LED封装模块检测方法及检测装置与流程

本发明涉及LED封装领域，尤其涉及一种LED封装模块检测方法及检测装置。

背景技术：

LED(发光二极管)作为新一代的照明光源与白炽灯等传统光源相比，具有寿命长、光效高、节能环保等优点，成为近些年来用途极为广泛的光源产品，其应用范围不断大。照明、显示、医疗等领域都对LED在各种环境条件下的表现提出了严格的要求。

因制作、生产工艺上的缺陷，LED容易出现漏电现象。

目前，LED封装模块方案中有单晶模块、双晶串联模块或三晶串联模块等，即在一个封装模块内具有单颗LED芯片、两颗串联的LED芯片或是三颗串联的LED芯片。

当LED封装模块为单晶模块时，可以通过在LED芯片的两极加上反向电压（-5V\-8V\-10V等等）的方式来检测单晶模块是否漏电。

此时LED芯片可近似等效为一个PN结的二极管，其伏安特性与一般的PN结伏安特性相似，此时若测得反向电流，则表示该LED芯片漏电。

但是，用此方法只能检测单颗LED芯片是否漏电，当LED封装模块为双晶串联模块或三晶串联模块时，只要其中一颗LED芯片不漏电，便检测不到反向电流，即此时检测结果为不漏电，因此，该种方法存在误检测的风险。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种LED封装模块检测方法及检测装置。

为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种LED封装模块检测方法，包括步骤：

提供一LED封装模块，其包括串联的若干LED芯片；

施加一检测电流至所述LED封装模块；

检测所述LED封装模块的总电压和/或总亮度；

判断所述总电压和/或所述总亮度是否位于预设范围内，若是，则所述若干LED芯片均不漏电，若否，则至少一LED芯片漏电。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述LED封装模块包括a颗LED芯片，当某一LED芯片不漏电时，该LED芯片的电压范围为[b，c]，步骤“检测所述LED封装模块的总电压和/或总亮度；判断所述总电压和/或所述总亮度是否位于预设范围内，若是，则所述若干LED芯片均不漏电，若否，则至少一LED芯片漏电”具体包括：

检测所述LED封装模块的总电压；

若所述总电压位于预设电压范围[a*b，a*c]内，则所述若干LED芯片均不漏电，若所述总电压小于a*b，则至少一LED芯片漏电。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述LED封装模块包括a颗LED芯片，当某一LED芯片不漏电时，该LED芯片的亮度范围为[d，e]，步骤“检测所述LED封装模块的总电压和/或总亮度；判断所述总电压和/或所述总亮度是否位于预设范围内，若是，则所述若干LED芯片均不漏电，若否，则至少一LED芯片漏电”具体包括：

检测所述LED封装模块的总亮度；

若所述总亮度位于预设亮度范围[a*d，a*e]内，则所述若干LED芯片均不漏电，若所述总亮度小于a*d，则至少一LED芯片漏电。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述LED封装模块包括a颗LED芯片，当某一LED芯片不漏电时，该LED芯片的电压范围为[b，c]，该LED芯片的亮度范围为[d，e]，步骤“检测所述LED封装模块的总电压和/或总亮度；判断所述总电压和/或所述总亮度是否位于预设范围内，若是，则所述若干LED芯片均不漏电，若否，则至少一LED芯片漏电”具体包括：

检测所述LED封装模块的总电压及总亮度；

若所述总电压位于预设电压范围[a*b，a*c]内且所述总亮度位于预设亮度范围[a*d，a*e]内，则所述若干LED芯片均不漏电，若所述总电压小于a*b和/或所述总亮度小于a*d，则至少一LED芯片漏电。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述检测电流不大于每一LED芯片的漏电电流。

为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种LED封装模块检测装置，包括：

LED封装模块，其包括串联的若干LED芯片；

电流模块，其用于施加一检测电流至所述LED封装模块；

检测模块，其用于检测所述LED封装模块的总电压和/或总亮度；

判断模块，其用于判断所述总电压和/或所述总亮度是否位于预设范围内，若是，则所述若干LED芯片均不漏电，若否，则至少一LED芯片漏电。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述LED封装模块包括a颗LED芯片，当某一LED芯片不漏电时，该LED芯片的电压范围为[b，c]，所述检测模块用于检测所述LED封装模块的总电压，若所述总电压位于预设电压范围[a*b，a*c]内，则所述判断模块判断所述若干LED芯片均不漏电，若所述总电压小于a*b，则所述判断模块判断至少一LED芯片漏电。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述LED封装模块包括a颗LED芯片，当某一LED芯片不漏电时，该LED芯片的亮度范围为[d，e]，所述检测模块用于检测所述LED封装模块的总亮度，若所述总亮度位于预设亮度范围[a*d，a*e]内，则所述判断模块判断所述若干LED芯片均不漏电，若所述总亮度小于a*d，则所述判断模块判断至少一LED芯片漏电。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述LED封装模块包括a颗LED芯片，当某一LED芯片不漏电时，该LED芯片的电压范围为[b，c]，该LED芯片的亮度范围为[d，e]，所述检测模块用于检测所述LED封装模块的总电压及总亮度，若所述总电压位于预设电压范围[a*b，a*c]内且所述总亮度位于预设亮度范围[a*d，a*e]内，则所述判断模块判断所述若干LED芯片均不漏电，若所述总电压小于a*b和/或所述总亮度小于a*d，则所述判断模块判断至少一LED芯片漏电。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述检测电流不大于每一LED芯片的漏电电流。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明一实施方式通过施加检测电流以检测总电压和/或总亮度的方式来检测具有若干串联的LED芯片的LED封装模块是否漏电，检测过程简单可靠，有效提高漏电LED封装模块的挑出率。

附图说明

图1是本发明一实施方式的LED封装模块检测方法步骤图；

图2是本发明一实施方式的LED封装模块检测装置示意图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。

参图1，本发明一实施方式的LED封装模块检测方法包括步骤：

提供一LED封装模块，其包括串联的若干LED芯片；

施加一检测电流至所述LED封装模块；

检测所述LED封装模块的总电压和/或总亮度；

判断所述总电压和/或所述总亮度是否位于预设范围内，若是，则所述若干LED芯片均不漏电，若否，则至少一LED芯片漏电。

这里，通过施加检测电流以检测总电压和/或总亮度的方式来检测具有若干串联的LED芯片的LED封装模块是否漏电，检测过程简单可靠，有效提高漏电LED封装模块的挑出率。

相较于现有技术利用反向电压的检测方法，本实施方式的检测方法还适用于具有多颗LED芯片的LED封装模块的检测。

当然，本实施方式的检测方法也适用于具有单颗LED芯片的LED封装模块的检测。

在本实施方式中，可以利用检测总电压、检测总亮度或同时检测总电压、总亮度这三种检测方法来检测LED封装模块是否漏电。

下面，详细介绍这三种检测方法。

在第一示例中，所述LED封装模块包括a颗LED芯片，当某一LED芯片不漏电时，该LED芯片的电压范围为[b，c]，步骤“检测所述LED封装模块的总电压和/或总亮度；判断所述总电压和/或所述总亮度是否位于预设范围内，若是，则所述若干LED芯片均不漏电，若否，则至少一LED芯片漏电”具体包括：

检测所述LED封装模块的总电压；

若所述总电压位于预设电压范围[a*b，a*c]内，则所述若干LED芯片均不漏电，若所述总电压小于a*b，则至少一LED芯片漏电。

其中，a为不小于1的自然数，b、c为正数。

根据LED芯片开启电压的特性，使用1uA的检测电流来进行LED封装模块的检测，此时，当某一LED芯片不漏电时，该单颗LED芯片的电压范围为[1.9V，2.3V]，即b=1.9V，c=2.3V。

具体的，当LED封装模块包括两颗串联的LED芯片，即a=2时，预设电压范围为[3.8V，4.6V]。

若两颗LED芯片均不漏电，则检测得到的总电压相当于两颗LED芯片电压的叠加，即此时检测得到的总电压应当位于预设电压范围[3.8V，4.6V]内，LED封装模块为合格品。

若有一颗LED芯片漏电，此时漏电的LED芯片的电压相当于0V，则检测得到的总电压相当于剩余一颗不漏电的LED芯片的电压，即此时检测得到的总电压应当位于电压范围[1.9V，2.3V]内，亦即，此时检测得到的总电压小于3.8V，LED封装模块为不合格品。

若两颗LED芯片均漏电，此时漏电的LED芯片的电压相当于0V，则检测得到的总电压为0V，LED封装模块为不合格品。

当LED封装模块包括三颗串联的LED芯片，即a=3时，预设电压范围为[5.7V，6.9V]。

若三颗LED芯片均不漏电，则检测得到的总电压相当于三颗LED芯片电压的叠加，即此时检测得到的总电压应当位于预设电压范围[5.7V，6.9V]内，LED封装模块为合格品。

若有一颗LED芯片漏电，此时漏电的LED芯片的电压相当于0V，则检测得到的总电压相当于剩余两颗不漏电的LED芯片的电压的叠加，即此时检测得到的总电压应当位于电压范围[3.8V，4.6V]内，亦即，此时检测得到的总电压小于5.7V，LED封装模块为不合格品。

若有两颗LED芯片漏电，此时漏电的LED芯片的电压相当于0V，则检测得到的总电压相当于剩余一颗不漏电的LED芯片的电压，即此时检测得到的总电压应当位于电压范围[1.9V，2.3V]内，亦即，此时检测得到的总电压小于5.7V，LED封装模块为不合格品。

若三颗LED芯片均漏电，此时漏电的LED芯片的电压相当于0V，则检测得到的总电压为0V，LED封装模块为不合格品。

以此类推，本实施方式的LED封装模块的检测方法还适用于其他数量的LED芯片串联的场景，在此不再赘述。

需要说明的是，所述检测电流不大于每一LED芯片的漏电电流。

也就是说，当检测电流为1uA时，只有当LED芯片的漏电电流大于1uA时，才能通过总电压判定该LED芯片漏电，否则，当LED芯片的漏电电流小于1uA时，该LED芯片处仍能测得电压，此时无法根据总电压判断该LED芯片是否漏电。

或者说，当LED芯片的漏电电流小于1uA时，检测得到的总电压将不再是不漏电的LED芯片的电压的叠加，此时根据总电压得到的检测结果可能有误。

当然，检测电流与漏电电流之间的关系并非以上述说明为限，也可以通过预设电压范围的卡控或其他方式来解决上述检测结果可能有误的情况。

可以看到，本实施方式的LED封装模块的检测精度为1uA，该精度已经可以满足目前的生产要求。

另外，可以理解的，当生产要求进一步提高时，检测精度也进一步提高，此时，可以通过卡控检测电流或是卡控预设电压范围等方式来实现。

在第二示例中，所述LED封装模块包括a颗LED芯片，当某一LED芯片不漏电时，该LED芯片的亮度范围为[d，e]，步骤“检测所述LED封装模块的总电压和/或总亮度；判断所述总电压和/或所述总亮度是否位于预设范围内，若是，则所述若干LED芯片均不漏电，若否，则至少一LED芯片漏电”具体包括：

检测所述LED封装模块的总亮度；

若所述总亮度位于预设亮度范围[a*d，a*e]内，则所述若干LED芯片均不漏电，若所述总亮度小于a*d，则至少一LED芯片漏电。

其中，a为不小于1的自然数，d、e为正数。

类似于上述检测总电压的方法，此时检测得到的总亮度应当为不漏电的LED芯片的亮度的叠加。

本示例的总亮度的检测方法的具体说明可以参考上述总电压的检测方法的说明，在此不再赘述。

在第三示例中，所述LED封装模块包括a颗LED芯片，当某一LED芯片不漏电时，该LED芯片的电压范围为[b，c]，该LED芯片的亮度范围为[d，e]，步骤“检测所述LED封装模块的总电压和/或总亮度；判断所述总电压和/或所述总亮度是否位于预设范围内，若是，则所述若干LED芯片均不漏电，若否，则至少一LED芯片漏电”具体包括：

检测所述LED封装模块的总电压及总亮度；

若所述总电压位于预设电压范围[a*b，a*c]内且所述总亮度位于预设亮度范围[a*d，a*e]内，则所述若干LED芯片均不漏电，若所述总电压小于a*b和/或所述总亮度小于a*d，则至少一LED芯片漏电。

其中，a为不小于1的自然数，b、c、d、e为正数。

本示例的总电压、总亮度同时检测的方法的具体说明可以参考上述总电压的检测方法及总亮度的检测方法，在此不再赘述。

本示例通过总电压、总亮度的同时卡控可以有效提高检测可靠度。

结合图2，本发明一实施方式还提供一种LED封装模块检测装置100。

LED封装模块检测装置100包括LED封装模块10、电流模块20、检测模块30及判断模块40。

LED封装模块10包括串联的若干LED芯片11。

电流模块20用于施加一检测电流至所述LED封装模块10。

检测模块30用于检测所述LED封装模块10的总电压和/或总亮度。

判断模块40用于判断所述总电压和/或所述总亮度是否位于预设范围内，若是，则所述若干LED芯片11均不漏电，若否，则至少一LED芯片11漏电。

这里，通过施加检测电流以检测总电压和/或总亮度的方式来检测具有若干串联的LED芯片的LED封装模块是否漏电，检测过程简单可靠，有效提高漏电LED封装模块的挑出率。

相较于现有技术利用反向电压检测方法，本实施方式的检测装置还适用于具有多颗LED芯片的LED封装模块的检测。

当然，本实施方式的检测装置也适用于具有单颗LED芯片的LED封装模块的检测。

在本实施方式中，LED封装模块检测装置100可以利用检测总电压、检测总亮度或同时检测总电压、总亮度这三种检测方法来检测LED封装模块10是否漏电。

下面，详细介绍这三种检测方法。

在第一示例中，所述LED封装模块10包括a颗LED芯片11，当某一LED芯片11不漏电时，该LED芯片11的电压范围为[b，c]，所述检测模块30用于检测所述LED封装模块10的总电压，若所述总电压位于预设电压范围[a*b，a*c]内，则所述判断模块40判断所述若干LED芯片11均不漏电，若所述总电压小于a*b，则所述判断模块40判断至少一LED芯片11漏电。

其中，a为不小于1的自然数，b、c为正数。

这里，所述检测电流不大于每一LED芯片11的漏电电流。

本示例的LED封装模块检测装置100的总电压的检测方法可以参考前述LED封装模块检测方法中第一示例所述的总电压的检测方法，在此不再赘述。

在第二示例中，所述LED封装模块10包括a颗LED芯片11，当某一LED芯片11不漏电时，该LED芯片11的亮度范围为[d，e]，所述检测模块30用于检测所述LED封装模块10的总亮度，若所述总亮度位于预设亮度范围[a*d，a*e]内，则所述判断模块40判断所述若干LED芯片11均不漏电，若所述总亮度小于a*d，则所述判断模块40判断至少一LED芯片11漏电。

其中，a为不小于1的自然数，d、e为正数。

本示例的LED封装模块检测装置100的总亮度的检测方法可以参考前述LED封装模块检测方法中第二示例所述的总亮度的检测方法，在此不再赘述。

在第三示例中，所述LED封装模块10包括a颗LED芯片11，当某一LED芯片11不漏电时，该LED芯片11的电压范围为[b，c]，该LED芯片11的亮度范围为[d，e]，所述检测模块30用于检测所述LED封装模块10的总电压及总亮度，若所述总电压位于预设电压范围[a*b，a*c]内且所述总亮度位于预设亮度范围[a*d，a*e]内，则所述判断模块40判断所述若干LED芯片11均不漏电，若所述总电压小于a*b和/或所述总亮度小于a*d，则所述判断模块40判断至少一LED芯片11漏电。

其中，a为不小于1的自然数，b、c、d、e为正数。

本示例的LED封装模块检测装置100的总电压及总亮度的同时检测方法可以参考前述LED封装模块检测方法中第三示例所述的总电压及总亮度的同时检测方法，在此不再赘述。

应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。