磁盘用玻璃基板、磁盘的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及磁盘用玻璃基板和磁盘。
【背景技术】
[0002] 如今，在个人计算机或DVD(Digital Versatile Disc)记录装置等中内置有用于 记录数据的硬盘装置（HDD :Hard Disk Drive)。特别是在笔记本型个人计算机等以移动性 为前提的设备中使用的硬盘装置中，使用在玻璃基板上设置有磁记录层的磁盘，利用在磁 盘的面上方略微悬浮的磁头对磁记录层记录或读取磁记录信息。作为该磁盘的基板，由于 具有比金属基板（铝基板）等更难以发生塑性变形的性质，因而优选使用玻璃基板。
[0003] 另外，应增大硬盘装置中存储容量的要求，寻求磁记录的高密度化。例如使用垂直 磁记录方式进行磁记录信息区域（记录位（bit))的微细化，在垂直磁记录方式中，使磁记 录层中的磁化方向相对于基板的面为垂直方向。垂直磁记录方式的磁盘在金属基板或玻璃 基板上依次成膜有例如附着层、软磁性层（SUL:Soft Under Layer)、基底层、磁记录层、保 护层、润滑层等。通过采取垂直磁记录方式，可以增大1张盘片基板中的存储容量。进一 步，为了进一步增大存储容量，还进行通过使磁头的记录再现元件部更加突出，从而极大地 缩短其与磁记录层之间的距离，进一步提高信息的记录再现精度（提高S/N比）。另外，这 种磁头的记录再现元件部的控制被称作DFH(Dynamic Flying Height:动态飞行高度）控 制机构，配备该控制机构的磁头被称作Di7H头。与这种Di7H头组合用于HDD的磁盘用玻璃 基板为了避免与磁头或从磁头进一步突出的记录再现元件部之间的碰撞和接触，按照使基 板的表面凹凸极小的方式进行制作。
[0004] 另一方面，已知有，磁盘用玻璃基板的表面形状对在基板上成膜的磁记录层中的 磁性粒的特定的晶面，例如Co(002)面或Ru(002)面的晶体取向方差（Λ Θ 50 ;晶体相对于 垂直方向的偏差）产生影响。Δ Θ 50被计算为如下情况中的峰值的半值宽度，S卩，使用X-射 线衍射装置进行Θ/2 Θ的测定，从磁记录层的晶面的峰值顶起测定2 Θ值，将2 Θ固定并 进行了 Θ扫描。该晶体取向方差△ Θ 50是表示易磁化轴的方差的指标，该值越小越优选。 通过改善Λ Θ50(使其接近零），能够使磁特性良好，并提高信噪比（SNR)，因此，能够进一 步提高记录密度。
[0005] 关于晶体取向方差（Δ Θ 50)，在对比文件1中记载了如下的磁盘用玻璃基板：以 提高磁记录层的晶体取向方差（△ Θ 50)以及提高SNR为目的，并不是以表面粗糙度Ra为 基准，而是使方均根倾斜角的值成为规定值以下（例如为5度以下，更优选为3度以下）。
[0006] 此外，在对比文件2中记载了设表面粗糙度Ra满足Ra < 0. 15nm，并且使平均倾 斜角为2度以下的磁盘用玻璃基板。通过采用该基板，能够降低Λ Θ 50从而降低介质噪声 (使用130Gbpsi相当的TMR头，按照825kbpi的线记录密度来评价）。另外，在线记录密度 为825kbpi的情况下，记录位长度（以下，表示基于线记录密度的计算值）在30nm程度。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 【专利文献I】日本特开2009-140584号
[0010] 【专利文献2】日本特开2008-293552号
【发明内容】
[0011] 发明所要解决的问题
[0012] 另外，本发明人获知：当如上述各对比文件所述，使用使磁盘用玻璃基板（以下， 简称作"基板"）的主表面的表面粗糙度或主表面的方均根倾斜角（或者，平均倾斜角）的 值成为规定值以下的基板制作了磁盘时，虽然使主表面的表面粗糙度或方均根倾斜角的值 足够小，并使Δ Θ 50足够小，但是，有时对于被高记录密度化的磁盘而言，再现信号的SNR 未必能提高。也就是说获知，虽然随着基板的主表面的表面粗糙度或方均根倾斜角的值降 低到某种程度，在该基板的基础上制作出的磁盘的再现信号的SNR变得良好，但是，即使比 该程度进一步降低主表面的表面粗糙度或方均根倾斜角，有时磁盘的再现信号的SNR也不 会提尚。
[0013] 近年来，例如，为了实现例如2. 5英寸尺寸且600GB/P以上的高记录密度，磁头的 记录再现元件部的突出量增加，与磁盘之间的间隙变得极小，结果能够进行利用比以往更 高的高记录密度的写入。今后，认为磁盘的进一步的高记录密度化将得到发展，并认为来自 被高记录密度化的磁盘的再现信号的SNR的提高变成更重要的要素。
[0014] 因此，本发明的目的在于提供能够使比以往被更高记录密度化的磁盘的再现信号 的SNR提高的磁盘用玻璃基板和磁盘。
[0015] 用于解决问题的手段
[0016] 本申请的发明人为了明了虽然充分缩小了主表面的表面粗糙度或主表面的方均 根倾斜角（或者平均倾斜角）的值，但却没有看到被高记录密度化的磁盘的SNR的提高的 原因，详细调查了各种基板的主表面的表面性状。结果得知，有时即使主表面的表面粗糙度 或主表面的方均根倾斜角（或者，平均倾斜角）的值在相同程度，磁盘的再现信号的SNR也 不同。
[0017] 因此，关于各种基板的表面形状，在并不着眼于主表面的倾斜角的平均值（方均 根倾斜角或平均倾斜角），而是着眼于各个斜率的值时，可知对于被高记录密度化的磁盘的 SNR表现出相对低的倾向的基板的主表面，规定值以上的微小间隔的斜率的频次高。另外， 斜率是指例如在基板的主表面上的表面性状中，采用了主表面上的规定的微小间隔的2点 的情况下，将该2点中的高度的变化量除以微小间隔的长度而得到的值。
[0018] 本申请的发明人对于在由于主表面的斜率的偏差而使得局部地存在大斜率的情 况下磁盘的SNR不提高的理由，进行了以下的考察。
[0019] S卩，可认为当在基板的主表面存在大斜率时，形成在存在该大斜率的基板上的位 置的正上方的磁记录层的晶体取向方向相对于垂直方向大幅倾斜，或者，晶体不会恰当地 外延生长而变成缺陷，但是，认为该问题在以往的记录位长度（例如，上述的30nm左右）的 情况下，不会作为再现噪声而变得显著。参照图1对该点进行说明。图1是用于说明在记 录位长度长的情况（Cl)和记录位长度短的情况（C2)下的、基板上存在大斜率的部位的情 况的影响的图。如图1的Cl所示，在记录位长度长的情况下，可以推断即使是在基板上为 大斜率的位置的正上方存在相对于垂直方向大幅倾斜或者变成缺陷的磁性粒的情况下，由 于包含在1个记录位长度中的其他许多磁性粒形成了正确的磁场，因此，整体上能读出正 确的信号，不会给信号质量造成影响。
[0020] 另一方面，如图1的C2所示，当由于高记录密度化使得记录位长度变短时，在基板 上为大斜率的位置的正上方存在相对于垂直方向大幅倾斜或者变成缺陷的磁性粒的情况 下，该磁性粒带来的影响相对增高，来自包含该磁性粒的区域的再现信号不再正确（也就 是说，变成噪声）的可能性增高。也就是说，可以推断在记录位长度短的情况下，由于在基 板的主表面局部地存在大斜率，造成磁盘的SNR得不到提高。可认为磁盘的SNR得不到提 高这一问题通过以例如2000kbpi以上的线记录密度（例如，大概12. 70nm以下的记录位长 度）进行记录而首次变得明显。尤其是对于被高记录密度化的磁盘，由于记录位长度变得 极短，因此上述问题变得明显。
[0021] 另外，本申请的发明人对在被高记录密度化的磁盘的再现信号的SNR中产生了差 异的磁盘的Δ Θ 50进行了比较，没有发现明显的差异。整体上来看对SNR造成影响的大斜 率的基板上的部位少，因此，可认为在计算Δ Θ 50时，没有通过X-射线衍射装置检测出。也 就是说，可认为虽然Λ Θ 50是通过X-射线衍射装置观察到的峰值的半值宽度，但是，这只 不过是表示易磁化轴的偏差的一个指标，例如即使是相同的半值宽度，根据X-射线强度低 的区域中的Θ的扩展度的宽窄，易磁化轴的偏差也会不同。
[0022] 本申请的发明人认为，在基板的主表面局部地存在大斜率的情况下，作为以往再 现噪声不明显的理由，还由于附着层以及SUL的合计膜厚（也就是说，非晶态层的膜厚） 大。参照图2对该点进行说明。图2是用于说明在基板与磁记录层之间的膜厚厚的情况 (Cl)和膜厚薄的情况（C2)下的基板上存在大斜率的部位的情况的影响的图。
[0023] 以往，可认为由于通过溅射等成膜的附着层（例如，CrTi)或SUL(例如，FeCoTaZr) 等非晶态金属层的合计膜厚比较大（例如，在50nm左右以上），因此，存在如下的效果：即 使在基板上局部地存在为大斜率的不规整部位的情况下，在成膜后对于该不规整部位，非 晶态金属的膜也会对基板上的不规整部位进行调整（也就是说，降低斜率），由此，磁记录 层中的磁性粒的晶体的取向变得良好（图2的Cl)。
[0024] 但是，近年来，以降低由SUL自身的磁性引起的噪声为目的，进行了例如将SUL薄 膜化成30nm以下的程度等，降低基板上的不规整部位的斜率的效果变弱（图2的C2)。因 此，磁盘的SNR得不到提高这一上述问题变得更明显。
[0025] 本发明的发明人根据上述考察，进行了深刻研宄，结果发现，通过在磁盘用玻璃基 板的主表面的表面性状中，限制规定值以上的斜率的频次，能够解决上述问题，从而完成了 发明。
[0026] 更具体而言，本发明的第1观点是一种磁盘用玻璃基板，所述磁盘用玻璃基板的 特征在于，在以IOnm的间隔取得了主表面的斜率的样本的情况下，斜率的平方的平均值在 0. 0025以下、且斜率的平方的值在0. 004以上的频次在15%以下。
[0027] 上述磁盘用玻璃基板优选为上述斜率的平方的值在0. 004以上的频次在10%以 下。
[0028] 上述磁盘用玻璃基板优选为非晶态玻璃。
[0029] 上述磁盘用玻璃基板优选为由玻璃化温度在650°C以上的玻璃构成。
[0030] 上述磁盘用玻璃基板优选为所述主表面的算术平均粗糙度Ra在0. 15nm以下。
[0031] 本发明的第2观点是一种磁盘，所述磁盘