到处理室系统控制器，以控制处理温度(例如，基 板的表面温度)，从而防止可能会影响处理结果(例如，半导体中 器件特征的关键尺寸)的温度变化。另外，处理室系统控制器可通 过用户界面(例如，屏幕监一见器)向用户^是供实时经处理的相变彰: 据。该经处理的相变ft据可以是温度分布曲线。图8显示了描述4艮据本发明的 一 个实施方式的精确测量原位处 理温度的流程图。该方法由才喿作800开始，该才喿作中将一个或更多 个温度传感元件i殳置入处理室内。该温度传感元件可以是在上述本 发明实施方式中已讨i仑过的4壬何温度传感元件。然后，在才喿作802， 在处理室内起始处理。在l喿作804,该起始处理最终导至丈4立于各温 度传感元件中的每个材料的相变。在操作806，处理室内的一或多 个传感器检测位于各温度传感元件中的每个材料的相变。在操作 808，处理室系统控制器处理每个材料的相变数据。在操作810，与 每个材料各自的相变相关联的温度被确定。以及在操作812,该相 关联的温度被记录。应当理解，与本文所列的任何材料的相变相关 联的温度是熟知的。例如，萘的熔融温度为80.5摄氏度，水杨酸的 熔融温度为135摄氏度，二苯曱酮的熔融温度为48.1摄氏度、硝酸钴 (II )的熔融温度为55摄氏度、苯甲酸铝的熔融温度为198摄氏度、 乙酸铝的熔融温度为114摄氏度、溴化锑(III)的熔融温度为96.6 摄氏度，以及氯化锑(III)的熔融温度为73.4摄氏度。
图9A显示了根据本发明的另一个实施方式的温度指示装置。图9A显示的温度指示装置卯4具有一个空腔卯6。空腔906具有至少两 个腔室，例如，第一腔室912和第二腔室914。在该实施方式中，材 料908设置于第一腔室912内。盖体910密封空腔906。盖体910可以是透明盖体，从而温度指示装置904可像上述讨"i仑的那样，用于指 示现场处理温度。与上述讨论的本发明其它实施方式的温度传感元 件相似，该温度指示装置卯4可i殳置于处理室中，并且材术+908的相 变可由传感器传感，该传感器配置为透过盖体910传感材术+卯8的相变图9B显示了根据本发明一个实施方式的温度指示装置，其中材 料908已进行相变。如图9B所示，当材料卯8从一种相转化为另一种 才目时(例^口， 乂人固冲目到液才目，或者碎目反)，才才泮+908/人第一月空室912 转移至第二腔室914。通过观察空腔906中材料908的空间位置(即， 该材料是否容置在第一腔室912中或者第二腔室914中)，温度指示 装置904能够指示是否达到与材料908相关J[关的相变温度。因此，可 在一个处理周期完成后，？见察温度指示装置904，以4交'验当实施该 处理方法时，在处理中的某些点的处理温度是否达到与材冲+908的 相变相关联的温度。在本发明的一个实施方式中，盖体910可以不 是透明的盖体。例如，当温度指示装置用作空间指示器时，不必具 有透明盖体。尽管已经详细描述了本发明的一些实施方式，但是，本领域的 技术人员应当理解，本发明可以多种不偏离本发明主旨或范围的其 它特定形式实现。因此，描述的示例和实施方式应被理解为描述本 发明，而非局限本发明，并且本发明并不局限于本文提供的详细描 述，其可在所附权利要求的范围内修正和实施。
权利要求
1.一种处理室，包括温度传感元件，其设置于所述处理室中，其中，所述温度传感元件具有空腔；透明盖体，其设置在所述空腔的开口上方；材料，其设置于所述温度传感元件的所述空腔中；以及传感器，其配置为透过所述透明盖体传感所述材料的相变。
2. 根据权利要求1所述的处理室，其中，所述相变包括从固相到 液相的变化或从液相到固相的变化中的一种。
3. 根据权利要求1所述的处理室，其中，所述材料为无机化合物 或有才几化合物中的 一种。
4. 根据权利要求3所述的处理室，其中，所述有机化合物选自由 萘、水杨酸和二苯曱酮组成的组，以及所述无才几〗匕合物选自由硝酸钴(ii )、苯曱酸铝、乙酸铝、溴化锑(m )和氯4匕锑(ni) 组成的组。
5. 根据权利要求1所述的处理室，其中，所述空腔具有至少两个腔室，并且当所述材料经历相变时，所迷空腔内的所述材剩v人 第一腔室转移到第二腔室。
6. 根据权利要求1所述的处理室，其中，所述传感器为激光光谱 4义，以及所述透明材#+为石英。
7. 根据权利要求1所述的处理室，其中，所述温度传感元件为基板支持件。
8. —种处理室，包4舌温度传感元件，其设置在表面上，其中所述温度传感元 件具有空腔，所述温度传感元件由透明材料制成；材料，其设置于所述温度传感元件的空腔内，并与所述 表面沖目4妾角虫；以及传感器，其配置为传感所述材并+的相变。
9. 根据权利要求8所述的处理室，其中，所述相变包括从固相到 液相的变化或从液相到固相的变化中的 一种。
10. 根据权利要求8所述的处理室，其中，所述透明材料为石英， 以及所述传感器为激光光谱仪。
11. 根据权利要求8所述的处理室，其中，所述材料为有机化合物 或无才几4匕合物中的一种。
12. 根据权利要求11所述的处理室，其中，所述有机化合物选自 由萘、水杨酸和二苯甲酮组成的组。
13. 根据权利要求11所述的处理室，其中，所述无机化合物选自 由硝酸钴(II )、苯曱酸铝、乙酸铝、溴化锑(III)和氯化锑(III )组成的组。
14. 才艮据权利要求8所述的处理室，其中，所述温度传感元件为测 试基板。
15. 根据权利要求8所述的处理室，其中，所述温度传感元件设置 于带有被处理的基板的基板支持件上。
16. —种用于表征处理室中温度分布的方法，所述方法包4舌在所述处理室中i殳置具有嵌入材料的温度传感元件； 在所述处理室中开始处理^喿作； 检测所述嵌入材料的相变；以及 记录与所述相变相关联的温度。
17. 根据权利要求16所述的方法，进一步包括在所述处理室的内表面上i殳置温度传感元件。
18. 才艮据片又利要求16所述的方法，其中，所述温度传感元件为基 板支持件。
19. 根据权利要求16所述的方法，其中，所述相变包括从固相到 '液才目的变4匕或/人液才目到固才目的变4匕中的 一种。
20. 根据权利要求16所述的方法，进一步包括 使用透明盖体覆盖所述嵌入的材料。
全文摘要
一种确保精确的原位温度测量的温度传感元件。该温度传感元件设置于该处理室中。该温度传感元件具有空腔，透明盖体设置于该空腔的开口上方。材料设置于该温度传感元件的空腔内，并且传感器被配置为透过该透明盖体传感该材料的相变。
文档编号G01K3/00GK101156056SQ200680011059
公开日2008年4月2日 申请日期2006年3月17日 优先权日2005年4月1日
发明者什里坎特·洛霍卡雷 申请人:朗姆研究公司