一种分析工艺参数对薄膜结构和性能影响机理的方法与流程

本发明属于材料技术领域，具体涉及一种分析工艺参数对薄膜结构和性能影响机理的方法。

背景技术：

Al基选择性吸收薄膜是一种最常用的多层渐变光热薄膜，但薄膜的应用却受制于工艺参数对涂层结构和性能影响机理研究的匮乏。影响机理是揭示Al系选择性吸收薄膜工艺、结构以及性能之间关系的唯一途径，可惜的是尚未有一种公认的影响机理。现有的研究主要着眼于通过工艺参数对折射率(n)和消光系数(k)的影响来获得最佳膜层厚度，却无法揭示其引起薄膜结构和性能变化的本质。因此，探索工艺参数对薄膜结构和性能的影响机理成为该领域重要的前沿课题。

磁控溅射是制备Al系选择性吸收薄膜的首选方法，靶电流和气体流量是影响薄膜结构和性能变化的两个重要工艺参数。由sp²-C和sp³-C组成的DLC层是种良好的减反射层，其高硬度和耐腐蚀性还可以对涂层起到有效的保护作用；掺杂金属含量可以改善DLC吸收层的性能。但很少看到相关的系统报道：(1)靶电流和气体流量如何影响sp²-C和sp³-C结构变化；(2)结构变化与涂层性能间的内在关系；(3)金属掺杂对于薄膜结构和光学性能的作用机理。由于薄膜中各层的结构特点以及作用各不相同，只有通过逐层探索这两种参数对涂层结构和性能的影响机理，才能揭示出Al系DLC选择性吸收薄膜工艺、结构、性能之间关系的真相。

因此，本发明以Al/Ti-DLC/DLC选择性吸收薄膜为研究对象，逐层考察涂层中靶电流和Ar流量对于DLC减反射层和Ti-DLC吸收层结构、光学性能的影响，探讨Ti金属掺杂对于Ti-DLC吸收层的影响，提出一种分析工艺参数对薄膜结构和性能影响机理的方法。

技术实现要素：

为了澄清工艺参数对薄膜结构和性能影响的机理，本发明提供一种分析工艺参数对薄膜结构和性能影响机理的方法，通过所述方法，可以清晰地考察(1)靶电流和气体流量如何影响sp²-C和sp³-C结构变化；(2)结构变化与涂层性能间的内在关系；(3)金属掺杂对于薄膜结构和光学性能的作用机理。

为实现上述目标，本发明采用以下技术方案：

一种分析工艺参数对薄膜结构和性能影响机理的方法，所述方法采用中频磁控溅射技术在硅片和石英片上沉积了靶电流和气体流量不同的DLC和Ti-DLC层，采用X射线衍射仪(X-ray diffraction，XRD)分析薄膜的成分；用分光光度计测量样品的透射率及吸收率；用拉曼光谱分析仪表征非晶碳层的价键结构；用三维白光表面轮廓仪检测膜层的厚度，考察靶电流和气体流量对薄膜结构及光学性能的影响，澄清工艺参数对薄膜结构和性能影响的机理。

优选的，本发明所述方法以Al/Ti-DLC/DLC选择性吸收薄膜为研究对象，逐层考察涂层中靶电流和Ar流量对于DLC减反射层和Ti-DLC吸收层结构、光学性能的影响，探讨Ti金属掺杂对于Ti-DLC吸收层的影响，探究工艺参数对薄膜结构和性能影响的机理。

具体研究内容包括：(1)靶电流和气体流量如何影响sp²-C和sp³-C结构变化；(2)结构变化与涂层性能间的内在关系；(3)金属掺杂对于薄膜结构和光学性能的作用机理。

对于DLC减反射层，主要考察DLC薄膜制备中C靶电流和Ar流量对减反射层结构(sp²-C和sp³-C比例)以及透射率的影响。

对于Ti-DLC吸收层，主要考察Ti-DLC薄膜制备中Ti靶电流对吸收层sp²-C和sp³-C结构以及吸收率的影响。

优选的，硅片用于薄膜结构分析，石英片用于薄膜光学性能测试。

考察C靶电流和Ar流量对DLC层透射率，和Ti靶电流对Ti-DLC吸收率的影响

对于DLC减反射层，主要研究C靶电流和Ar流量如何引起DLC结构中sp²-C/sp³-C的比例变化，以及这个结构改变如何引起该层透射率的变化。

就DLC层sp²-C/sp³-C的比例而言，通常利用ID/IG来判断。但当sp³-C所占比例较高时，sp³-C随ID/IG变化不敏感，故本发明所述方法结合ID/IG和G峰半峰宽来定量判断DLC层中sp³-C含量。

对于Ti-DLC吸收层，主要研究Ti靶电流对何引起Ti-DLC吸收层结构中sp²-C/sp³-C的比例变化，以及这个结构改变如何引起该层吸收率的变化。

靶电流和Ar流量通过改变薄膜sp²-C/sp³-C比例来影响薄膜的光学性能；Ti金属掺杂形成的TiC纳米晶通过提高sp²-C的比例来改善Ti-DLC吸收层的吸收率。

所述方法包括以下步骤：

1)样品制备：采用中频磁控溅射镀膜系统在单面抛光的单晶硅片Si(100)和石英片上制备几种具有不同靶电流和气体流量的DLC和Ti-DLC层的薄膜。其中，硅片用于薄膜结构分析，石英片用于薄膜光学性能测试。预处理期间，把基材先在乙醇溶液中超声波清洗15min,再用丙酮溶液超声波清洗15min,用去离子水冲洗干净后用氮气吹干，置于真空室中待沉积。

2)薄膜的表征方法：采用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的成分；用分光光度计测量样品的透射率及吸收率；用拉曼光谱分析仪表征非晶碳层的价键结构；用三维白光表面轮廓仪检测膜层的表面粗糙度和厚度。

3)探索C靶电流对DLC减反射层的结构和透射率的影响：分析C靶电流如何引起DLC结构中sp²-C/sp³-C的比例以及表面粗糙度的变化，以及这些结构变化怎样引起DLC减反射层的透射率的变化；

4)探索Ar流量对DLC减反射层的结构和透射率的影响：分析Ar流量如何引起DLC结构中sp²-C/sp³-C的比例变化，以及这个结构变化怎样引起DLC减反射层的透射率的变化；

5)探索Ti靶电流对Ti-DLC吸收层的结构和吸收率的影响：分析Ti靶电流如何引起Ti-DLC吸收层结构中sp²-C/sp³-C的比例变化，以及这个结构变化怎样引起Ti-DLC吸收层的吸收率的变化；

6)总结靶电流和Ar流量对Al/Ti-DLC/DLC选择性吸收薄膜的结构和性能的影响机理：通过调整靶电流和Ar流量的工艺参数，可以改变sp²-C/sp³-C的比例，从而影响SSAC各层的光学性能。

本发明的优点和有益效果为：

1)通过逐层分析靶电流和气体流量对薄膜结构和光学性能的影响，系统全面地回答了以下问题：靶电流和气体流量如何影响sp²-C和sp³-C结构变化；结构变化与涂层性能间的内在关系；金属掺杂对于薄膜结构和光学性能的作用机理；

2)总结出了工艺参数对薄膜结构和性能的影响机理，即通过调整靶电流和气体流量的工艺参数，可以改变sp²-C/sp³-C的比例以及选择性吸收薄膜各层的表面粗糙度，从而影响SSAC各层的光学性能。填补了理论和实践空白。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。

图1为本发明实施例所述的Al/Ti-DLC/DLC选择性吸收薄膜结构示意图。

图2为本发明实施例所述的五种不同靶电流条件下DLC层的透射率曲线。

图3为本发明实施例所述的ID/IG随靶电流的变化关系图。

图4为本发明实施例所述的G峰峰位和G峰半峰宽随靶电流的变化关系图。

图5为本发明实施例所述的六种不同Ar流量条件下DLC层的透射率曲线。

图6为本发明实施例所述的ID/IG值随Ar流量的变化关系图。

图7为本发明实施例所述的G峰峰位和G峰半峰宽随Ar流量的变化关系图。

图8为本发明实施例所述的不同电流下的XRD图谱。

图9为本发明实施例所述的ID/IG随Ti靶电流的变化关系图。

图10为本发明实施例所述的G峰位置和G峰半峰宽随Ti靶电流的变化关系图。

图11为本发明实施例所述的不同Ti靶电流条件下Ti-DLC薄膜吸收率曲线。

图12为本发明实施例所述的工艺参数对薄膜的结构和性能影响机理示意图。

具体实施方式

一种分析工艺参数对薄膜结构和性能影响机理的方法，所述方法采用中频磁控溅射技术在硅片和石英片上沉积了靶电流和气体流量不同的DLC和Ti-DLC层，采用X射线衍射仪(X-ray diffraction，XRD)分析薄膜的成分；用分光光度计测量样品的透射率及吸收率；用拉曼光谱分析仪表征非晶碳层的价键结构；用三维白光表面轮廓仪检测膜层的表面粗糙度和厚度，考察靶电流和气体流量对薄膜结构及光学性能的影响，澄清工艺参数对薄膜结构和性能影响的机理。

优选的，本发明所述方法以Al/Ti-DLC/DLC选择性吸收薄膜为研究对象，逐层考察涂层中靶电流和Ar流量对于DLC减反射层和Ti-DLC吸收层结构、光学性能的影响，探讨Ti金属掺杂对于Ti-DLC吸收层的影响，探究工艺参数对薄膜结构和性能影响的机理。

实施例

本实施例采用中频磁控溅射镀膜系统在单面抛光的单晶硅片Si(100)和石英片上制备几种具有不同靶电流和气体流量的DLC和Ti-DLC层的薄膜，逐层考察涂层中靶电流和Ar流量对于DLC减反射层和Ti-DLC吸收层结构、光学性能的影响，探讨Ti金属掺杂对于Ti-DLC吸收层的影响，进而提出一种分析工艺参数对涂层结构和性能影响机理的方法。包括以下步骤：

1、样品制备

采用SP0806AS中频磁控溅射镀膜系统。基体为单面抛光的单晶硅片Si(100)和石英片，硅片用于薄膜结构分析，石英片用于薄膜光学性能测试。基材先在乙醇溶液中超声波清洗15min,再用丙酮溶液超声波清洗15min,用去离子水冲洗干净后用氮气吹干，置于真空室中待沉积。考察C靶电流和Ar流量对DLC层透射率，和Ti靶电流对Ti-DLC吸收率的影响，主要工艺参数见表1。

表1主要的实验参数

2、观察与参数测量

采用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的成分；用分光光度计测量样品的透射率及吸收率；用拉曼光谱分析仪表征非晶碳层的价键结构；用三维白光表面轮廓仪检测膜层的厚度。

3、探索C靶电流对DLC减反射层的结构和透射率的影响

3.1 Al/Ti-DLC/DLC选择性吸收薄膜的结构

参见附图1，图1示出设计优化后的四层膜系结构，薄膜的吸收率为0.921，发射率为0.075(80℃)。在基体上沉积的四层薄膜是由Al红外反射层、Ti-DLC吸收层(双层)和DLC减反射层组成。红外反射层是薄膜与基材相接的界面层，是一层厚度为107nm的Al金属层，作用是把吸收层的红外辐射反射回去进行二次吸收，减少薄膜向外的热辐射。薄膜的第二、三层为吸收层，厚度分别为33nm和75nm，吸收层是薄膜的主功能层，吸收率是最重要的光学性能；我们考察Ti-DLC薄膜制备中Ti靶电流对吸收层sp²-C/sp³-C结构以及吸收率的影响。减反射层是表面层，它是薄膜的辅助功能层，透射率是其最主要的光学性能；主要考察DLC薄膜制备中C靶电流和Ar流量对减反射层结构(sp²-C/sp³-C)以及透射率的影响。

3.2 C靶电流对DLC减反射层的影响

选择性吸收薄膜表层为DLC减反射层，主要起到降低反射率，增大透射率，充分利用太阳的辐照能量的作用。参见附图2，图2示出五种不同C靶电流下DLC层的透射率曲线。由图2可知，DLC减反射层在可见和近红外光区(780～2526nm)内有良好的光学透过性，能够阻挡大部分的紫外光入射。DLC减反射层的透射率随着C靶电流由8A增大到16A，呈先逐渐增加后降低的变化。在C靶电流为12A时，制备的DLC减反射层有最高的透射率。

DLC减反射层透射率的变化趋势是由DLC结构中sp²-C/sp³-C的比例变化引起的。就DLC层sp²-C/sp³-C的比例而言，通常利用I_D/I_G来判断。但当sp³-C所占比例较高时，sp³-C随I_D/I_G变化不敏感，在此需要结合G峰半峰宽来定量判断DLC层中sp³-C含量。参见图3，图3示出I_D/I_G随C靶电流的变化关系。由图3可知，在C靶电流为8、10、12、14、16A条件下制备的DLC层，I_D/I_G值随靶电流的增加呈先降低后增加的趋势，在靶电流为12A时达到最小值，为2.144。参见图4，图4示出G峰位移和G峰半峰宽随C靶电流的变化关系。由图4中可知，对C靶电流为8、10、12、14、16A条件下制备的DLC层而言，其G峰位移随着电流的增加呈现的趋势是，先从高波数(1563.28cm^‐1)向低波数(1561.12cm^‐1)方向移动后，再向高波数方向(1563.77cm^‐1)移动，在电流为12A时有最小值1561.12cm^‐1；G峰半峰宽随着靶电流的增加呈先增加后减小的趋势，在电流为12A时G峰半峰宽有最大值164.07cm^‐1。

石墨无序化过程分为三个阶段：(1)单晶石墨到纳米晶石墨；(2)纳米晶石墨到sp²-C；(3)sp²-C到sp³-C。随着C靶电流的增加，C靶的离化程度变大，入射离子总能量也增加。当靶电流较低时，入射离子流量较低，能量不能够使C离子注入到基材的表面，只能以较低的能量在表面形成sp²-C键；当入射离子流量增加使其总能量大于注入阈值时，C离子或载能C原子就有可能注入到基材表面甚至到达亚表层，此时引起基材表层局部密度的增加，使原子周围产生局部键重组。在薄膜生长过程中，在高能离子和原子的轰击作用下，成膜碳粒子微区密度的发生变化，引起原子杂化键的改变，在碳粒子密度高的微区形成sp³-C键；随着离子能量继续增加，多余的能量转化为热能，引起sp³-C键向sp²-C键转化。因此，sp³-C键的含量随着靶电流的增加呈先增大后降低的变化趋势。

4、探索Ar流量对DLC减反射层的结构和透射率的影响

参见图5，图5示出六种不同Ar流量条件下DLC层的透射率曲线。从图5可知，在Ar流量为70--120sccm的条件下，DLC层的透射率随着Ar流量的增大，先逐渐增加后降低，在Ar流量为110sccm时，制备的DLC层有较高的透射率。为了探究Ar流量对于DLC层透射率的影响机制，下面分别讨论Ar流量对于DLC结构中sp³-C比例以及表面粗糙度的影响。

参见图6、图7。图6示出ID/IG比值随Ar流量的变化关系。从图中可得，在Ar流量为70、80、90、100、110、120sccm条件下制备的DLC减反射层，I_D/I_G值随Ar流量的增加基本呈先降低后增加的趋势，但在80sccm时的值小于90sccm的值，可能是由测试误差所致，在Ar流量为110sccm时达到最小值，为2.243。图7示出G峰峰位和G峰半峰宽随Ar流量的变化关系，从图7中可得，在Ar流量为70、80、90、100、110、120sccm条件下制备的DLC减反射层，G峰峰位随着Ar流量的增大先由高波数方向(1561.84cm^-1)向低波数方向(1559.41cm^-1)移动，而后向高波数方向(1561.74cm^-1)移动，在Ar流量为110sccm时有最小值1559.41cm^-1，G峰半峰宽随着Ar流量的增大呈先增大后减小的趋势，在Ar流量为110sccm时有最大值165.26cm^-1。因此，制备的DLC减反射层样品中，sp³-C键的含量随着Ar流量的增加呈先增大后降低的变化关系，在靶电流为110sccm时sp³-C键的含量有最大值。

5、探索Ti靶电流对Ti-DLC吸收层的结构和吸收率的影响

选择性吸收薄膜第二、三层为Ti-DLC双吸收层，其中第二层为低填充因子的吸收层，第三层为高填充因子的吸收层。双吸收层主要起对太阳能辐射的吸收作用。

参见图8，图8示出不同Ti靶电流下的XRD图谱。由图8可知，在2θ为36°、42°和61°附近出现了TiC的峰，对应为(111)、(200)和(220)衍射峰，说明Ti-DLC吸收层中的Ti在掺杂的DLC中与C原子结合形成了TiC纳米晶，而TiC纳米晶对于光的吸收起到一定的作用；而在XRD图谱上没有出现石墨峰和金刚石峰，说明制备的薄膜为非晶态的。且图谱中TiC(111)为最强衍射峰，随着靶电流的增大且峰强也增大，说明薄膜中TiC(111)面为择优生长取向。在69°附近出现了一个较强的Si峰，对应为Si(100)衍射峰，因为样品的基材用的是单晶Si(100)，且制备的样品比较薄，所以出现较强的Si(100)峰。

为了说明Ti靶电流对Ti-DLC吸收层的影响机理，需要探索薄膜结构随Ti靶的变化。参见图9，图9示出I_D/I_G随Ti靶电流的变化曲线。从图9中可以得出，当Ti靶电流为3A时，I_D/I_G有最小值4.123；随着Ti靶电流的增大，I_D/I_G的值也随之增大，当Ti靶电流为7A时，I_D/I_G的值达到最大的5.063。实验结果表明：制备的Ti-DLC层中sp³-C键的含量随着Ti靶电流的增加而减少，sp2-C键的含量随着Ti靶电流的增加而增加。参见图10，图10示出G峰峰位和G峰半峰宽随Ti靶电流的变化曲线。从图10中可以得出：G峰峰位随着Ti靶电流的增加，向高波数方向移动，从1556.35cm^-1增加到了1577.11cm^-1，同时，G峰半峰宽从103.16cm^-1降低到了82.69cm^-1。G峰向高波数方向移动，也表面了吸收层中sp³-C键的含量减少和sp²-C键的含量的增加。

这是因为，随着Ti靶电流的增加会导致基体表面温度的升高，由于真空中的温度传导很慢，以及由于sp³-C比sp²-C的热稳定性相对较差，会导致sp³-C相向sp²-C相的转变。同时，随着Ti靶电流的增加，更多的Ti原子会破坏sp³-C的结构，使sp³-C向更稳定的sp²-C转化。因此，随着Ti靶电流的增加，sp²-C增加。

参见图11，图11示出不同Ti靶电流条件下Ti-DLC吸收层吸收率曲线。由图11可知，Ti-DLC层在紫外和可见光波段有较强的吸收，吸收率较高。在Ti靶电流为3-7A时，随着Ti靶电流的增大，Ti-DLC层的吸收率先增大后下降，在Ti靶电流为6A时吸收率最高。主要是因为随着Ti靶电流的逐渐增加，sp²-C键含量逐渐增加，sp³-C含量减少，吸收层对光的吸收性增加；同时，掺杂的Ti元素和C形成TiC纳米晶对光有一定的吸收，使Ti-DLC层的吸收率提高。但是随着Ti靶电流的继续增大，吸收率反而下降。

6、总结靶电流和Ar流量对Al/Ti-DLC/DLC选择性吸收薄膜的结构和性能的影响机理

通过对Al基DLC选择性吸收薄膜逐层进行结构和光学性能的分析可以看出：沉积过程中靶电流和Ar流量的变化对SSAC各层的光学性能有显著影响。众所周知，DLC薄膜是由sp²-C和sp³-C杂化组成的非晶薄膜，sp²-C和sp³-C的比例直接影响DLC薄膜的性能，如透射率，吸收率等。通过调整靶电流和Ar流量的工艺参数，可以改变sp²-C/sp³-C的比例，从而影响SSAC各层的光学性能。

参见图12，图12显示出靶电流和Ar流量对Al基SSAC选择性吸收薄膜的影响机理。图12(a)显示出DLC减反射层结构因C靶电流和Ar流量的增加引起的变化：黑色圆球表示sp²-C键；正立方体表示sp³-C键，颜色的变化表示了温度的变化；蓝色圆球表示Ar原子；减反射层表面的弯曲不平表示薄膜的粗糙度；表面箭头的增多表示了入射离子能量的增加。图12(b)显示出Ti-DLC吸收层随Ti靶电流的增加而引起的结构变化：三角形表示Ti原子；蓝色五边形表示TiC晶体；吸收层表面颜色不同的曲线表示了温度的变化。图12(c)说明了TiC纳米晶的生成过程。

由图12(a)可知，DLC减反射层的透射率随着靶电流和Ar流量的增加呈现出先增加后降低的趋势，这主要与sp²-C/sp³-C比例以及表面粗糙度有关。sp³-C含量越高，表面粗糙度越小，薄膜的透射率就越好。图12(a)显示出了靶电流和Ar流量的改变对sp²-C/sp³-C比例的影响：(1)如Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ所示，随着C靶电流的增加，C靶的离化程度变大，入射离子流量增大使入射离子总能量增加，使基材表面局部形成能量较低的sp²-C键聚集(白色箭头所示)从而转变为能量较高的sp³-C结构，膜层表面致密度增大，薄膜表面粗糙度降低；但当C靶电流过量增加时(Ⅳ、Ⅴ)，多余能量转化的热能又会是薄膜中的sp³-C结构(图示中低温的黄颜色变成了高温的红颜色)向sp²-C结构转变，sp³-C随着靶电流的增加先增多，后降低。同时，随着C靶电流的增加，薄膜表面发生sp³-C向sp²-C转化，致使表面粗糙度增加；(2)随着Ar流量的增加(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ)，同样增加了靶材的离化程度，使入射离子总能量增加，sp³-C结构增加，膜层表面致密度增大，薄膜表面粗糙度降低。但随着Ar流量的继续增加(Ⅳ、Ⅴ)，气体与离子的碰撞增多(图示中Ar粒子表面的阻隔符号)，能量损失严重，入射离子总能量降低，sp²-C逐渐增多，同时薄膜表面粗糙度增大。

由图12(b)可知，Ti-DLC双吸收层的吸收率随着Ti靶电流的增加，呈现先增加后降低的趋势，这同样与sp²-C/sp³-C比例有关。sp2-C含量越高，薄膜吸收率越好。图12(b)显示出了Ti靶电流的变化对sp²-C/sp³-C比例的影响，这主要与两方面有关：一方面，随着Ti靶电流的增加会导致基体中表面温度的升高(膜层表面由低温的黄颜色变成了高温的红颜色)，且真空中温度传导较慢，使薄膜表面温度升高，导致热稳定性相对较差的sp³-C向sp²-C转变：另一方面，随着Ti靶电流的增加，更多的Ti原子会夺去sp³-C中的键结构，使sp³-C向更稳定的sp²-C转化。因此，随着Ti靶电流的增加，sp²-C含量增加，薄膜吸收率越好。但Ti靶电流过大会导致薄膜粗糙度发生变化，使薄膜的吸收率反而降低。

由图12(c)可知，吸收层中的TiC纳米晶对于薄膜的性能也有用重要的影响。如图12(c)所示，由于Ti占据一部分C原子而形成TiC导致薄膜倾向于形成更稳定的sp²-C结构，增大了薄膜的吸收率。另一方面，TiC纳米晶可以对透射光和反射光进行一定的吸收或发生反射和内散射，增加了薄膜的吸收性能。

因此，通过逐层考察靶电流和Ar流量对Al/Ti-DLC/DLC选择性吸收涂层结构以及光学性能的影响发现，靶电流和Ar流量通过改变薄膜sp²-C/sp³-C比例来影响薄膜的光学性能；Ti金属掺杂形成的TiC纳米晶通过提高sp²-C的比例来改善Ti-DLC吸收层的吸收率。

综上所述，通过本实施例可以得出如下结论：

(1)DLC减反射层透射率的影响机理主要与sp²-C/sp³-C比例有关。其中sp³-C含量越高，薄膜的透射率就越好。(2)Ti-DLC吸收层中TiC(111)面为择优生长取向。Ti-DLC吸收层吸收率的影响机理主要与sp²-C/sp³-C有关。随着Ti靶电流的增加吸收层中sp³-C键的含量逐渐减少，sp²-C键含量增多，吸收率逐渐增大。

(3)制备的Ti-DLC吸收层，TiC晶粒可改变DLC薄膜中的温度和C-C键的结构，使薄膜中sp²-C/sp³-C的比值逐渐增大，从而增加光的吸收率。同时TiC晶粒对透射光和反射光产生吸收或发生反射和内散射，最终使光被吸收或透过。

最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。