多个物理删除单元，该编程方法包括: 接收至少一第一写入指令；以及 根据该至少一第一写入指令从该些物理删除单元中选择一第一物理删除单元并且发送一第一跳跃写入指令序列，其中该第一跳跃写入指令序列指示执行一第一跳跃编程程序， 其中该第一跳跃编程程序包括: 根据对应于该至少一第一写入指令的一第一数据来编程该第一物理删除单元的多条字符线中的一第一字符线；以及 在该第一字符线被编程之后，跳过该第一物理删除单元的该些字符线中与该第一字符线相邻的至少一第二字符线而根据该第一数据来编程该第一物理删除单元的该些字符线中不与该第一字符线相邻的一第三字符线。2.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，该第一物理删除单元包括M+1条字符线，该第一字符线是该M+1条字符线中的第N条字符线，该至少一第二字符线是该M+1条字符线中的第N+1条字符线，并且该第三字符线是该M+1条字符线中的第N+2条字符线，其中M与N是正整数。3.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，还包括: 判断该第一数据的一数据大小是否超过该第一物理删除单元的一可用大小，其中该第一物理删除单元的该可用大小小于或等于该第一物理删除单元的一总存储空间的大小的1/P，且P是大于I的整数；以及 若该第一数据的该数据大小超过该第一物理删除单元的该可用大小，从该些物理删除单元中选择一第二物理删除单元， 其中该第一跳跃编程程序还包括: 根据该第一数据来编程该第二物理删除单元的该些字符线中的一第四字符线；以及 在该第四字符线被编程之后，跳过该第二物理删除单元的该些字符线中与该第四字符线相邻的至少一第五字符线而根据该第一数据来编程该第二物理删除单元的该些字符线中不与该第四字符线相邻的一第六字符线。4.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，还包括: 在接收到该至少一第一写入指令之后，接收至少一第二写入指令； 根据该至少一第二写入指令从该些物理删除单元中选择一第三物理删除单元并且发送一第二跳跃写入指令序列，其中该第二跳跃写入指令序列指示执行一第二跳跃编程程序， 其中该第二跳跃编程程序包括: 跳过该第三物理删除单元的该些字符线中的第一字符线而根据对应于该至少一第二写入指令的一第二数据来编程该第三物理删除单元的该些字符线中的第二字符线；以及 在该第二字符线被编程之后，跳过该第三物理删除单元的该些字符线中的第三字符线而根据该第二数据来编程该第三物理删除单元的该些字符线中不与被编程的该第二字符线相邻的一第七字符线。5.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，还包括: 判断该可复写式非易失性存储器模块的一目前状态是否符合至少一第一条件，其中该第一跳跃写入指令序列是在判定该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态符合该至少一第一条件之后发送；以及 若该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态不符合该第一条件，发送一正常写入指令序列，其中该正常写入指令序列指示执行一正常编程程序， 其中该正常编程程序包括: 根据该第一数据来编程该第一字符线；以及 在该第一字符线被编程之后，根据该第一数据来编程该至少一第二字符线。6.根据权利要求5所述的编程方法，其特征在于，判断该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态是否符合该至少一第一条件的步骤包括: 判断该第一物理删除单元的一使用程度是否达到一预设程度。7.根据权利要求5所述的编程方法，其特征在于，判断该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态是否符合该至少一第一条件的步骤包括: 判断该可复写式非易失性存储器模块是否已经经过一高温工序的处理。8.根据权利要求5所述的编程方法，其特征在于，判断该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态是否符合该至少一第一条件的步骤包括: 判断该可复写式非易失性存储器模块的一第一存储区的一总可用大小是否小于该第一数据的一数据大小，其中该第一存储区的该总可用空间的一大小小于或等于该第一存储区的一第一存储区的一总存储空间的大小的1/P，其中P为大于I的整数。9.根据权利要求1或5所述的编程方法，其特征在于，还包括: 在接收到该至少一第一写入指令之后，接收至少一第二写入指令； 判断该第一跳跃编程程序是使用一第一跳跃规则或一第二跳跃规则； 若该第一跳跃编程程序是使用该第一跳跃规则，则指示在对应于该至少一第二写入指令的一第二跳跃编程程序中使用该第二跳跃规则；以及 若该第一跳跃编程程序是使用该第二跳跃规则，则指示在该第二跳跃编程程序中使用该第一跳跃规则。10.根据权利要求9所述的编程方法，其特征在于，该可复写式非易失性存储器模块包括一第一存储区与一第二存储区，该第一跳跃编程程序或该第二跳跃编程程序仅使用于该第一存储区。11.根据权利要求10所述的编程方法，其特征在于，还包括: 将存储于该第一物理删除单元中的该第一数据复制到该些物理删除单元中的一第四物理删除单元。12.根据权利要求11所述的编程方法，其特征在于，该第一物理删除单元属于该第一存储区，该第四物理删除单元属于该第二存储区，该第一存储区使用一第二编程模式，并且该第二存储区使用一第一编程模式。13.根据权利要求9所述的编程方法，其特征在于，该可复写式非易失性存储器模块包括一第一存储区与一第二存储区，该第一跳跃编程程序或该第二跳跃编程程序仅使用于该第二存储区。14.一种存储器存储装置，其特征在于，包括: 一连接接口单元，用以耦接至一主机系统； 一可复写式非易失性存储器模块，包括多个物理删除单元；以及一存储器控制电路单元，耦接至该连接接口单元与该可复写式非易失性存储器模块，其中该存储器控制电路单元用以接收至少一第一写入指令；以及其中该存储器控制电路单元还用以根据该至少一第一写入指令从该些物理删除单元中选择一第一物理删除单元并且发送一第一跳跃写入指令序列，其中该第一跳跃写入指令序列指示执行一第一跳跃编程程序， 其中该第一跳跃编程程序包括: 根据对应于该至少一第一写入指令的一第一数据来编程该第一物理删除单元的多条字符线中的一第一字符线；以及 在该第一字符线被编程之后，跳过该第一物理删除单元的该些字符线中与该第一字符线相邻的至少一第二字符线而根据该第一数据来编程该第一物理删除单元的该些字符线中不与该第一字符线相邻的一第三字符线。15.根据权利要求14所述的存储器存储装置，其特征在于，该第一物理删除单元包括M+1条字符线，该第一字符线是该M+1条字符线中的第N条字符线，该至少一第二字符线是该M+1条字符线中的第N+1条字符线，并且该第三字符线是该M+1条字符线中的第N+2条字符线，其中M与N是正整数。16.根据权利要求14所述的存储器存储装置，其特征在于，该存储器控制电路单元还用以判断该第一数据的一数据大小是否超过该第一物理删除单元的一可用大小，其中该第一物理删除单元的该可用大小小于或等于该第一物理删除单元的一总存储空间的大小的1/P，且P是大于I的整数， 其中若该第一数据的该数据大小超过该第一物理删除单元的该可用大小，该存储器控制电路单元还用以从该些物理删除单元中选择一第二物理删除单元， 其中该第一跳跃编程程序还包括: 根据该第一数据来编程该第二物理删除单元的该些字符线中的一第四字符线；以及在该第四字符线被编程之后，跳过该第二物理删除单元的该些字符线中与该第四字符线相邻的至少一第五字符线而根据该第一数据来编程该第二物理删除单元的该些字符线中不与该第四字符线相邻的一第六字符线。17.根据权利要求14所述的存储器存储装置，其特征在于，该存储器控制电路单元还用以在接收到该至少一第一写入指令之后，接收至少一第二写入指令， 其中该存储器控制电路单元还用以根据该至少一第二写入指令从该些物理删除单元中选择一第三物理删除单元并且发送一第二跳跃写入指令序列，其中该第二跳跃写入指令序列指示执行一第二跳跃编程程序， 其中该第二跳跃编程程序包括: 跳过该第三物理删除单元的该些字符线中的第一字符线而根据对应于该至少一第二写入指令的一第二数据来编程该第三物理删除单元的该些字符线中的第二字符线；以及在该第二字符线被编程之后，跳过该第三物理删除单元的该些字符线中的第三字符线而根据该第二数据来编程该第三物理删除单元的该些字符线中不与被编程的该第二字符线相邻的一第七字符线。18.根据权利要求14所述的存储器存储装置，其特征在于，该存储器控制电路单元还用以判断该可复写式非易失性存储器模块的一目前状态是否符合至少一第一条件，其中该第一跳跃写入指令序列是在判定该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态符合该至少一第一条件之后发送， 其中若该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态不符合该第一条件，该存储器控制电路单元还用以发送一正常写入指令序列，其中该正常写入指令序列指示执行一正常编程程序， 其中该正常编程程序包括: 根据该第一数据来编程该第一字符线；以及 在该第一字符线被编程之后，根据该第一数据来编程该至少一第二字符线。19.根据权利要求18所述的存储器存储装置，其特征在于，该存储器控制电路单元判断该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态是否符合该至少一第一条件的操作包括: 判断该第一物理删除单元的一使用程度是否达到一预设程度。20.根据权利要求18所述的存储器存储装置，其特征在于，该存储器控制电路单元判断该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态是否符合该至少一第一条件的操作包括: 判断该可复写式非易失性存储器模块是否已经经过一高温工序的处理。21.根据权利要求18所述的存储器存储装置，其特征在于，该存储器控制电路单元判断该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态是否符合该至少一第一条件的操作包括: 判断该可复写式非易失性存储器模块的一第一存储区的一总可用大小是否小于该第一数据的一数据大小，其中该第一存储区的该总可用空间的一大小小于或等于该第一存储区的一总存储空间的大小的l/p，其中P为大于I的整数。22.根据权利要求14或18所述的存储器存储装置，其特征在于，该存储器控制电路单元还用以在接收到该至少一第一写入指令之后，接收至少一第二写入指令， 其中该存储器控制电路单元还用以判断该第一跳跃编程程序是使用一第一跳跃规则或一第二跳跃规则， 其中若该第一跳跃编程程序是使用该第一跳跃规则，则该存储器控制电路单元还用以指示在对应于该至少一第二写入指令的一第二跳跃编程程序中使用该第二跳跃规则， 其中若该第一跳跃编程程序是使用该第二跳跃规则，则该存储器控制电路单元还用以指示在该第二跳跃编程程序中使用该第一跳跃规则。23.根据权利要求22所述的存储器存储装置，其特征在于，该可复写式非易失性存储器模块包括一第一存储区与一第二存储区，该第一跳跃编程程序或该第二跳跃编程程序仅使用于该第一存储区。24.根据权利要求23所述的存储器存储装置，其特征在于，该存储器控制电路单元还用以将存储于该第一物理删除单元中的该第一数据复制到该些物理删除单元中的一第四物理删除单元。25.根据权利要求24所述的存储器存储装置，其特征在于，该第一物理删除单元属于该第一存储区，该第四物理删除单元属于该第二存储区，该第一存储区使用一第二编程模式，并且该第二存储区使用一第一编程模式。26.根据权利要求22所述的存储器存储装置，其特征在于，该可复写式非易失性存储器模块包括一第一存储区与一第二存储区，该第一跳跃编程程序或该第二跳跃编程程序仅使用于该第二存储区。27.一种存储器控制电路单元，其特征在于，用于控制一可复写式非易失性存储器模块，其中该可复写式非易失性存储器模块包括多个物理删除单元，该存储器控制电路单元包括: 一主机接口，用以I禹接至一主机系统； 一存储器接口，用以耦接至该可复写式非易失性存储器模块；以及 一存储器管理电路，耦接至该主机接口与该存储器接口， 其中该存储器管理电路用以接收至少一第一写入指令， 其中该存储器管理电路还用以根据该至少一第一写入指令从该些物理删除单元中选择一第一物理删除单元并且发送一第一跳跃写入指令序列，其中该第一跳跃写入指令序列指示执行一第一跳跃编程程序， 其中该第一跳跃编程程序包括: 根据对应于该至少一第一写入指令的一第一数据来编程该第一物理删除单元的多条字符线中的一第一字符线；以及 在该第一字符线被编程之后，跳过该第一物理删除单元的该些字符线中与该第一字符线相邻的至少一第二字符线而根据该第一数据来编程该第一物理删除单元的该些字符线中不与该第一字符线相邻的一第三字符线。28.根据权利要求27所述的存储器控制电路单元，其特征在于，该存储器管理电路还用以在接收到该至少一第一写入指令之后，接收至少一第二写入指令， 其中该存储器管理电路还用以根据该至少一第二写入指令从该些物理删除单元中选择一第三物理删除单元并且发送一第二跳跃写入指令序列，其中该第二跳跃写入指令序列指示执行一第二跳跃编程程序， 其中该第二跳跃编程程序包括: 跳过该第三物理删除单元的该些字符线中的第一字符线而根据对应于该至少一第二写入指令的一第二数据来编程该第三物理删除单元的该些字符线中的第二字符线；以及 在该第二字符线被编程之后，跳过该第三物理删除单元的该些字符线中的第三字符线而根据该第二数据来编程该第三物理删除单元的该些字符线中不与被编程的该第二字符线相邻的一第七字符线。29.根据权利要求27所述的存储器控制电路单元，其特征在于，该存储器管理电路还用以判断该可复写式非易失性存储器模块的一目前状态是否符合至少一第一条件，其中该第一跳跃写入指令序列是在判定该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态符合该至少一第一条件之后发送， 其中若该可复写式非易失性存储器模块的该目前状态不符合该第一条件，该存储器管理电路还用以发送一正常写入指令序列，其中该正常写入指令序列指示执行一正常编程程序， 其中该正常编程程序包括: 根据该第一数据来编程该第一字符线；以及 在该第一字符线被编程之后，根据该第一数据来编程该至少一第二字符线。30.根据权利要求27或29所述的存储器控制电路单元，其特征在于，该存储器管理电路还用以在接收到该至少一第一写入指令之后，接收至少一第二写入指令， 其中该存储器管理电路还用以判断该第一跳跃编程程序是使用一第一跳跃规则或一第二跳跃规则， 其中若该第一跳跃编程程序是使用该第一跳跃规则，则该存储器管理电路还用以指示在对应于该至少一第二写入指令的一第二跳跃编程程序中使用该第二跳跃规则， 其中若该第一跳跃编程程序是使用该第二跳跃规则，则该存储器管理电路还用以指示在该第二跳跃编程程序中使用该第一跳跃规则。31.一种存储器存储装置，其特征在于，包括: 一连接接口单元，用以耦接至一主机系统； 一可复写式非易失性存储器模块，包括多个物理删除单元；以及一存储器控制电路单元，耦接至该连接接口单元与该可复写式非易失性存储器模块，其中该存储器控制电路单元使用该些物理删除单元中的一第一物理删除单元的多条字符线中的一第一字符线来存储一第一数据， 其中在使用该第一字符线之后，该存储器控制电路单元接续使用该第一物理删除单元的该些字符线中的一第三字符线来存储该第一数据， 其中该第一字符线与该第三字符线不相邻。32.根据权利要求31所述的存储器存储装置，其特征在于，该第一字符线与该第三字符线之间包括被跳过的与该第一字符线相邻的至少一第二字符线。
【专利摘要】本发明提供一种编程方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：接收第一写入指令；以及根据第一写入指令选择第一物理删除单元并且发送第一跳跃写入指令序列，其中第一跳跃写入指令序列指示执行第一跳跃编程程序，其中第一跳跃编程程序包括：将第一数据编程至第一物理删除单元的第一字符线；以及在第一字符线被编程之后，跳过与第一字符线相邻的第二字符线而将第一数据编程至不与第一字符线相邻的第三字符线。本发明可减少因编程相邻的字符线所产生的错误。
【IPC分类】G11C16/10
【公开号】CN105513635
【申请号】CN201410489706
【发明人】林纬, 刘建业
【申请人】群联电子股份有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年9月23日