技术总结
本发明公开了一种Co掺杂的TiO2纳米管阵列薄膜的H2S气敏传感器及其制备方法，属于电子气敏器件技术领域。本发明以阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列，并对其进行过渡金属掺杂，无需对其进行二次处理，即可获得完整透明的二氧化钛纳米管阵列薄膜，并利用该薄膜制备纳米气敏传感器，该传感器对硫化氢气体有良好的灵敏性及选择性。该制备工艺简单，所制得的传感器对硫化氢气体的选择性高、响应/恢复时间短，并实现了气敏传感器的器件化，具有市场发展前景。
技术研发人员：沈文浩;童欣;陈小泉
受保护的技术使用者：华南理工大学
文档号码：201611102493
技术研发日：2016.12.05
技术公布日：2017.05.10