1.一种Co掺杂的TiO2纳米管阵列薄膜的H2S气敏传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)TiO2纳米管阵列的制备:将钛箔超声清洗,晾干后接电源正极,以铂电极接负极,将两极置入电解液中,在室温下阳极氧化,得TiO2纳米管阵列;
(2)Co掺杂的TiO2纳米管阵列薄膜的制备:向步骤(1)阳极氧化后的电解液中加入氯化钴,使TiO2纳米管阵列浸泡在电解液中,浸泡后清洗,干燥,煅烧,冷却,得Co掺杂的TiO2纳米管阵列薄膜;
(3)Co掺杂的TiO2纳米管阵列薄膜的H2S气敏传感器的制备:以陶瓷为基底,正面印刷金电极,背面为加热层,加热层两端印刷金电极,陶瓷基底正反面分别焊接了一对引脚,形成平面电极;将平面电极清洗,晾干,再用小刷子沾取粘黏剂涂布至平面电极正面上,并将Co掺杂的TiO2纳米管阵列薄膜转移至平面电极正面上,晾干,煅烧,冷却,得气敏元件;将气敏元件焊接至基座上,再老化,得Co掺杂的TiO2纳米管阵列薄膜的H2S气敏传感器。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述超声清洗为将钛箔依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的电解液为含有NH4F和去离子水的乙二醇溶液。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中加入氯化钴后电解液中氯化钴的浓度为0.05-0.2 M。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述浸泡的时间为1-3 h。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述粘黏剂的制备包括如下步骤:称取二氧化钛胶体5.00 -10.00 g,置于烘箱中干燥以去掉水分,研磨后加入2.5 -5 g 乙醇及2-4 g 松油醇,混合均匀,得粘黏剂。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述清洗为用丙酮、乙醇、去离子水依次浸泡10 -20 min。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述煅烧为在马弗炉中以5-15℃/min梯度升温至300-400℃,保温30-60 min;所述老化为施加4.5-6 V直流电压老化3-5天。
9.由权利要求1-8任一项所述的制备方法制得的一种Co掺杂的TiO2纳米管阵列薄膜的H2S气敏传感器。