悬臂装置、检查装置、分析表面的方法和微图案形成方法与流程

实施方式涉及用于原子力显微镜的悬臂装置、包括其的基板表面检查装置、通过使用其分析半导体基板表面的方法、以及通过使用其形成微图案的方法。
背景技术：
：随着半导体器件的集成度增大，在平面图中由每个单位单元占据的面积会减小。响应于单位单元的面积的这种减小，可以应用从几纳米到几十纳米范围的更小的纳米级临界尺寸(cd)的设计规则。技术实现要素：实施方式可以通过提供形成微图案的方法来实现，该方法包括在半导体基板上形成钉扎图案；在钉扎图案之间的间隔中形成中性图案层；和通过使用原子力显微镜(afm)检查引导层的表面，该引导层包括钉扎图案和中性图案层。实施方式可以通过提供基板表面检查装置来实现，该基板表面检查装置包括：能够容纳基板的支撑物；具有悬臂和探针尖端的测量单元，探针尖端在悬臂端部并且能够接触基板；驱动单元，能够改变基板和探针尖端的相对位置；光源单元，能够辐照光到悬臂上；传感器，能够由被悬臂反射的光获得基板表面的信息；和确定单元，由被传感器感测的基板表面的信息确定基板的表面是否正常，其中探针尖端包括具有用聚合物改性的表面的探针尖端基底。实施方式可以通过提供用于原子力显微镜(afm)的悬臂装置来实现，该悬臂装置包括：支承构架；固定到支承构架的悬臂；和提供在悬臂的端部的探针尖端，其中探针尖端具有探针尖端基底，探针尖端基底具有至少部分地用聚合物改性的表面。实施方式可以通过提供分析半导体基板的表面的方法来实现，该方法包括：提供在半导体基板上具有钉扎图案和中性图案层的半导体基板；通过使用探针尖端扫描钉扎图案或中性图案层，该探针尖端具有探针尖端基底，探针尖端基底具有用聚合物改性的表面；和测量在探针尖端与被扫描的钉扎图案或被扫描的中性图案层之间的粘附功。实施方式可以通过提供用于原子力显微镜(afm)的探针尖端来实现，该探针尖端包括探针尖端基底；和在探针尖端基底的表面的至少一部分上的聚合物。附图说明通过参考附图详细描述示范性实施方式，多个特征对本领域技术人员而言将明显，其中：图1示出根据实施方式的基板表面检查装置的概念图；图2示出图1的区域ii的局部放大图；图3a至3d示出透视图，显示根据实施方式的探针尖端和悬臂的示例的主要部分；图4示出概念图，显示根据实施方式的悬臂的端部和探针尖端的表面；图5至8b示出概念侧视截面图，显示根据制造方法的探针尖端的表面的构造；图9示出检查半导体基板的表面的方法的根据该方法的工艺次序的流程图；图10示出在检查半导体基板的表面的方法中一阶段的侧视截面图；图11a至17b示出曲线图，显示在根据实施方式的形成微图案的方法中根据工艺次序的多个阶段，图11a、12a、......和17a示出平面图，显示用于解释形成微图案的方法的主要部分，图11b、12b、......和17b分别示出沿图11a、12a、......和17a的线b-b’截取的截面图；图18a和18b示出在根据另一实施方式的形成微图案的方法中的多个阶段，图18a示出平面图，显示用于解释形成微图案的方法的主要部分，图18b示出沿图18a的线b-b’截取的截面图；图19a至19f示出在根据另一实施方式的形成微图案的方法中根据工艺次序的多个阶段；图20示出根据实施方式的集成电路装置的示范性平面布局，该集成电路装置可以通过利用形成微图案的方法而实现；图21a至21l示出在根据实施方式的制造集成电路装置的方法中根据工艺次序的多个阶段的截面图。具体实施方式图1示出根据实施方式的基板表面检查装置100的概念图。图2示出图1的区域ii的局部放大图。基板表面检查装置100可以部分地利用原子力显微镜的原理。参考图1和2，可以提供能够支撑半导体基板w的支撑物103。支撑物103可以将半导体基板w固定到其，并可以根据需要通过在x、y或z方向上移动而改变半导体基板w的位置。另外，根据需要，支撑物103可以相对于x、y和z轴中至少一个是可旋转的。支撑物103可以相对于x、y和z轴中至少一个是可旋转的，由此半导体基板w的严重不平坦表面可以被3维地且更精确地检查。测量单元110可以提供在支撑物103上方，测量单元110可以包括：能够扫描半导体基板w的悬臂112；和提供到悬臂112的端部的探针尖端。探针尖端可以形成在悬臂112的端部，或可以被固定到悬臂112的端部。探针尖端可以包括具有用聚合物改性的表面的探针尖端基底114。这将在下文参考图4至8b详细描述。探针尖端可以相对于半导体基板w的将被检查的表面引起吸引力和/或排斥力，由此悬臂112可以可逆地变形或移动。例如，吸引力可以由探针尖端与半导体基板w的该表面之间的范德华力引起。在实施中，吸引力可以通过探针尖端与半导体基板w的该表面之间的粘附力而作用在探针尖端与半导体基板w的表面之间，探针尖端和半导体基板w的该表面可以通过拉脱力(pull-offforce)或更大的力而彼此分离。如果在探针尖端与半导体基板w的表面之间的吸引力和排斥力被去除，则悬臂112可以恢复到其初始形状。悬臂112的另一端可以联接到致动器116。致动器116可以引起悬臂112的振动。致动器116可以是压电致动器或热致动器。压电致动器可以是包括压电材料的致动器，其中当电压施加到该压电材料时致动位移(actuatingdisplacement)改变。热致动器可以是包括双金属结构的致动器，当电压或温度变化施加到具有不同的热膨胀系数的材料时由于双金属效应导致在双金属结构中的致动位移改变。虽然其中悬臂112的端部联接到致动器116的实施方式在图1和2中示出，但是支撑物103可具有这样的致动器功能。另外，虽然在其中提供了一个悬臂112和一个探针尖端的实施方式在图1和2中示出，但是可以提供两个或更多悬臂112以及两个或更多探针尖端。光源单元120可以将光辐照到在悬臂112的端部处的反射器115上。该光可以是例如激光。例如，该光可以是掺杂钕的钇铝石榴石(nd:yag)激光的光或ti:蓝宝石激光器的光。辐照到反射器115上的光可以被反射器115反射并通过传感器130被接收。包括反射器115的悬臂112可以响应于经受扫描的表面的形状而变形或者移动，并且反射光可以响应于悬臂112的变形而放大或偏移。传感器130可以是例如光电二极管(pd)。通过传感器130感测的半导体基板w的表面的信息可以通过确定单元160被收集和分析。这将在下文更详细地描述。在实施中，支撑物103可以布置在粗糙台101上。在实施中，测量单元110可以通过支承构架140被支撑。支承构架140和粗糙台101可以连接到驱动单元150。驱动单元150可以配置为控制支承构架140和粗糙台101的相对位置。虽然粗糙台101在图1的实施方式中显示为被移动，但是支承构架140可以被移动而粗糙台101被固定，或者粗糙台101和支承构架140两者可以被移动。图3a至3d示出透视图，显示根据实施方式的探针尖端114a、114b、114c和114d以及悬臂112的示例的主要部分。图3a至3d所示的探针尖端114a、114b、114c和114d以及悬臂112的透视图是基于在其中悬臂112和探针尖端被倒置放置的情况。图3a显示具有一般棱锥形的探针尖端114a。虽然被容易地制造，但是当高的高宽比表面通过探针尖端114a被扫描时探针尖端114a可能提供低分辨率。图3b显示具有超级尖端形状的探针尖端114b，在该超级尖端中尖锐端部分被增加到棱锥形的顶端。图3c显示具有超杠杆(ultralever)形状的探针尖端114c，该超杠杆形状有具有凹入的侧截面的刺形状。图3d显示具有通过聚焦的离子束(fib)被尖锐化的端部的探针尖端114d。虽然分别在图3b至3d中示出的探针尖端114b、114c和114d可以产生高分辨率，但是其制造会是困难的，并且探针尖端114b、114c和114d可能被损坏。虽然在下文将描述图3a所示的探针尖端114a，但是本领域的普通技术人员将理解相同的原理也可以应用于图3b至3d的探针尖端114b、114c和114d。图4示出概念图，显示根据实施方式的悬臂112的端部和探针尖端的表面。参考图4，探针尖端基底114的表面可以用聚合物层210改性。聚合物层210可以至少部分地覆盖探针尖端基底114的表面。在实施中，聚合物层210可以覆盖探针尖端基底114的整个表面。聚合物层210可以包括例如聚苯乙烯(ps)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚(环氧乙烷)(peo)、聚二甲基硅氧烷(pdms)、聚(4-乙烯吡啶)(p4vp)、聚(2-乙烯吡啶)(p2vp)、聚(乳酸)(pla)、聚异戊二烯(pi)、或其共聚物。在实施中，聚合物层210可以取决于用于其的制备的材料、其形成方法等被不同地构造。图5至8b示出概念侧视截面图，显示取决于制造方法的探针尖端的表面的构造。参考图5，简单涂覆的聚合物层211可以提供到探针尖端基底114的表面。在此，聚合物层211和探针尖端基底114可以通过物理接合和/或化学接合例如范德华力被彼此接合。当聚合物层211通过诸如浸渍涂布等的方法形成时，聚合物层211和探针尖端基底114可以通过粘合(其是一种物理接合)被彼此接合。在图5示出的实施方式中，聚合物层211和探针尖端基底114之间的共价键可以不存在。在实施中，聚合物层211可具有大约10nm至大约1,000nm的厚度。在实施中，聚合物层211可以通过诸如浸渍涂布、喷涂等的方法形成。为了此目的，可以提供聚合物溶液，在其中构成聚合物层211的聚合物(或多个聚合物)溶于溶剂中。用于制备聚合物溶液的溶剂可以是例如苯、甲苯、二甲苯、丙二醇甲醚醋酸酯(pgmea)、丙二醇甲醚(pgme)、乙基-3-乙氧基丙酸酯(eep)、乳酸乙酯(el)、2-羟基丁酸甲酯(methyl2-hydroxybutyrate,hbm)、γ-丁内酯(gbl)等。在下文，将参考附图描述实施方式并且强调取决于聚合物层211的形成方法的聚合物层211的构造。参考图6a，探针尖端基底114的表面可以用通过共价键键合到探针尖端基底114的表面的聚合物部分(polymermoiety)而改性。聚合物部分可以键合到探针尖端114的某个区域，并且聚合物部分可以形成聚合物层212。为了形成聚合物层212，探针尖端基底114可以在由紫外光和臭氧活化的气氛中被处理。探针尖端基底114可以包括各种材料，例如，硅(si)基材料，诸如si、sio2或si3n4。在此情况下，通过紫外线/臭氧(uvo)处理，探针尖端基底114可以被羟基(-oh)封端同时去除探针尖端基底114的表面的杂质。羟基可以键合到作为探针尖端基底114的主要材料的硅原子。在实施中，可以使用羧基(-cooh)、胺基(-nh2)、硫氢基或硫醇基(-sh)、环氧基等代替羟基。用于形成聚合物层212的聚合物材料可以是在聚合物材料的末端具有能够与羟基、羧基、胺基、硫氢基或环氧基化学反应的官能团的聚合物材料，例如，在聚合物材料的末端具有羟基(-oh)、胺基或羧基(-cooh)作为官能团的聚合物材料。在实施中，聚合物材料可以包括聚苯乙烯、pmma、peo、pla、聚异戊二烯或其共聚物，诸如聚苯乙烯-r-聚甲基丙烯酸甲酯(ps-r-pmma)。能够与羟基化学反应的官能团可以与探针尖端基底114的表面上的羟基反应并因此可以作为醚基、酯基、胺基等保留。另外，聚合物材料可以接合到探针尖端基底114的表面并因此可以形成聚合物层212。图6b示出概念图，显示用这种方式形成在探针尖端基底114的表面上的聚合物层212。图6c示出概念图，显示根据另一实施方式的聚合物层212。在图6c的聚合物层212中，聚合物部分可以经由插入的连接体(interveninglinker)键合到探针尖端基底114的表面。连接体可以是在聚合物的末端具有羟基、羧基、胺基、硫氢基、环氧基等的聚合物，例如，聚乙二醇(peg)、聚丙二醇(ppg)、聚己酸内酯、聚乳酸等。这些聚合物可具有大约100至大约10,000的聚合度。用于形成聚合物部分的聚合物可具有能够与羟基、羧基、胺基、硫氢基等反应并键合到其的官能团，该官能团提供到连接体的末端。例如，用于形成聚合物部分的聚合物可具有羟基或羧基。因而，当聚合物层212中的聚合物部分经由插入的连接体键合到探针尖端基底114的表面时，允许聚合物部分可移动的移动性可以给予该聚合物部分。因此，聚合物部分可以与基板的表面更自由地相互作用，并且由于接触导致的聚合物部分的损失可以减小。图7a示出概念图，显示根据另一实施方式的探针尖端。图7b示出概念图，具体地显示其中聚合物部分键合到探针尖端基底114的表面的情形。参考图7a和7b，聚合物层213可以提供到探针尖端基底114的表面上，聚合物层213通过将聚合物部分键合到探针尖端基底114的表面而形成。在实施中，同类的聚合物部分可以键合到探针尖端基底114的表面。在实施中，聚合物部分可以是第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b的嵌段共聚物。例如，聚合物部分可以通过阴离子聚合而制备，由此第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b每个的长度可以基本恒定。例如，(形成在探针尖端基底114的整个表面上的聚合物部分中的)第一聚合物部分213a可具有基本上恒定的长度。另外，(形成在探针尖端基底114的整个表面上的聚合物部分中的)第二聚合物部分213b可具有基本上恒定的长度。第一和第二聚合物部分213a和213b的长度可以通过例如阴离子聚合被精确控制。在实施中，第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b中的一个可以是亲水性的，而另一个可以是疏水性的。第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b可具有不同的性能，且如果第二聚合物部分213b被选择性地去除，则具有不同性能的基板的表面可以通过利用不同的装置被检查。在实施中，第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b可以通过乙醇溶剂被选择性地分解。第一聚合物部分213a可以是具有聚苯乙烯重复单元的聚合物部分，第二聚合物部分213b可以是具有pmma重复单元的聚合物部分。在此情况下，当第二聚合物部分213b经受深紫外线(duv)辐射时，第一聚合物部分213a可以通过醇类溶剂例如异丙醇被选择性地溶解。在实施中，第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b可以通过乙酸被选择性地溶解。在实施中，第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b的材料可以被选择使得第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b具有对于被氧蚀刻的蚀刻选择性。例如，第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b的材料可以被选择使得第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b具有对利用氧等离子体的干蚀刻的蚀刻选择性。第一聚合物部分213a可以是具有聚苯乙烯重复单元的聚合物部分，第二聚合物部分213b可以是具有pmma重复单元的聚合物部分。在此情况下，与第一聚合物部分213a相比较，第二聚合物部分213b可以被氧选择性地分解。在此情况下，具有聚苯乙烯重复单元的第一聚合物部分213a可具有氧化表面-官能团。当第一聚合物部分213a在第二聚合物部分213b被用于检查半导体基板的表面时需要被使用时，即使没有单独地替换探针尖端，第二聚合物部分213b可以通过duv辐射并且通过使用醇类溶剂或酸(湿蚀刻)或使用氧(干蚀刻)的蚀刻被去除，由此可以容易地获得具有在探针尖端基底114的表面上的第一聚合物部分213a的探针尖端。如上所述，第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b可具有不同的性能，键合到探针尖端基底114的末端的第二聚合物部分213b可以用于更适合于使用第二聚合物部分213b的表面，在去除第二聚合物部分213b之后保留的第一聚合物部分213a可以用于检查更适合于使用第一聚合物部分213a的表面。虽然嵌段共聚物显示为是具有两个嵌段的双嵌段共聚物，但是根据需要也可以使用具有两个或更多嵌段的嵌段共聚物，例如，三嵌段共聚物或四嵌段共聚物。在实施中，也可以使用星形的嵌段共聚物。图8a示出概念图，显示根据另外实施方式的探针尖端。图8b示出用于解释根据需要通过将探针尖端浸到特定溶剂中而活化具有特定性能的均聚物的方法的概念图。参考图8a和8b，聚合物层214可以提供到探针尖端基底114的表面上，聚合物层214通过将两个均聚物的每个经由共价键键合到探针尖端基底114的表面而形成。两个均聚物可以是具有不同性能的聚合物。两个均聚物可以随机地分布在探针尖端基底114的表面上。在实施中，作为两个均聚物中的一个的第一均聚物可以是亲水性的，作为另一个的第二均聚物可以是疏水性的。例如，第一均聚物可以是pmma、peo、pla、聚异戊二烯等。例如，第二均聚物可以是聚苯乙烯。当两个均聚物都键合到探针尖端基底114的表面时，在两个均聚物都被活化的情况下可能难以精确检查基板的表面。因此，根据需要,可以仅活化两个均聚物中期望的一个。例如，可以一次仅活化两个均聚物中期望的一个。为此目的，可以使用具有与两个均聚物中的一个或每个的溶混性的溶剂。例如，如图8b所示，如果聚合物层214浸入具有与第一均聚物的强溶混性的第一溶剂中，则第一均聚物可以被活化且膨胀，第二均聚物(具有与第一溶剂的低亲合性)可以被缠在探针尖端基底114的表面上并保持靠近探针尖端基底114的表面。在此，如果执行去除第一溶剂并且干燥，则第二均聚物可以直接位于探针尖端基底114的表面上或靠近探针尖端基底114的表面，并且第一均聚物(在第二均聚物外侧)可以被暴露。结果，第一均聚物可以形成或存在于聚合物层214的最外侧，并且当基板的表面通过使用用第一均聚物改性的探针尖端来检查时可以使用此构造。另一方面，当第二均聚物需要形成或存在于聚合物层214的最外侧时，可以使用具有与第二均聚物的强溶混性的第二溶剂。如果聚合物层214浸入第二溶剂中，则第二均聚物可以被活化且膨胀，并且第一均聚物(具有与第二溶剂的低亲合性)可以被缠在探针尖端基底114的表面上并保持靠近探针尖端基底114的表面。在此，如果执行去除第二溶剂并且干燥，则第一均聚物可以直接位于探针尖端基底114的表面上或靠近探针尖端基底114的表面，并且在第一均聚物外侧的第二均聚物可以被暴露。结果，第二均聚物可以形成在聚合物层214的最外侧，并且当基板的表面通过使用用第二均聚物改性的探针尖端来检查时可以使用此构造。在实施中，第一溶剂可以包括例如水、甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、氨、乙酸、二甲基亚砜(dmso)、乙腈、四氢呋喃(thf)、1,4-二氧六环、二甲基甲酰胺(dmf)、蚁酸等。在实施中，第二溶剂可以包括例如苯、甲苯、二甲苯、四氯化碳、n-甲基吡咯烷酮(nmp)、环己烷、氯仿、碳酸二甲酯、丁酮(mek)、二乙醚、乙酸乙酯等。图1和2所示的原子力显微镜可以包括具有如参考图5至8b所描述地被改性的表面的探针尖端。在实施中，原子力显微镜可以用作用于检查或分析半导体基板w的表面的装置，在下文将描述通过使用原子力显微镜检查半导体基板的表面的方法。图9示出检查半导体基板的表面的方法的根据该方法的工艺次序的流程图。图10示出用于概念上解释检查半导体基板的表面的方法的侧视截面图。参考图9和10，可以提供基板302，该基板302包括将被检查的表面，例如，钉扎图案306p和中性图案层314(s1)。这些将在下文参考图11a至13b描述。然后，为了检查钉扎图案306p和/或中性图案层314的表面，该表面可以通过使用探针尖端被扫描(s2)。探针尖端可以以接触方式、非接触方式和/或轻敲方式扫描钉扎图案306p和/或中性图案层314的表面。如下文将详细描述的，钉扎图案306p和中性图案层314可以包括聚合物材料，并且作用在探针尖端和钉扎图案306p之间或在探针尖端和中性图案层314之间的力可以通过约翰逊-肯德尔-罗伯特(jkr)理论被合理地建模。根据jkr理论，作用在探针尖端和将被检查的表面之间的力f可以根据等式1被建模。[等式1]f＝(3/2)πrw在等式1中，r是探针尖端的末端的曲率半径，w是在探针尖端和将被检查的表面之间的粘附功，该粘附功表示每单位面积的能量。为了通过使用粘附功w的值(其通过使用等式1计算)确定钉扎图案306p和中性图案层314的表面是否正常，用于与该值比较的参考值可以被确保或确定。为了确定该参考值，可以准备在其表面上具有一材料的标准材料基板，该材料与钉扎图案306p或中性图案层314相同(ps1)。例如，在标准材料基板上具有该材料的均匀单层的该标准材料基板可以被单独制造，该材料与钉扎图案306p或中性图案层314相同。然后，标准材料基板的表面可以通过使用探针尖端被扫描，由此该力的值或该值的范围可以被测量，该力作用在探针尖端与钉扎图案306p的材料之间或探针尖端与中性图案层314的材料之间。参考值的范围可以通过多次执行该值的测量而获得(ps2)。例如，关于在用ps改性的探针尖端与ps的表面之间的粘附功的参考值可以在大约58mj/m2至大约68mj/m2范围。例如，关于在用pmma改性的探针尖端与pmma的表面之间的粘附功的参考值可以在大约71mj/m2至大约76mj/m2范围。例如，关于在用ps-r-pmma(ps:pmma＝7:3)改性的探针尖端与ps-r-pmma(ps:pmma＝7:3)的表面之间的粘附功的参考值可以在大约60mj/m2至大约67mj/m2范围。该参考值可以不必每次执行表面检查时被测量。然而，参考值的范围可以受在使用中的悬臂的弹簧常数、探针尖端的末端的曲率半径、测量期间的温度和湿度等影响，并且如果这些参数改变，则可以得到不同的参考值。因此，如果关于表面检查的条件不同于获得参考值的条件，则可以确定新的参考值。通过操作s2中的扫描获得的在探针尖端与钉扎图案306p的表面及中性图案层314的表面之间的粘附功可以与上述获得的参考值相比较，由此确定粘附功是否正常(s3)。在实施中，该确定可以如下执行：如果通过扫描获得的该值落入参考值的范围内，则该值被确定为是正常的，如果通过扫描获得的该值在参考值的范围之外，则该值被确定为是异常的。在实施中，该确定可以如下执行：参考值的范围可以允许具有某个容许范围，并且如果通过扫描获得的该值落入参考值的范围或该容许范围内，则该值可以被确定为是正常的。该表面是否正常可以通过考虑测量条件而以各种方法确定。如果通过扫描获得的该值被确定为是正常的，则在该值是正常的结果被输出(s4a)时，钉扎图案306p或中性图案层314的表面的另一部分可以被进一步检查，或可以进一步执行后续工艺。如果通过扫描获得的该值被确定为是异常的，则在该值是异常的结果被输出(s4b)时，该值可以存储在存储装置中，或者可以执行由于表面异常的发生导致的后续动作(例如，基板的处置)。代替通过使用原子力显微镜直接检查在其上形成微图案的表面，液滴可以形成在该表面上，并且可以通过利用该液滴与该表面之间的接触角来确定表面是否正常。例如，已经使用了以下方法。在形成钉扎图案306p或中性图案层314之后，材料基板可以通过与形成钉扎图案306p的方法(或者形成中性图案层314的方法，当中性图案层314打算被检查时)相同的方法被单独制造，并且液滴在材料基板上的接触角被测量。然后，如果测量的液滴的接触角落入期望的范围内，则推断已经正常地形成了钉扎图案306p(或中性图案层314，当中性图案层314打算被检查时)。这样做的理由是虽然用于测量接触角的液滴的尺寸会处于几微米的水平即使液滴形成得尽可能小，但是图案的尺寸可以不超过几十纳米。结果，不能执行对于钉扎图案306p或中性图案层314的直接检查，该钉扎图案306p或中性图案层314在半导体制造工艺中被实际获得。另外，随着形成更精细图案的趋势，尽管可以增加用于精细地调节钉扎图案306p或中性图案层314的性能的非均匀组分，但是存在这样的限制：由于非均匀组分的增加导致的性能的极小变化没有被一般的方法检测到。例如，当ps被选为中性图案层314时，作为用于精细地调节ps的性能的非均匀组分的甲基丙烯酸羟乙酯(hema)可以以某个比例与ps共聚合。然而，通过测量接触角可能难以发现取决于hema的量的差异，如表1所示。当通过使用原子力显微镜直接测量粘附功时，取决于hema的量的显著差异被发现，并且证实了与另一个方法相比较，通过使用原子力显微镜检查基板的表面的方法能够允许基板的表面被更精确地检查。[表1]ps中hema的量水滴的接触角(度)粘附功(mj/m2)2mol％86.5483.121mol％86.2666.790.5mol％86.7760.83另外，在基板的表面上的聚合物层的表面性能可以随着该聚合物层经受光刻工艺而显著地改变。例如，粘附功在以下每个情况下被测量：交联的pmma层形成在基板的表面上的情况(示例1)，示例1的pmma层经受光刻工艺的情况(示例2)，与中性图案层314相同的材料的无规共聚物被涂覆到基板的表面上并接着经受光刻工艺的情况(示例3)，以及如图10所示的钉扎图案306p(pmma组分)和中性图案层314(ps组分)被形成的情况(示例4)。在此，通过使用peg连接体(硅烷-peg-cooh)用ps或pmma改性的探针尖端被采用，peg连接体包括具有大约5,000聚合度的peg部分。如以下的表2所示，为了对比，当通过使用用pmma改性的探针尖端分别在钉扎图案的pmma(示例4)上和在光刻工艺之后的pmma(示例2)上测量粘附功时，可以看出粘附功分别具有68.86和73.74的值，并且在其间存在显著差异。另外，为了对比，当通过使用用pmma改性的探针尖端分别在中性图案层的ps(示例4)上和在光刻工艺之后的ps(示例3)上测量粘附功时，可以看出粘附功分别具有81.70和100.80的值，并且在其间存在显著差异。因此，为了精确分析钉扎图案和中性图案层的表面性能，可以看出如在此所描述的通过利用原子力显微镜执行表面分析将是期望的。[表2]图11a至17b示出根据实施方式的曲线图，显示根据工艺次序的形成微图案的方法。图11a、12a、......和17a示出平面图，显示用于解释形成微图案的方法的主要部分。图11b、12b、......和17b分别示出沿图11a、12a、......和17a的线b-b’截取的截面图。参考图11a和11b，蚀刻靶层304可以形成在基板302上，并且钉扎材料层306可以形成在蚀刻靶层304上。基板302可以包括半导体基板。在实施中，基板302可以包括半导体，诸如si或ge。在实施中，基板302可以包括化合物半导体，诸如，sige、sic、gaas、inas或inp。在实施中，基板302可具有绝缘体上硅(soi)结构。基板302可包括导电区，例如，掺杂杂质的阱或掺杂杂质的结构。在实施中，基板302可具有不同的器件隔离结构，诸如，浅沟槽隔离(sti)结构。蚀刻靶层304可以是绝缘层或导电层。例如，蚀刻靶层304可以包括金属、合金、金属氮化物、金属氮氧化物、金属碳氧化物、半导体、多晶硅、氧化物、氮化物、氮氧化物、碳氢化合物或其组合。当打算被最终形成的图案实现在基板302上时，蚀刻靶层304可以被省略。在实施中，钉扎材料层306可以是聚合物材料层。例如，钉扎材料层306可以是可交联的且亲水的聚合物材料层。在实施中，钉扎材料层306可以包括交联的pmma。交联剂可以用于pmma的交联。可以用于pmma的交联的交联剂可以包括双官能、三官能、四官能或更多官能的乙烯不饱和单体。例如，交联剂可以包括三乙烯基苯、二乙烯基甲苯、二乙烯基吡啶、二乙烯基萘、二乙烯基二甲苯、二丙烯酸乙二醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(tmpta)、二乙二醇二乙烯基醚、三乙烯基环己烷、甲基丙烯酸烯丙酯(alma)、乙二醇二甲基丙烯酸酯(egdma)、二乙二醇二甲基丙烯酸酯(degdma)、丙二醇二甲基丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(tmptma)、二乙烯基苯(dvb)、甲基丙烯酸缩水甘油酯、2,2-二甲基丙烷-1,3-二丙烯酸酯、1,3-丁二醇二丙烯酸酯、1,3-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、四甘醇二甲基丙烯酸酯、乙氧化双酚a二丙烯酸酯、乙氧化双酚a二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三乙氧基三丙烯酸酯(trimethylolpropanetriethoxytriacrylate)、甘油三羟丙基醚三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇羟基五丙烯酸酯、乙氧化二丙烯酸酯、乙氧化三丙烯酸酯、乙氧化tmpta、乙氧化tmptma、乙氧化四丙烯酸酯、二乙烯基硅烷、三乙烯基硅烷、二甲基二乙烯基硅烷、二乙烯基甲基硅烷、甲基三乙烯基硅烷、二苯基二乙烯基硅烷、二乙烯基苯基硅烷、三乙烯基苯基硅烷、二乙烯基甲基苯基硅烷、四乙烯硅烷、二甲基乙烯基二硅氧烷、包括二、三和四糖基尿素的糖基尿素、环氧树脂或其混合物。抗反射层310可以形成在钉扎材料层306上，包括多个柱312p的掩模图案312可以形成在抗反射层310上。抗反射层310可以是适于光刻工艺的任意抗反射层。在实施中，抗反射层310可以包括含si材料。在实施中，抗反射层310可以包括硅氮氧化物层。在实施中，抗反射层310可以包括用于krf准分子激光器、arf准分子激光器、arf浸没(arf-i)或其他适合的光源的有机抗反射涂层(arc)材料。在实施中，抗反射层310可具有大约20nm至大约500nm的厚度。形成为掩模图案312的多个柱312p可以布置成规则形状。例如，多个柱312p可以布置成六角形阵列或矩阵阵列。在实施中，多个柱312p的每个可具有参考图14a和14b描述的嵌段共聚物层320的本体周期(bulkcycle)l0的0.5倍至1.5倍的直径。为此目的，形成为参考图11a和11b描述的掩模图案312的多个柱312p中每个的宽度w1可以被调节。下文将参考图15a和15b描述本体周期l0的细节。多个柱312p可具有第一节距p1，第一节距p1是参考图14a和14b描述的嵌段共聚物层320的本体周期l0的至少1.5倍。多个柱312p可以布置成具有第一节距p1的六角形阵列，该第一节距p1是嵌段共聚物层320的本体周期l0的至少1.5倍。在实施中，多个柱312p可以布置成具有第一节距p1的六角形阵列，该第一节距p1是嵌段共聚物层320的本体周期l0的大约1.73倍。在此情况下，如参考图15a和15b将描述的，多个第一域320a的每个可具有圆柱形并且自对准以位于多个柱312p当中三个相邻的柱312p的中心部，多个第一域320a通过嵌段共聚物层320的相分离工艺形成。在实施中，多个柱312p可以布置成具有第一节距p1的六角形阵列，第一节距p1是嵌段共聚物层320的本体周期l0的n倍(其中n是2或更大的整数)。例如，多个柱312p的第一节距p1可以是嵌段共聚物层320的本体周期l0的2倍。在此情况下，如图18a和18b所示，多个第一域320a'的每个可具有圆柱形并且自对准以位于多个柱312p当中两个相邻的柱312p的中间部分，多个第一域320a'通过嵌段共聚物层320的相分离工艺形成。掩模图案312可以包括光致抗蚀剂。在实施中，掩模图案312可以包括用于krf准分子激光器(248nm)的光致抗蚀剂、用于arf准分子激光器(193nm)的光致抗蚀剂、用于arf浸没的光致抗蚀剂、用于f2准分子激光器(157nm)的光致抗蚀剂、或用于极紫外(euv)光(13.5nm)的光致抗蚀剂。参考图12a和12b，抗反射层310和钉扎材料层306可以通过使用掩模图案312(见图11a和11b)作为蚀刻掩模被蚀刻，由此形成钉扎图案306p和抗反射图案。钉扎图案306p可以布置成规则形状。例如，钉扎图案306p可以布置成六角形阵列或矩阵阵列。在形成钉扎图案306p之后，钉扎图案306p的上表面可以通过去除不必要的层被暴露。参考图13a和13b，中性图案层314可以形成在蚀刻靶层304的暴露表面上。中性图案层314可以通过将用于形成中性图案的聚合物材料层涂覆到蚀刻靶层304的暴露表面上而形成。在实施中，用于形成中性图案的聚合物材料层可以是例如按恒定比例包括第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b的无规共聚物。已经参考图7a和7b描述了第一聚合物部分213a和第二聚合物部分213b。第一聚合物部分213a与第二聚合物部分213b的摩尔比可以是大约5:5至大约3:7。在实施中，用于形成中性图案的聚合物材料层可以是例如其中第一均聚物的重复单元和第二均聚物的重复单元按恒定比例被共聚合的无规共聚物，已经参考图8a和8b描述了第一均聚物和第二均聚物。第一均聚物的重复单元与第二均聚物的重复单元的摩尔比可以是大约5:5至大约3:7。在实施中，取决于打算形成的图案的形状，第一均聚物的重复单元与第二均聚物的重复单元的摩尔比可以是大约6:4至大约4:6。在实施中，取决于打算形成的图案的形状，第一均聚物的重复单元与第二均聚物的重复单元的摩尔比可以是大约6:4至大约2:8。为了形成中性图案层314，无规共聚物可以键合到蚀刻靶层304的表面。为了将无规共聚物键合到蚀刻靶层304的表面，蚀刻靶层304的表面可以被官能团例如羧基(-cooh)、胺基(-nh2)、硫氢基(-sh)、环氧基等封端，代替羟基。在实施中，无规共聚物可以是具有官能团例如羟基(-oh)、胺基或羧基(-cooh)的聚合物材料，该官能团能够与封端的官能团化学反应。在实施中，无规共聚物可以是具有羟基(-oh)、胺基或羧基(-cooh)的ps-r-pmma共聚物。在此，pmma与ps的比例可以是大约5:5至大约3:7。在实施中，中性图案层314可以是包括大约96mol％至大约99.5mol％的苯乙烯重复单元和大约0.05mol％至大约4mol％的(甲基)丙烯酸酯重复单元的聚苯乙烯共聚物。在实施中，(甲基)丙烯酸酯可以是hema。可以检查钉扎图案306p和/或中性图案层314是否已经正常地形成。检查可以通过参考图9和10描述的方法来执行。参考图14a和14b，包括纯嵌段共聚物的嵌段共聚物层320可以形成在包括钉扎图案306p的引导图案层gp上方，该纯嵌段共聚物包括第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，该第一聚合物嵌段和该第二聚合物嵌段分别具有第一重复单元和第二重复单元。嵌段共聚物层320可以形成在引导图案层gp上方达到恒定厚度。在实施中，纯嵌段共聚物可以包括具有大约3,000g/mol至大约2,000,000g/mol的分子量的线形聚合物或支化聚合物。在纯嵌段共聚物中，第一聚合物嵌段可以是pmma、peo、pla或pi。第二聚合物嵌段可以是聚苯乙烯(ps)。在嵌段共聚物层320中，第二聚合物嵌段可以构成主要嵌段，第一聚合物嵌段可以构成次要嵌段。在实施中，在纯嵌段共聚物中第一聚合物嵌段与第二聚合物嵌段的摩尔比可以是大约20:80至大约40:60。在实施中，嵌段共聚物层320可以通过浸渍涂布、溶液铸膜或旋涂工艺形成。参考图15a和15b，嵌段共聚物层320(见图14a和14b)的相分离可以被执行，由此可以形成包括多个第一域320a和第二域320b的自组装层320s，多个第一域320a包括第一聚合物嵌段，第二域320b包括第二聚合物嵌段并且围绕多个第一域320a。在第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段的键合结构中确定的本体周期l0，即，对应于关于自组装结构的重复单元的固有节距的本体周期l0，可以是大约40nm至大约60nm，由于嵌段共聚物层320的自组装，结果获得了该自组装结构。为了嵌段共聚物层320的相分离，嵌段共聚物层320可以在高于嵌段共聚物层320中的嵌段共聚物的玻璃转变温度(tg)的温度下退火。例如，为了执行嵌段共聚物层320的相分离，嵌段共聚物层320可以在大约130℃至大约190℃的温度下退火大约1小时至大约24小时。多个第一域320a可以规则地布置。例如，由于多个第一域320a，可以获得子六角形阵列，该子六角形阵列具有小于第一节距p1的第二节距p2。多个第一域320a可以形成在对应于多个钉扎图案306p的位置，该多个钉扎图案306p具有等于或类似于多个第一域320a的性能。另外，多个附加的第一域320a的每个可以形成在由多个钉扎图案306p当中三个相邻的钉扎图案306p形成的三角形的中心部。图15a和15b显示在其中多个第一域320a的每个具有圆柱形并且自对准以位于由多个钉扎图案306p当中的三个相邻的钉扎图案306p形成的三角形的中心部的示例。在实施中，如图18a和18b所示，通过图14a和14b所示的嵌段共聚物层320的相分离，可以形成包括多个第一域320a'和围绕多个第一域320a'的第二域320b'的自组装层320s'，多个第一域320a'的每个自对准成圆柱形以位于多个钉扎图案306p当中两个相邻的钉扎图案306p的中间部分。为此目的，当形成参考图11a和11b描述的多个柱312p时，多个柱312p可以布置成具有第一节距p1的六角形阵列，该第一节距p1是嵌段共聚物层的本体周期l0的大约2倍。在此情况下，图18a和18b所示的多个第一域320a'可以规则地布置。例如，由于多个第一域320a'，可以获得子六角形阵列，该子六角形阵列具有小于第一节距p1的第三节距p3。参考图16a和16b，多个第一域320a可以从自组装层320s去除(见图15a和15b)。在实施中，钉扎图案306p可以与多个第一域320a一起被去除。在实施中，为了从自组装层320s中选择性地仅去除多个第一域320a，多个第一域320a可以通过施加聚合物分解剂到自组装层320s而被选择性地分解，然后，分解的多个第一域320a可以通过使用清洁液例如异丙醇(ipa)而被剥离。在实施中，辐射线或等离子体可以用作聚合物分解剂。辐射线可以提供在氧气氛中，并且可以是duv射线、软x射线或电子束。等离子体可以是氧等离子体。为了选择性地分解多个第一域320a，可以选择聚合物分解剂的种类或能量。例如，多个第一域320a的阈能可以不同于第二域320b的阈能，该阈能涉及允许分解被启动的能量。因此，辐射线或等离子体可以施加到自组装层320s，该辐射线或等离子体具有允许多个第一域320a和第二域320b当中的仅多个第一域320a的选择性分解的能量。辐射线或等离子体的能量可以通过辐射线的辐照时间或通过等离子体曝光时间来调节。参考图17a和17b，中性图案层314和蚀刻靶层304可以通过使用第二域320b(见图16a和16b)作为蚀刻掩模被蚀刻，由此形成包括多个孔304h的微图案304p。然后，保留在微图案304p上的不必要的层可以被去除，由此暴露微图案304p的上表面。图19a至19f示出在根据另一实施方式的形成微图案的方法中的根据工艺次序的多个阶段。尽管已经参考图11a至17b描述了接触孔图案，将参考图19a至19f描述线和间隔图案。参考图19a，蚀刻靶层304可以形成在基板302上，钉扎材料层306可以形成在蚀刻靶层304上。抗反射层310可以形成在钉扎材料层306上，包括多个线形图案332p的掩模图案332可以形成在抗反射层310上。已经参考图11a至11b描述了基板302、蚀刻靶层304和抗反射层310，并且将省略对其的重复描述。形成为掩模图案332的多个线形图案332p可以布置成规则形状。例如，多个线形图案332p可具有宽度w1并且可以根据节距p1布置。在此，p1可以是w1的大约2.2倍至大约3.5倍。参考图19b，抗反射层310和钉扎材料层306可以通过使用掩模图案332(见图19a)作为蚀刻掩模被蚀刻，由此形成钉扎图案306p。然后，钉扎图案306p的上表面可以通过去除不必要的层被暴露。另外，中性图案层314可以形成在钉扎图案306p之间的间隔中，该间隔暴露蚀刻靶层304的表面。已经参考图12a至13b描述了中性图案层314的形成，并且将省略对其的重复描述。可以检查钉扎图案306p和/或中性图案层314是否已经正常地形成。检查可以通过参考图9和10描述的方法执行，并且将省略对其的附加描述。参考图19c，包括纯嵌段共聚物的嵌段共聚物层320可以形成在包括钉扎图案306p的引导图案层gp上方，该纯嵌段共聚物包括第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，该第一聚合物嵌段和该第二聚合物嵌段分别具有第一重复单元和第二重复单元。在嵌段共聚物层320中，第二聚合物嵌段可以构成主要嵌段，第一聚合物嵌段可以构成次要嵌段。在实施中，在纯嵌段共聚物中第一聚合物嵌段与第二聚合物嵌段的摩尔比可以是大约40:60至大约60:40。在实施中，纯嵌段共聚物中的第一聚合物嵌段与第二聚合物嵌段的摩尔比可以是大约50:50。参考图19d，嵌段共聚物层320(见图19c)的相分离可以被执行，由此可以形成包括多个第一域340a和第二域340b的自组装层340s，多个第一域340a包括第一聚合物嵌段，第二域340b包括第二聚合物嵌段并且形成在多个第一域340a之间。虽然一个第一域340a显示为形成在图19d中的钉扎图案306p之间，但是通过适当地调节图19a的线形图案332p的宽度w1和节距p1，两个或更多第一域340a可以形成在钉扎图案306p之间。参考图19e，多个第一域340a可以从自组装层340s(见图19d)去除。在实施中，钉扎图案306p可以与多个第一域340a一起被去除。已经参考图16a和16b描述了去除多个第一域340a的方法，并且将省略对其的重复描述。参考图19f，中性图案层314和蚀刻靶层304可以通过使用第二域340b(见图19e)作为蚀刻掩模被蚀刻，由此形成包括多个沟槽304t的微图案304p。然后，保留在微图案304p上的不必要的层可以被去除，由此暴露微图案304p的上表面。如上文所述，当用于原子力显微镜的悬臂装置、包括该悬臂装置的基板表面检查装置、通过使用基板表面检查装置分析半导体基板的表面的方法、以及通过使用表面分析方法形成微图案的方法被采用时，基板的表面可以直接且更精确地被分析和检查。图20示出根据实施方式的可以通过使用形成微图案的方法实现的集成电路装置700的示范性平面布局。图20所示的布局可以构成半导体存储器件的存储单元阵列区。参考图20，集成电路装置700的存储单元阵列区可以包括多个有源区act。多条字线wl可以交叉多个有源区act并且沿着第一方向(x方向)彼此平行延伸。多条字线wl可以等间隔布置。在多条字线wl上，多条位线bl可以沿着垂直于第一方向的第二方向(y方向)彼此平行延伸。多条位线bl可以通过多个直接接触dc连接到多个有源区act。多个掩埋接触bc的每个可以包括从多条位线bl中两条相邻位线bl之间的区域延伸到该两条相邻位线bl中的一条位线的上侧的接触结构。在实施中，多个掩埋接触bc可以沿着第一方向(x方向)和第二方向(y方向)布置成多个行。在实施中，多个掩埋接触bc可以沿着第二方向(y方向)以等间隔布置。多个掩埋接触bc可以分别将下电极st电连接到有源区act。已经参考图11a至19f描述的根据实施方式的形成微图案的方法可以用于形成多个有源区act、多条字线wl、多条位线bl、多个直接接触dc、多个掩埋接触bc、多个下电极st等。图21a至21l示出在通过使用已经参考图11a至18b描述的形成微图案的方法制造集成电路装置的方法中根据工艺次序的多个阶段的截面图。图21a至21l显示对应于沿图20的线a-a'截取的截面图的构造。在图21a至21l中，与图11a至19f中相同的附图标记表示相同的构件，因此将省略对其的重复详细说明。参考图21a，器件隔离层712可以形成在基板710中，由此限定多个有源区710a。对基板710的描述与已经参考图11a和11b作出的对基板302的描述相同。多个有源区710a的每个可具有相对长的岛形状，该岛形状具有长轴和短轴。为了限定多个有源区710a，可以使用根据实施方式的已经参考图11a至18b描述的形成微图案的至少一个方法。例如，可以限定彼此平行延伸的多个线形初始有源区，然后，当修整工艺被执行以便将多个线形初始有源区做成最终期望的多个岛形有源区时，可以使用根据实施方式的已经参考图11a至18b描述的形成微图案的至少一个方法。在实施中，器件隔离层712可以包括氧化物层、氮化物层或其组合。器件隔离层712可以包括仅包含一个绝缘层的单层或包括包含至少两个绝缘层的多个层。多条字线沟槽(未示出)可以形成在基板710中。多个字线沟槽可具有沿着图20的x方向彼此平行延伸的线形并且交叉多个有源区710a。在多个字线沟槽内，多个栅介电层、多条字线wl(见图20)以及多个掩埋绝缘层按叙述的次序形成。在实施中，在形成字线wl之后，杂质离子可以注入到每条字线wl的两侧中，由此在多个有源区710a的上部分中形成源极区/漏极区。在实施中，在形成多条字线之前，可以执行用于形成源极区/漏极区的杂质离子注入工艺。第一绝缘层720和第二绝缘层722可以按叙述的次序形成在基板710上。在实施中，第一绝缘层720可以包括氧化物层，第二绝缘层722可以包括氮化物层。参考图21b，第一导电层726可以形成在基板710上。在实施中，第一导电层726可以包括掺杂多晶硅。参考图21c，根据与参考图11a至18b描述的方法类似的方法，蚀刻靶层304形成在第一导电层726上，自组装层320s形成在第一掩模图案306p上，自组装层320s被相分离成第一域320a和第二域320b。中性衬垫410n可以进一步提供到蚀刻靶层304和第二域320b之间的位置处。参考图21d，第一域320a可以从自组装层320s(见图21c)去除。参考图21e，第一掩模图案306p(见图21c)可以通过使用第二域320b作为蚀刻掩模被蚀刻，由此形成包括暴露出蚀刻靶层304的孔的第一掩模图案306r。然后，可以去除在第一掩模图案306r上的不必要的层，蚀刻靶层304通过使用第一掩模图案306r作为蚀刻掩模被蚀刻，由此形成包括暴露出第一导电层726的孔的微图案304r。参考图21f，第一导电层726通过使用微图案304r作为蚀刻掩模被蚀刻，结果，基板710的暴露部分和器件隔离层712的暴露部分被蚀刻，由此形成暴露出基板710的有源区710a的直接接触孔dch。虽然覆盖微图案304r的第一掩模图案306r在图21f中显示为已经被去除，但是在一些实施方式中第一掩模图案306r可以保留在微图案304r上。参考图21g，在微图案304r(见图21f)被去除之后，第二导电层可以形成在直接接触孔dch中并且在第一导电层726的上侧上，第二导电层具有足以填充直接接触孔dch的厚度。然后，第二导电层可以经受回蚀刻使得第二导电层仅保留在直接接触孔dch内侧，由此形成包括保留在直接接触孔dch内侧的第二导电层的直接接触dc。在实施中，直接接触dc可以包括掺杂多晶硅。参考图21h，第三导电层732、第四导电层734和绝缘盖层736可以以叙述的次序形成在第一导电层726和直接接触dc的上侧上。第三导电层732和第四导电层734每个可以包括tin、tisin、w、钨硅化物或其组合。在实施中，第三导电层732可以包括tisin，第四导电层734可以包括w。绝缘盖层736可以包括硅氮化物层。参考图21i，绝缘盖图案736p可以通过经由光刻工艺图案化绝缘盖层736而形成，下面的结构的一部分可以通过使用绝缘盖图案736p作为蚀刻掩模被蚀刻，由此形成多条位线760。为了形成多条位线760，第四导电层734、第三导电层732、第一导电层726和部分的直接接触dc可以通过使用绝缘盖层736作为蚀刻掩模按叙述的次序被蚀刻，由此形成包括第一导电图案726p、第三导电图案732p和第四导电图案734p的多条位线760。多条位线760可以通过直接接触dc被连接到基板710的有源区710a。参考图21j，绝缘衬垫756可以形成在包括多条位线760的所得产物的暴露表面上。在实施中，绝缘衬垫756可以包括氮化物层。参考图21k，多个掩埋接触bc(见图20)和多个导电焊垫lp可以形成在图21j的所得产物中的多个位线760之间的间隔中，多个导电焊垫lp分别连接到多个掩埋接触bc。例如，绝缘间隔物s1和s2可以形成在多条位线760的每条的侧壁上的绝缘衬垫756上，绝缘间隔物s1和s2覆盖绝缘衬垫756，多个绝缘图案(图21k中未示出)可以分别形成在多条位线760之间的间隔中，多个绝缘图案分别限定用于形成掩埋接触bc(见图20)的多个孔。然后，基板710的有源区710a可以通过该多个孔被暴露，金属硅化物层761可以形成在有源区710a的每个暴露表面上。然后，导电层可以填充该多个孔的每个的内侧的下部分，由此形成分别连接到有源区710a的多个掩埋接触bc。在实施中，金属硅化物层761可以包括钴硅化物。在实施中，金属硅化物层761可以包括从不同的金属硅化物中被选择出来的材料。在实施中，多个掩埋接触bc可以包括掺杂多晶硅。在实施中，金属硅化物层761可以被省略。在实施中，绝缘间隔物s1和s2可以包括硅氧化物层、硅氮化物层、空气或其组合。虽然在本实施方式中绝缘间隔物s1和s2显示为包括两个层，但是绝缘间隔物s1和s2可以包括单层或三个层。多个绝缘图案可以包括氮化物层、氧化物层或其组合。然后，金属硅化物层763可以形成在多条位线760之间的多个孔内侧的多个掩埋接触bc的每个上。在实施中，金属硅化物层763可以包括钴硅化物。在实施中，金属硅化物层763可以包括从不同的金属硅化物中选出来的材料。在实施中，金属硅化物层763可以被省略。然后，可以形成导电阻挡层和导电层，导电阻挡层和导电层经受回蚀刻使得绝缘间隔物s1和s2被暴露。结果，部分的导电阻挡层和部分的导电层保留为在金属硅化物层763上的导电阻挡层764和导电层766同时填充多个孔的每个的内侧，导电阻挡层764和导电层766覆盖多条位线760的每条。在实施中，导电阻挡层764可具有ti/tin堆叠结构。在实施中，导电层766可以包括掺杂多晶硅、金属、金属硅化物、导电金属氮化物或其组合。然后，在单元阵列区中，掩模图案可以形成在导电层766上，掩模图案暴露出部分的导电层766。然后，导电阻挡层764、导电层766和围绕其的绝缘层可以通过使用掩模图案作为蚀刻掩模被蚀刻，由此形成包括导电阻挡层764和导电层766的剩余部分的多个导电焊垫lp。多个导电焊垫lp可具有彼此间隔开的多个岛形状，类似于图20所示的多个掩埋接触bc。为了形成多个导电焊垫lp，可以使用光刻工艺。在此，为了形成多个导电焊垫lp，可以使用已经参考图11a至18b描述的形成微图案的方法之一。参考图21l，绝缘薄层780可以形成在包括多个导电焊垫lp的所得产物的上表面上。在实施中，绝缘薄层780可以包括氮化物层。然后，绝缘层可以形成在绝缘薄层780上，并且在单元阵列区中，形成电容器的多个下电极，该多个下电极分别电连接到多个导电焊垫lp，由此形成集成电路装置700。电容器的下电极可以对应于图20的下电极st。在此已经公开了示例实施方式，并且虽然采用了特定术语，但是它们仅以一般描述性含义使用和被解释，且不为了限制目的。在有些情况下，随着本申请的提交，对于本领域普通技术人员将明显的是，结合具体实施方式描述的特征、特性和/或元件可以被单独使用或与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另外特别地声明。因此，本领域的一般技术人员将理解，可以进行形式和细节上的不同改变而没有脱离在权利要求中阐述的本发明的精神和范围。2016年1月26日向韩国专利局提交且名称为“用于原子力显微镜的悬臂装置、包括其的基板表面检查装置、通过使用其分析半导体基板表面的方法、以及通过使用其形成微图案的方法”的韩国专利申请第10-2016-0009481号的全部内容通过引用结合在此。当前第1页12