专利名称：光电转换元件的p型掺杂层及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光电转换元件及其制造方法，且特别涉及一种光电转换 元件的P型掺杂层及其制造方法。
背景技术：
石化燃料的能源供应日渐匱乏，且燃烧会带来环境及空气污染。核能发 电虽能供应高电力密度，却有核辐射与核废料储存方面的安全顾虑。前述两 者都有增加社会成本的问题，因此，在开源节流和发展无污染/低污染新能源 工业技术的考量与需求下，可再生能源逐渐受到重视，各国都在积极研究将 可再生能源作为替代能源的可行性。
在上述可再生能源中，光电转换元件中的太阳光电模块(又称为
photovoltaic modules,简称为PV模块)可将太阳光直接转换为电力，已成为 替代能源的主流之一。尤以太阳光取的不尽用的不竭，且限制又少，只要有 阳光的地方，就有办法利用太阳来发电。
依现今太阳光电模块的技术发展而言，如果以太阳能电池芯片的材料来 区分，大致可分为(l)单晶硅(single crystal silicon)和多晶硅(polycrystal silicon) 太阳能电池、(2)非晶硅(amorphous silicon, a-Si)薄膜太阳能电池、(3)III-V族 太P曰能电池(4)染泮牛壽文4b太阳能电池(dye-sensitizer and dye-sensitized solar cell, DSSC)。
在薄膜太阳能电池中，光电转换层通常是由P型掺杂层、本质(intrinsic) 层、N型掺杂层堆叠形成p-i-n的结构。P型掺杂层是窗口层(window layer), 入射光透过P型掺杂层进入本质层，P型掺杂层还会与N型掺杂层一起产生 内建电场。因此，P型掺杂层对电池的整体性有着重大影响。
已知的P型4参杂层是由氲化非晶硅(hydrogenated amorphous silicon, a-Si:H)薄膜来形成，但a-Si:H薄膜的入射光的吸收效率不佳，约有10%的 入射光在P型掺杂层内损失掉。因此业界又提出利用氢化非晶硅碳化硅 (hydrogenated amorphous silicon carbide, a-SiC:H)薄月莫或氬化非晶硅氧化石圭(hydrogenated amorphous silicon oxide, a-SiO:H)薄膜来形成P型掺杂层的作 法，虽然具有足够的光学能带隙，可吸收较短波长的太阳光线，但这类材料 本质偏向于非导体，高导电率的要求势必难以达到。
发明内容
本发明提供一种光电转换元件的P型掺杂层，兼具高导电率与高光学能 带隙，能够提升太阳能电池的光电效能。
本发明又提供一种光电转换元件的P型掺杂层的制造方法，可以制作元 件级的掺杂层，以应用于太阳能电池或其他光电转换元件。
本发明提出一种光电转换元件的P型掺杂层，包括成核层，以及形成于 成核层上的宽能带隙层。
依照本发明的第 一 实施例所述，上述成核层的材料包括氢化微晶硅 (hydrogenated nano-crystalline silicon, nc-Si:H)薄月莫。
依照本发明的第 一 实施例所述，上述宽能带隙层的材料包括氢化微晶氧 4ti石圭(hydrogenated nano-crystalline silicon oxide, nc-SiO:H)薄月莫。
依照本发明的第 一 实施例所述，上述成核层的厚度大于或等于宽能带隙 层的厚度。
依照本发明的第一实施例所述，上述成核层的结晶率例如是大于30%。
依照本发明的第一实施例所述，上述成核层的导电率例如是大于icr6
S/cm。
依照本发明的第 一 实施例所述，上述宽能带隙层的能带隙例如是大于 1.9eV。
依照本发明的第 一 实施例所述，上述宽能带隙层的含氧量例如是在 10'8 10"atom/cm3之间。
本发明另提出一种制备光电转换元件的P型掺杂层的方法，此方法先在 透明导电基板上形成成核层，其中形成成核层的气体包括硅烷(SiH4)和氢气 (H2),且硅烷和氢气的初始流量比例如是介于1:100 1:50之间。然后，于成 核层上形成宽能带隙层。
依照本发明的第二实施例所述，上述形成成核层所使用的硅烷的流量随 时间变化增加并在一段时间后维持不变，其中此段时间是取决于成核层的结 晶率至少大于约20%之后。依照本发明的第二实施例所述，上述形成成核层所使用的氬气的流量维 持不变。
依照本发明的第二实施例所述，上述形成成核层所使用的硅烷和氢气的
最终流量比介于1:20 1:5之间。
依照本发明的第二实施例所述，上述形成宽能带隙层的气体包括硅烷 (SiHU)和氢气(H2)，且硅烷和氢气的流量比例如为1:30 1:150。
依照本发明的第二实施例所述，上述形成宽能带隙层的气体还可以包括 C02、化0或02。
由于本发明所形成的p型掺杂层是具有成核层与宽能带隙层的双层结 构，不4旦具有高的导电率，而且具有良好的光电效能，可以应用于太阳能电 池或其他光电转换元件。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并 配合附图，作详细说明如下。
图1为依据本发明的第一实施例的一种光电转换元件的p型掺杂层的剖 面示意图。
图2为依据本发明的第二实施例的一种光电转换元件的P型掺杂层的制 备流程步骤图。
图3为依照上述实验例与对照例的太阳能电池的电流密度对电压的关系 曲线图。
附图标记说明
100: P型掺杂层；102:成核层；104:宽能带隙层；200、 202:步骤
具体实施例方式
图1为依据本发明第一实施例的光电转换元件的P型掺杂层的剖面图。 请参照图l,P型掺杂层100包括成核层(seedinglayer)l(^与宽能带隙层 (wide band gap layer)104。宽能带隙层1(M形成于成核层102上方。成核层 102的材^H列如是氬4匕樣l晶石圭(hydrogenated nano-crystalline silicon, nc-Si:H) 薄膜，其厚度例如是介于50埃至200埃之间。宽能带隙层104的材料例如 是氬4b樣t晶氧4匕石圭(hydrogenated nano-crystalline silicon oxide, nc-SiO:H)薄膜。由成核层102与宽能带隙层104所组成的P型掺杂层100的厚度例如是 介于100埃至250埃之间。
请继续参照图1，第一实施例的成核层102的结晶率例如是大于30%, 且其导电率(conductivity)例如是大于l(T6 S/cm。宽能带隙层104的能带隙例 如是大于1.9eV,且其含氧量例如是介于1018~ 10"atom/cr^之间。
图2为依据本发明的第二实施例的 一种光电转换元件的P型掺杂层的制 备流程步骤图。
请参照图2，先进行步骤200,在透明导电基板上形成成核层，其中形 成成核层的气体包括硅烷(SiH4)和氲气(H2),且硅烷和氬气的初始流量比介于 1:100 1:50之间。上述透明导电基板例如是由一个透明基板与一层透明导电 氧化物(transparent conductive oxide ， TCO)薄膜所构成，其中透明导电氧化物 薄膜的材料例如氧化锌(ZnO)、 二氧化锡(Sn02)、氧化铟锡(indium tin oxide, 1丁0)或氧化铟(111203)。至于形成上述成核层的方法例如是等离子体增益化学 气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)或其他适合 的方法。举例来说，形成成核层所使用的氢气的流量可维持不变，但形成成 核层所使用的硅烷的流量会随时间变化增加，并在数分钟(例如约3分钟)后 维持不变，其中此时间点是取决于成核层的结晶率。举例来说，当成核层的 结晶率例如是大于20%之后，亦即结晶开始形成时，形成成核层所使用的硅 烷的流量即维持不变，不再随时间变化，且硅烷和氢气的最终流量比例如是 介于1:20至1:5之间。
根据此实验条件下制备的成核层为氢化微晶硅(nc-Si:H)薄膜，其结晶率 例如是大于30%,且其导电率例如是大于l(T6 S/cm。
接着，进行步骤202,在成核层上形成宽能带隙层。而且，宽能带隙层 的形成方法例如是等离子体增益化学气相沉积法或其他适合的方法。举例来
说，形成宽能带隙层的气体包括硅烷(SiH4)和氢气(H2),并且需要加入C02、
N20或02,其中硅烷和氢气的流量比例如为1:50。根据此实验条件下制备 的宽能带隙层为氢化微晶氧化硅(nc-SiO:H)薄膜，其能带隙例如是大于 1.9eV，且其含氧量例如是介于1018至10"atom/cn^之间。至此，即完成P 型掺杂层的制备。
目前业界尚未有人提出形成高结晶度的宽能带隙层的方法。第二实施例 则是利用先形成nc-Si:H薄膜作为成核层之后，再利用具有结晶性的成核层作为基础，成长nc-SiO:H薄膜作为宽能带隙层。因此，所形成的P型#^杂 层具有高结晶度与高导电度。
以下特举一个实验例与一个对照例来证实本发明的功效。实验例
首先，准备一个透明导电基板，再依照本发明的第二实施例的方法，在 透明导电基板上形成一层氢化微晶硅(nc-Si:H)薄膜作为成核层，其厚度介于 50埃至200埃之间。然后，在氢化微晶硅薄膜上形成一层氢化微晶氧化硅 (nc-SiO:H)薄膜作为宽能带隙层。所得到的双层结构即为本发明的P型掺杂 层，其厚度约100埃至250埃之间。然后，在P型掺杂层上形成本质层、N 型掺杂层与导电层，以便完成太阳能电池的制作。对照例
除了用已知技术形成氢化非晶硅碳化硅(a-SiC:H)薄膜当作P型掺杂层之 外，依照实验例的步骤完成对照组的太阳能电池。其中的氢化非晶硅碳 化硅薄膜厚度约200埃。
图3为依照上述实验例与对照例的太阳能电池的电流密度对电压的关系 曲线图。在图3中，Voc为开路电压(open circuit current)、 Jsc为短^各电流(short circuit current) 、 Pmax表示电;也的最大專餘出功率(Maximum output power) 、 FF 为填充因数(fill factor),可代表太阳能电池的工作性能。由图3的曲线可换 算得知，实验例的P型掺杂层的效率约8%,而对照例的a-SiC:H薄 膜的效率约5.525%。由此可知，本发明所形成的P型掺杂层确实可4是升太 阳能电池的光电效率。
综上所述，本发明的P型掺杂层中的成核层较已知的氢化非晶硅薄膜 a-Si:H薄膜具有良好的光电性能，如高的掺杂效率、高的导电率与低的光吸 收等。在成核层上方的宽能带隙层则因为其光学能带隙高，可吸收较短波长 的太阳光线。因此，本发明所形成的P型^^杂层可兼具上述成核层与宽能带 隙层的优点，不但具有高的导电率，而且具有良好的光电效能。另外，本发 明所形成的P型掺杂层，可降低透明导电基板与P型掺杂层之间的能量势垒 (energy barrier),有利于电流的增益。
虽然本发明已以优选实施例^C露如上，然其并非用以限定本发明，本领 域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因 此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定的为准。
权利要求
1. 一种光电转换元件的P型掺杂层，包括成核层；以及宽能带隙层，形成于该成核层上。
2. 如权利要求1所述的光电转换元件的P型掺杂层，其中该成核层的材 料包括氢化微晶硅薄膜。
3. 如权利要求1所述的光电转换元件的P型掺杂层，其中该宽能带隙层 的材料包括氢化微晶氧化硅薄膜。
4. 如权利要求1所述的光电转换元件的P型掺杂层，其中该成核层的厚 度大于或等于该宽能带隙层的厚度。
5. 如权利要求1所述的光电转换元件的P型掺杂层，其中该成核层的结 晶率大于30%。
6. 如权利要求1所述的光电转换元件的P型掺杂层，其中该成核层的导 电率大于IO-6 S/cm。
7. 如权利要求1所述的光电转换元件的P型掺杂层，其中该宽能带隙层 的能带隙大于1.9eV。
8. 如权利要求1所述的光电转换元件的P型掺杂层，其中该宽能带隙层 的含氧量在10" 10"atom/cm3之间。
9. 一种制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，包括在透明导电基板上形成成核层，其中形成该成核层的气体包括硅烷和氢 气，且硅烷和氢气的初始流量比介于1:100 1:50之间；以及 于该成核层上形成宽能带隙层。
10. 如权利要求9所述的制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，其中 形成该成核层所使用的硅烷的流量随时间变化增加并在一段时间后维持不变。
11. 如权利要求10所述的制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，其中 该段时间是fu夬于成核层的结晶率至少大于20%之后。
12. 如权利要求9所述的制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，其中 形成该成核层所使用的氢气的流量维持不变。
13. 如权利要求9所述的制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，其中形成该成核层所使用的硅烷和氢气的最终流量比介于1:20 1:5之间。
14. 如权利要求9所述的制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，其中 形成该宽能带隙层的气体包括硅烷和氢气，且硅烷和氢气的流量比为 1:30 1:150。
15. 如权利要求9所述的制造光电转换元件的P型掺杂层的方法，其中形成该宽能带隙层的气体还包括C02、 N20或0z。
全文摘要
本发明公开了一种光电转换元件的P型掺杂层及其制造方法。该光电转换元件的P型掺杂层为一双层结构，包括成核层及形成于成核层上的宽能带隙层。上述双层结构的P型掺杂层具有高的导电率及良好的光电效能。
文档编号H01L31/02GK101471387SQ20071030557
公开日2009年7月1日 申请日期2007年12月27日 优先权日2007年12月27日
发明者黄志仁 申请人:财团法人工业技术研究院