信息存储应用技术
  • 二位磁阻随机存取存储器单元的制作方法
    .本发明涉及电气、电子和计算机领域。具体而言,本公开涉及具有三个晶体管的二位(two-bit)磁阻随机存取存储器(mram)单元及其制造方法。.mram是一种用于计算机和其它电子设备中以存储数据的非易失性存储器。与将数据存储为电荷或电流(例如,使用电容器)的常规读取存取存储器(例如,动态读...
  • 一种9T2M的nvSRAM单元、模式切换电路以及非易失性存储电路
    一种tm的nvsram单元、模式切换电路以及非易失性存储电路.本发明属于集成电路,具体涉及一种tm的nvsram单元、一种模式切换电路、一种非易失性存储电路及其芯片。.近年来,随着物联网和可穿戴设备的快速发展和广泛应用,物联网芯片的需求正在不断增长。而可穿戴设备和物联网设备...
  • 一种广播测试电路和广播测试方法与流程
    .本公开涉及芯片测试,尤其涉及一种广播测试电路和广播测试方法。.对于芯片而言,以动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,dram)为例,其中通常设置有冗余存储单元,这些冗余存储单元可以在dram产生缺陷存储单元时替换缺陷存储单元以达到修复dra...
  • 延迟检测方法、电子设备和存储介质与流程
    .本申请实施例涉及语音识别,特别是涉及一种延迟检测方法、电子设备和存储介质。.世界各地关于语音技术的技术发展十分迅猛,大多数企业对于声音的延迟要求十分之高,因此对于声音的延迟和处理,大多数企业都会做出相对应的工具去计算延迟和处理延迟,让声音数据在全链路中的每个节点都做到最低延迟,有...
  • 一种仿真测试中闪存地址管理方法、装置、设备及介质与流程
    .本发明涉及闪存测试领域,尤其是涉及一种仿真测试中闪存地址管理方法、装置、设备及介质。.nandflash(闪存)是一种非易失性随机访问存储介质,具有读写速度快,使用周期长,数据存储稳定等优点。针对nandflash的物理地址访问,通常是通过lba(logicalblockaddr...
  • 一种测试LPDDR4颗粒的系统及方法与流程
    一种测试lpddr颗粒的系统及方法.本发明涉及芯片测试,尤其是一种测试lpddr颗粒的系统及方法。.lpddr芯片有不同封装的颗粒,包括双通道设计与四通道设计,双通道的lpddr颗粒有ab两个独立通道,四通道的lpddr颗粒有abcd四个独立的通道。所有的lpddr颗粒都需...
  • 闪存检测方法、电子设备和存储介质与流程
    .本发明涉及存储器,特别涉及闪存检测方法、电子设备和存储介质。.闪存(flashmemory)是一种半导体非易失存储器,随着flash工艺的进步,出现了越来越多的闪存产品。dnandflash(dnand闪存)是新一代的存储产品。dnandflash通过将其阀值电压区间...
  • 有符号位的SRAM多值单元及存算一体芯片
    有符号位的sram多值单元及存算一体芯片.本发明涉及集成电路设计,尤其涉及一种有符号位的sram多值单元及存算一体芯片。.随着现代计算机相关应用逐年增加的数据计算量,传统存储与计算分离的冯诺依曼架构已经不能够满足以神经网络为代表的巨大参数量应用的高算力需求。为解决存储与计算...
  • 基于下交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路、模块
    基于下交叉耦合的自适应关断型sram灵敏放大器电路、模块.本发明涉及集成电路,更具体的,涉及基于下交叉耦合的自适应关断型sram灵敏放大器电路,以及基于该电路设计的灵敏放大器模块。.cmos工艺尺寸的不断缩小使得大尺寸高密度存储成为可能,然而大尺寸高密度存储使得同一条位线上...
  • 一种磁盘装置用悬架的底板、磁盘装置用悬架和磁盘装置的制作方法
    一种磁盘装置用悬架的底板、磁盘装置用悬架和磁盘装置.交叉引用(参考相关申请).本申请基于年月日在日本提交的在先申请(日本专利申请第-号),享有该在先申请中描述的所有事项的优先权,和与所述优选权相伴的利益。.本发明涉及磁盘装置用悬架底板、磁盘装置用悬架和磁盘装置。.硬盘装置(hdd)...
  • 存内计算装置、神经网络加速器、电子设备
    .本公开涉及集成电路,尤其涉及一种存内计算装置、神经网络加速器、电子设备。.随着人工智能、物联网、大数据等技术的蓬勃发展和广泛应用,数据的计算和存储的需求呈指数增长趋势。如图所示,传统的冯·诺依曼架构为了维持计算的通用性和控制的灵活性,将数据的存储和计算分离。数据在存储器和处理器之...
  • 提高SLCNANDFLASH存储器重读效率及准确性的方法与流程
    flash后,每个页面内的物理数据中bit和bit的数量相等,当外界的一些干扰引入时,页面内的电子分布会出现偏移,采用默认电压去读取会失败,当出现slc读取失败时,不再遍历nandflash厂商提供的重读表,直接根据ldpc解码时得到的物理bit数量,使用集合特征命令来针对性的往左或往右偏移读取...
  • 硬盘可靠性诊断方法、装置、计算机设备和存储介质与流程
    .本申请涉及硬盘诊断,特别是涉及一种硬盘可靠性诊断方法、装置、计算机设备和存储介质。.硬盘作为一种精密的存储设备,在生产过程中会因为灰尘、静电、磁场污染、硬盘清洗泵污染等各种污染导致硬盘出现隐藏很深并且不易被发现的故障,常规硬盘诊断测试方法无法发现此类隐患故障。.常规硬盘诊断方法为...
  • 芯片测试数据的存储方法、装置、电子设备及存储介质与流程
    .本发明涉及半导体测试,具体而言,涉及芯片测试数据的存储方法、装置、电子设备及存储介质。.随着芯片越来越多的被使用,市场上也涌现了越来越多的芯片测试厂家和芯片数据分析厂家。芯片测试厂家对芯片进行测试后以各自的存储格式存储测试结果,并将存储的测试结果提交给芯片数据分析厂家,以对芯片的...
  • .本公开涉及包含半导体装置中的裸片的设备和方法。.双重互锁存储单元(裸片)锁存器用于存储关键数据且抵抗可能由辐射,例如软错误引起的数据错误。.裸片锁存器可具有包含许多晶体管的复杂电路设计。然而,包含于裸片锁存器中的晶体管越多,电路就变得越大,在半导体裸片上耗用的面积也就越大。当半导体装置,...
  • 用于NAND闪速存储器的预软解码跟踪的系统和方法与流程
    用于nand闪速存储器的预软解码跟踪的系统和方法.本布置一般地涉及用于执行闪速存储器的操作的系统和方法,更具体地涉及用于基于软读取样本确定最优读取参考电压以提高软解码可靠性的系统和方法。.随着计算设备的数量和类型不断增加,对此类设备所使用的存储器的要求也在不断增加。存储器包括易失性...
  • 基于FPGA的DDR3多端口读写存储管理方法与流程
    基于fpga的ddr多端口读写存储管理方法.本发明涉及人工智能领域,特别涉及一种基于fpga的ddr多端口读写存储管理方法。.ddr(doubledataratesdram,双倍速率同步动态随机存储器)控制器通常具有多个端口,每个端口都连接了一个主设备,当主设备访问ddr时,...
  • 芯片内置Flash存储器自检方法、装置和计算机设备与流程
    芯片内置flash存储器自检方法、装置和计算机设备.本发明涉及芯片测试,特别是涉及一种芯片内置flash存储器自检方法、装置、计算机设备和存储介质。.随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大,flash型存储器的用量迅速增长。为保证芯片长期可靠的工作,在产品出...
  • 电子设备的端子连接部的制作方法
    .本发明涉及一种端子连接部,该端子连接部连接电子设备的第一端子和第二端子,且例如适用于硬盘驱动器。.人们在诸如个人计算机之类的信息处理设备中使用硬盘驱动器(以下简称为磁盘装置)。磁盘驱动器包括可绕主轴旋转的磁盘、可绕枢轴转动的托架等。托架包括多个臂部,臂部通过定位马达绕枢轴旋转。.各臂部安...
  • 存储器设备及其操作方法与流程
    存储器设备及其操作方法.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.--和于年月日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.--的优先权和权益,这两件专利申请的全部内容通过引用并入本文。.本公开涉及一种存储器设备及其操作方法。.存储器设备是可以记录数...
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