专利名称：存储卡半导体封装件的制法及结构的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种存储卡(Memory card)半导体封装技术，特别是关于一种Micro-SD或MMC-Micro卡式半导体封装件的制法及结构。
背景技术：
随着手机与各式便携产品的蓬勃发展，小型存储卡市场快速成长，例如SD(Secure Digital)、MMC(Multi Media Card)卡等，这种存储卡是一种高容量闪存电路模块，该电路模块可连接至一电子信息平台，例如个人计算机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、数码照相机、多媒体浏览器，储存各种数字多媒体数据，例如数码相片、视频数据或音频数据。
有关存储卡模块结构的相关技术可见美国专利第5677524号″CHIP CARD AND A METHOD FOR PRODUCING IT″、美国专利第6040622号″SEMICONDUCTOR PACKAGE USING TERMINALSFORMED ON A CONDUCTIVE LAYER OF A CIRCUIT BOARD″以及日本专利62-239554号″IC CARD TYPE EP-ROM STRUTURE″等。
中国台湾专利公告第570294号案揭示一种存储卡制造方法，它在具有多条基片单元的阵列基片模块片中，对应各该基片单元进行芯片接置与电性连接，再在该整片基片模块片上形成一封装胶体，接着利用钻石砂轮(Grinding wheel cutter)沿各该基片单元进行切割，通过成批方式制作出多条正方形的封装件，再将该封装件嵌入至一外壳体中。
为配合各种轻、薄、短、小电子装置的发展，存储卡的设计也需更加小型化，有从MMC演变至RSMMC及MMC-Micro；以及由SD演变至mini SD及Micro-SD等发展趋势，于是，伴随着工序变化及产品的多样化，存储卡等卡式封装件的样式，已不再是上述传统的由单调直线构成的正方形，目前已转变成具不规则的形状。然而，上述工序中采用钻石砂轮的切割方式，仅可形成直线切割路径，无法应付不规则形状，如Micro-SD或MMC-Micro的卡式封装件需求。
再者，上述现有技术中需在芯片完成封装后，再额外封盖一外壳，这样导致成本及工序的增加，不符合经济效益。
另外，美国专利US 6548911号虽然揭示一种无须使用外壳的多媒体电路卡工序技术，但是仅可应用于制造MMC外型的存储卡，依旧无法提供制造MMC-Micro或Micro-SD等不规则外型的存储卡。
美国专利US 2004/0259291则公开另一种无须使用外壳且可处理不规则存储卡封装件的工序技术，它主要是在一具有多条基片单元的基片模块片上对应各基片单元进行置晶及打线作业，再全面在该基片模块片上进行封装胶体工序，接着再利用水刀或激光对应要形成存储卡封装件的外观进行切割，形成多条具有不规则形状，如Micro-SD或MMC-Micro的存储卡封装件。
但是，在上述工序中，对应切割不规则封装件使用的水刀，是经过超高压增压器，将水增压至55000psi，然后通过一直径仅0.004英时的喷嘴喷出，产生3000英呎/秒(约三倍音速)的高速水流，同时另可添加高硬度细砂，以增强其切割能力，可切割金属及硬质材料。然而，该水刀工序成本高，且在水刀的水柱内需加入细砂研磨剂(abrasive)，该细砂产生的粉尘及渣料不仅会造成环境污染，同时该研磨剂是抛弃式，使用过一次后需丢弃无法重复使用，相对提高工序成本。再者，该水刀切割宽度及路径受限于水刀压力及研磨剂的颗粒大小，因此极易在切割不规则封装件时，造成切割路径不稳定，且该水刀喷口常被研磨剂阻塞，相对增加了工序的不稳定性；另外由于其切割面常被细砂冲刷，因而造成封装件切割面不平整问题。
业界也曾用激光方式进行切割，但是激光切割也会产生封装胶体及基片边缘烧焦等问题，造成切割面不平整，同时切口也会有毛边及粉尘污染等情况；另外，受限于激光照射角度的影响，造成部分封装件的切割面有歪斜现象；再者，该激光切割成本(如激光切割设备、灯管耗材成本)过高，不符合经济效益。另外，不论水刀或激光切割方式，由于其是利用细砂或具有能量的光束从封装胶体上缘向下冲切，易造成封装胶体的崩缺(chip-out)或胶体裂损(crack)等切割面不平顺问题，严重影响存储卡封装件的外观及质量。
为此，本申请人在中国台湾申请第94116830号案中提出一种存储卡半导体封装件的制法，该存储卡半导体封装件的制法预先提供如图2A所示的具有多条基片单元300的基片模块片30；接着如图2B所示，在各该基片单元300上接置并电性连接至少一半导体芯片31；然后如图2C所示，在对应各基片单元300上形成一独立封装胶体32，且该封装胶体32的外观形状直接对应形成卡式电路模块外观，各该封装胶体周缘形成一倾斜面320；最后如图2D所示，利用铣刀刀具并程序化控制其切割路径330，沿着各该封装单元周围的倾斜面320，切割该基片模块片30及封装胶体32周缘，制得一具有不规则外型的存储卡半导体封装件。
在上述本申请人提出的专利申请案中，虽然已提供无须使用外壳且可可处理不规则存储卡如Micro-SD或MMC-Micro封装件的工序技术，并无须使用水刀或激光切割，避免了工序成本提高及复杂度增加等问题。然而，由于必须使用铣刀分别切割包括封装胶体32及基片模块片30，才能一一制得个别的半导体封装件，因此不仅耗时、工序步骤繁琐，且持续沿着每一切割路径330切割封装胶体及基片模块片30，也加速刀具的磨损，相对降低了切割精度，增加了更换刀具的成本与时间，导致整体工序成本难以降低，从而降低了产业竞争力。
因此，如何解决上述现有技术的问题，提供一种可简化工序、无须使用水刀或激光切割、可缩短工序时间、减缓刀具磨损、降低制造成本的存储卡半导体封装件的制法及结构，已成为目前业界亟待解决的问题。
发明内容
为克服上述现有技术的缺点，本发明的主要目的在于提供一种可简化工序的存储卡半导体封装件的制法及结构。
本发明的另一目的在于提供一种降低制造成本的存储卡半导体封装件的制法及结构。
本发明的次一目的在于提供一种可减缓刀具磨损的存储卡半导体封装件的制法及结构。
本发明的再一目的在于提供一种可缩短工序时间的存储卡半导体封装件的制法及结构。
本发明的又一目的是在提供一种无须使用水刀或激光切割的存储卡半导体封装件的制法及结构。
为实现上述及其它目的，本发明存储卡半导体封装件的制法包括提供多个存储卡形状的基片单元的基片模块片，各该基片单元以第一连接部连接至该基片模块片，相邻的基片单元以第二连接部相连；提供至少一芯片电性连接在该基片单元；在各该存储卡形状的基片单元上形成与存储卡形状相同且包覆该芯片的封装胶体，并形成切割线；以及沿该切割线进行切割，制成预定形状的存储卡半导体封装件。
本发明还提供一种存储卡半导体封装件的结构，该存储卡半导体封装件的结构包括基片单元，呈存储卡形状；至少一芯片，电性连接到该基片单元；以及封装胶体，与存储卡形状相同，且形成于各该存储卡形状的基片单元上，并包覆该芯片。
该存储卡形状的基片单元与预定形状的存储卡半导体封装件形状相同。该存储卡半导体封装件是Micro-SD或MMC-Micro封装件。该连接部是连接杆(Connecting Bar)。该芯片以倒装芯片或打线方式电性连接到该存储卡形状基片单元。该封装胶体采用与存储卡形状相同的模具进行模压形成。该基片模块片的多条存储卡形状的基片单元可呈多排的排列结构。该模具每一边都大于该基片单元0.5至0.8mm，其中该模具每一边都大于该基片单元0.5mm较佳。
本发明提供的存储卡半导体封装件的制法及结构将存储卡不规则外型(MMC Micro)在基片上以模压方式直接成形，不用切割不规则形状胶体即可制成预定形状的存储卡半导体封装件，与现有技术相比，本发明无须使用水刀或激光切割胶体形成不规则外型，可简化制法、减缓刀具磨损、降低制造成本，从而避免采用水刀或激光切割造成胶体崩缺或胶体裂损等问题。因此，本发明提供的存储卡半导体封装件的制法及结构可解决现有技术的缺点。
图1A至图1E是本发明的存储卡半导体封装件的制法流程示意图；以及图2A至图2D是现有存储卡半导体封装件的制法流程示意图。
具体实施例方式
实施例图1A至图1E是本发明提供的半导体封装件的制法流程图。
首先，提供多条存储卡形状基片单元的基片模块片，各该基片单元以连接部相连并分别接置且电性连接至少一芯片。
如图1A所示，提供一基片模块片1，该基片模块片1具有多条存储卡形状的基片单元11、连接相邻基片单元11的第一连接部13、连接各该基片单元11至该基片模块片1的第二连接部14以及设在各该存储卡形状基片单元11的至少一芯片15。
在本实施例中，该存储卡形状的基片单元11与预定形状的存储卡半导体封装件的形状相同，该存储卡形状的基片单元11已完成线路布局，并在背面设置有多个电性端子(Terminals)(未标出)，与外部装置电性连接。该存储卡半导体封装件可以是Micro-SD或MMC-Micro封装件。该连接部13可以是连接杆(Connecting Bar)。同时，本实施例中的存储卡形状的基片单元11是两排排列结构，但在其它实施方式中该存储卡形状的基片单元11也可以是单排排列结构或其它排数的多排排列结构。
在本实施例中的芯片15是以打线方式(未标出)电性连接到该存储卡形状的基片单元11，并使该芯片15电性导接至该存储卡形状的基片单元11背面的电性端子；但是，在其它实施方式中也可利用倒装芯片或其它方式电性将该芯片15连接至该存储卡形状的基片单元11，且该芯片15的设置数量与设置位置也不以本实施例为限。另外，如果该芯片15需要搭配外接被动元件，则与此同时将所需的被动元件连接到各存储卡形状的基片单元11上的被动元件安置区(未标出)。
接着，在各该存储卡形状的基片单元11上形成与存储卡形状相同并包覆该芯片15的封装胶体17。如图1B及图1C所示，在本实施例中采用与该存储卡形状相同的模具(未标出)进行模压封装胶体17的步骤；应注意的是，该模具的每一边略大于该基片单元11约0.5至0.8mm，其中以0.5mm为较佳。同时，在此步骤中包括形成预定切割线171，该切割线171通过该第一连接部13、该第二连接部14及该封装胶体17。
最后，如图1D所示，用切割刀的切削刀具2，沿该切割线171切除连接各该存储卡形状的基片单元11的第一连接部13及第二连接部14，制成预定形状的存储卡半导体封装件。现有技术是对应各基片单元周围形成的不规则切割路径进行不规则胶体切割工作，本发明中各该存储卡形状的基片单元11仅须沿该切割线171进行水平切割，即可得到不规则形状的Micro-SD或MMC-Micro。因此，无须使用水刀、激光等工序，使制法变得简单、成本相对降低，且可避免使用水刀、激光造成的胶体崩缺或胶体裂损等问题。如图1E(图1D的平面俯视图)所示，可获得预定存储卡形状(不规则形状)的存储卡半导体封装件100。
该存储卡半导体封装件100包括存储卡形状的基片单元11、电性连接该基片单元11的至少一芯片15以及在各该存储卡形状的基片单元11上形成形状相同并包覆该芯片15的封装胶体17。该基片单元11具有第一连接部13及第二连接部14。该存储卡半导体封装件100还包括通过该第一连接部13、该第二连接部14及该封装胶体17的切割线171。
本发明提供的存储卡半导体封装件的制法是将存储卡不规则外型(MMC Micro)在基片上以模压方式直接成形，不用切割不规则形状胶体即可制成预定形状的存储卡半导体封装件，与现有技术相比，本发明无须使用水刀或激光切割胶体形成不规则外型，可简化制法、减缓刀具磨损、降低制造成本，从而避免采用水刀或激光切割造成胶体崩缺或胶体裂损等问题。因此，本发明提供的存储卡半导体封装件的制法及结构解决了现有技术的缺点。
权利要求
1.一种存储卡半导体封装件的制法，其特征在于，该存储卡半导体封装件的制法包括提供多个存储卡形状的基片单元的基片模块片，各该基片单元以第一连接部连接至该基片模块片，相邻的基片单元以第二连接部相连；提供至少一芯片电性连接在该基片单元；在各该存储卡形状的基片单元上形成与存储卡形状相同且包覆该芯片的封装胶体，并形成切割线；以及沿该切割线进行切割，制成预定形状的存储卡半导体封装件。
2.如权利要求1所述的存储卡半导体封装件的制法，其特征在于，该封装胶体形状略大于该基片单元尺寸，能够包覆该基片单元。
3.如权利要求1所述的存储卡半导体封装件的制法，其特征在于，该存储卡形状的基片单元与预定形状的存储卡半导体封装件形状相同。
4.如权利要求1所述的存储卡半导体封装件的制法，其特征在于，该存储卡半导体封装件是Micro-SD或MMC-Micro封装件。
5.如权利要求1所述的存储卡半导体封装件的制法，其特征在于，该第一连接部及该第二连接部是连接杆。
6.如权利要求1所述的存储卡半导体封装件的制法，其特征在于，该存储卡半导体封装件的制法包括采用与存储卡形状的基片单元断面形状相同的模具进行模压封装胶体的步骤。
7.如权利要求6所述的存储卡半导体封装件的制法，其特征在于，该模具的每一边大于该基片单元0.5至0.8mm。
8.如权利要求6所述的存储卡半导体封装件的制法，其特征在于，该模具的每一边大于该基片单元0.5mm。
9.如权利要求1所述的存储卡半导体封装件的制法，其特征在于，该切割线通过该第一连接部、该第二连接部及该封装胶体。
10.一种存储卡半导体封装件的结构，其特征在于，该存储卡半导体封装件的结构包括基片单元，呈存储卡形状；至少一芯片，电性连接到该基片单元；以及封装胶体，与存储卡形状相同，且形成于各该存储卡形状的基片单元上，并包覆该芯片。
11.如权利要求10所述的存储卡半导体封装件的结构，其特征在于，该基片单元具有第一连接部及第二连接部.
12.如权利要求11所述的存储卡半导体封装件的结构，其特征在于，该第一连接部及该第二连接部是连接杆。
13.如权利要求10所述的存储卡半导体封装件的结构，其特征在于，存储卡形状的基片单元具有与预定形状的存储卡半导体封装件相同的形状。
14.如权利要求10所述的存储卡半导体封装件的结构，其特征在于，该存储卡半导体封装件是Micro-SD或MMC-Micro封装件。
全文摘要
本发明公开一种存储卡半导体封装件的制法及结构，该存储卡半导体封装件的制法首先提供多个存储卡形状的基片单元的基片模块片，各该基片单元以连接部相连并分别接置，且电性连接至少一芯片；然后，在各该呈存储卡形状的基片单元上，形成相同形状并包覆该芯片的封装胶体；最后，切除连接各该存储卡形状基片单元的连接部，制成预定形状的半导体封装件，本发明的存储卡半导体封装件的制法及结构简化工序步骤、减缓刀具磨损，并且无须使用水刀或激光切割，从而克服现有技术的缺点。
文档编号G06K19/077GK101079116SQ20061008265
公开日2007年11月28日 申请日期2006年5月24日 优先权日2006年5月24日
发明者陈建志, 王忠宝, 顾永川 申请人:矽品精密工业股份有限公司