信息存储应用技术
  • 半导体器件的制造方法与工艺
    本发明涉及半导体器件,特别是涉及应用于包含具备鳍片(fin)式晶体管的存储器单元、或者SOI上的存储器单元在内的半导体器件的有效技术。作为能够实现电写入、电擦除的非易失性半导体存储器件,广泛使用EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyM...
  • 单层多晶硅非易失性存储单元的制造方法与工艺
    单层多晶硅非易失性存储单元相关申请的交叉引用本申请要求2016年2月17日提交的申请号为10-2016-0018201的韩国申请的优先权,其通过引用整体合并于此。本公开的各种实施例涉及非易失性存储器件,更具体地,涉及单层多晶硅(single-poly)非易失性存储单元。众所周知的是...
  • 内容可寻址存储器芯片的制造方法与工艺
    内容可寻址存储器芯片本申请是申请日为2013年3月27日、申请人为“瑞萨电子株式会社”、发明名称为“内容可寻址存储器芯片”、申请号为201310102743.5的发明专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用2012年3月27日提交的包括说明书、附图和摘要的日本专利申请No.2012-071700的公...
  • 阻变存储装置和用于阻变存储装置的电压发生电路的制造方法
    阻变存储装置和用于阻变存储装置的电压发生电路相关申请的交叉引用本申请要求2016年2月18日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0019050的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。各种实施例总体而言可以涉及半导体集成电路器件,并且更具体地,涉及阻变存储装置和用于阻变...
  • 非易失性存储器件的编程方法与流程
    非易失性存储器件的编程方法本申请是申请日为2011年12月30日、申请号为201110453269.1、发明名称为“非易失性存储器件的编程方法”的发明专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求于2010年12月30日向韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请第2010-0138502号的...
  • 包括写辅助电路的SRAM和操作该SRAM的方法与流程
    包括写辅助电路的SRAM和操作该SRAM的方法本申请是基于2011年12月29日提交的申请号为201110449300.4、发明创造名称为“包括写辅助电路的SRAM和操作该SRAM的方法”的中国专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请在35U.S.C.§119(a)下要求于2010年12月29...
  • DDR SDRAM控制电路、DDR SDRAM芯片、PCB板及电子设备的制造方法与工艺
    DDRSDRAM控制电路、DDRSDRAM芯片、PCB板及电子设备本发明涉及集成电路,特别是涉及DDRSDRAM控制电路、DDRSDRAM芯片、PCB板及电子设备。在SOC芯片(System-on-a-Chip)应用中,对于双倍速率同步动态随机存储器(DoubleDataR...
  • 具有低电力自校正能力的嵌入式DRAM及其存取方法与流程
    具有低电力自校正能力的嵌入式DRAM及其存取方法分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2011年12月12日、申请号为201180064238.5、发明名称为“具有低电力自校正能力的嵌入式DRAM及其存取方法”的发明专利申请案。所揭示的实施例是针对于动态随机存取存储器(D...
  • 磁性隧道结(MTJ)和方法,以及使用其的磁性随机存取存储器(MRAM)与流程
    磁性隧道结(MTJ)和方法,以及使用其的磁性随机存取存储器(MRAM)分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2010年4月14日、申请号为201080016318.9、发明名称为“磁性隧道结(MTJ)和方法,以及使用其的磁性随机存取存储器(MRAM)”的发明专利申请案。本...
  • 存储系统及其操作方法与流程
    存储系统及其操作方法本申请是以下申请的分案申请:申请号:201310168094.9;申请日:2013年5月6日;发明名称:包括三维非易失性存储设备的系统及其编程方法本发明构思涉及存储系统及其操作方法。半导体存储设备根据其工作特性可以被分类为易失性和非易失性。易失性存储设备在所施加...
  • 存储器装置的制造方法
    本发明涉及存储器,尤其涉及一种具有多个存储体的存储器装置,所述存储器装置可依据一可编程延迟时间来连续地将所述多个存储体的数据输出到一共享数据总线。由于存取时延(accesslatency)的缘故,现有的存储器会采用数据寄存器(诸如先进先出寄存器(first-infirst-outregis...
  • 动态随机存取存储器装置的时脉控制方法与流程
    动态随机存取存储器装置的时脉控制方法本发明是申请日为2014年5月13日、申请号为201410200659.1、发明创造名称为动态随机存储存储器装置的电路及其时脉控制方法的发明专利申请的分案申请。本发明涉及一种时脉控制方法,尤其是关于一种动态随机存取存储器装置的时脉控制方法。现有动...
  • 半导体器件的制造方法与工艺
    半导体器件本申请是申请日为2012年2月28日、申请号为201210047806.7、名称为“半导体器件”的中国发明专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用2011年3月4日提交的日本专利申请第2011-48053号所公开全部内容(包括说明书、附图和摘要)在此通过引用并入本文。本发明涉及半导...
  • 包括选择/差分阈值电压特征的非易失性存储器感测的系统和方法与流程
    本案是申请号:201180016681.5,发明名称为:包括选择/差分阈值电压特征的非易失性存储器感测的系统和方法的分案申请。本发明涉及MOS电路的阈值电压特性,并且更具体地涉及与诸如闪速存储器阵列中的那些的MOS器件的差分阈值电压条件相关联的感测系统和方法。常规MOS系统和电路常常使用以...
  • 包含启用电路的装置及系统的制造方法
    包含启用电路的装置及系统分案申请的相关信息本案是分案申请。本案的母案是申请日为2012年5月15日、申请号为201280026184.8、发明名称为“包含启用电路的装置及系统”的发明专利申请案。本发明的实施例大体来说涉及半导体存储器,且更特定来说,描述用于双供应电压存储器的接口电路的实例。...
  • 半导体器件的制造方法与工艺
    半导体器件本申请是申请日为2012年07月18日、申请号为201210249451.X、名称为“半导体器件”的中国发明专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用2011年7月21日提交的日本专利申请第2011-159804号公开的全部内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用并入本文。本发明涉及一...
  • 具有功率节省的混合电压非易失性存储器集成电路的制造方法与工艺
    具有功率节省的混合电压非易失性存储器集成电路本申请是申请号为2012800656575、发明名称为“具有功率节省的混合电压非易失性存储器集成电路”的专利申请的分案申请。本发明涉及用于接收多个不同电压的集成电路管芯,并且更特别地其中该管芯具有节省功率的能力。使用不同电压的集成电路管芯...
  • 用于降低动态功率和峰值电流的SRAM位线和写入辅助装置与方法及双输入电平移位器与流程
    用于降低动态功率和峰值电流的SRAM位线和写入辅助装置与方法及双输入电平移位器本申请为分案申请,其原申请是于2015年5月27日(国际申请日为2012年12月27日)向中国专利局提交的专利申请,申请号为201280077340.3,发明名称为“用于降低动态功率和峰值电流的SRAM位线和写入辅助装置...
  • 本发明涉及计算机领域,特别是涉及一种基于云计算技术的便携式播放设备。目前,计算机的播放设备(包括音响和耳机等)都是头戴式、平放式结构,故携带不方便,且脱离计算机后也就无法使用。发明内容鉴于以上所述现有技术的缺陷和各种不足之处,本发明要解决的技术问题在于提供一种基于云计算技术的便携式播放设备...
  • 用于从混合音频记录选择性去除音频内容的系统和方法与流程
    用于从混合音频记录选择性去除音频内容的系统和方法本申请是分案申请,原案的国家申请号是201380040395.1,申请日是2013年6月10日,发明名称是“用于从混合音频记录选择性去除音频内容的系统和方法”。相关申请的交叉引用本申请要求于2012年6月18日提交的名为“SYSTEMANDMETHO...
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