信息存储应用技术
  • 存储系统的制作方法与工艺
    存储系统[相关申请]本申请享有以日本专利申请2015-178457号(申请日:2015年9月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。实施方式涉及一种具备半导体存储装置的存储系统。作为半导体存储装置,已知有NAND(NotAnd,与非)型闪速存储...
  • 基于FLASH的FPGA驱动电压产生电路及驱动方法与流程
    本发明涉及FPGA和模拟电路,特别涉及FPGA中的电压驱动电路,具体说是一种基于FLASH的FPGA的编程、读出、擦除驱动电压产生电路及驱动方法。FPGA(现场可编程门阵列)是现代通信技术、电子技术、计算机技术、自动化技术中广泛采用的重要工具。FLASH存储器是一种新型非挥发性半导体存储器...
  • 电压产生电路及半导体存储装置的制作方法
    电压产生电路及半导体存储装置[相关申请]本申请享有以日本专利申请2015-180095号(申请日:2015年9月11日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。实施方式涉及一种具备具有升压电路的电压产生电路的半导体存储装置。例如,NAND型闪速存储器等...
  • 存储系统的制作方法与工艺
    存储系统[相关申请]本申请享有以日本专利申请案2015-179872号(申请日:2015年9月11日)为基础申请案的优先权。本申请通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。本发明的实施方式涉及一种存储系统。已知有一种存储单元三维排列而成的NAND型闪速存储器。发明内容本发明的...
  • 存储器装置的制作方法
    存储器装置[相关申请]本申请享有以日本专利申请2015-180378号(申请日:2015年9月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。本发明的实施方式涉及一种存储器装置。已知有存储单元呈三维排列的NAND(NotAnd,与非)型闪存。发明内容本...
  • 位线电压转换驱动和电流测试电路的制作方法与工艺
    本发明涉及数字电路,特别涉及数字电路中的驱动和电流测试电路。FPGA(现场可编程门阵列)是现代通信技术、电子技术、计算机技术、自动化技术中广泛采用的重要工具。FLASH存储器是一种新型不挥发性半导体存储器,它结合了其它存储器的优点,具有高密度、低成本和高可靠性的特点。而基于FLASH的FP...
  • 用于可编程逻辑器件中的FLASH器件编程方法及系统与流程
    本发明涉及集成电路设计领域,尤其涉及一种用于可编程逻辑器件中的FLASH器件编程方法及系统。随着现场可编程门阵列(FPGA)的广泛应用,对FPGAFLASH编程方法的方便性提出了更高的要求。现有的FPGAFLASH编程方法有三种:板下编程,板上直接编程,板上间接编程。其中,板下编程不经过F...
  • 存储器系统的制作方法与工艺
    存储器系统相关申请案本申请案享受以日本专利申请2015-179942号(申请日:2015年9月11日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。本发明的实施方式涉及一种存储器系统。已知有存储单元呈三维排列的NAND(NotAND,与非)型闪速存储...
  • 半导体存储器件及其操作方法与流程
    半导体存储器件及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求2015年9月14日提交的申请号为10-2015-0129935的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用整体合并于此。本公开的各个实施例涉及一种电子器件,更具体而言,涉及一种半导体存储器件及其操作方法。半导体存储器件是利用诸如...
  • 非易失性存储器件及其编程方法与流程
    非易失性存储器件及其编程方法相关申请的交叉引用本申请要求2015年9月9日提交的第10-2015-0127678号韩国专利申请的优先权,其通过引用整体合并于此。本公开的各种实施例涉及一种非易失性存储器件及其编程方法,更具体地,涉及一种在编程之后具有一致的阈值电压的非易失性存储器件及其编程方...
  • 具备子区块抹除架构的存储器的制作方法与工艺
    本发明涉及高密度存储器装置,且特别涉及包含三维阵列的存储器装置。随着集成电路中装置的关键尺寸缩小至一般存储单元技术的极限,设计者已留意用于堆叠存储单元的多个平面的技术,以达到较大的存储容量及达到较低的每位成本。举例来说,Lai等人的薄膜晶体管科技已应用于电荷捕捉存储器技术,Jung等人在2...
  • 将存储器单元用作源极线下拉电路的闪速存储器系统的制作方法与工艺
    本发明涉及将伪存储器单元用作源极线下拉电路的闪速存储器装置。非易失性存储器单元是本领域众所周知的。第一种类型的现有技术非易失性存储器单元110在图1中示出。存储器单元110包括第一导电类型、例如P型的半导体衬底112。衬底112具有一表面,其上形成了第二导电类型、例如N型的第一区域(又称作...
  • EPROM单元及其制造方法、包括其的EPROM单元阵列与流程
    EPROM单元及其制造方法、包括其的EPROM单元阵列相关申请的交叉引用本申请要求于2015年9月9日提交的申请号为10-2015-0127675的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此,如同全文阐述。本发明的各种实施例涉及非易失性存储器件及其制造方法,更具体地,涉及电可编程只读...
  • 一种改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元的制作方法与工艺
    本发明涉及差分架构NVM存储器单元,具体涉及一种增加了NBTI恢复电路的差分架构P型NVM存储器单元。我们一般把存储器分为两类:一种是易失性,即存储器在系统关闭后立即失去存储在其中的信息,他需要持续的电源供应以维持数据;另一种就是非易失性,它在系统关闭或者无电源状态时仍能保留数据信息。大部...
  • 相变存储器及其数据读取及写入方法与流程
    本发明涉及一种可达到高读取/写入速率的存储器阵列架构。本发明可应用于相变存储器(Phasechangememory,PCM)架构,并可使用一双倍数据率接口达成高读取/写入速率。储存级存储器(Storageclassmemory,SCM)最近受到越来越多的关注,因为储存级存储器可改善效能并降...
  • 写入电流脉冲驱动器以及产生写入脉冲的方法与流程
    写入电流脉冲驱动器以及产生写入脉冲的方法相关申请案本申请案主张于2015年9月11日申请的美国临时专利申请案第62/217,053号的权益,所述美国临时专利申请案以全文引用的方式并入本文中。联合研究协议的合作对象国际商业机器股份有限公司(InternationalBusinessMachinesC...
  • 存储器器件及其形成方法与流程
    本发明的实施例涉及存储器器件及其形成方法。在一些方法中,存储器阵列利用逻辑电路和边缘单元以将独立存储区连接至I/O电路。每个存储区均夹在两个边缘单元之间。每个逻辑电路均夹在两个邻近的存储区之间。由于这种布置,这种存储器阵列的电路面积太大。相应地,增加了存储器阵列中的位线的长度,并且因此增加...
  • 半导体器件的制作方法与工艺
    半导体器件相关申请的交叉引用包括说明书、附图和摘要的于2015年9月11日提交的日本专利申请号2015-179683的公开内容以其整体内容通过引用并入本文。本发明涉及一种半导体器件,例如,一种具有在其中由激活字线执行数据写入和数据读取的存储器单元的半导体器件。在相关领域中,众所周知...
  • 存储系统及其操作方法与流程
    存储系统及其操作方法相关申请的交叉引用本申请主张于2015年9月10日提交的韩国专利申请第10-2015-0128307号的优先权,该申请案以全文引用的方式并入在本文中。本发明涉及电子装置,更具体地,涉及一种存储系统及其操作方法。半导体存储器件是使用例如硅(Si)、锗(Ge)、砷化...
  • 用于设置参考电压的电路和包括所述电路的半导体器件的制作方法与工艺
    用于设置参考电压的电路和包括所述电路的半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求2015年9月10日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0128235的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此,如同全文阐述。本公开的实施例涉及用于设置参考电压的电路和包括所述电路的半导体器件。...
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