有机半导体的溶剂混合物的制作方法

专利名称：：有机半导体的溶剂混合物的制作方法有机半导体的溶剂混合物在最广义上可归于电子工业的许多不同应用中，使用有机半导体作为功能材料已经成为现实有一段时间了，或在不久的将来能预期使用有机半导体作为功能材料。在研究阶段，有机晶体管(O-TFTs、O-FETs)、有机集成电路(O-ICs)、有机场猝熄器件(O-FQDs)、有机发光晶体管(O-LFTs)、发光电化学电池(LECs)和有机太阳能电池(O-SCs)已经研制了很长的时间，意谓着可以预期在今后几年之内引入市场。在有机电致发光器件(OLEDs、PLEDs)情况下，已经引入了市场。尽管取得了这一切的进展，然而，仍需要显著的改进以使得这些显示器成为目前主导巿场的液晶显示器(LCDs)的真正竞争者。有机半导体材料的溶液，比如电荷传递聚合物和各种的发光材料，可以用于各种的印刷工艺和旋涂工艺中。目前，由于良好的可控性、能实现的溶解和显著的变异性，主要针对喷墨印刷(IJP)方法进行研究。然而，原则上，其他印刷方法比如平板印刷、转印法或凹版印刷方法同样是适合的。另一方面。通过光刻工艺也可以制造相应的彩色显示器。此处，就单色显示器而论，那么可以使用区域涂覆工艺，例如旋涂。尽管这些均具备可能性，但需要适合的溶液，一方面适合于印刷或通过区域涂覆工艺施加，另一方面同样不能损害PLEDs的性能。已经观察到，与在保护性的气氛下制造的那些有机半导体层相比较，在空气中制造的有机半导体层的电子性能更差，特别是发光效率较低和操作稳定性更差。认为在空气中存在的痕量气体例如臭氧是观察到该现象的原因。因此，暴露于50ppb臭氧中各种聚合物最大效率的比较显示，由于臭氧的影响，最大效率显著地降低。因此，显而易见认为任何类型的大气痕量气体均可对溶液的光电性能产生不良影响。因此不在保护性的气氛下进行的有机半导体层的制造方法，导致最大发光效率的降低，因此同样产生更差的显示器或光源。另一方面，在保护性的气氛下制造层要求显著更高的技术复杂性，意谓着能够在空气中制造层是切合实际的。现在令人惊讶地发现，在空气中制造层期间，向有机半导体材料溶液中加入至少一种链烯烃导致材料效率的显著改进。WO01/16251描述了一种有机半导体溶液，其中该溶剂或溶剂混合物包括至少一种萜烯和/或多烷基化的芳烃化合物。此处实施例公开了由比例为3:1的多烷基化芳族化合物和萜烯组成的溶剂混合物。具有如此高含量賠烯的混合物的重大缺点是，许多有机半导体在该溶剂混合物中不溶解，意谓着所公开的溶剂混合物可能适合于在其中使用的聚合物共混物，然而并非适合于许多其他的有机半导体。本发明涉及单相的液体组合物(溶液)，包括至少一种有机半导体，至少一种有机半导体的有机溶剂，和至少一种脂族或脂环族的链烯烃，其特征在于基于溶剂或溶剂混合物，链烯烃的比例为0.01-20wt%。对于本发明申请文本的目的，溶液是液体溶剂中固体物质的液态、均匀的混合物，其中固体为分子分散溶解形式，即大多数的固体分子实际上溶解，且并非集合体形式或纳米粒子或者微粒形式。对于本发明的目的，有机溶剂是指能通过物理手段，在溶解过程中不发生溶解或已溶解物质的化学变化的情况下，能将其他物质带入溶液的有机物质。此处在室温和大气压力下，在有机溶剂中或在有机溶剂混合物中有机半导体的溶解度优选至少1克/升、特别优选至少3克/升、特别是至少5克/升，形成清澈的可流动的溶液。对于本发明的目的，室温是2(TC,大气压力是指1013毫巴。此外本发明涉及本发明溶液在基材上制造有机半导体层中的用途。此处的优选实施方式是使用印刷方法制造有机半导体层。此处特别优选使用喷墨印刷(IJP)方法。另外的优选实施方式是使用区域涂覆工艺制造有机半导体层，特别是使用旋涂。本发明同样涉及使用本发明溶液制造的有机半导体层。此外本发明涉及有机电子器件，优选有机场效应晶体管(O-FETs)，有机薄膜晶体管(O-TFTs)，有机集成电路(O-ICs)，有机场猝熄器件(O-FQDs)，有机发光晶体管(O-LETs)，发光电化学电池(LECs)，有机太阳能电池(O-SCs)或有机激光器二极管(O-lasers)，但特别是有机和聚合发光二极管(OLEDs、PLEDs)，它们包括至少一个本发明的层。本身已知的有机半导体层已经描述于文献中。由本发明溶液在空气中制造的层与迄今为止描述的层相比较显示出改进的电子性能。特别是，与现有技术如果在空气中制造层相比较，由本发明溶液制造的层得到更高的发光效率。对于本申请的目的，有机半导体是低分子量、低聚、树枝状、直链或支链，特别是聚合有机或有机金属化合物或化合物的混合物，它们作为固体或层，具有半导体的性能，即其中导带和价带之间的能隙在1.0禾n3.5ev之间。此处使用的有机半导体或者是纯组分或是两个或多个组分的混合物，其中至少一个必须具有半导体性能。然而，在使用混合物的情况下，不必每一组份都具有半导体性能。因此，例如惰性低分子量化合物能与半导体聚合物一起使用。同样可以使用非导电聚合物，作为惰性基质或粘结剂，它们与一种或多种具有半导体性能的低分子量化合物或其他聚合物一起使用。对于本申请的目的，可能混合的非导电组份认为是指无光电活性的、惰性的、不活泼的化合物。优选聚合有机半导体的溶液，其任选包括其他混合的物质。聚合有机半导体的分子量Mw优选大于10,000g/mo1，特别优选为50,000-l,000，000g/mol，特别是100,000-500,000g/mol。对于本发明的目的，聚合有机半导体认为特别是是指如下那些(i)公开在EP0443861，WO94/20589，WO98/27136，EP1025183,WO99/24526,DE19953806和EP0964045中的取代聚对亚芳基亚乙烯基(PAVs)，它们可溶于有机溶剂，(ii)公开在EP0842208，WO00/22027,WO00/22026,DE19846767,WO00/46321，WO99/54385和WO00/55927中的取代聚芴(PFs)，它们可溶于有机溶剂中，(iii)公开在EP0707020，WO96/17036,WO97/20877，WO97/31048,WO97/39045和WO03/0207卯中的取代聚螺二荷(PSFs)，它们可溶于有机溶剂中，(iv)公开在WO92/18552,WO95/07955,EP0690086，EP0699699和WO03/099901中的取代聚对亚苯基(PPPs)或亚联苯基，它们可溶于有机溶剂中，(v)公开在WO05/014689中的取代聚二氢菲(PDHPs)，它们可溶于有机溶剂，(vi)公开在WO04/041901禾BWO04/113412中的取代聚反式茚并荷和聚顺式茚并芴(PIFs)，它们可溶于有机溶剂，(vii)公开在未公开的申请DE102004020298.2中的取代聚菲，它们可溶于有机溶剂，(viii)公开在EP1028136和WO95/05937中的取代聚噻吩(PTs)，它们可溶于有机溶剂，(ix)公开在T.Yamamoto等人的J.Am.Chem.Soc.1994，116,4832中的聚吡啶(PPys)，它们可溶于有机溶剂，(x)公开在V.Gelling等人的Polym.Prepr.2000,41，1770中的聚吡咯，它们可溶于有机溶剂，(xi)如在WO02/077060中描述的具有类别(i)-(x)的两个或多个结构单元的取代的可溶解的共聚物，(xii)公开在Proc.ofICSM'98,PartI&II(见Synth.Met.1999，101/102)中的共轭聚合物，它们可溶于有机溶剂，(xiii)例如公开在R.C.Penwell等人的J.Polym.Sci.，Macromol.Rev.1978，13，63-160中的取代和未取代的聚乙烯咔唑(PVKs)，(xiv)例如在JP2000/072722中公开的取代和未取代的三芳胺聚合物，(xv)例如公开在M.A.Abkowitz和M.Stolka，Synth.Met.1996,78,333中的取代和未取代的聚亚甲硅基和聚锗烯，和(xvi)例如公开在EP1245659，WO03/001616，WO03/018653，WO03/022908，WO03/080687,EP1311138,WO03/102109，WO04/003105,WO04/015025,DE102004032527.8和以上已经列举的一些说明书中的包括磷光单元的可溶性聚合物。此外同样优选非导电、电子惰性聚合物(母体聚合物)的溶液，所述的惰性聚合物包括混合的低分子量、低聚、树枝状、直链或支链和/或聚合有机和/或有机金属半导体。该溶液可以包括其他的例如能改变润湿性的添加剂。该类型的添加剂例如描述在WO03/019693中。本发明的溶液包括0.01-20wt%，优选0.1-15wt%，特别优选0.2-10wt%，特别是为0.25-5wt。/。的有机半导体或相应的共混物。百分数数据相对于100%的溶剂或溶剂混合物。本发明的溶液的粘度是可变的。然而，特定的涂布技术需要使用特定的粘度范围。因此，约4-25mPa.s的范围通常对于通过IJP涂覆是有利的。对于区域敷层(比如旋涂)，在约5-40mPa*S范围内的粘度可能是有利的。然而对于其他的印刷方法，例如凹版印刷方法或丝网印刷，显著更高的粘度，例如20-500mPa's范围内的粘度，同样可能产生益处。通过选择适合分子量范围的有机半导体或母体聚合物以及通过选择适合的浓度范围和选择溶剂可以调节粘度。本发明溶液的表面张力最初无限制。然而，通过使用相应的溶剂混合物，优选范围为20-60dyn/cm，特别优选为25-50dyn/cm，特别是为25-40dyn/cm。优选的溶剂是单或者多取代芳香族溶剂，特别是取代的苯、萘、联苯和吡啶。优选的取代基是烷基，它们同样可以被氟化，卤素原子，优选氯和氟，氰基，烷氧基，二垸基氨基，优选具有不超过4个C原子的那些，或同样为酯基。特别优选的取代基是氟、氯、氰基、甲氧基、乙氧基、甲基、乙基、丙基、异丙基、三氟甲基、羧酸甲酯和/或羧酸乙酯，还可存在多个不同的取代基，它们同样可以反过来彼此形成一个或多个环。然而，非芳香族溶剂，比如蚁酸衍生物，N-烷基口比咯烷二酮或高沸点醚，同样适合作为溶剂。根据本发明特别优选的溶液包括作为溶剂的一种或多种以下的溶剂，选自3-氟代三氟甲苯、三氟甲苯、二噁垸、三氟甲氧基苯、4-氟代三氟甲苯、3-氟吡啶、甲苯、2-氟代甲苯、2-氟代三氟甲苯、3-氟代甲苯、吡啶、4-氟代甲苯、2,5-二氟甲苯、l-氯代-2,4-二氟苯、2-氟吡啶、3-氯氟苯、l-氯代-2,5-二氟苯、4-氯氟苯、氯苯、2-氯氟苯、对二甲苯、间二甲苯、邻二甲苯、2，6-二甲基吡啶、2-氟代-间二甲苯、3-氟代-邻二甲苯、2-氯代三氟甲苯、二甲基甲酰胺、2-氯代-6-氟代甲苯、2-氟茴香醚、茴香醚、2,3-二甲基吡嗪、溴化苯、4-氟茴香醚、3-氟茴香醚、3-三氟甲基茴香醚、2-甲基茴香醚、苯乙醚、苯并二噁茂、4-甲基茴香醚、3-甲基茴香醚、4-氟代-3-甲基茴香醚、1，2-二氯苯、2-氟代苄腈、4-氟代藜芦醚、2,6-二甲基茴香醚、苯胺、3-氟代苄腈、2,5-二甲基茴香醚、2，4-二甲基茴香醚、苄腈、3,5-二甲基茴香醚、N,N-二甲基苯胺、l-氟代-3,5-二甲氧基苯、乙酸苯酯、N-甲基苯胺、苯甲酸甲酯、N-甲基吡咯垸酮、吗啉、1,2-二氢萘、1,2,3,4-四氢萘、3,4-二甲基茴香醚、邻苄基氰、藜芦醚、苯甲酸乙酯、N，N-二乙苯胺、苯甲酸丙酯、l-甲基萘、苯甲酸丁酯、2-甲基联苯基、2-苯基吡啶和2，2'-联甲苯。同样适合的是上述提及的溶剂与有机半导体在其中具有低的溶解度的溶剂的混合物，所述溶剂如DE102004023276.8所述，例如(环状的)脂族醇，直链、支链或环状的链垸，优选具有大于五个C原子的那些，醚，酮，羧酸酯类或单或者多取代芳香族溶剂，特别是取代苯、萘和被长烷基或烷氧基取代基取代的吡啶。此外特别适合的是其中有机半导体具有不同溶解度的多种溶剂的混合物，例如在DE102004007777.0.中描述的，其对于溶剂各自的沸点具有特定的条件。上述提及的溶剂不能认为已穷尽。本发明溶液的制备对于本领域普通技术人员而言不需要创造性的劳动即是容易可得的，即使对于此处未明确提及的其他溶剂亦如此。本发明的溶液包括_如上面描述的-至少一种有机半导体，至少一种有机半导体溶剂和至少一种链烯烃和任选的其他添加剂。本发明的溶液在溶液中包括0.01-20wt。/。的适合的链烯烃，优选0.1-10wt%，特别优选0.5-5wt。/。的链烯烃，或两种或多种链烯烃的混合物。此处链烯烃的比例基于100%的溶剂或溶剂混合物。此处对于链烯烃的沸点优选的是低于250'C，特别优选低于200'C。在较高沸点链烯烃的情况下，在成膜之后，只有在相当大的技术复杂性和困难的情况下才能被完全除去它们。对于链烯烃沸点适当的下限被认为是50'C。更低的沸点使重复制备溶液或层变得困难，因为所述链烯烃则挥发性太大。适合作为加入链烯烃的是脂环族的和脂族链烯烃。这些各自具有一个或多个双键。加入的链烯烃优选在室温下为液态，优选包括5-15个碳原子。认为加入的链烯烃与来自空气的痕量气体特别是臭氧起反应，从而清除这些痕量气体，防止与有机半导体的有害反应。因此，优选以这样一种方法选择链烯烃，使得在与臭氧反应之后，其反应产物即特别是相应的醛是挥发性的，优选包括l-10个碳原子。作为本发明溶液成分的优选的链烯烃列于以下表1中。表l:制备本发明溶液优选的链烯烃<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>从而优选的链烯烃是2，3-二甲基-2-丁烯、4-甲基-l-戊烯、2,3-二甲基-l-丁烯、1,5-己二烯、l-己烯、l-甲基-l-环戊烯、1,3-环己二烯、环己烯、反式，反式-2,4-己二烯、1,4-环己二烯、2-甲基-l-己烯、l-庚烯、2,4,4-三甲基-1-戊烯、1,7-辛二烯、l-辛烯、反式的-4-辛烯、反式的-2-辛烯、1，3-环辛二烯、苯乙烯、双茂、1，9-癸二烯、l-癸烯、l-十二烯、环十二碳烯、2,5-二甲基-2，4-己二烯、1-十三烯和顺式,反式,反式-1，5,9-环十二烷三烯。这些列出的链烯烃不能认为已穷尽。本发明溶液的制备对于本领域普通技术人员而言不需要创造性的劳动即是容易可得的，即使对于此处未明确提及的其他溶剂亦如此。也可以使用多种链烯烃的混合物。因此，在每一情况下使用两种或多种链烯烃可能是完全适当的和优选的，因为与其中仅使用一种链烯烃的情况相比较，在一些情况下这能够更加简单地实现溶液性能的最佳化。此外，除有机半导体或共混物之外，加入其他的添加剂例如在WO03/019693中描述的同样可能是适当的。为了制备该溶液，将有机半导体或共混物以希望的浓度，与希望的链烯烃或链烯烃混合物一起溶解在希望的溶剂或溶剂混合物中。为促进溶解过程，例如通过加热和/或搅拌是适当的。本发明也可以例如通过外部机械作用，例如通过描述于WO03/019694中的超声而粉碎有机半导体或母体聚合物的集合体。此外适当的是，首先将有机半导体或共混物溶解在希望的溶剂或溶剂混合物中，之后仅加入链烯烃。同样，此外在使用以前过滤溶液以使它们例如与相对小量的交联成分和/或尘粒分开，证明是适当的。虽然该溶液优选在保护性的气氛下，特别是在氮或氩气下制备，但本发明中加入链烯烃同样已导致溶液较低的空气敏感性。然而如果意欲制造电致发光器件，然而则应该在空气中进行，本发明的溶液能提供主要优点。己经发现与在空气中由现有技术溶液制造的那些相比较，在空气中由本发明溶液制造的电致发光器件显示更好的电致发光结果，特别是更高的效率。这是令人惊讶的和料想不到的结果。因此与现有技术的溶液相比较，这种溶液更适合于在空气中生产高效的电致发光器件。因此制造这些电致发光器件的技术复杂性显著地小于现有技术的复杂性，现有技术中为了高效率，需要在保护性的气氛下处理加工这些溶液。本发明申请文本特别涉及本发明的用于制造聚合发光二极管和相应显示器的溶液。尽管受限于说明书，但本领域普通技术人员在不需要另外创造性劳动的情况下，同样能够使用本发明相应的溶液用于制造其他的器件，仅仅提及一些应用，例如有机场效应晶体管(O-FETs)，有机薄膜晶体管(O-TFTs)，有机集成电路(O-ICs)，有机场猝熄器件(O-FQDs)、有机发光晶体管(O-LETs)，发光电化学电池(LECs)，有机太阳能电池(O-SCs)，有机激光器二极管(O-lasers)或有机光感受器(O-PCs)。下面参考实践实施例更详细地描述本发明，但不限制于此。实施例1-19使用的聚合物是"蓝色"共聚物，组成如下50mol%的2',3',6'，7'-四(2-甲基丁氧基)螺二芴-2，7-双硼酸乙二醇酯，30mol。/o的2,7-二溴-2'，3',6'，7'-四(2-甲基丁氧基)螺二芴，10moP/o的N，N'-双(4-溴苯基)-N,N'-双(4-叔丁基苯基)联苯胺和10mol。/。的2，3,6，7-四(2-甲基丁氧基)-2',7'-(4-溴苯乙烯基)-9，9'-螺二芴(Pl，也参见WO03/020790),和"白色"共聚物，组成如下50mol%的2'，3'，6',7'-四(2-甲基丁氧基)螺二芴-2，7-双硼酸乙二醇酯)，29.94mol。/o的2,7-二溴-2'，3',6',7'-四(2-甲基丁氧基)螺二芴)，10mol%的N,N'-双(4-溴苯基)-N，N'-双(4-叔丁基苯基)联苯胺和10mol。/o的2,3,6,7-四(2-甲基丁氧基)-2'，7'-(4-溴苯乙烯基)-9，9'-螺二芴，0.05moP/o的l-(2-乙基己氧基)-4-甲氧基-2,5-双(4-溴代-2，5-二甲氧基苯乙烯基)苯和0.01mol。/。的双-4，7-(2'-溴代-5'噻吩基)-2,l，3-苯并噻二唑(P2，参见WO05/030827)。这些通过如WO03/048225中描述的Suzuki聚合制备，分子量Mw为约500,000g/mol(通过凝胶渗透色谱法确定)。此外，使用"黄色"PPV包括50mol。/。的2,5-双(氯甲基)-3'-(3,7-二甲基辛氧基)联苯和50mol。/。的2,5-双(氯甲基)-4-甲氧基-3'，4'-双(2-甲基丙氧基)联苯(P3)。这种聚合物的制备和其另外的性能描述在WO99/24526中。为测量臭氧的敏感性，在四种不同条件下制造组分。1.在保护气体下在手套箱中使用甲苯作为溶剂。2.在保护气体下在手套箱中使用甲苯和链烯烃添加剂作为溶剂。3.在通过臭氧发生器产生的空气中200ppb的臭氧气氛下，使用甲苯作为溶剂。4.在通过臭氧发生器产生的空气中200ppb臭氧气氛下使用甲苯和链烯烃添加剂作为溶剂。通过臭氧测量仪(Anseros-LUM)确定臭氧浓度。该层用于PLEDs中研究。该PLEDs各自是两层体系，即基材〃ITO〃PEDOT〃聚合物〃阴极。PEDOT是聚噻吩衍生物(从H.C.Starck,Goslar获得BaytronP)。用于所有情况的阴极是Ba/Ag(Aldrich)。能够制备PLEDs的方法详细地描述在WO04/037887和在其中引用文献中。如WO04/037887中描述的同样进行光电学表征和确定操作寿命。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>表1:不同的聚合物制剂的性能aVol%b最大效率最大效率，按cd/A计。c在亮度为100cd/n^时的电压。dCIE座标CommissionInternationalede1，Eclairage1931的彩色坐标。e寿命直到亮度下降到初始亮度50%的时间(外推到初始亮度的100cd/m2,在P3情况下，外推到1000cd/m2)。权利要求1.一种单相液体组合物(溶液)，包括·至少一种有机半导体，·至少一种有机半导体的有机溶剂，和·至少一种脂族或脂环族的链烯烃，其特征在于基于溶剂或溶剂混合物，链烯烃的比例为0.01-20wt％。2.权利要求1的溶液，其特征在于所述有机半导体是纯组分或两种或多种组分的混合物(共混物)，其中至少一种具有半导体性能。3.权利要求1或2的溶液，其特征在于所述有机半导体是低分子量的低聚、树枝状、直链或支链，特别是聚合有机或有机金属化合物或化合物的混合物。4.根据权利要求1-3的一项或多项的溶液，其特征在于所述有机半导体的至少一种组份具有高分子量，且分子量Mw为大于10,000g/mol。5.根据权利要求1-4的一项或多项的溶液，其特征在于聚合有机半导体选自取代的聚对亚芳基亚乙烯基(PAVs)、聚芴(PFs)、聚螺二芴(PSFs)、聚对亚苯基(PPPs)或亚联苯基、聚二氢菲(PDHPs)、反式和顺式聚茚并芴(PIFs)、聚菲、聚噻吩(PTs)、聚吡啶(PPys)、聚吡咯、具有两种或多种这些类别的结构单元的共聚物、聚乙烯基咔唑(PVKs)、三芳胺聚合物、聚亚甲硅基、聚锗烷和/或包括磷光单元的聚合物，所有的这些可溶于有机溶剂。6.根据权利要求1-5的一项或多项的溶液，其特征在于所述溶液包括0.01-20wt。/。的有机半导体或相应的共混物。7.根据权利要求l-6的一项或多项的溶液，其特征在于使用的溶剂是单或者多取代的芳香族溶剂、蚁酸衍生物、N-烷基吡咯烷酮或高沸点醚和/或与直链、支链或环状的链烷、(环状的)脂族醇、醚、酮或羧酸酯类的混合物。8.根据权利要求1-7的一项或多项的溶液，其特征在于所述链烯烃的沸点低于25(TC。9.根据权利要求1-8的一项或多项的溶液，其特征在于所述链烯烃的沸点超过5(TC。10.根据权利要求1-9的一项或多项的溶液，其特征在于所述链烯烃包括5-15个碳原子。11.根据权利要求l-10的一项或多项的溶液，其特征在于所述链烯烃选自2,3-二甲基-2-丁烯、4-甲基-l-戊烯、2,3-二甲基-1-丁烯、1,5-己二烯、l-己烯、l-甲基-l-环戊烯、1,3-环己二烯、环己烯、反式,反式-2，4-己二烯、1,4-环己二烯、2-甲基-l-己烯、l-庚烯、2,4,4-三甲基-1-戊烯、1,7-辛二烯、l-辛烯、反式-4-辛烯、反式-2-辛烯、1，3-环辛二烯、苯乙烯、双茂、1,9-癸二烯、l-癸烯、l-十二烯、环十二碳烯、2，5-二甲基-2，4-己二烯、l-十三烯和顺式，反式，反式-l，5，9-环十二垸三烯。12.权利要求1-11的一项或多项的溶液用于在基材上制造有机半导体层的用途。13.—种用于在基材上制造有机半导体层的方法，其特征在于通过印刷方法或区域涂覆方法处理权利要求1-11的一项或多项的溶液。14.有机半导体的层，其特征在于使用权利要求1-11的一项或多项的溶液产生所述层。15.根据权利要求14的有机半导体层，其特征在于通过权利要求13的印刷方法或区域涂覆方法产生所述层。16.根据权利要求14或15的有机半导体层在有机或聚合发光二极管(OLEDs、PLEDs)、有机场效应晶体管(O-FETs)、有机薄膜晶体管(O-TFTs)、有机集成电路(O-ICs)、有机场猝熄器件(O-FQDs)、有机发光晶体管(O-LETs)、发光电化学电池(LECs)、有机太阳能电池(O-SCs)、有机激光器二极管(O-Iasers)或有机光感受器(O-PCs)中的用途。17.包括至少一个根据权利要求14或15所述的层的有机或聚合发光二极管(OLEDs、PLEDs)、有机场效应晶体管(O-FETs)、有机薄膜晶体管(O-TFTs)、有机集成电路(O-ICs)、有机场猝熄器件(O-FQDs)、有机发光晶体管(O-LETs)、发光电化学电池(LECs)、有机太阳能电池(O-SCs)、有机激光器二极管(O-lasers)或有机光感受器(O-PCs)。18.—种显示器，其包括权利要求17的有机或聚合发光二极管(OLED、PLED)。全文摘要本发明涉及至少一种有机半导体在至少一种含有至少一种脂族或脂环族链烯烃的有机溶剂中的溶液，和涉及其用于在基材上制造特别是用于电子工业中的有机半导体层的用途。文档编号H01L51/00GK101243559SQ200680030122公开日2008年8月13日申请日期2006年7月25日优先权日2005年8月18日发明者海因里希·贝克尔,苏珊·霍伊恩申请人:默克专利有限公司